一种MEMS加速度计及其形成方法与流程

一种mems加速度计及其形成方法
技术领域
1.本发明涉及微机电系统技术领域，特别是涉及一种mems加速度计及其形成方法。


背景技术：

2.惯性传感器是一种能够感测和/或产生运动的器件。 惯性传感器是一种包含微机电系统的器件。这种mems器件的示例包括能够感测加速度的加速度计。加速度计是惯性导航和制导系统的主要设备之一。与传统的机械和光学传感器相比，mems传感器具有成本低、体积小、功耗低、可与集成电路集成并使用与集成电路相同的制造工艺等优点。
3.mems传感器广泛应用于消费电子、工业制造、医疗电子、汽车电子、航空航天和军事等领域。 mems传感器具有巨大的发展潜力和商业价值。mems加速度计的工作原理是惯性效应。移动物体时，悬浮的微结构会受到惯性力的影响，加速度计信号的变化与线性加速度成正比。mems加速度计按检测方式主要分为电容式、压阻式、压电式和光学式等。 同时，电容式mems加速度计的使用在工业上得到广泛的应用，主要是因为其结构简单，工作方式与半导体技术兼容。mems芯片可以通过半导体制造方法制造，并且可以包含上述单个或多个器件。使用电容法测量加速度可以有多种方法。一种方法是使用由两个电容组成的差分电容，并以这样的方式排列，即当受到加速度时，其中一个电容值增加而另一个电容值减小，这允许增加电容变化的值并提高测量精度。
4.然而，在相关技术中，制造用于测量沿三轴加速度的差分电容的mems加速度计存在一些技术难题。为了产生用于检测沿z轴的加速度的差分电容，需要使用附加的衬底并在其上施加电极，以及后续执行连接衬底的操作。这导致制造这种结构的成本和难度增加了。


技术实现要素：

5.本发明的目的在于提供一种mems加速度计，该mems加速度计的结构简单，仅需一个衬底即可实现使用差分电容测量三轴加速度，从而降低了制造成本和难度，具有较好的适用性。
6.为实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：一种mems加速度计，包括：衬底；第一检验质量块以及第二检验质量块，分别弹性悬设于所述衬底上，所述第二检验质量块呈周向连接设置于所述第一检验质量块外，所述第一检验质量块包括主部以及次部，所述主部的水平截面积大于所述次部的水平截面积；感测梳，设有四组，分别设置于所述第二检验质量块的四侧，每组所述感测梳包括移动梳和固定梳，所述固定梳与所述移动梳相互交叉形成叉指结构，且沿着平行于其所在侧对应的所述第二检验质量块边长的方向延伸，所述固定梳固定设置于所述衬底上，各所述移动梳与所述第二检验质量块的对应各侧面弹性连接，所述移动梳弹性连接于所述衬底上；
第一固定平面电极和第二固定平面电极，分别固定设置于所述衬底上，所述第一固定平面电极位于所述主部下方，所述第二固定平面电极位于所述次部下方。
7.优选地，所述mems加速度计还包括两个扭力杆，各所述扭力杆均设置于所述主部和所述次部之间，所述第一检验质量块通过两个所述扭力杆悬挂于所述衬底上，各所述扭力杆远离所述第一检验质量块的一端与所述第二检验质量块连接。
8.优选地，所述mems加速度计还包括将所述第二检验质量块弹性悬设于所述衬底上的固定组件，所述固定组件包括第一弹性悬架、第二弹性悬架以及锚固件，所述第一弹性悬架一侧与所述第二检验质量块弹性连接，另一侧与所述移动梳弹性连接，所述第二弹性悬架一侧与所述移动梳弹性连接，另一侧与所述锚固件弹性连接，所述锚固件固定于所述衬底上。
9.优选地，所述第一弹性悬架设有八个，所述第二检验质量块的四侧分别形成有两个槽口，各所述第一弹性悬架对应设置于各所述槽口内，且与所述第二检验质量块弹性连接，所述第二弹性悬架设有八个，所述锚固件设有四个，各所述锚固件对应设置于所述第二检验质量块的各角端，各所述锚固件相邻两侧分别弹性连接有所述第二弹性悬架。
10.优选地，所述锚固件靠近所述第二检验质量块的一端部上形成有开口，所述开口与所述第二检验质量块上的角端呈配合设置。
11.优选地，所述mems加速度计还包括固定设置于所述衬底上的阻尼器，所述阻尼器设置于所述第二检验质量块内。
12.优选地，所述第一检验质量块沿其厚度方向贯穿形成有多个第一通孔。
13.优选地，所述第二检验质量块沿其厚度方向贯穿形成有多个第二通孔。
14.本发明还提供了一种用于形成所述mems加速度计的方法，包括如下步骤：沉积多晶硅薄膜于衬底上，并通过光刻和蚀刻绘图后，得到具有其中部分固定梳、第一固定平面电极以及第二固定平面电极的第一结构层；在所述第一结构层上沉积磷硅玻璃层并退火，蚀刻锚孔，得到牺牲层；在所述牺牲层上沉积多晶硅薄膜和磷硅玻璃层并退火，进行光刻和蚀刻绘图后，得到具有另一部分所述固定梳、移动梳、第一检验质量块和第二检验质量块的第二结构层。
15.优选地，得到所述第一结构层之前，所述方法还包括：在所述衬底上沉积氮化硅层；得到所述第二结构层之后，所述方法还包括：去除所述牺牲层。
16.相比现有技术，本发明的有益效果在于：上述技术方案中所提供的一种mems加速度计，是通过弹性悬设于衬底上的第一检验质量块和第二检验质量块，第一检验质量块包括主部和次部，第一固定平面电极位于主部下方，第二固定平面电极位于次部下方，实现z轴加速度的测量，感测梳包括移动梳和固定梳，感测梳设置在第二检验质量块四侧，能够实现x轴和y轴上加速度的测量，该mems加速度计结构简单，仅需一个衬底即可实现使用差分电容测量三轴加速度，从而降低了制造成本和难度。
附图说明
17.图1为本发明其中一实施例中一种mems加速度计的拓扑结构示意图；图2为图1所示第一检验质量块的示意图；
图3为mems加速度计沿x轴加速度作用下反映感测信号方向的示意图；图4为mems加速度计沿y轴加速度作用下反映感测信号方向的示意图；图5为mems加速度计沿z轴负方向加速度作用下反映感测信号方向的示意图；图6为mems加速度计沿z轴正方向加速度作用下反映感测信号方向的示意图；图7为图1所示a-a处的剖面示意图；图8为图1所示b-b处的剖面示意图；图9为图1所示锚固件的示意图；图10为本发明其中另一实施例中mems加速度计的拓扑结构示意图；图11为本发明其中又一实施例中mems加速度计的拓扑结构示意图；图12为本发明其中再一实施例中mems加速度计的拓扑结构示意图；图13为本发明实施例中第一结构层及衬底的示意图；图14为本发明实施例中第一结构层、衬底及牺牲层的示意图；图15为本发明实施例中第一结构层、衬底、牺牲层及第二结构层的示意图。
18.附图标记说明：1、衬底；2、第一检验质量块；21、主部；22、次部；23、第一通孔；3、第二检验质量块；31、槽口；32、第二通孔；41、移动梳；42、固定梳；51、第一固定平面电极；52、第二固定平面电极；6、扭力杆；71、第一弹性悬架；72、第二弹性悬架；8、锚固件；81、开口；9、阻尼器；100、氮化硅层；210、第一结构层；220、牺牲层；230、第二结构层；300、锚孔。
具体实施方式
19.下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
20.在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
21.在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
22.本发明实施例中提供了一种mems加速度计，该mems加速度计的结构简单，仅需一个衬底1即可实现使用差分电容测量三轴加速度，从而降低了制造成本和难度。
23.请参阅图1及图9，其中一实施例中，该mems加速度计，至少包括：衬底1；第一检验质量块2以及第二检验质量块3，分别弹性悬设于所述衬底1上，所述第二检验质量块3呈周向连接设置于所述第一检验质量块2外，所述第一检验质量块2包括主部
21以及次部22，所述主部21的水平截面积大于所述次部22的水平截面积，能够使第一检验质量块2产生旋转，用于改变沿z轴的差分电容，进而测量得到沿z轴的加速度；感测梳，设有四组，分别设置于所述第二检验质量块3的四侧，每组所述感测梳包括移动梳41和固定梳42，所述固定梳42与所述移动梳41相互交叉形成叉指结构，且沿着平行于其所在侧对应的所述第二检验质量块3边长的方向延伸，所述固定梳42固定设置于所述衬底1上，各所述移动梳41与所述第二检验质量块3的对应各侧面弹性连接，所述移动梳41弹性连接于所述衬底1上；第一固定平面电极51和第二固定平面电极52，分别固定设置于所述衬底1上，所述第一固定平面电极51位于所述主部21下方，所述第二固定平面电极52位于所述次部22下方。
24.需要说明的是，衬底1可以为本领域已知任何合适的衬底1材料，例如，硅的半导体材料或任何其他半导材料，或非半导体材料如玻璃、塑料、金属或陶瓷。如果需要，衬底1可以包括在其上制造的集成电路。第一检验质量块2、第二检验质量块3、移动梳41、固定梳42、第一固定平面电极51和第二固定平面电极52，可以为本领域已知的任何材料，例如包括多晶硅的半导体材料或其他任何半导体材料，并且可以具有大约几微米至100微米相同或不同的厚度，例如大约2至10微米。移动梳41和固定梳42形成的叉指结构之间的间隙从约几微米到约十微米之间任意选择。第一检验质量块2分别与第一固定平面电极51和第二固定平面电极52之间的间隙从约几微米到约十微米之间任意选择。
25.本发明中一个非限制性的mems加速度计操作原理为：定义沿垂直于衬底1上表面的方向为z轴方向，且沿靠近衬底1上表面的方向为负方向，沿远离衬底1上表面的方向为正方向；如图1所示，水平方向为x轴方向，水平向右为x轴正方向，水平向左为x轴负方向，竖直方向为y轴方向，竖直向上为y轴正方向，竖直向下为y轴负方向。
26.如图3所示，如果沿 x 轴正方向向该mems加速度计施加线性加速度，由于第一检验质量块2和第二检验质量块3弹性悬设于衬底1上，第一检验质量块2和第二检验质量块3从初始位置偏移，惯性力移动第一检验质量块2和第二检验质量块3，使得弹性连接于第二检验质量块3左右两侧的两组感测梳发生变化，左侧一组感测梳中的固定梳42和移动梳41之间的间隙改变（间隙增大），右侧一组感测梳中的固定梳42和移动梳41之间的间隙改变（间隙减小），进而改变了x 轴方向上的差分电容的值，差分电容值的变化与沿 x 轴的加速度大小成正比。反之，如果沿 x 轴负方向向该mems加速度计施加线性加速度，则左右两组感测梳中固定梳42和移动梳41的间隙变化相反。
27.如图4所示，如果沿y轴正方向向该mems加速度计施加线性加速度，第一检验质量块2和第二检验质量块3从原始位置偏移，惯性力移动第一检验质量块2和第二检验质量块3，使得弹性连接于第二检验质量块3上下两侧的两组感测梳发生变化，下方一组感测梳中的固定梳42和移动梳41之间的间隙改变（间隙增大），上方一组感测梳中的固定梳42和移动梳41之间的间隙改变（间隙减小），进而改变了y 轴方向上的差分电容的值，差分电容值的变化与沿y 轴的加速度大小成正比。反之，如果沿y 轴负方向向该mems加速度计施加线性加速度，则上下两组感测梳中固定梳42和移动梳41的间隙变化相反。
28.如图5-图6所示，如果沿z轴正方向向该mems加速度计施加线性加速度，由于惯性力使第一检验质量块2发生扭转，第一检验质量块2从初始位置偏移，惯性力使主部21向下
移动，并使次部22向上移动，从而改变第一固定平面电极51和主部21之间的间隙（间隙减小），并改变第二固定平面电极52和次部22之间的间隙（间隙增大），从而改变了z 轴方向上的差分电容的值，差分电容值的变化与沿z轴的加速度大小成正比。反之，如果沿z 轴负方向向该mems加速度计施加线性加速度，则第一固定平面电极51和主部21之间的间隙，以及第二固定平面电极52和次部22之间的间隙变化相反。
29.由上述内容可知，通过弹性连接于第二检验质量块3左右两侧的两组感测梳，能够使用差分电容测量x轴加速度；通过弹性连接于第二检验质量块3上下两侧的两组感测梳，能够使用差分电容测量y轴加速度；第一固定平面电极51以及第二固定平面电极52均固定设置于一个衬底1上，通过第一固定平面电极51和主部21，以及第二固定平面电极52和次部22，能够使用差分电容测量z轴加速度；因此，无需另设附加衬底1，仅需一个衬底1即可实现使用差分电容测量三轴（x轴、y轴和z轴）加速度，实现相关技术中至少两个衬底1才能达到的等效功能，大大简化了该mems加速度计的结构，降低了制造成本以及制造难度。
30.如图1所示，所述mems加速度计还包括两个扭力杆6，各扭力杆6沿y轴方向设置，两个扭力杆6位于第一检验质量块2偏离中心线的位置，各所述扭力杆6均设置于所述主部21和所述次部22之间，两个扭力杆6因作用于第一检验质量块2上的惯性力发生扭曲。所述第一检验质量块2通过两个所述扭力杆6悬挂于所述衬底1上，各所述扭力杆6远离所述第一检验质量块2的一端与所述第二检验质量块3连接。
31.需要解释的，两个扭力杆6的设置位置距离第一检验质量块2中心的偏移量，这个偏移量的大小是通过计算z轴加速度和位移的关系来确定。
32.需要说明的是，由于计算了第一弹性悬架71和第二弹性选件沿x轴和y轴的刚度，还计算了扭力杆6的角刚度，使沿x轴以及y轴的刚度和角刚度相等。计算时还考虑了沿x轴和y轴（第二检验质量块3和移动梳41）以及z轴（第一检验质量块2）移动部件的重量。因此，在该mems加速度计沿x和y轴的固有频率相等的情况下，正确选择扭力杆6的长度和横截面，能够使得沿x和y轴的固有频率与沿z轴的相等，进而实现该mems加速度计沿三轴（x轴、y轴和z轴）的灵敏度相同。另外，虽然通过扭力杆6连接了第一检验质量块2和第二检验质量块3，但是由于扭力杆6的低角刚度，在第一检验质量块2沿z轴发生运动时，第二检验质量块3不会产生运动。
33.可以理解的是，当沿z轴方向向该mems加速度计施加线性加速度时，由于惯性力使各扭力杆6相对于其纵轴发生扭转，带着第一检验质量块2从初始位置上偏移，实现第一检验质量块2在z轴惯性力作用下发生扭转，使主部21和次部22朝相反的方向移动，改变主部21与第一固定平面电极51之间的间隙，以及次部22与第二固定平面电极52之间的间隙，从而改变了z 轴方向上的差分电容的值。
34.如图1、图7所示，所述mems加速度计还包括将所述第二检验质量块3弹性悬设于所述衬底1上的固定组件，所述固定组件包括第一弹性悬架71、第二弹性悬架72以及锚固件8，所述第一弹性悬架71一侧与所述第二检验质量块3弹性连接，另一侧与所述移动梳41弹性连接，所述第二弹性悬架72一侧与所述移动梳41弹性连接，另一侧与所述锚固件8弹性连接，所述锚固件8固定于所述衬底1上。
35.需要说明的是，由于第二检验质量块3通过第一弹性悬架71与移动梳41弹性连接，移动梳41通过第二弹性悬架72连接于锚固件8上，将第一弹性悬架71和第二弹性悬架72的
刚度设为相同，即x轴和y轴方向的刚度相同，能够实现该mems加速度计沿x轴和y轴的固有频率相同，进而实现沿x轴和y轴的灵敏度相等。
36.可以理解的是，第二检验质量块3通过第一弹性悬架71与移动梳41弹性连接，移动梳41通过第二弹性悬架72连接于锚固件8上，由于锚固件8固定于衬底1上，从而实现将第二检验质量块3弹性悬设于衬底1上，并且将移动梳41弹性连接于衬底1上。
37.具体地，所述第一弹性悬架71设有八个，所述第二检验质量块3的四侧分别形成有两个槽口31，各所述第一弹性悬架71对应设置于各所述槽口31内，且与所述第二检验质量块3弹性连接，所述第二弹性悬架72设有八个，所述锚固件8设有四个，各所述锚固件8对应设置于所述第二检验质量块3的各角端，各所述锚固件8相邻两侧分别弹性连接有所述第二弹性悬架72。
38.如图1所示，各第一弹性悬架71与第二检验质量块3的各侧呈垂直设置，其中四个第一弹性悬架71沿x轴方向设置，另外四个第一弹性悬架71沿y轴方向设置。第二检验质量块3四个角端分别设有两个第二弹性悬架72，其中四个第二弹性悬架72沿x轴方向设置，另外四个第二弹性悬架72沿y轴方向设置。当第一检验质量块2沿z轴发生运动时，由于第一弹性悬架71和第二弹性悬架72通过上述排布方式进行排布，能够更有效的保证第二检验质量块3不会产生运动。
39.可以理解的是，由于四个锚固件8分别设置于第二检验质量块3的四个角端，能够限制第二检验质量块3在衬底1平面内（x轴和y轴）受到冲击载荷时的运动，有效防止沿x轴和y轴方向产生的加速度对z轴的加速度带来影响。
40.由于弹性悬架纵向和横向的刚度不同，因此，如果沿x轴方向向该mems加速度计施加线性加速度，适用于横向刚度，即使沿y轴方向设置的四个第一弹性悬架71和四个第二弹性悬架72在惯性力的作用下弯曲，进而带着第二检验质量块3、移动梳41、扭力杆6和第一检验质量块2沿x轴方向偏移。如果沿y轴方向向该mems加速度计施加线性加速度，适用于纵向刚度，即使沿x轴方向设置的四个第一弹性悬架71和四个第二弹性悬架72在惯性力的作用下弯曲，进而带着第二检验质量块3、移动梳41、扭力杆6和第一检验质量块2沿y轴方向偏移。
41.更具体地，如图9所示，所述锚固件8靠近所述第二检验质量块3的一端部上形成有开口81，所述开口81与所述第二检验质量块3上的角端呈配合设置，开口81与第二检验质量块3角端的形状相适配。由于开口81卡设于第二检验质量块3的角端，能够更好的限制第二检验质量块3在x轴和y轴方向上受到冲击载荷时的运动。
42.如图1、图8所示，另外，所述mems加速度计还包括固定设置于所述衬底1上的阻尼器9，所述阻尼器9设置于所述第二检验质量块3内。第二检验质量块3上形成有安装孔，阻尼器9穿设于安装孔内，安装孔和阻尼器9的数量可以根据需要调整，两者数量相等，在本实施例中，安装孔设有八组，阻尼器9设有八组，各组阻尼器9一一对应穿设于各组安装孔内。设置阻尼器9，引入阻尼以降低谐振的品质因数。阻尼器9允许该mems加速度计在所需的低压真空或惯性气体环境中正常运行。为了增加阻尼，需要制造间隙非常小的阻尼器9，这样就可以通过在 x、y、z 轴上调整共振的品质因数来实现相同的灵敏度。
43.如图1-图2所示，作为优选的实施方式，所述第一检验质量块2沿其厚度方向贯穿形成有多个第一通孔23，能够减小沿z轴方向的阻尼力，并且还能在成型工艺中更好的去除
牺牲层220。
44.四个锚固件8、四个固定梳42以及八个阻尼器9分别由两个结构层组成；第一检验质量块2、两个扭力杆6、第二检验质量块3、八个第一弹性悬架71、四个移动梳41、八个第二弹性悬架72、第一固定平面电极51和第二固定平面电极52分别由一个结构层组成。
45.如图10所示，在其中另一实施例中，与上一实施例的区别在于，第二检验质量块3上设有八个阻尼器9，第一检验质量块2上不具有第一通孔23，此时，沿x轴和y轴的阻尼力增加，需要在真空中封装 mems 加速度计。
46.如图11所示，在其中又一实施例中，与上一实施例的区别在于，第一检验质量块2上具有第一通孔23，第二检验质量块3内可以不设置阻尼器9，此时由于x轴和y轴阻尼力增加，需要在真空中封装mems加速度计。
47.如图12所示，在其中再一实施例中，与上一实施例的区别在于，所述第二检验质量块3沿其厚度方向贯穿形成有多个第二通孔32，设置第二通孔32能够提高检验质量块下方牺牲层220移除的速度和质量。在本实施例中，第二检验质量块3内可以不设置阻尼器9，此时由于x轴和y轴阻尼力增加，需要在真空中封装mems加速度计。
48.请参阅图13-图15，本发明实施例中还提供了一种用于形成所述mems加速度计的方法，包括如下步骤：s1：在所述衬底1上沉积氮化硅层100；具体地，为了减少其他mems静电器件和微电子器件产生的电场对所述衬底1的影响，可以使用掺杂技术，例如掺杂磷，如果使用的是n型硅衬底1，在标准扩散炉中使用磷硅玻璃(phospho silicate glass，简称psg)层作为掺杂源。去除psg层后，通过低压力化学气相沉积法(low pressure chemical vapor deposition，简称lpcvd)在衬底1上沉积0.6微米的低应力氮化硅层100作为电隔离层。
49.s2：如图13所示，通过低压力化学气相沉积法（lpcvd）沉积多晶硅薄膜于衬底1上，并通过光刻和蚀刻绘图，该工艺包括用光刻胶涂覆晶片，用适当的掩模曝光光刻胶，显影曝光的光刻胶以创建所需的蚀刻掩模，以便随后将图案转移到下层中，在光刻胶图案化后，在等离子体蚀刻系统中蚀刻，得到第一结构层210，其中第一结构层210包括其中部分固定梳42、第一固定平面电极51、第二固定平面电极52的第一结构层210、其中部分锚固件8以及其中部分阻尼器9。
50.s3：如图14所示，通过低压力化学气相沉积法（lpcvd）在所述第一结构层210上沉积磷硅玻璃层并在氩气中1050
°
c退火1小时，应用光刻绘图后执行反应离子蚀刻（reactive ion etching，简称rie）锚孔300，得到牺牲层220，结构层中锚固件8、第一弹性悬架71、第二弹性悬架72等可以设置于锚孔300内。
51.s4：如图15所示，在所述牺牲层220上沉积多晶硅薄膜，并在多晶硅薄膜上沉积厚度为200 nm的磷硅玻璃层，在1050
°
c温度中退火1小时，退火从psg层的上方和下方用磷掺杂多晶硅薄膜，退火还用于显著降低多晶硅薄膜的净应力，使用设计的掩膜对多晶硅薄膜及磷硅玻璃层进行光刻图案化，得到第二结构层230，蚀刻psg层以产生用于后续蚀刻多晶硅薄膜的硬掩模。硬掩模比光刻胶更能抵抗多晶硅蚀刻工艺，并确保图案更好地转移到多晶硅中。蚀刻多晶硅薄膜后，光刻胶被剥离，剩余的氧化物硬掩模通过rie去除。其中，所述第二结构层230包括另一部分固定梳42、移动梳41、第一检验质量块2、第二检验质量块3、另一部分锚固件8、第一弹性悬架71、第二弹性悬架72、另一部分阻尼器9以及扭力杆6。
52.s5：去除所述牺牲层220，以释放得到mems加速度计的结构层，去除所述牺牲层220的方法如下：通过将衬底1浸入25
°
c的49%氢氟酸(hf)浴中2分钟来实现的。然后在蒸馏水和酒精中分别放置2分钟以减少粘连，然后在110
°
c的烘箱中放置至少10分钟。
53.本发明提供的该方法制造出沿 x、y 和z轴形成差分电容的mems加速度计，无需另设带有电极的附加衬底1来形成差分电容，以及后续的连接衬底1的操作，即无需额外的操作工艺，这大大简化了制造工艺，并且制造成本显著低于传统加工方法的制造成本。本发明可以实现沿x轴、y轴和z轴的固有频率相等，并因此实现mems加速度计沿三个轴的灵敏度相同。此外，本发明的制造也可以采用半导体的制造方法，能够进一步降低了系统的制造成本。
54.上述实施方式仅为本发明的优选实施方式，不能以此来限定本发明保护的范围，本领域的技术人员在本发明的基础上所做的任何非实质性的变化及替换均属于本发明所要求保护的范围。