在校正光刻掩模中使用掩模制造模型的制作方法

技术特征：
1.一种方法，包括：访问用于在光刻过程中使用的光刻掩模设计，其中所述光刻过程使用从所述光刻掩模设计制造的光刻掩模；由处理器估计所述光刻过程的结果，其中估计所述结果是基于掩模制造模型的，所述掩模制造模型用于从所述光刻掩模设计制造所述光刻掩模；以及基于所估计的结果，对所述光刻掩模设计应用掩模校正。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述光刻掩模是使用电子束过程来制造的；并且所述掩模制造模型考虑了电子束曝光掩模坯上的抗蚀剂、处理经曝光的抗蚀剂以形成图案化抗蚀剂、以及利用所述图案化抗蚀剂蚀刻所述掩模坯。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述光刻掩模是使用电子束过程来制造的；并且所述掩模制造模型考虑了用于制造所述光刻掩模的所述过程中的背散射电子、长程蚀刻效应、蚀刻偏置和微负载中的至少一项。4.根据权利要求1所述的方法，其中估计所述光刻过程的所述结果还基于一个或多个附加过程模型，并且包括：使用所述掩模制造模型来估计从所述光刻掩模设计制造的经印刷的掩模图案；以及使用所述经印刷的掩模图案作为所述一个或多个附加过程模型的输入，来估计所述光刻过程的所述结果。5.根据权利要求4所述的方法，其中所述光刻掩模设计由直线形状组成，并且所述经印刷的掩模图案包括弯曲形状。6.根据权利要求4所述的方法，其中所述掩模制造模型是基于针对经验数据的回归的，并且所述附加过程模型中的至少一个附加过程模型是基于针对不同经验数据的单独回归的。7.根据权利要求4所述的方法，其中所述掩模制造模型以一个比例被应用于估计所述经印刷的掩模图案，并且所估计的经印刷的掩模图案被缩小到较小比例以用作所述一个或多个附加过程模型的输入。8.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法针对多次迭代被重复，并且在每次迭代时应用所述掩模制造模型。9.根据权利要求1所述的方法，其中所述掩模制造模型是基于高斯内核的。10.根据权利要求1所述的方法，其中估计所述光刻过程的所述结果还基于由所述掩模制造引起的所述光刻掩模设计的掩模误差校正。11.根据权利要求1所述的方法，其中所述结果包括空间像、经印刷的晶片图案和经印刷的晶片图案的关键尺寸中的至少一项。12.根据权利要求1所述的方法，其中所述掩模校正包括光学邻近校正、亚分辨率辅助特征、相移掩模和逆光刻技术中的至少一项。13.一种系统，包括：存储器，存储指令和用于在光刻过程中使用的光刻掩模设计，其中所述光刻过程使用从所述光刻掩模设计制造的光刻掩模；以及处理器，与所述存储器耦合并且执行所述指令，所述指令在被执行时使所述处理器：估计所述光刻过程的结果，其中估计所述结果是基于掩模制造模型的，所述掩模制造
模型用于从所述光刻掩模设计制造所述光刻掩模；以及基于所估计的结果，对所述光刻掩模设计应用掩模校正。14.根据权利要求13所述的系统，其中所述光刻过程在极紫外euv波长范围和具有大约20nm或更小的特征尺寸的技术节点处操作。15.根据权利要求13所述的系统，其中所述光刻掩模设计用于整个集成电路裸片。16.根据权利要求13所述的系统，其中估计所述光刻过程的所述结果还基于一个或多个附加过程模型，所述掩模制造模型是基于针对经验数据的回归的，并且所述附加过程模型中的至少一个附加过程模型是基于针对不同经验数据的单独回归的。17.根据权利要求13所述的系统，其中所述掩模校正包括光学邻近校正、亚分辨率辅助特征、相移掩模和逆光刻技术中的至少一项。18.一种非暂态计算机可读介质，包括所存储的指令，当所述指令由处理器执行时使所述处理器：访问用于在光刻过程中使用的光刻掩模设计，其中所述光刻过程使用从所述光刻掩模设计制造的光刻掩模；估计所述光刻过程的结果，其中估计所述结果是基于掩模制造模型的，所述掩模制造模型用于从所述光刻掩模设计制造所述光刻掩模；以及基于所估计的结果，对所述光刻掩模设计应用掩模校正。19.根据权利要求18所述的非暂态计算机可读介质，其中所述掩模制造模型以一个比例被应用于估计所述经印刷的掩模图案，并且所估计的经印刷的掩模图案被缩小到较小比例以用作所述一个或多个附加过程模型的输入。20.根据权利要求18所述的非暂态计算机可读介质，其中所述掩模制造模型是基于高斯内核的。

技术总结
光刻过程通过光刻掩模的设计和光刻配置的描述来描述，其可以包括光刻源、收集/照射光学器件、投影光学器件、抗蚀剂和/或后续制造步骤。实际的光刻过程使用从掩模设计制造的光刻掩模，该光刻掩模可以与标称掩模设计不同。掩模制造模型对从掩模设计制造光刻掩模的过程进行建模。通常，这是一种电子束(e-beam)过程，该过程包括电子束曝光掩模坯上的抗蚀剂、处理经曝光的抗蚀剂以形成图案化抗蚀剂、以及利用图案化抗蚀剂蚀刻掩模坯。掩模制造模型通常与其他过程模型一起用于估计光刻过程的结果。然后基于仿真结果将掩模校正应用于掩模设计。后基于仿真结果将掩模校正应用于掩模设计。后基于仿真结果将掩模校正应用于掩模设计。


技术研发人员：L
受保护的技术使用者：美商新思科技有限公司
技术研发日：2020.11.02
技术公布日：2022/5/31