单晶生长装置的制作方法

1.本发明涉及碳化硅晶体生长技术领域，尤其是涉及一种单晶生长装置。


背景技术：

2.在pvt(物理气相传输)法制备碳化硅晶体的工艺中，通常需要根据要制备的晶体种类以及晶体的生长进程来为晶体提供补偿气氛或者掺杂气氛，但是现有工艺中，由于单晶生长设备结构复杂，为实现气氛补偿，容易导致晶体的生长连续性降低，从而导致晶体生长效率低下。


技术实现要素：

3.本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明在于提出一种单晶生长装置，所述单晶生长装置可以实现生长过程中生长气氛的补偿，从而实现碳化硅晶体生长过程的连续性，提高晶体品质。
4.根据本发明的单晶生长装置，包括：外坩埚，所述外坩埚限定出生长腔，生长腔的顶壁设有籽晶；第一内坩埚，所述第一内坩埚设于所述生长腔内，且所述第一内坩埚与所述籽晶沿轴向相对布置，所述第一内坩埚的朝向所述籽晶的一端敞开，所述第一内坩埚的外侧壁与所述外坩埚的内侧壁间隔开以限定出气流通道，所述第一内坩埚用于盛放碳化硅原料；第二内坩埚，所述第二内坩埚设在所述生长腔内，且所述第二内坩埚设于所述第一内坩埚的背离所述籽晶的一侧，所述第二内坩埚的朝向所述第一内坩埚的一端敞开，所述第二内坩埚适于盛放用于产生补偿气氛的硅料或用于产生掺杂气氛的掺杂剂，其中，所述第二内坩埚适于在第一位置和第二位置之间移动，在所述第一位置时，所述第二内坩埚的至少部分侧壁嵌于所述气流通道内，以使所述第二内坩埚的内腔与所述气流通道分隔开，在所述第二位置时，所述第二内坩埚与所述第一内坩埚在轴向上间隔开，以使所述第二内坩埚的内腔与所述气流通道连通，所述补偿气氛或所述掺杂气氛通过所述气流通道流向所述籽晶。
5.根据本发明的单晶生长装置，通过在外坩埚内设置适于盛放碳化硅原料的第一内坩埚和适于盛放硅料或掺杂剂的第二内坩埚，第一内坩埚和外坩埚之间限定出气流通道，使得籽晶在生长过程中需要补充碳化硅气氛或掺杂时，可以控制气流通道和第二内坩埚的内腔连通，从而使得第二内坩埚产生的补偿气氛或掺杂气氛通过气流通道迁移到籽晶，如此，实现生长过程中的生长气氛的补偿，从而提高碳化硅晶体生长过程的连续性，以制得合格品质和种类的碳化硅晶体。
6.进一步地，所述单晶生长装置还包括：连接件，所述连接件设于所述气流通道，所述连接件形成为沿所述第一内坩埚的周向延伸的环状，所述连接件的内壁与所述第一内坩埚的外壁相连，所述连接件的外壁与所述外坩埚的内壁相连，所述连接件上形成有多个沿厚度方向贯穿的通气口，多个所述通气口与所述气流通道连通且沿所述连接件的周向间隔布置。
7.在一些实施例中，所述第二内坩埚的侧壁的邻近顶端的部分形成有封堵部，所述封堵部形成为沿所述第一内坩埚的周向延伸的环状，所述封堵部沿径向的宽度与所述气流通道的宽度适配，所述第二内坩埚处于所述第一位置时，所述封堵部位于所述气流通道内以隔断所述气流通道和所述第二内坩埚的内腔。
8.进一步地，所述第一内坩埚的底端形成有导热部，所述导热部形成为圆台状，所述导热部的直径与所述封堵部的内径相适配，所述第二内坩埚处于所述第一位置时，所述封堵部的内侧壁与所述导热部的外侧壁密封配合。
9.在一个具体的示例中，所述封堵部沿所述外坩埚的轴向的厚度不大于所述导热部的厚度。
10.根据本发明的一些实施例，所述第二内坩埚的位于所述封堵部下侧的部分侧壁与所述外坩埚的内侧壁间隔以形成填充腔，所述填充腔适于填充保温件。
11.根据本发明的一些实施例，所述外坩埚的底端敞开以形成安装口，所述第二内坩埚适于封堵所述安装口。
12.进一步地，所述第二内坩埚包括：盛料部，所述盛料部位于所述外坩埚的内侧，所述盛料部形成为顶端敞开的筒状，所述盛料部用于盛放所述硅料或所述掺杂剂，所述第二内坩埚在所述第一位置时，所述盛料部的至少部分侧壁嵌于所述气流通道，所述盛料部的内腔与所述气流通道隔断，所述第二内坩埚在所述第二位置时，所述盛料部与所述第一内坩埚在轴向上间隔开，所述盛料部的内腔与所述气流通道连通，所述补偿气氛或所述掺杂气氛通过所述气流通道流向所述籽晶；支撑平台，所述支撑平台位于所述盛料部的底端，所述支撑平台的外径大于所述盛料部的外径，在所述盛料部位于所述外坩埚内侧时，所述外坩埚的底端适于支撑于所述支撑平台。
13.再进一步地，所述支撑平台的外径大于所述外坩埚的外径，所述支撑平台上还形成有配合部，所述配合部沿所述支撑平台的周向延伸且与所述盛料部沿径向方向间隔开以形成插槽，所述外坩埚的邻近底端的部分适于插入所述插槽。
14.根据本发明的一些实施例，所述单晶生长装置，还包括：驱动装置；第一传动轴，所述第一传动轴的一端穿过所述第二内坩埚与所述第一内坩埚的底部相连，所述第一传动轴的另一端与所述驱动装置相连；第二传动轴，所述第二传动轴的一端与所述第二内坩埚的底部相连，所述第二内坩埚的另一端与所述驱动装置相连，所述第二传动轴套设于所述第一传动轴的外侧；所述驱动装置适于驱动所述第一传动轴带动所述第一内坩埚沿所述外坩埚的轴向移动，所述驱动装置还适于驱动所述第二传动轴带动所述第二内坩埚在所述第一位置和所述第二位置之间移动。
15.根据本发明的一些实施例，所述单晶生长装置，还包括：导流件，所述导流件设于所述第一内坩埚和/或所述连接件，以将所述气流通道内的气氛导向所述籽晶。
16.进一步地，所述导流件形成为导流板，所述导流板包括：第一板段，所述第一板段形成为沿轴向的两端均敞开的筒状，所述第一板段的轴向一端支撑于所述第一内坩埚的顶端或所述连接件的内端，所述第一板段形成有多个沿所述第一内坩埚的径向贯穿的导流孔，所述导流孔与所述气流通道连通；第二板段，所述第二板段的上端与所述第一板段的上端相连，所述第二板段的下端与所述外坩埚的内侧壁和/或所述连接件的外端抵接。
17.根据本发明的一些实施例，所述单晶生长装置，还包括：第一加热件，所述第一加
热件用于加热所述第一内坩埚内的碳化硅原料，以使所述碳化硅原料受热升华产生碳化硅气氛，所述碳化硅气氛适于迁移到所述籽晶；第二加热件，所述第二加热件用于加热所述第二内坩埚内的硅料或掺杂剂，以产生补偿气氛或掺杂气氛，所述补偿气氛或所述掺杂气氛适于通过所述气流通道迁移到所述籽晶。
18.本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
19.图1是根据本发明的单晶生长装置的一个实施例的示意图；
20.图2是图1中所示的单晶生长装置的截面图；
21.图3是根据本发明的单晶生长装置的另一个实施例的示意图；
22.图4是图3中所示的单晶生长装置的截面图；
23.图5是根据本发明的单晶生长装置的又一个实施例的示意图；
24.图6是图5中所示的单晶生长装置的截面图；
25.图7是根据本发明的单晶生长装置的再一个实施例的示意图；
26.图8是根据本发明实施例的第一内坩埚和连接件的装配示意图；
27.图9是图5中所示的单晶生长装置的第二内坩埚的示意图；
28.图10是图7中所示的单晶生长装置的第二内坩埚的示意图。
29.附图标记：
30.单晶生长装置100：
31.外坩埚1，坩埚主体11，坩埚盖12，石墨毡层121，
32.第一内坩埚2，导热部21，第一传动轴22，气流通道23，
33.连接件3，通气口31，第一装配螺纹32，第二装配螺纹33，
34.导流件4，第一板段41，导流孔411，第二板段42，
35.第二内坩埚5，封堵部51，第三装配螺纹511，盛料部52，支撑平台53，配合部531，插槽532，第二传动轴54，第四装配螺纹55，
36.第一加热件6，第二加热件7，籽晶200。
具体实施方式
37.下面详细描述本发明的实施例，实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
38.下面参考图1-图10描述根据本发明实施例的单晶生长装置100。
39.参考图1-图7，根据本发明实施例的单晶生长装置100，包括：外坩埚1、第一内坩埚2和第二内坩埚5。
40.其中，外坩埚1限定出生长腔，生长腔的顶壁设置有籽晶200，第一内坩埚2设于外坩埚1的生长腔内，第一内坩埚2与籽晶200沿外坩埚1的轴向相对布置，第一内坩埚2的朝向籽晶200的一端敞开以形成第一敞开口，第一内坩埚2内适于盛放碳化硅原料，碳化硅原料受热升华以产生供籽晶200生长的碳化硅气氛，碳化硅气氛经由第一敞开口流向籽晶200，
第一内坩埚2的外侧壁与外坩埚1的内侧壁间隔开以限定出气流通道23。
41.第二内坩埚5设于生长腔内，并且第二内坩埚5设于第一内坩埚2的背离籽晶200的一侧，第二内坩埚5的朝向第一内坩埚2的一端敞开以形成第二敞开口，第二内坩埚5适于盛放硅料或掺杂剂，其中，硅料可以用于产生补偿气氛，掺杂剂可以用于产生掺杂气氛。第二内坩埚5适于相对第一内坩埚2沿轴向在第一位置和第二位置之间移动，第二内坩埚5在第一位置时，第二内坩埚5的至少部分侧壁嵌于气流通道23，例如，第二内坩埚5的邻近顶端的部分侧壁可以嵌于气流通道23，第二内坩埚5的内腔与气流通道23隔断。在第二位置时，第二内坩埚5与第一内坩埚2在轴向上间隔开，第二内坩埚5的内腔与气流通道23连通，第二内坩埚5内产生的补偿气氛或掺杂气氛通过气流通道23流向籽晶200以便于籽晶200生长，如此，使得第二内坩埚5的运动形式简单，可以通过控制第二内坩埚5的移动以实现补偿气氛或掺杂气氛的流通可控，从而更好地控制碳化硅晶体的品质。
42.例如图2、图4、图6和图7中所示，籽晶200设于外坩埚1的顶盖上且位于外坩埚1的中心轴线处，第一内坩埚2设于外坩埚1的内腔并位于籽晶200的下侧，第一内坩埚2和籽晶200沿上下方向间隔开，第一内坩埚2的上侧形成有第一敞开口，第一内坩埚2内盛放有碳化硅原料，第一内坩埚2的外侧壁与外坩埚1的内侧壁沿外坩埚1的径向方向间隔开，从而形成沿第一内坩埚2的周向延伸的环形气流通道23，第二内坩埚5设于第一内坩埚2的下侧，第二内坩埚5的上端敞开并与第一内坩埚2沿轴向相对，第二内坩埚5适于盛放硅料或掺杂剂，其中，硅料用于产生补偿气氛即碳化硅气氛，掺杂剂可以用于产生掺杂气氛，第二内坩埚5可以相对第一内坩埚2沿外坩埚1的轴向运动。
43.当籽晶200在生长过程中，需要补充碳化硅气氛或者需要掺杂时，可以使第二内坩埚5向远离第一内坩埚2的方向运动并到达第二位置，从而使气流通道23和第二内坩埚5的内腔连通，这样第二内坩埚5内产生的碳化硅补偿气氛或掺杂气氛可以流向籽晶200；当籽晶200在生长过程中，第一内坩埚2内的碳化硅原料充足且不需要掺杂时，使第二内坩埚5向靠近第一内坩埚2的方向移动并到达第一位置，以隔断第二内坩埚5的内腔和气流通道23。
44.根据本发明实施例的单晶生长装置100，通过在外坩埚1内设置适于盛放碳化硅原料的第一内坩埚2和适于盛放硅料或掺杂剂的第二内坩埚5，第一内坩埚2和外坩埚1之间限定出气流通道23，使得籽晶200在生长过程中需要补充碳化硅气氛或掺杂时，可以通过连通气流通道23和第二内坩埚5的内腔，从而使得第二内坩埚5产生的补偿气氛或掺杂气氛通过气流通道23迁移到籽晶200，如此，可以实现生长气氛的补偿，从而提高碳化硅晶体生长过程的连续性，以制得合格品质和种类的碳化硅晶体。
45.可选地，在其他的一些实施例中，可以仅是第二内坩埚5相对第一内坩埚2运动，也可以仅是第一内坩埚2相对第二内坩埚5运动，还可以是第一内坩埚2和第二内坩埚5均可以相对彼此运动。
46.根据本发明的一些实施例，参考图1-图7，外坩埚1可以包括坩埚主体11和坩埚盖12，其中，坩埚主体11至少顶部敞开，坩埚盖12盖设于坩埚主体11，籽晶200可以贴设于坩埚盖12内侧表面，坩埚盖12的上表面可以设有石墨毡层121，从而提高坩埚盖12的保温效果。
47.可选地，参考图2、图4、图6和图7，气流通道23内也可以设置石墨毡，石墨毡可以为多孔石墨毡，这样，既可以提高单晶生长装置100的保温效果，同时，多孔石墨毡具有较高的透气性，不会影响碳化硅气氛或掺杂气氛的在气流通道23内的流动。
48.进一步地，参考图1-图8，单晶生长装置100还可以包括：连接件3。具体而言，连接件3设于气流通道23，例如，连接件3可以设于气流通道23的中部或上部，当然，连接件3的设置位置可以根据实际需要合理选择。连接件3形成为沿第一内坩埚2的周向延伸的环状，连接件3的内侧壁与第一内坩埚2的外侧壁相连，连接件3的外侧壁与外坩埚1的内侧壁相连，如此，第一内坩埚2通过连接件3与外坩埚1相连，从而提升第一内坩埚2的稳定性。连接件3上形成有多个沿厚度方向贯穿的通气口31，多个通气口31与气流通道23连通，如此，设置连接件3，并且连接件3上设置有多个通气口31，既可以方便固定第一内坩埚2，又可以不影响在对晶体进行气氛补偿或掺杂时气氛的流动。多个通气口31沿连接件3的周向间隔布置，如此，可以提高补偿气氛或掺杂气氛在空间内分布的均匀性，从而使制得的碳化硅晶体具有良好且均匀的生长界面。
49.进一步地，参考图8，连接件3的外侧壁与外坩埚1的内侧壁螺纹配合，连接件3的内侧壁与第一内坩埚2的外侧壁螺纹配合，例如，连接件3的外侧壁可以形成有第一装配螺纹32，外坩埚1的内侧壁形成有第一配合螺纹，第一装配螺纹32和第一配合螺纹相互配合以实现连接件3与外坩埚1的连接，连接件3的内侧壁可以形成有第二装配螺纹33，第一内坩埚2的外侧壁可以形成有第二配合螺纹，第二装配螺纹33与第二配合螺纹相互配合以实现连接件3和第一内坩埚2的连接，此外，通过螺纹配合的方式，还可以提高连接件3与外坩埚1以及连接件3与第一内坩埚2的连接处的密封性。
50.在一些实施例中，第二内坩埚5的侧壁的邻近顶端的部分形成有封堵部51，封堵部51形成为沿第一内坩埚2的周向延伸的环状，封堵部51沿径向的宽度与气流通道23的宽度适配，并且，封堵部51的厚度大于第二内坩埚5的除封堵部51以外的其余部分的厚度，如此，当第二内坩埚5处于第一位置时，封堵部51位于气流通道23内以隔断气流通道23和第二内坩埚5的内腔，当第二内坩埚5处于第二位置时，封堵部51位于气流通道23的下侧并与第一内坩埚2在上下方向上间隔开，此时，气流通道23和第二内坩埚5的内腔相互连通。
51.进一步地，第一内坩埚2的底端形成有导热部21，导热部21可以形成为圆台状，导热部21的直径与封堵部51的内径适配，第二内坩埚5处于第一位置时，封堵部51的内侧壁与导热部21的外侧壁密封配合，如此，一方面提高了第二内坩埚5处于第一位置时其内腔的密封性，另一方面，通过在第一内坩埚2的底部设置导热部21，既有利于通过导热部21接受热源热量，提高第一内坩埚2内的碳化硅原料的温度，以利于升华生成碳化硅气氛，而且，使得第二内坩埚2的顶部中心位置维持较高温度，以促进第二内坩埚5中的补偿气氛或掺杂气氛向外缘扩散，从而进入气流通道23并最终在温度梯度的影响下迁移至籽晶200，除此以外，还可以避免第二内坩埚5内的补偿气氛或掺杂气氛直接在第一内坩埚2底部沉积或结晶，从而造成原料的浪费。
52.在一个具体的示例中，参考图1-图7，导热部21为石墨平台，如此，使得导热部21的导热性较好，可选地，导热部21和第一内坩埚2可以一体成型，也可以通过粘接等方式连接。
53.进一步地，参考图1-图7以及图9和图10，封堵部51的内侧壁与导热部21的外侧壁螺纹配合，封堵部51的外侧壁与外坩埚1的内侧壁螺纹配合，例如，封堵部51的内侧壁可以形成有第三装配螺纹511，导热部21的外侧壁形成有第三配合螺纹，第三装配螺纹511与第三配合螺纹相互配合实现第二内坩埚5在第一位置时与第一内坩埚2的密封配合，封堵部51的外侧壁可以形成有第四装配螺纹55，外坩埚1的内侧壁可以形成有第四配合螺纹，如此，
通过第四装配螺纹55与第四配合螺纹的配合，既有利于固定第二内坩埚5，有利于提高第二内坩埚5与外坩埚1之间的密封性。
54.在一个具体的示例中，封堵部51沿外坩埚1的轴向的厚度不大于导热部21的厚度，避免因封堵平台过高，在升降过程中进入晶体生产区，影响第一内坩埚2内部的热场。
55.根据本发明的一些实施例，第二内坩埚5的位于封堵部51下侧的部分侧壁与外坩埚1的内侧壁间隔以形成填充腔，填充腔适于填充保温件，例如，保温件可以是石墨保温毡，当然，填充腔可以根据热场需求来选择是否填充保温件以及填充何种材料的保温件。
56.在一些实施例中，外坩埚1的底端敞开以形成安装口，第二内坩埚5适于封堵安装口，也就是说，第二内坩埚5第一位置和第二位置时均可以封堵外坩埚1的安装口，如此，由于第二内坩埚5位于第一内坩埚2的下侧，而将外坩埚1的底端形成安装口，可以提高第二内坩埚5和外坩埚1装拆的便捷性，从而提高向第二内坩埚5内装填物料的效率。
57.进一步地，参考图5、图6和图9，第二内坩埚5可以包括：盛料部52和支撑平台53。其中，盛料部52位于外坩埚1的内侧，例如，盛料部52位于外坩埚1的沿径向的内侧，盛料部52形成为顶端敞开的筒状，盛料部52用于盛放硅料或掺杂剂，第二内坩埚5在第一位置时，盛料部52的至少部分侧壁嵌于气流通道23，盛料部52的内腔与气流通道23隔断，第二内坩埚5在第二位置时，盛料部52与第一内坩埚2在轴向上间隔开，盛料部52的内腔与气流通道23连通，补偿气氛或掺杂气氛通过气流通道23流向籽晶200。支撑平台53位于盛料部52的底端，支撑平台53的外径大于盛料部52的外径，在盛料部52位于外坩埚1内侧时，外坩埚1的底端适于支撑于支撑平台53，如此，当盛料部52位于外坩埚1的内侧时，支撑平台53可以和外坩埚1的安装口一端的端面配合，从而可以在方便装拆第二内坩埚5的基础上提高单晶生长装置100的密封性。
58.其中，上述的封堵部51形成在盛料部52的侧壁的顶端，第二内坩埚5在第一位置时，盛料部52的封堵部51嵌于气流通道23，盛料部52的内腔与气流通道23隔断，第二内坩埚5在第二位置时，盛料部52的封堵部51与第一内坩埚2在轴向上间隔开，盛料部52的内腔与气流通道23连通，补偿气氛或掺杂气氛通过气流通道23流向籽晶200。
59.再进一步地，参考图7和图10，支撑平台53的外径大于外坩埚1的外径，支撑平台53上还形成有配合部531，配合部531沿支撑平台53的周向延伸，配合部531与盛料部52沿径向方向间隔开以形成插槽532，也就是说，插槽532的开口向上，外坩埚1的邻近底端的部分适于插入插槽532，如此，可以进一步提高碳化硅生长装置100的密封性能。
60.根据本发明的一些实施例，单晶生长装置100还可以包括：驱动装置(图未示出)、第一传动轴22和第二传动轴54。其中，驱动装置可以设于单晶生长装置100的下侧，第一传动轴22的一端穿过第二内坩埚5与第一内坩埚2的底部相连，第一传动轴22的另一端与驱动装置相连，第二传动轴54的一端与第二内坩埚5的底部相连，第二内坩埚5的另一端与驱动装置相连，第二传动轴54套设于第一传动轴22的外侧。驱动装置适于驱动第一传动轴22带动第一内坩埚2沿外坩埚1的轴向移动，如此，可以调整第一内坩埚2在外坩埚1轴向上的位置，从而调整籽晶200距离热场的距离；驱动装置还适于驱动第二传动轴54带动第二内坩埚5在第一位置和第二位置之间移动，如此，可以控制第二内坩埚5在外坩埚1轴向上的位置，从而调整第二内坩埚5内的补偿气氛或掺杂气氛的流通的中断或继续。
61.根据本发明的一些实施例，参考图3和图4，单晶生长装置100还可以包括：导流件
4。导流件4可以设于第一内坩埚2和/或连接件3，以将气流通道23内的气氛导向籽晶200，例如，导流件4可以支撑设置于第一内坩埚2的顶端，或者，导流件4也可以设于连接件3，还或者，导流件4的一部分与第一内坩埚2配合，导流件4的另一部分与连接件3相互配合，从而实现导流件4的装配。
62.进一步地，参考图3和图4，导流件4形成为导流板，导流板可以包括：第一板段41和第二板段42。其中，第一板段41形成为沿轴向的两端均敞开的筒状，第一板段41的轴向一端支撑于第一内坩埚2的顶端或连接件3的内端，第一板段41形成有多个沿第一内坩埚2的径向贯穿的导流孔411，导流孔411与气流通道23连通。第二板段42的上端与第一板段41的上端相连，第二板段42的下端与外坩埚1的内侧壁和/或连接件3的外端抵接，如此，可以更好地将补偿气氛或掺杂气氛导向籽晶200。
63.例如图3所示，导流件4的截面大致可以形成为v形，其中，第一板段41的下端可以支撑于第一内坩埚2的上端，或者，第一板段41的下端也可以支撑于连接件3的上表面的内端沿，第一板段41上形成有多个沿径向贯穿的导流孔411。第二板段42的上端于第一板段41的上端相连，第二板段42的下端和外坩埚1的侧壁抵接，或者，第二板段42的下端支撑于连接件3的上表面的外端沿。这样，导流件4可以将气流通道23内的气氛流向由轴向转变为径向进入第一内坩埚2的上侧，并与第一内坩埚2内的气氛进行充分混合后迁移至籽晶200，从而使得制备出的碳化硅晶体的品质更高，掺杂更均匀。可选地，在从下端至上端的方向上，第二板段42形成的截面形成为向上弯曲的弧形，这样有利于减小气氛阻力。
64.根据本发明的一些实施例，参考图1-图7，单晶生长装置100，还包括：第一加热件6和第二加热件7。其中，第一加热件6用于加热第一内坩埚2内的碳化硅原料，以使碳化硅原料受热升华产生碳化硅气氛，碳化硅气氛适于迁移至籽晶200。例如，第一加热件6可以是环绕设置于外坩埚1的外侧的第一感应线圈，第一感应线圈与第一内坩埚2沿内外方向相对布置。
65.第二加热件7用于加热第二内坩埚5内的硅料或掺杂剂，以产生补偿气氛或掺杂气氛，补偿气氛或掺杂气氛适于通过气流通道迁至移籽晶200，例如，第二加热件7可以是环绕设置于外坩埚1外侧的第二感应线圈，第二感应线圈与第二内坩埚5沿内外方向相对布置，并且，第一感应线圈和第二感应线圈可以沿外坩埚1的轴向间隔布置，第一感应线圈和第二感应线圈均可以分别单独进行温度控制。
66.在一个具体的实施例中，外坩埚1、第一内坩埚2以及第二内坩埚5均为石墨坩埚，如此，外坩埚1、第一内坩埚2和第二内坩埚5均可以耐受较高的温度，从而确保碳化硅晶体的稳定生长。
67.在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
68.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，
除非另有明确具体的限定。
69.在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接，还可以是通信；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
70.在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
71.尽管已经示出和描述了本发明的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。