体声波谐振装置的形成方法与流程

技术特征：
1.一种体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成中间层；形成第一开口，嵌入所述中间层内；在所述第一开口内形成牺牲层，所述牺牲层的顶部表面与所述中间层的顶部表面齐平；形成第二开口，嵌入所述中间层和所述牺牲层；在所述第二开口内形成第一电极层，所述第一电极层的顶部表面与所述中间层的顶部表面齐平；形成压电层，位于所述中间层上、所述牺牲层上及所述第一电极层上；在所述压电层上形成第二电极层。2.如权利要求1所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料与第一电极和所述中间层的材料不同；所述牺牲层的材料包括：聚合物、二氧化硅、掺杂二氧化硅和多晶硅中的一种或多种。3.如权利要求2所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述聚合物包括：苯并环丁烯、光感环氧树脂光刻胶和聚酰亚胺中的一种或多种。4.如权利要求1所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述中间层的材料包括：聚合物和绝缘电介质中一种或多种。5.如权利要求4所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述聚合物包括：苯并环丁烯、光感环氧树脂光刻胶和聚酰亚胺中的一种或多种。6.如权利要求4所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述绝缘电介质包括：氮化铝、二氧化硅、氮化硅和氧化钛中的一种或多种。7.如权利要求1所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述压电层包括多个晶粒，多个所述晶粒包括第一晶粒和第二晶粒，其中，所述第一晶粒和所述第二晶粒是多个所述晶粒中的任意两个晶粒；沿第一方向的第一坐标轴对应所述第一晶粒的高，沿第二方向的第二坐标轴对应所述第二晶粒的高，其中，所述第一方向和所述第二方向相同或相反。8.如权利要求7所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述第一晶粒对应第一坐标系，所述第一坐标系包括所述第一坐标轴和沿第三方向的第三坐标轴；所述第二晶粒对应第二坐标系，所述第二坐标系包括所述第二坐标轴和沿第四方向的第四坐标轴。9.如权利要求8所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述第一坐标系还包括沿第五方向的第五坐标轴，所述第二坐标系还包括沿第六方向的第六坐标轴。10.如权利要求9所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述第三方向和所述第四方向相同或相反。11.如权利要求1所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述压电层的材料包括：氮化铝、氮化铝合金、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅和铌镁酸铅—钛酸铅中的一种或多种。12.如权利要求1所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，在形成所述中间层之前，还包括：在所述基底上形成多晶层，所述多晶层位于所述基底和所述中间层之间。13.如权利要求12所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述多晶层的材料
包括：多晶材料。14.如权利要求13所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述多晶材料包括：多晶硅、多晶氮化硅和多晶碳化硅中的一种或多种。15.如权利要求1所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述中间层的厚度范围为：0.1微米至10微米。16.如权利要求1所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，在形成所述第二电极层之后，还包括：去除所述牺牲层，在压电层和中间层之间形成空腔，且所述第一电极层的一端位于所述空腔内。17.如权利要求1所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，在形成所述牺牲层之前，还包括：在所述第一开口的侧壁和底部表面形成刻蚀屏蔽层。18.如权利要求17所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述刻蚀屏蔽层的材料包括：氮化铝、碳化硅、金刚石、氮化硅、二氧化硅、氧化铝和二氧化钛中的一种或多种。19.如权利要求17所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述刻蚀屏蔽层的厚度范围为：0.1微米至3微米。20.如权利要求1所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，在形成所述第二电极层之后，还包括：在所述压电层上形成边缘结构，所述边缘结构与所述压电层接触，所述边缘结构呈环状，位于所述第二电极层与所述第一电极层的重合部的边缘。

技术总结
一种体声波谐振装置的形成方法，包括：提供基底；在基底上形成中间层；形成第一开口，嵌入中间层内；在第一开口内形成牺牲层，牺牲层的顶部表面与中间层的顶部表面齐平；形成第二开口，嵌入中间层和牺牲层；在第二开口内形成第一电极层，第一电极层的顶部表面与中间层的顶部表面齐平；形成压电层，位于中间层上、牺牲层上及第一电极层上；在压电层上形成第二电极层。由于中间层、牺牲层以及第一电极层的顶部表面齐平，因此使得形成的压电层不包括明显转向的晶粒，从而有助于提高谐振装置的机电耦合系数以及谐振装置的Q值。另外，体声波谐振装置通过层堆叠的方式形成，避免了采用键合的制程工艺，有效简化了制作步骤，降低了制作成本。降低了制作成本。降低了制作成本。


技术研发人员：邹雅丽 周建 韩兴 王斌
受保护的技术使用者：常州承芯半导体有限公司
技术研发日：2022.01.27
技术公布日：2022/6/7