一种200mm尺寸的地质芯片封装的制作工艺的制作方法

技术特征：
1.一种200mm尺寸的地质芯片封装的制作工艺，包括真空炉(1)，其特征在于，所述真空炉(1)的外表面设置有限位杆(2)，所述限位杆(2)的外表面转动连接有连板(3)，所述连板(3)的一端固定连接有密封盖(4)，所述真空炉(1)的侧表面分别设置有抽气管道(5)和氮气管道(6)，所述真空炉(1)的内部设置有第一隔热层(7)，所述第一隔热层(7)的内部设置有加热腔，所述加热腔的内部设置有第二隔热层(8)，所述第二隔热层(8)的外表面缠绕有加热丝管(9)，且第二隔热层(8)的内壁设置有多个氮气喷头(10)，所述第二隔热层(8)的内壁设置有导轨(11)，且第二隔热层(8)的一端设置有散热风机(12)。2.根据权利要求1所述的一种200mm尺寸的地质芯片封装的制作工艺，其特征在于，所述真空炉(1)的底部设置有滚轮，且真空炉(1)与密封盖(4)之间设置有机械密封组件。3.根据权利要求1所述的一种200mm尺寸的地质芯片封装的制作工艺，其特征在于，所述抽气管道(5)的一端通过导管连接有抽真空泵，所述氮气管道(6)的一端通过导管连接有氮气储气罐。4.根据权利要求1所述的一种200mm尺寸的地质芯片封装的制作工艺，其特征在于，所述第二隔热层(8)为筒状结构，且第二隔热层(8)的内部为夹层结构。5.根据权利要求5所述的一种200mm尺寸的地质芯片封装的制作工艺，其特征在于，所述氮气管道(6)的一端延伸至第二隔热层(8)的内部，且氮气管道(6)、第二隔热层(8)和氮气喷头(10)的内部相通。6.根据权利要求1所述的一种200mm尺寸的地质芯片封装的制作工艺，其特征在于，所述导轨(11)的数量有两个，两个所述导轨(11)在第二隔热层(8)的内壁对称设置。7.根据权利要求1所述的一种200mm尺寸的地质芯片封装的制作工艺，其特征在于，所述散热风机(12)的外表面设置有防护板(13)，所述防护板(13)为网状结构。8.一种如权利要求1中所述的200mm尺寸的地质芯片封装的制作工艺，包括以下步骤：s1、将氮气首先沿氮气管道(6)处通入第二隔热层(8)的内部夹层，由于第二隔热层(8)内部的夹层空间较大，氮气可以快速的排入第二隔热层(8)内部，避免氮气管道(6)内部堆积大量氮气而增大氮气管道(6)的内部压强；s2、拆除真空炉(1)炉体内的陶瓷保温层,将其扩展空间接近300mm；s3、增加真空炉(1)炉壁氮气管路的保护，随后设定内部的高温段时间；s4、材料到达变形点后，对其进行快速冷却，同时在第二隔热层(8)的一端处设置有散热风机(12)，高温热处理之后打开密封盖(4)的同时开启散热风机(12)，可以加速芯片冷却速度。

技术总结
本发明公开了一种200mm尺寸的地质芯片封装的制作工艺，包括真空炉，真空炉的外表面设置有限位杆，限位杆的外表面转动连接有连板，连板的一端固定连接有密封盖，真空炉的侧表面分别设置有抽气管道和氮气管道，真空炉的内部设置有第一隔热层，第一隔热层的内部设置有加热腔，加热腔的内部设置有第二隔热层，第二隔热层的外表面缠绕有加热丝管，且第二隔热层的内壁设置有多个氮气喷头，通入的氮气可以快速的排入第二隔热层内部，避免氮气管道内部堆积大量氮气而增大氮气管道的内部压强，防止较大压力氮气管道产生损坏，多个氮气喷头可以使氮气可以均匀的排放至加热腔内，有助于阻止加热腔内的一些金属发生挥发变形，同时可以提高冷却效果。却效果。却效果。


技术研发人员：何再运
受保护的技术使用者：苏州迪可通生物科技有限公司
技术研发日：2022.02.26
技术公布日：2022/5/31