一种CIS玻璃罩的减薄方法与流程

一种cis玻璃罩的减薄方法
技术领域
1.本发明涉及cis晶圆加工领域，具体的是一种cis玻璃罩的减薄方法。


背景技术：

2.微电子成像元件被广泛应用于移动设备，其中图像传感器是微电子成像元件的重要组成部分，图像传感器是将光学图像转换为电信号的半导体器件，一般可分为电荷耦合器件(ccd)和互补金属氧化物半导体图像传感芯片(cmos图像传感芯片，cis)。
3.cis芯片利用控制电路和位于mos晶体管周围的信号处理电路并且采用mos晶体管的切换技术来顺序地检测输出，mos晶体管的数量等于像素的数量，即利用光通过表面玻璃盖板及透光胶，照射到芯片上的感光区，完成光信号到电信号的转换，从而成像的原理。cis芯片能够克服ccd芯片制造工艺复杂且能耗较高的缺陷，采用cis芯片制造技术可以将像素单元阵列与外围电路集成在同一芯片上，使得cis芯片具有体积小、重量轻、低功耗、编程方便、易于控制及低成本的优点。
4.为了满足移动设备的超薄化要求，cis用玻璃罩已经从传统的400um，500um，慢慢的做到200um，100um。但是当cis玻璃罩减薄后易发生翘曲，无法与wafer贴合(如图2)，当玻璃发生翘曲时，无法用于贴合，造成大量浪费。


技术实现要素：

5.为解决上述背景技术中提到的不足，本发明的目的在于提供一种cis玻璃罩的减薄方法。
6.本发明的目的可以通过以下技术方案实现：
7.一种cis玻璃罩的减薄方法，所述减薄方法包括以下步骤：
8.s1、在cis玻璃罩的一侧通过粘着剂键合玻璃载板，通过蚀刻保护胶对cis玻璃罩和玻璃载板进行保护，露出cis玻璃罩的待减薄一侧；
9.s2、通过含氟电浆蚀刻cis玻璃罩使其减薄并去除蚀刻保护胶，得到超薄cis玻璃罩；
10.s3、在超薄cis玻璃罩表面进行cv制程；
11.s4、完成cv制程后，键合cis晶圆正面并对cis晶圆背面进行减薄，完成正常封装流程；
12.s5、将超薄cis玻璃罩和玻璃载板进行解键合，去除玻璃载板。
13.进一步地，所述s2中超薄cis玻璃罩的厚度为100-200μm，玻璃载板的厚度为400μm～800μm。
14.进一步地，所述s4中cis晶圆在键合前已完成所有正面制程。
15.进一步地，所述s4中的正面制程包括：cis元件前段制程包括正面集成电路器件、图像传感器、正面互连结构、ild、imd、钝化层、tsv、绝缘层、rdl、tsv焊盘、聚合物层、滤色器、微透镜及保护层制程。
16.进一步地，所述s5中解键合的方法采用激光穿透玻璃载板使释放剂分解玻璃载板与黏着剂之间的粘性，移除玻璃载板，清洗除去黏着层。
17.本发明的有益效果：
18.本发明在工作过程中cis玻璃罩与玻璃载板能够暂时性键合，起到整面性保护的目的，避免使用胶带保护，同时，能够有效防止制程中cis玻璃罩弯曲，避免造成浪费。
附图说明
19.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图；
20.图1是本发明减薄方法整体流程示意图；
21.图2是cis晶圆加工过程中cis玻璃罩减薄后发生翘曲的示意图。
具体实施方式
22.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
23.一种cis玻璃罩的减薄方法，所述减薄方法包括以下步骤：
24.s1、在cis玻璃罩的一侧通过粘着剂键合玻璃载板，通过蚀刻保护胶对cis玻璃罩和玻璃载板进行保护，露出cis玻璃罩的待减薄一侧；
25.s2、通过含氟电浆蚀刻cis玻璃罩使其减薄并去除蚀刻保护胶，得到超薄cis玻璃罩，其中，超薄cis玻璃罩的厚度为100-200μm，玻璃载板的厚度为400μm～800μm；
26.s3、在超薄cis玻璃罩表面进行cv制程；
27.cv是cavity wall的简称，于减薄后的cis玻璃罩表面通过涂布光阻后显影、曝光、蚀刻形成网格状的mask凸块，凸起是光阻；
28.s4、完成cv制程后，键合cis晶圆正面并对cis晶圆背面进行减薄，完成正常封装流程，其中，cis晶圆在键合前已完成所有正面制程；
29.正面制程包括：cis元件前段制程包括正面集成电路器件、图像传感器、正面互连结构、ild、imd、钝化层、tsv、绝缘层、rdl、tsv焊盘、聚合物层、滤色器、微透镜及保护层制程；
30.s5、将超薄cis玻璃罩和玻璃载板进行解键合，去除玻璃载板：
31.解键合的方法采用激光穿透玻璃载板使释放剂分解玻璃载板与黏着剂之间的粘性，移除玻璃载板，清洗除去黏着层。
32.如图2所示，超薄cis玻璃罩在工作时没有键合玻璃载板时发生翘曲，无法用于贴合，造成浪费。
33.以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变
化和改进都落入要求保护的本发明范围内。


技术特征：
1.一种cis玻璃罩的减薄方法，其特征在于，所述减薄方法包括以下步骤：s1、在cis玻璃罩的一侧通过粘着剂键合玻璃载板，通过蚀刻保护胶对cis玻璃罩和玻璃载板进行保护，露出cis玻璃罩的待减薄一侧；s2、通过含氟电浆蚀刻cis玻璃罩使其减薄并去除蚀刻保护胶，得到超薄cis玻璃罩；s3、在超薄cis玻璃罩表面进行cv制程；s4、完成cv制程后，键合cis晶圆正面并对cis晶圆背面进行减薄，完成正常封装流程；s5、将超薄cis玻璃罩和玻璃载板进行解键合，去除玻璃载板。2.根据权利要求1所述的一种cis玻璃罩的减薄方法，其特征在于，所述s2中超薄玻璃的厚度为100-200μm，玻璃载板的厚度为400μm～800μm。3.根据权利要求1所述的一种cis玻璃罩的减薄方法，其特征在于，所述s4中cis晶圆在键合前已完成所有正面制程。4.根据权利要求3所述的一种cis玻璃罩的减薄方法，其特征在于，所述s4中的正面制程包括：cis元件前段制程包括正面集成电路器件、图像传感器、正面互连结构、ild、imd、钝化层、tsv、绝缘层、rdl、tsv焊盘、聚合物层、滤色器、微透镜及保护层制程。5.根据权利要求1所述的一种cis玻璃罩的减薄方法，其特征在于，所述s5中解键合的方法采用激光穿透玻璃载板使释放剂分解玻璃载板与黏着剂之间的粘性，移除玻璃载板，清洗除去黏着层。

技术总结
本发明涉及CIS晶圆加工领域，具体的是一种CIS玻璃罩的减薄方法，S1、在CIS玻璃罩的一侧通过粘着剂键合玻璃载板，通过蚀刻保护胶对CIS玻璃罩和玻璃载板进行保护，露出CIS玻璃罩的待减薄一侧；S2、通过含氟电浆蚀刻CIS玻璃罩使其减薄并去除蚀刻保护胶，得到超薄CIS玻璃罩；S3、在超薄CIS玻璃罩表面进行CV制程；S4、完成CV制程后，键合CIS晶圆正面并对CIS晶圆背面进行减薄，完成正常封装流程；S5、将超薄CIS玻璃罩和玻璃载板进行解键合，去除玻璃载板。本发明在工作过程中超薄玻璃与玻璃载板能够暂时性贴合，起到整面性保护的目的，避免使用胶带保护，同时，能够有效防止制程中超薄玻璃弯曲，避免造成浪费。避免造成浪费。避免造成浪费。


技术研发人员：周旭 李居知 李华
受保护的技术使用者：苏州轩创科技有限公司
技术研发日：2022.02.23
技术公布日：2022/6/4