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显示面板及屏下摄像显示装置的制作方法

2022-06-05 12:55:25 来源:中国专利 TAG:


1.本技术涉及屏下摄像技术领域,具体涉及一种显示面板及屏下摄像显示装置。


背景技术:

2.随着科技的不断进步,手机不断的更新换代,人们对手机屏幕的要求也越来越高。目前市面上的手机多为挖孔屏,然而挖孔屏存在很多技术难题,比如封装困难,且工艺繁琐。各地的手机屏厂商正在全力进行全面屏的开发,这是由于全面屏手机不仅可以提升手机的外观,让手机更具有科技感,还可以容纳更大的屏幕,提升视觉体验。然而全面屏技术还面临着设计制造工艺上的难点,比如听筒、前置摄像头的位置如何摆放等问题。
3.屏下摄像作为一个关键技术,解决了前置摄像头的位置摆放问题,被人们所青睐,并广泛的应用于柔性有机发光二极管(organic light emitting diode,oled)的制备。然而屏下摄像对oled技术要求较高,需要oled在照相区具有高的透光率,才能不影响摄像头对外界光的捕获。现有技术中常采用缩小显示区像素点或减少显示像素面积的方法来增加所述显示面板的透光率,但这两种方法均难以减少下部遮光层的面积,易造成显示面板的透光率不足,从而影响摄像头灯摄像感光元件接收光的品质。
4.因此,确有必要来开发一种新型的显示面板及屏下摄像显示装置,以克服现有技术的缺陷。


技术实现要素:

5.因此,本技术提供一种能够减少遮光层面积并具有高透光率的显示面板和屏下摄像显示装置。
6.本技术提供一种显示面板,包括第一显示区及感光区,所述感光区包括第二显示区及透光孔区;所述第一显示区环绕所述第二显示区,所述第二显示区环绕所述透光孔区;位于所述感光区内的所述显示面板还包括:
7.基底;
8.驱动晶体管层,形成在所述基底上;所述驱动晶体管层包括复合绝缘层;
9.平坦层,形成在所述驱动晶体管层上;
10.发光子像素单元,包括像素定义层;所述像素定义层形成在所述平坦层上;
11.其中,位于所述透光孔区内的所述复合绝缘层上开设有一透光孔,部分所述基底从所述透光孔内裸露出来,部分所述平坦层及部分所述像素定义层填充在所述透光孔内。
12.在本技术一可选实施例中,所述驱动晶体管层包括至少一个驱动晶体管,所述驱动晶体管位于所述第二显示区内;所述发光子像素单元还包括至少一形成在所述平坦层上的阳极及至少两个形成在所述像素定义层内的发光子像素,一个所述阳极与一个所述驱动晶体管电连接且与至少两个所述发光子像素相对应。
13.在本技术一可选实施例中,所述显示面板还包括遮光层,所述遮光层形成在所述基底上,所述驱动晶体管层覆盖所述遮光层,一个所述遮光层与一个所述驱动晶体管位置
相对。
14.在本技术一可选实施例中,一个所述驱动晶体管与与之对应的一个所述遮光层在所述基底上的投影至少部分重叠。
15.在本技术一可选实施例中,所述复合绝缘层包括缓冲层、栅极绝缘层、层间绝缘层及钝化层,所述驱动晶体管层还包括有源层、栅极及源漏极层;所述缓冲层形成在所述基底上且包覆所述遮光层,所述有源层形成在所述缓冲层上,所述栅极绝缘层形成在所述有源层与所述栅极之间,所述层间绝缘层形成在所述缓冲层上且包覆所述有源层及所述栅极,所述源漏极层形成在所述层间绝缘层上且分别与所述有源层及所述遮光层电连接,所述钝化层形成在所述层间绝缘层上且包覆所述源漏极层,所述平坦层形成在所述钝化层上;所述透光孔贯穿所述缓冲层、所述层间绝缘层及所述钝化层;所述有源层、所述栅极、所述源漏极层及与所述有源层、所述栅极及所述源漏极层对应的所述栅极绝缘层、所述层间绝缘层及所述钝化层构成所述驱动晶体管。
16.在本技术一可选实施例中,所述透光孔位于相邻的两个所述阳极之间。
17.在本技术一可选实施例中,所述基底包括叠设在一起的第一柔性基底层、水氧阻挡层及第二柔性基底层,所述遮光层形成在所述第二柔性基底层上。
18.在本技术一可选实施例中,所述阳极的临近所述透光孔的一端到所述透光孔的距离为5um-20um。
19.在本技术一可选实施例中,所述基底的水氧阻挡层位于所述第二显示区内。
20.在本技术一可选实施例中,所述基底包括叠设在一起的第一柔性基底层及第二柔性基底层,所述遮光层形成在所述第二柔性基底层上。
21.本技术还提供一种屏下摄像显示装置,包括摄像感光元件,所述屏下摄像显示装置还包括如上所述的显示面板,所述摄像感光元件位于所述基底的远离所述驱动晶体管层的一侧且位于第二显示区及所述透光孔区内。
22.本技术提供的显示面板及屏下摄像显示装置,在相邻的两个所述阳极之间的驱动晶体管层的绝缘层上形成透光孔至所述基底从所述透光孔内裸露出来,并在所述透光孔内填充平坦层和像素定义层,可以减少所述绝缘层内部的相邻膜层之间、所述绝缘层和平坦层之间以及所述绝缘层和所述基底之间的光的反射,从而增大所述显示面板的透光率。另外,采用一个驱动晶体管同时驱动两个以上的发光子像素,可以减少驱动晶体管的数量,因遮光层与驱动晶体管一一对应,因此,本技术进一步减少了遮光层的数量,从而减少了遮光层的面积,提高了屏下摄像显示装置的显示面板的透光率。
附图说明
23.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
24.图1为本技术较佳实施例提供的屏下摄像显示装置的俯视图。
25.图2为沿图1所示的ii-ii的剖视图。
具体实施方式
26.下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。
27.在本技术的描述中,需要理解的是,术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本技术的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本技术的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
28.本技术可以在不同实施中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。
29.本技术针对现有的屏下摄像显示装置的透光率低的技术问题,在相邻的两个所述阳极之间的驱动晶体管层的绝缘层上形成透光孔至所述基底从所述透光孔内裸露出来,并在所述透光孔内填充平坦层和像素定义层,可以减少所述绝缘层内部的相邻膜层之间、所述绝缘层和平坦层之间以及所述绝缘层和所述基底之间的光的反射,从而增大所述显示面板的透光率。另外,采用一个驱动晶体管同时驱动两个以上的发光子像素,可以减少驱动晶体管的数量,因遮光层与驱动晶体管一一对应,因此,本技术进一步减少了遮光层的数量,从而减少了遮光层的面积,提高了屏下摄像显示装置的显示面板的透光率。
30.请参阅图1至图2,本技术较佳实施例提供了一种屏下摄像显示装置1000,所述屏下摄像显示装置1000可以为手机、平板电脑、电脑等具有摄像感光元件的显示装置。在本实施例中,所述屏下摄像显示装置1000为手机。具体地,所述屏下摄像显示装置1000包括显示面板100及位于所述显示面板100一侧的摄像感光元件200。光自所述显示面板100的远离所述摄像感光元件200入射进所述显示面板100内,所述摄像感光元件200透过所述显示面板100接收来自外界的光。
31.请继续参阅图1,所述显示面板100包括感光区110及环绕所述感光区110设置的第一显示区120。其中,所述感光区110的面积远远小于所述第一显示区120的面积。所述摄像感光元件200与所述显示面板100的所述感光区110相对应。其中,所述感光区110包括第二显示区101及透光孔区102;所述第一显示区120环绕所述第二显示区101,所述第二显示区101环绕所述透光孔区102。
32.请继续参阅图2,位于所述感光区110内的所述显示面板100包括阵列层10、形成在所述阵列层10上的平坦层20及形成在所述平坦层20上的发光子像素单元30。所述阵列层10驱动所述发光子像素单元30发光。
33.其中,所述阵列层10包括一基底11、形成在所述基底11上的驱动晶体管层及形成在所述基底11上的遮光层14。所述驱动晶体管层覆盖所述遮光层14。所述平坦层20形成在所述驱动晶体管层上。
34.在本技术一可选实施例中,所述基底11包括叠设在一起的第一柔性基底层111、水
氧阻挡层112及第二柔性基底层113,所述遮光层14形成在所述第二柔性基底层113上。其中,所述水氧阻挡层112可以防止外界的水汽和氧气进入所述显示面板100内,从而可以降低外界的水汽和氧气对所述驱动晶体管层的线路的破坏,增加了所述显示面板100的使用寿命。
35.其中,所述第一柔性基底层111及所述第二柔性基底层113的材料可以是聚酰亚胺或其他柔性材料。所述水氧阻挡层112的材料可以是无机氧化物或有机无机叠层。有机无机叠层结构中无机层阻水氧高、有机层能起到平滑和填充缺陷的作用,而且这种结构可防止多层结构中氧化层的缺陷扩展。无机材料主要有氧化物和氮化物如sio
x
、sin
x
、al2o3等。
36.在本技术另一可选实施例中,所述基底11的水氧阻挡层112位于所述第二显示区101内。也即,所述基底11的水氧阻挡层112不位于所述透光孔区102内。
37.在其他实施例中,所述基底11还可以不包括所述水氧阻挡层112。
38.请继续参阅图2,所述驱动晶体管层包括复合绝缘层12,所述平坦层20形成在所述复合绝缘层12上。其中,位于所述透光孔区102内的所述复合绝缘层12上开设有一透光孔125,所述透光孔125贯穿所述复合绝缘层12,部分所述基底11从所述透光孔125内裸露出来,部分所述平坦层20填充在所述透光孔125内。
39.其中,所述透光孔125可以通过刻蚀工艺或机械切割等方式制成。
40.在本技术一可选实施例中,所述复合绝缘层12包括层叠设置的缓冲层121、栅极绝缘层122、层间绝缘层123及钝化层124,所述缓冲层121形成在所述基底11上且包覆所述遮光层14。
41.在本技术一可选实施例中,所述复合绝缘层12还可以不包括所述缓冲层121。
42.在本技术一可选实施例中,所述透光孔125贯穿所述缓冲层121、所述层间绝缘层123及所述钝化层124。
43.在其他实施例中,所述透光孔125还可以贯穿所述缓冲层121、所述栅极绝缘层122、所述层间绝缘层123及所述钝化层124。此时,所述栅极绝缘层122可形成在所述缓冲层121上且包覆所述有源层131。
44.当然,当所述复合绝缘层12不包括所述缓冲层121时,所述透光孔125不贯穿所述缓冲层121。
45.其中,所述驱动晶体管层还包括有源层131、栅极132及源漏极层133,所述有源层131形成在所述缓冲层121上,所述栅极绝缘层122形成在所述有源层131与所述栅极132之间,所述层间绝缘层123形成在所述缓冲层121上且包覆所述有源层131及所述栅极132,所述源漏极层133形成在所述层间绝缘层123上且分别与所述有源层131及所述遮光层14电连接,所述钝化层124形成在所述层间绝缘层123上且包覆所述源漏极层133,所述平坦层20形成在所述钝化层124上;所述有源层131、所述栅极132、所述源漏极层133及与所述有源层131、所述栅极132及所述源漏极层133对应的所述栅极绝缘层122、所述层间绝缘层123及所述钝化层124构成驱动晶体管。所述驱动晶体管位于所述第二显示区101内。一个所述驱动晶体管与一个所述遮光层14位置相对。
46.在本技术一可选实施例中,一个所述驱动晶体管与与之对应的一个所述遮光层14在所述基底11上的投影至少部分重叠。
47.具体地,所述有源层131包括沟道区(图未示)及位于所述沟道区两侧的源区(图未
示)和漏区(图未示),所述栅极132与所述沟道区位置相对,所述源漏极层包括源极(图未标号)及漏极(图未标号),所述源极与所述源区以及所述漏极与所述漏区分别通过第一盲孔134电连接,所述漏极通过第二盲孔135与所述遮光层14电连接。
48.其中,所述驱动晶体管层可以通过成膜工艺、黄光工艺及刻蚀工艺制成。
49.当然,在其他实施例中,所述驱动晶体管层的结构并不局限于上述结构,而是可以根据实际需要进行设计的。
50.请继续参阅图2,所述发光子像素单元30包括至少一阳极161、一像素定义层162及至少两个发光子像素163,所述阳极161形成在所述平坦层20上且与与之对应的一个所述驱动晶体管电连接,所述像素定义层162形成在所述平坦层20上且覆盖所述阳极161,所述像素定义层162上形成有至少两个像素开口1621,所述发光子像素163收容在所述像素开口1621内。一个所述像素开口1621内收容一个所述发光子像素163。在本技术中,所述透光孔125位于相邻的两个所述阳极161之间,所述阳极161及所述发光子像素163均位于所述第二显示区101内,部分所述像素定义层162填充在所述透光孔125内。
51.其中,所述平坦层20及所述像素定义层162均填充在所述透光孔125内,可以减少所述复合绝缘层12内部的相邻膜层之间(例如缓冲层121与栅极绝缘层122之间、栅极绝缘层122与层间绝缘层123之间及层间绝缘层123与钝化层124之间)、所述复合绝缘层12和所述平坦层20之间以及所述复合绝缘层12和所述基底11之间的光的反射,从而增大所述显示面板100的透光率。
52.其中,一个所述阳极161与一个所述驱动晶体管电连接且与至少两个所述发光子像素163相对应。也即一个所述驱动晶体管同时驱动至少两个所述发光子像素163发光。
53.其中,所述阳极161的材质可以时透明材料,例如:ito材料,也可以是普通的阳极材料。
54.在本技术一可选实施例中,所述阳极161的临近所述透光孔125的一端到所述透光孔125的距离d为5um-20um,以防止所述阳极161因支撑力不足而发生塌陷,从而影响所述显示面板100的性能。
55.在本技术中,位于所述感光区110内的所述显示面板100的一个所述驱动晶体管通过一个所述阳极161同时驱动至少两个所述发光子像素163,且只对应一个所述遮光层14,减少了所述驱动晶体管的数量,进一步减少了所述遮光层14的数量,从而减少了所述遮光层14的面积,提高了所述屏下摄像显示装置1000的显示面板100的透光率。同时,所述源漏极层133与所述遮光层14电连接,所述遮光层14可以充当一个栅极,从而形成双栅极结构,双栅极结构能够增大驱动晶体管内的电子迁移率和开态电流,从而能够降低晶体管以及金属跨线区域的电容。
56.具体地,当所述遮光层14完全覆盖与之对应的所述驱动晶体管时,当一个所述驱动晶体管同时驱动的所述发光子像素163的个数为n,则所述遮光层14的面积可以减少n-1/n,n大于或等于2。例如,当n=2时,所述遮光层14的面积可以减少50%,当n=3时,遮光层14的面积可以减少67%等。
57.具体地,本技术感光区的遮光层14相对于常规显示区的遮光层面积较小,所述遮光层14也可以只起到导线补偿的作用。在本技术一可选实施例中,所述遮光层14的面积可以只减少90%。
58.其中,所述显示面板100还包括阴极、封装层及玻璃盖板等,其中,所述阴极、所述封装层及所述玻璃盖板为业界习知的结构,在此不再一一描述。
59.其中,所述摄像感光元件200可以是摄像头或红外传感器等。在本实施例中,所述摄像感光元件200为摄像头。
60.本技术提供的显示面板及屏下摄像显示装置,在相邻的两个所述阳极之间的驱动晶体管层的绝缘层上形成透光孔至所述基底从所述透光孔内裸露出来,并在所述透光孔内填充平坦层和像素定义层,可以减少所述绝缘层内部的相邻膜层之间、所述绝缘层和平坦层之间以及所述绝缘层和所述基底之间的光的反射,从而增大所述显示面板的透光率。另外,采用一个驱动晶体管同时驱动两个以上的发光子像素,可以减少驱动晶体管的数量,因遮光层与驱动晶体管一一对应,因此,本技术进一步减少了遮光层的数量,从而减少了遮光层的面积,提高了屏下摄像显示装置的显示面板的透光率。
61.以上对本技术实施例所提供的显示面板及屏下摄像显示装置进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例的技术方案的范围。
再多了解一些

本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。

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