一种光电二极管结构及马赛克排列的像素阵列的制作方法

技术特征：
1.一种光电二极管结构，其特征在于：包括硅表面、p型外延层(2)，从硅表面到p型外延层之间依次设置p型注入层(1)、n型注入层一(3)、n型注入层二(4)、n型注入层三(5)，所述n型注入层一(3)、n型注入层二(4)、n型注入层三(5)三者在宽度比例类型包括：1:1:1、1:1:0.5、1:0.5:1、0.5:1:1。2.根据权利要求1所述的一种光电二极管结构，其特征在于：所述p型注入层(1)为注入浓度高、低能量的p型掺杂注入层，多个n型注入层从硅表面到p型外延层的能量逐渐增大。3.根据权利要求1所述的一种光电二极管结构，其特征在于：n型注入层一(3)、n型注入层二(4)、n型注入层三(5)注入深度依次加深。4.根据权利要求1所述的一种光电二极管结构，其特征在于：n型注入层一(3)、n型注入层二(4)、n型注入层三(5)注入深度依次变浅。5.应用权利要求1-4任一所述的一种光电二极管结构的马赛克排列的像素阵列，其特征在于：包括水平方向依次排列的多个马赛克子阵列，所述马赛克子阵列包括水平排列的多个光电二极管结构；每个像素对应一个光电二极管结构。6.根据权利要求5所述的马赛克排列的像素阵列，其特征在于：所述马赛克子阵列包括四个光电二极管结构，四个光电二极管结构分别为第一二极管结构(6)、第二二极管结构(7)、第三二极管结构(8)、第四二极管结构(9)；第一二极管结构(6)的n型注入层一(3)、n型注入层二(4)、n型注入层三(5)三者宽度比例1:1:1；第二二极管结构(7)的n型注入层一(3)、n型注入层二(4)、n型注入层三(5)三者宽度比例0.5:1:1；第三二极管结构(8)的n型注入层一(3)、n型注入层二(4)、n型注入层三(5)三者宽度比例1:0.5:1；第四二极管结构(9)的n型注入层一(3)、n型注入层二(4)、n型注入层三(5)三者宽度比例1:1:0.5；每个马赛克子阵列中第一二极管结构(6)、第二二极管结构(7)、第三二极管结构(8)、第四二极管结构(9)水平组合排列形成2*2的方型结构，所述像素阵列将多个马赛克子阵列水平组合排列形成n*n的方型结构。

技术总结
本实用新型提供了一种光电二极管结构及马赛克排列的像素阵列，包括硅表面、P型外延层，从硅表面到P型外延层之间依次设置P型注入层、N型注入层一、N型注入层二、N型注入层三，所述N型注入层一、N型注入层二、N型注入层三三者宽度比例类型包括：1:1:1、1:1:0.5、1:0.5:1、0.5:1:1。本实用新型所述的一种光电二极管结构，在初期光电二极管版图设计时，对光电二极管的层次和尺寸进行调整，任意组合性强，方便形成马赛克排列的像素阵列，取代现有多光谱采用分光、滤光和微纳加工等方式，无需额外的工艺步骤，制作方式更加简化。制作方式更加简化。制作方式更加简化。


技术研发人员：高志远
受保护的技术使用者：天津海芯微电子技术有限公司
技术研发日：2021.12.30
技术公布日：2022/5/29