一种应用于BIS的减薄方法与流程

一种应用于bis的减薄方法
技术领域
1.本发明涉及bis晶圆加工领域，具体的是一种应用于bis的减薄方法。


背景技术：

2.晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状一般设置为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，从而成为具有特定电性功能的集成电路产品；在晶圆加工工艺中，晶圆通常要经过减薄后才能进行后续的刻蚀、化学沉积、电镀等加工工艺流程，常用的减薄工艺分为机械研磨、化学腐蚀和化学机械平坦化三种。
3.晶圆化学腐蚀减薄工艺通过将晶圆放置在化学腐蚀液内，通过控制腐蚀时间或者其它工艺参数实现对晶圆特定厚度的减薄；现有的化学腐蚀减薄工艺通过厚度测量装置对减薄前后的晶圆的厚度进行测量，而后与目标厚度进行对比，进而判断化学腐蚀后的晶圆的厚度是否符合要求。
4.但是，现有bis减薄工艺可能存在切割时的边缘损伤，导致后续工序破片，且传统的bis减薄工艺需要经过两次化学减薄，制程时间长，降低了生产效率。


技术实现要素：

5.为解决上述背景技术中提到的不足，本发明的目的在于提供一种应用于bis的减薄方法。
6.本发明的目的可以通过以下技术方案实现：
7.一种应用于bis的减薄方法，所述减薄方法包括以下步骤：
8.s1、bis晶片研磨；
9.s2、使用精密吹气管在bis晶片周围产生气障；
10.s3、使用多组精密氢氟酸喷洒装置对bis晶片进行喷洒。
11.进一步的，所述s2中使用精密吹气管在bis晶片周围产生的气障主要形成在减薄过程中需要保留的部分周围。
12.进一步的，所述s3中使用多组精密氢氟酸喷洒装置对bis晶片进行喷洒的位置为需要去除的部位。
13.进一步的，所述s3中使用多组精密氢氟酸喷洒装置对bis晶片进行喷洒是通过控制喷洒量、时间和范围，来控制减薄效果。
14.进一步的，所述步骤s2中参数设置为：
15.距离：2-5mm
16.压力：2.5-6kg*f/cm217.角度：360
°
18.温度：常温；
19.所述步骤s3中的参数设置为：
20.距离：10-15mm
21.压力：0.9-1.4kg*f/cm222.角度：120
°
23.温度：30
±
5；
24.速率：1-6um/min。
25.本发明的有益效果：
26.本发明在工作过程采取使用氢氟酸喷洒装置对bis晶片进行喷洒，代替传统的两次化学腐蚀减薄工艺，大大降低了减薄时间，而且避免了传统bis减薄工艺中的二次修整时对bis晶片边缘形成损伤，影响后续工序。
附图说明
27.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图；
28.图1是本发明减薄方法工作流程示意图；
具体实施方式
29.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
30.实施例1：
31.一种应用于bis的减薄方法，如图1所示，所述减薄方法包括以下步骤：
32.s1、对bis晶片进行研磨，研磨至目标厚度；
33.s2、在bis晶片需要保留的位置使用精密吹气管吹气形成气障，对保留的位置进行保护；
34.s3、在bis晶片需要去除的位置使用多组精密氢氟酸喷洒装置对bis晶片进行喷洒；
35.s4、通过控制氢氟酸喷洒量控制bis晶片的减薄效果。
36.实施例2：
37.一种应用于bis的减薄方法，如图1所示，所述减薄方法包括以下步骤：
38.s1、对bis晶片进行研磨，研磨至目标厚度；
39.s2、在bis晶片需要保留的位置使用精密吹气管吹气形成气障，对保留的位置进行保护；
40.s3、在bis晶片需要去除的位置使用多组精密氢氟酸喷洒装置对bis晶片进行喷洒；
41.s4、通过控制氢氟酸喷洒时间控制bis晶片的减薄效果。
42.实施例3：
43.一种应用于bis的减薄方法，如图1所示，所述减薄方法包括以下步骤：
44.s1、对bis晶片进行研磨，研磨至目标厚度；
45.s2、在bis晶片需要保留的位置使用精密吹气管吹气形成气障，对保留的位置进行保护；
46.s3、在bis晶片需要去除的位置使用多组精密氢氟酸喷洒装置对bis晶片进行喷洒；
47.s4、通过控制氢氟酸喷洒范围控制bis晶片的减薄效果。
48.如下表所示，实施例1-3中，数据参数设置如下：
[0049][0050]
对比例1：
[0051]
一种应用于bis的减薄方法，所述减薄方法包括以下步骤：
[0052]
s1、bis晶片研磨；
[0053]
s2、第一次化学腐蚀减薄；
[0054]
s3、二次修整；
[0055]
s4、bis晶片cmp；
[0056]
s5、第二次化学腐蚀减薄。
[0057]
实施例1、实施例2和实施例3中的bis减薄工艺耗时较短，且能通过控制喷氢氟酸的喷洒量、时间和范围，来控制减薄效果，同时在减薄过程中会使用精密吹气管吹气形成气障，对保留的位置进行保护；
[0058]
对比例1中的bis减薄工艺耗时相对较长，降低了生产效率，同时进行批量减薄时，会出现二次修整时bis晶片边缘损伤，导致后续工序破片。
[0059]
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。


技术特征：
1.一种应用于bis的减薄方法，其特征在于，所述减薄方法包括以下步骤：s1、bis晶片研磨；s2、使用精密吹气管在bis晶片周围产生气障；s3、使用多组精密氢氟酸喷洒装置对bis晶片进行喷洒。2.根据权利要求1所述的一种应用于bis的减薄方法，其特征在于，所述s2中使用精密吹气管在bis晶片周围产生的气障主要形成在减薄过程中需要保留的部分周围。3.根据权利要求1所述的一种应用于bis的减薄方法，其特征在于，所述s3中使用多组精密氢氟酸喷洒装置对bis晶片进行喷洒的位置为需要去除的部位。4.根据权利要求3所述的一种应用于bis的减薄方法，其特征在于，所述s3中使用多组精密氢氟酸喷洒装置对bis晶片进行喷洒是通过控制喷洒量、时间和范围，来控制减薄效果。5.根据权利要求1所述的一种应用于bis的减薄方法，其特征在于，所述步骤s2中参数设置为：距离：2-5mm压力：2.5-6kg*f/cm2角度：360
°
温度：常温；所述步骤s3中的参数设置为：距离：10-15mm压力：0.9-1.4kg*f/cm2角度：120
°
温度：30
±
5；速率：1-6um/min。

技术总结
本发明涉及BIS晶圆加工领域，具体的是一种应用于BIS的减薄方法，S1、BIS晶片研磨；S2、使用精密吹气管在BIS晶片周围产生气障；S3、使用多组精密氢氟酸喷洒装置对BIS晶片进行喷洒。本发明在工作过程中使用精密吹气管在BIS晶片周围产生的气障用于保护需要保留的部分，然后在BIS晶片需要去除的位置使用多组精密氢氟酸喷洒装置对BIS晶片进行喷洒，通过控制喷氢氟酸的喷洒量、时间和范围，来控制减薄效果，不仅降低了整个工艺流程的耗时，提高了生产效率，而且还避免了传统BIS减薄工艺中的二次修整时对BIS晶片边缘形成损伤，影响后续工序。影响后续工序。影响后续工序。


技术研发人员：周旭 李居知 李华
受保护的技术使用者：苏州轩创科技有限公司
技术研发日：2022.02.23
技术公布日：2022/6/4