一种200mm尺寸的地质芯片封装的制作工艺的制作方法

1.本发明涉及芯片封装技术领域，具体为一种200mm尺寸的地质芯片封装的制作工艺。


背景技术：

2.真空炉是由炉体、真空机组、液压系统、控制系统、冷却系统等几部分组成的，对于气冷真空炉要具备氮气储气罐，氮气不仅可以防止一些金属元素在高的真空度下的挥发，而且可以提高冷却能力，真空炉内一般具有多层反射屏，有良好的隔热保温作用，这样有利于节省加热能量，但好的保温作用却造成了降温过程的困难，在炉腔内空气稀薄的情况下，一般炉体温度从500摄氏度降至100摄氏度以下需要5小时，对于一些小型器件如芯片的冷却效率很低。因此我们对此做出改进，提出一种200mm尺寸的地质芯片封装的制作工艺。


技术实现要素：

3.为了解决上述技术问题，本发明提供了如下的技术方案：
4.本发明一种200mm尺寸的地质芯片封装的制作工艺，包括真空炉，所述真空炉的外表面设置有限位杆，所述限位杆的外表面转动连接有连板，所述连板的一端固定连接有密封盖，所述真空炉的侧表面分别设置有抽气管道和氮气管道，所述真空炉的内部设置有第一隔热层，所述第一隔热层的内部设置有加热腔，所述加热腔的内部设置有第二隔热层，所述第二隔热层的外表面缠绕有加热丝管，且第二隔热层的内壁设置有多个氮气喷头，所述第二隔热层的内壁设置有导轨，且第二隔热层的一端设置有散热风机。
5.作为本发明的一种优选技术方案，所述真空炉的底部设置有滚轮，且真空炉与密封盖之间设置有机械密封组件。
6.作为本发明的一种优选技术方案，所述抽气管道的一端通过导管连接有抽真空泵，所述氮气管道的一端通过导管连接有氮气储气罐。
7.作为本发明的一种优选技术方案，所述第二隔热层为筒状结构，且第二隔热层的内部为夹层结构。
8.作为本发明的一种优选技术方案，所述氮气管道的一端延伸至第二隔热层的内部，且氮气管道、第二隔热层和氮气喷头的内部相通。
9.作为本发明的一种优选技术方案，所述导轨的数量有两个，两个所述导轨在第二隔热层的内壁对称设置。
10.作为本发明的一种优选技术方案，所述散热风机的外表面设置有防护板，所述防护板为网状结构。
11.一种如权利要求1中所述的200mm尺寸的地质芯片封装的制作工艺，包括以下步骤：
12.s1、将氮气首先沿氮气管道处通入第二隔热层的内部夹层，由于第二隔热层内部的夹层空间较大，氮气可以快速的排入第二隔热层内部，避免氮气管道内部堆积大量氮气
而增大氮气管道的内部压强；
13.s2、拆除真空炉炉体内的陶瓷保温层,将其扩展空间接近300mm；
14.s3、增加真空炉炉壁氮气管路的保护，随后设定内部的高温段时间；
15.s4、材料到达变形点后，对其进行快速冷却，同时在第二隔热层的一端处设置有散热风机，高温热处理之后打开密封盖的同时开启散热风机，可以加速芯片冷却速度。
16.本发明的有益效果是：
17.1、该种200mm尺寸的地质芯片封装的制作工艺，通过将氮气首先沿氮气管道处通入第二隔热层的内部夹层，氮气再通过第二隔热层内壁设置的多个氮气喷头向加热腔排出，由于第二隔热层内部的夹层空间较大，因此氮气管道处通入的氮气可以快速的排入第二隔热层内部，避免氮气管道内部堆积大量氮气而增大氮气管道的内部压强，防止较大压力氮气管道产生损坏，而且多个氮气喷头的设置可以使氮气可以均匀的排放至加热腔内，有助于阻止加热腔内的一些金属发生挥发变形，同时可以提高冷却效果。
18.2、该种200mm尺寸的地质芯片封装的制作工艺，通过在第二隔热层的一端处设置有散热风机，高温热处理之后打开密封盖的同时开启散热风机，可以加速芯片冷却速度，将加热丝管均匀的缠绕在第二隔热层的外部，有助于加快加热腔的升温速度。
附图说明
19.附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。
20.在附图中：
21.图1是本发明一种200mm尺寸的地质芯片封装的制作工艺的真空炉结构示意图；
22.图2是本发明一种200mm尺寸的地质芯片封装的制作工艺的真空炉加热腔内部结构示意图；
23.图3是本发明一种200mm尺寸的地质芯片封装的制作工艺的真空炉散热风机结构示意图。
24.图4是本发明一种200mm尺寸的地质芯片封装的制作工艺的步骤示意图。
25.图中：1、真空炉；2、限位杆；3、连板；4、密封盖；5、抽气管道；6、氮气管道；7、第一隔热层；8、第二隔热层；9、加热丝管；10、氮气喷头；11、导轨；12、散热风机；13、防护板。
具体实施方式
26.以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。
27.实施例：如图1-4所示，本发明一种200mm尺寸的地质芯片封装的制作工艺，包括真空炉1，真空炉1的外表面设置有限位杆2，限位杆2的外表面转动连接有连板3，连板3的一端固定连接有密封盖4，真空炉1的侧表面分别设置有抽气管道5和氮气管道6，真空炉1的内部设置有第一隔热层7，第一隔热层7的内部设置有加热腔，加热腔的内部设置有第二隔热层8，第二隔热层8的外表面缠绕有加热丝管9，且第二隔热层8的内壁设置有多个氮气喷头10，第二隔热层8的内壁设置有导轨11，且第二隔热层8的一端设置有散热风机12。
28.其中，真空炉1的底部设置有滚轮，且真空炉1与密封盖4之间设置有机械密封组
件，机械密封组件可以将密封盖4紧密的封堵在真空炉1的加热腔外部。
29.其中，抽气管道5的一端通过导管连接有抽真空泵，氮气管道6的一端通过导管连接有氮气储气罐，抽真空泵可以将真空炉1加热腔内部的空气抽出，提高加热腔的真空度。
30.其中，第二隔热层8为筒状结构，且第二隔热层8的内部为夹层结构，氮气管道6的一端延伸至第二隔热层8的内部，且氮气管道6、第二隔热层8和氮气喷头10的内部相通，因此将氮气首先沿氮气管道6处通入第二隔热层8的内部夹层，氮气再通过第二隔热层8内壁设置的多个氮气喷头10向加热腔排出，多个氮气喷头10的设置可以使氮气可以均匀的排放至加热腔内。
31.其中，导轨11的数量有两个，两个导轨11在第二隔热层8的内壁对称设置，散热风机12的外表面设置有防护板13，防护板13为网状结构，高温热处理之后打开密封盖4的同时开启散热风机12，可以加速芯片冷却速度。
32.一种如权利要求1中的200mm尺寸的地质芯片封装的制作工艺，包括以下步骤：
33.s1、将氮气首先沿氮气管道6处通入第二隔热层8的内部夹层，由于第二隔热层8内部的夹层空间较大，氮气可以快速的排入第二隔热层8内部，避免氮气管道6内部堆积大量氮气而增大氮气管道6的内部压强；
34.s2、拆除真空炉1炉体内的陶瓷保温层,将其扩展空间接近300mm；
35.s3、增加真空炉1炉壁氮气管路的保护，随后设定内部的高温段时间；
36.s4、材料到达变形点后，对其进行快速冷却，同时在第二隔热层8的一端处设置有散热风机12，高温热处理之后打开密封盖4的同时开启散热风机12，可以加速芯片冷却速度。
37.工作原理：由于第二隔热层8的内部为夹层结构，氮气管道6的一端延伸至第二隔热层8的内部，且氮气管道6、第二隔热层8和氮气喷头10的内部相通，因此将氮气首先沿氮气管道6处通入第二隔热层8的内部夹层，氮气再通过第二隔热层8内壁设置的多个氮气喷头10向加热腔排出，由于第二隔热层8内部的夹层空间较大，因此氮气管道6处通入的氮气可以快速的排入第二隔热层8内部，避免氮气管道6内部堆积大量氮气而增大氮气管道6的内部压强，防止较大压力氮气管道6产生损坏，而且多个氮气喷头10的设置可以使氮气可以均匀的排放至加热腔内，有助于阻止加热腔内的一些金属发生挥发变形，同时可以提高冷却效果，在第二隔热层8的一端处设置有散热风机12，高温热处理之后打开密封盖4的同时开启散热风机12，可以加速芯片冷却速度。
38.最后应说明的是：在本发明的描述中，需要说明的是，术语“竖直”、“上”、“下”、“水平”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
39.在本发明的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
40.以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实
施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。