显示面板的制作方法

1.本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板。


背景技术：

2.amoled(active-matrix organic light-emitting diode，有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体)由于制程、设计、材料等方面的原因，造成ir drop(电压降)或vth(阈值电压)漂移，导致模组点亮后看起来局部不均匀，被称为mura(母拉)。现有最常用的de-mura方案是，用ccd(charge-coupled device，电耦合器件)镜头采集各个像素的亮度，并与标准设计亮度作比较，计算出补偿值，通过输入信号再次初始化完成de-mura。这种方案只针对出厂前的校准，只适用于寿命较低的消费电子产品，如手机、手表等。另外一种方案是针对长寿命要求的产品，比如电视、车载显示等，通常是设置感测电路感测通过oled(organic electroluminescence display，有机发光半导体)或tft(thin film transistor，薄膜晶体管)的驱动电流，进而反推出oled的亮度，根据算法得到反馈信号再进行补偿，但是这种方案的缺点在于感测的是oled的电流，而非oled的亮度；当oled材料产生衰减时，仅仅感测电流是不准确的。


技术实现要素：

3.本发明提供一种包括感测电路的显示面板，所述感测电路用于感测发光元件的亮度，以实现发光元件亮度的快速补偿或校准，解决传统方案中通过感测发光元件的电流对发光元件亮度进行补偿时，因发光元件的材料衰减导致补偿不准确的问题。
4.为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
5.本技术实施例提供一种显示面板，包括：
6.发光元件、感光元件、电容、第一开关晶体管、第一放大晶体管和第二放大晶体管；
7.其中，所述发光元件串联于第一电源线和第二电源线之间，所述感光元件和所述电容并联后串联于所述第二电源线和第三电源线之间，所述第一开关晶体管串联于所述第三电源线和并联后的所述感光元件和所述电容之间；
8.其中，所述第一放大晶体管的栅极分别与所述感光元件、所述电容和所述第一开关晶体管连接，所述第一放大晶体管的漏极与所述第三电源线连接，所述第一放大晶体管的源极与所述第二放大晶体管的栅极连接，所述第二放大晶体管的漏极与所述第三电源线连接。
9.本技术实施例所提供的显示面板，还包括第二开关晶体管，所述第二开关晶体管串联于所述第一放大晶体管和所述第二放大晶体管之间。
10.本技术实施例所提供的显示面板，还包括漏极均连接于所述第三电源线的第三放大晶体管、第四放大晶体管和第五放大晶体管，其中，所述第三放大晶体管的栅极连接于所述第二放大晶体管的源极，所述第四放大晶体管的栅极连接于所述第三放大晶体管的源极，所述第五放大晶体管的栅极连接于所述第四放大晶体管的源极。
11.本技术实施例所提供的显示面板，所述第二放大晶体管、所述第三放大晶体管、所述第四放大晶体管和所述第五放大晶体管的源极分别通过一个复位晶体管与所述第四电源线连接。
12.本技术实施例所提供的显示面板，包括发光元件、感光元件、电容、第一放大晶体管和第二放大晶体管；
13.所述电容，用于为所述感光元件和所述第一放大晶体管的栅极提供电压；
14.所述感光元件，用于感测所述发光元件的亮度以产生电信号，并将所述电信号传输至所述第一放大晶体管的栅极；
15.所述第一放大晶体管根据所述电信号产生并输出第一放大信号至所述第二放大晶体管的栅极；
16.所述第二放大晶体管根据所述第一放大信号产生并输出第二放大信号；
17.其中，所述第一放大晶体管和所述第二放大晶体管均工作在饱和区。
18.本技术实施例所提供的显示面板，包括：
19.基板；
20.tft层，设置于所述基板上；
21.平坦层，设置于所述tft层上；
22.像素电极层，设置于所述平坦层上；
23.像素定义层，设置于所述像素电极层上；
24.所述感光元件位于所述像素定义层上并靠近所述发光元件。
25.本技术实施例所提供的显示面板，所述像素定义层上还设置有柱状隔垫物，所述柱状隔垫物的高度大于所述感光元件的高度。
26.本技术实施例所提供的显示面板，所述tft层包括所述第一放大晶体管，所述像素电极层包括所述发光元件的阳极以及连接部，所述感光元件通过连接部电性连接于所述第一放大晶体管的所述栅极。
27.本技术实施例所提供的显示面板，包括：
28.基板；
29.tft层，设置于所述基板上；
30.平坦层，设置于所述tft层上；
31.像素电极层，设置于所述平坦层上；
32.像素定义层，设置于所述像素电极层上；
33.所述感光器件与所述平坦层同层设置。
34.本技术实施例所提供的显示面板，所述平坦层包括第一平坦层和第二平坦层，所述感光器件与所述第一平坦层同层设置，所述第二平坦层设置于所述第一平坦层上，所述第一平坦层和所述第二平坦层之间设置有紫外滤光膜。
35.本发明的有益效果为：在本发明的实施例提供的显示面板中，电容用于为所述感光元件和所述第一放大晶体管的栅极提供电压，感光元件用于感测所述发光元件的亮度以产生电信号，并将所述电信号传输至所述第一放大晶体管的栅极，使得第一放大晶体管和第二放大晶体管工作在饱和区，从而放大所述电信号，以实现发光元件的亮度的快速补偿或校准，解决传统方案中通过感测发光元件的电流对发光元件的亮度进行补偿时，因发光
元件的材料衰减导致补偿不准确的问题。
附图说明
36.为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
37.图1为本发明实施例提供的第一种感测电路的示意图；
38.图2为本发明实施例提供的第二种感测电路的示意图；
39.图3为本发明实施例提供的第一种像素结构示意图；
40.图4为本发明实施例提供的第二种像素结构示意图。
具体实施方式
41.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
42.虽然在这里使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件，但是，这些元件并不受到这些术语的限制。
43.本技术实施例提供一种显示面板，包括发光元件、感光元件、电容c、第一放大晶体管ta和第二放大晶体管tb，所述电容c用于为所述感光元件和所述第一放大晶体管ta的栅极提供电压，所述感光元件用于感测所述发光元件的亮度以产生电信号，并将所述电信号传输至所述第一放大晶体管ta的栅极，所述第一放大晶体管ta根据所述电信号产生并输出第一放大信号至所述第二放大晶体管tb的栅极，所述第二放大晶体管tb根据所述第一放大信号产生并输出第二放大信号，其中，所述第一放大晶体管ta和所述第二放大晶体管tb均工作在饱和区。
44.上述实施例所提供的显示面板，可采用如图1所示的电路实现，具体的，包括像素电路和感测电路。
45.其中，所述像素电路包括发光元件、第三开关晶体管t0、第一电源线v
dd
和第二电源线v
ss
，所述发光元件和第三开关晶体管t0共同串联于第一电源线v
dd
和第二电源线v
ss
之间，所述第一电源线v
dd
和所述第二电源线v
ss
分别用于提供第一电源电压和第二电源电压，所述发光元件为oled(organic light-emitting didode，有机发光二极管)，所述第三开关晶体管t0的漏极与所述第一电源线v
dd
连接，所述第三开关晶体管t0的源极与所述oled的阳极连接，所述oled的阴极与所述第二电源线vss连接，所述第三开关晶体管t0的栅极连接于第三控制信号线，所述第三控制信号线用于控制所述第三开关晶体管t0的关断与导通。
46.其中，所述感测电路包括感光元件、电容c、第一开关晶体管t1、第一放大晶体管ta和第二放大晶体管tb，本实施例中，所述感光元件为光敏二极管，用于感测oled的发光亮度，本实施例所述光敏二极管为典型的非晶硅基光敏二极管pd(photo
–
diode,光敏二极管)，所述光敏二极管pd的阳极为ito(indium tin oxide,氧化铟锡导电膜)或azo/ito(azo
为铝掺杂的zno薄膜)，感光层为p-si、i-si、n-si的结构，所述光敏二极管pd的阴极为mo/al、ti/al或ito/ag等，以此形成高反射率层。
47.在其他实施例中，所述光敏二极管也可为有机光敏二极管opd(organic photo diode，有机光敏二极管)，阳极材料与所述非晶硅基光电二极管相同，活性层、电子传输层可以蒸镀、也可以溶液法制作。
48.所述光敏二极管pd和所述电容c并联后串联于所述第二电源线v
ss
和第三电源线v
bias
之间，以所述光敏二极管pd的阴极与所述电容c连接的一端为第一端点，以所述光敏二极管pd的阳极与所述电容c连接的一端为第二端点，即所述第一端点与所述第三电源线v
bias
连接，所述第二端点与所述第二电源线v
ss
连接，所述电容c通过所述第一开关晶体管t1接受第三电源线v
bias
的电压进行充电，具体的，所述第一开关晶体管t1串联于所述第三电源线v
bias
和并联后的所述感光元件和所述电容c之间，即所述第一开关晶体管t1的漏极与所述第三电源线v
bias
连接，所述第一开关晶体管t1的源极与所述第一端点连接，所述第一开关晶体管t1的栅极连接于第一控制信号线，所述第一控制信号线用于控制所述第一开关晶体管t1的关断与导通。
49.所述第一放大晶体管ta的栅极分别与所述感光元件、所述电容c和所述第一开关晶体管t1连接，即所述第一放大晶体管ta的栅极分别与所述第一端点和所述第一开关晶体管t1的源极连接，所述第一放大晶体管ta的漏极与所述第三电源线v
bias
连接，所述第一放大晶体管ta的源极作为第一输出端连接至所述第二放大晶体管tb的栅极，所述第二放大晶体管tb的漏极与所述第三电源线v
bias
连接，所述第二放大晶体管tb的源极作为第二输出端，本实施例中，所述第二输出端连接至外部补偿电路。
50.根据所述oled的发光状态，所述感测电路的工作流程可分为以下阶段:
51.第一阶段，所述oled不发光，即所述第三控制信号控制所述第三开关晶体管t0关断，所述第一控制信号线控制所述第一开关晶体管t1导通，此时，由于所述第一开关晶体管t1导通，所述第三电源线v
bias
提供所述第三电源电压至所述电容c的一端、所述光敏二极管pd的阴极、所述第一放大晶体管ta的所述栅极、所述第一放大晶体管ta的所述漏极和所述第二放大晶体管tb的所述漏极，通过控制所述第三电源电压，使所述第一放大晶体管ta和所述第二放大晶体管tb工作在饱和区，具体的，所述第三电源电压满足以下条件：
[0052]vds
＞v
gs-v
th
＞0
[0053]vds
为晶体管的漏极和源极之间的电压，v
gs
为晶体管的栅极和源极之间的电压，v
th
为晶体管的阈值电压。
[0054]
由于所述光敏二极管pd的阳极和所述电容c的另一端与所述第二电源线v
ss
连接，所述第二电源线v
ss
提供所述第二电源电压至所述光敏二极管pd的所述阳极和所述电容c的另一端，因此，所述电容c在所述第二电源电压和所述第三电源电压的作用下开始充电，所述光敏二极管pd工作在负压区，所述第一放大晶体管ta在所述第三电源电压的作用下导通，此时所述第一放大晶体管ta的源极作为所述第一输出端输出所述第一放大信号至所述第二放大晶体管tb的栅极，所述第一放大信号包括第一输出电流i1和第一输出电压v
out1
，所述第二放大晶体管tb的栅极在所述第一输出电压v
out1
作用下，使所述第二放大晶体管tb导通，由于所述第二放大晶体管tb的漏极与所述第三电源线v
bias
连接，此时所述第二放大晶体管tb的源极作为所述第二输出端输出第二放大信号，所述第二放大信号包括第二输出电流
i2和第二输出电压v
out2
。
[0055]
第二阶段，所述第三控制信号线控制所述第三开关晶体管t0导通使所述oled在所述第一电源电压和所述第二电源电压的作用下发光，所述第一控制信号线输出第一控制信号使所述第一开关晶体管t1关断，此时，所述光敏二极管pd感测到所述oled的亮度，产生光电流i0，使所述电容c放电，所述第一放大晶体管ta的所述栅极的电压为所述电容c的电压，即所述第三电源电压v
bias
，当所述电容c经过一段时间to的放电时，所述电容c两端的电压降低量为δv，此时所述电容c两端的电压和所述第一放大晶体管ta的栅极电压为v
bias
δv，由于所述第一放大晶体管ta工作在饱和区，使得所述第一输出电流的大小仅与所述第一晶体管的栅极电压有关，因此所述第一放大晶体管ta的栅极电压的改变，会导致通过所述第一放大晶体管ta的电流变化为i1 δi1，所述δi1为t0时间内所述i1的变化量，通过所述第一放大晶体管ta的电压变化为v
out1
δv
out1
，所述δv
out1
为t0时间内所述v
out1
的变化量，即所述第一输出端输出的所述第一输出电流i1变化为i1 δi1，所述第一输出电压v
out1
变化为v
out1
δv
out1
，所述第一输出电流i1的放大倍数为δi1/i0，所述第一输出电压的放大倍数为δv
out1
/δv。同理，由于所述第二放大晶体管tb工作在饱和区以及所述第一输出电压的改变，导致所述第二输出端的第二输出电流i2变化为i2 δi2，第二输出电压变化为v
out2
δv
out2
，所述第二输出电流i2的放大倍数为δi2/i1，所述第一输出电压的放大倍数为δv
out2
/δv
out1
，则光电流i0电流的总放大倍数为δi2/i0＝β。
[0056]
通过设置所述第一放大晶体管ta对所述光电流i0进行一级放大和所述第二放大晶体管tb对光电流i0进行二级放大，使得对所述oled的亮度感测时更加灵敏，即微小的光电流i0经过放大后更容易识别，同时，由于所述电容c放电时间越长，所述电容c两端的电压变化越大，相应的，也就是所述第一放大晶体管ta的栅极电压变化越大，使得所述第一输出电压v
out1
也越大，增加了所述第二放大晶体管tb后，放大倍数增加，使得所需要的原始信号可以更小，即所需要的所述第一放大晶体管ta的栅极电压变化量更小，也就是可以缩短所述电容c放电时间，从而可以实现对所述oled亮度的快速补偿。
[0057]
本技术一实施例中，所述第一放大晶体管ta与所述第一输出端之间串联有第二开关晶体管t2，所述第二开关晶体管t2的漏极与所述第一放大晶体管ta的源极连接，所述第二开关晶体管t2的源极与所述第二放大晶体管tb的栅极连接，所述第二开关晶体管t2的栅极连接于第二控制信号线，所述第二控制信号线用于提供第二控制信号，控制所述第二开关晶体管t2的导通与关断，所述第二开关晶体管t2可控制所述第一输出端与所述第二放大晶体管tb的栅极之间的关断与导通。
[0058]
如上实施例所提供的感测电路仅为示例，实际上还可根据需求增加多级放大，如图2所示，以上感测电路还包括漏极均连接于所述第三电源线v
bias
的第三放大晶体管tc、第四放大晶体管td和第五放大晶体管te，所述第三放大晶体管tc的栅极连接于所述第二输出端，所述第三放大晶体管tc的源极作为第三输出端连接至所述第四放大晶体管td的栅极，所述第四放大晶体管td的源极作为第四输出端连接至所述第五放大晶体管te的栅极，所述第五放大晶体管te的源极作为第五输出端连接至外部补偿电路。通过设置以上多级放大电路，使得放大倍数进一步增加，进而使得所需要的原始信号更小，即所需要的所述第一放大晶体管ta的栅极电压变化量更小，能够进一步缩短所述电容c的放电时间，实现对所述oled亮度的快速补偿。
[0059]
上述实施例所提供的五级放大电路，所述第二放大晶体管tb、所述第三放大晶体管tc、所述第四放大晶体管td和所述第五放大晶体管te的源极分别通过一个复位晶体管与第四电源线gnd连接。
[0060]
具体的，所述第一放大晶体管ta的源极与所述第四电源线gnd之间串联一个与所述第二放大晶体管tb的栅极并联的第一复位晶体管ta，所述第二放大晶体管tb的源极与所述第四电源线gnd之间串联一个与所述第三放大晶体管tc的栅极并联的第二复位晶体管tb，如所述第三放大晶体管tc的源极与所述第四电源线gnd之间串联一个与所述第四放大晶体管td的栅极并联的第三复位晶体管tc，如所述第四放大晶体管td的源极与所述第四电源线gnd之间串联一个与所述第五放大晶体管te的栅极并联的第四复位晶体管td，如所述第五放大晶体管te的源极与所述第四电源线gnd之间串联一个与所述外部补偿电路并联的第五复位晶体管tf。
[0061]
在上述实施例中，所述第一复位晶体管ta、所述第二复位晶体管tb、所述第三复位晶体管tc、所述第四复位晶体管td和所述第五复位晶体管tf之间互相并联。
[0062]
具体的，所述第一复位晶体管ta的漏极与所述第二放大晶体管tb的栅极并联至所述第一放大晶体管ta的源极，所述第一复位晶体管ta的源极与所述第四电源线gnd连接，所述第一复位晶体管ta的栅极连接至第一复位信号线，所述第二复位晶体管tb的漏极与所述第三放大晶体管tc的栅极并联至所述第二放大晶体管tb的源极，所述第二复位晶体管tb的源极与所述第一复位晶体管ta的源极并联至所述第四电源线gnd，所述第二复位晶体管tb的栅极连接至第二复位信号线，所述第三复位晶体管tc的漏极与所述第四放大晶体管td的栅极并联至所述第三放大晶体管tc的源极，所述第三复位晶体管tc的源极与所述第二复位晶体管tb的源极并联至所述第四电源线gnd，所述第三复位晶体管tc的栅极连接至第三复位信号线，所述第四复位晶体管td的漏极与所述第五放大晶体管te的栅极并联至所述第四放大晶体管td的源极，所述第四复位晶体管td的源极与所述第三复位晶体管tc的源极并联至所述第四电源线gnd，所述第四复位晶体管td的栅极连接至第四复位信号线，所述第五复位晶体管tf的漏极与所述外部补偿电路并联至所述第五放大晶体管te的源极，所述第五复位晶体管tf的源极与所述第四复位晶体管td的源极并联至所述第四电源线gnd，所述第五复位晶体管tf的栅极连接至第五复位信号线。
[0063]
本实施例中，所述第四电源线gnd为地线，通过所述第一复位信号线、所述第二复位信号线、所述第三复位信号线、所述第四复位信号线、和所述第五复位信号线分别控制所述第一复位晶体管ta、所述第二复位晶体管tb、所述第三复位晶体管tc、所述第四复位晶体管td和所述第五复位晶体管tf的关断与导通，以此来实现所述第一输出端、所述第二输出端、所述第三输出端、所述第四输出端和所述第二输出端的电压复位。
[0064]
如图3所示，上述实施例所示显示面板包括以下结构：基板1、tft层2、平坦层3、像素电极层4和像素定义层5，其中，所述tft层2设置于所述基板1上，所述平坦层3设置于所述tft层2上，所述像素电极层4设置于所述平坦层3上，所述像素定义层5设置于所述像素电极层4上。其中，上述实施例中的所述光敏二极管6可位于所述像素定义层5上并靠近所述发光元件，此时，所述像素定义层5上还设置有柱状隔垫物(未在图中示出)，所述柱状隔垫物的高度大于所述感光元件的高度，所述tft层2包括所述第一放大晶体管ta，所述像素电极层4包括所述oled的阳极以及连接部，所述光敏二极管6通过连接部电性连接于所述第一放大
晶体管ta的所述栅极。
[0065]
如图4所示，上述实施例中的所述光敏二极管6还可与所述平坦层3同层设置，具体的，所述平坦层3包括第一平坦层31和第二平坦层32，所述第一平坦层31设置于所述tft层2上，所述光敏二极管6与所述第一平坦层31同层设置，所述第二平坦层32设置于所述第一平坦层31和所述光敏二极管6上。为了防止所述光敏二极管6的紫外老化，所述光敏二极管6上还设置有紫外滤光膜，即所述紫外滤光膜设置于所述第一平坦层31和所述第二平坦层32之间。
[0066]
本发明提供一种包括感测电路的显示面板，所述感测电路用于感测oled亮度，以实现oled亮度的快速补偿或校准，解决传统方案中通过感测oled电流对oled亮度进行补偿时，oled材料衰减导致补偿不准确的问题。
[0067]
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。