背光模组和液晶显示装置的制作方法

1.本技术涉及显示技术领域，尤其是涉及一种背光模组和液晶显示装置。


背景技术：

2.miniled(迷你发光二极管)技术由于可以实现高对比度、分区控制、功耗低等优点被广泛应用。现有显示器件为了实现大尺寸显示，会通过将多个miniled单板拼接形成显示器件，但在miniled单板的拼接过程中，由于拼接处不存在发光芯片，且在拼接处的拼缝的大小不可控，导致拼接处会出现偏暗或者偏亮的问题，从而导致显示器件在显示时出现显示不均的问题。
3.所以，现有拼接显示器件存在拼接处的亮度与其他区域的亮度不一致所导致的显示不均的技术问题。


技术实现要素：

4.本技术实施例提供一种背光模组和液晶显示装置，用以缓解现有拼接显示器件存在拼接处的亮度与其他区域的亮度不一致所导致的显示不均的技术问题。
5.本技术实施例提供一种背光模组，该背光模组包括：
6.背板；
7.灯板，设置于所述背板一侧，所述灯板至少包括拼接的第一灯板和第二灯板；
8.光学膜片，设置于所述灯板远离所述背板的一侧；
9.其中，所述灯板包括发光芯片，所述背光模组还包括围坝结构，至少部分所述围坝结构设置于所述第一灯板与所述第二灯板的拼接处，且所述围坝结构的高度大于所述发光芯片的高度，所述围坝结构用于对光线进行反射。
10.在一些实施例中，所述围坝结构包括第一围坝结构和第二围坝结构，所述第一灯板包括第一围坝结构，所述第二灯板包括第二围坝结构，所述第一围坝结构设置于所述第一灯板与所述第二灯板的拼接处，所述第二围坝结构设置于所述第一灯板与所述第二灯板的拼接处，且所述第一围坝结构与所述第二围坝结构对合。
11.在一些实施例中，所述围坝结构还包括第三围坝结构，所述第三围坝结构设置于所述发光芯片之间。
12.在一些实施例中，所述第一围坝结构与所述第二围坝结构的高度相等，且所述第一围坝结构的高度大于所述第三围坝结构的高度。
13.在一些实施例中，所述第一围坝结构在远离所述拼接处的一侧形成有弧面，所述第二围坝结构在远离所述拼接处的一侧形成有弧面，且所述第一围坝结构与所述第二围坝结构对合后的顶端形成有凸起。
14.在一些实施例中，所述围坝结构包括第四围坝结构和第五围坝结构，所述第四围坝结构设置于所述拼接处且填充至所述第一灯板和所述第二灯板之间的拼接缝中，所述第五围坝结构设置于所述发光芯片之间。
15.在一些实施例中，所述灯板包括发光芯片和棱镜结构，所述棱镜结构设置于所述发光芯片上。
16.在一些实施例中，所述第四围坝结构的高度大于或者等于所述第五围坝结构的高度。
17.在一些实施例中，最靠近所述拼接处的发光芯片与所述拼接处的中心线的间距的两倍、与所述拼接处的拼接缝的宽度的和，等于远离所述拼接处的发光芯片之间的间距。
18.同时，本技术实施例提供一种液晶显示装置，该液晶显示装置包括液晶显示面板和背光模组，所述背光模组包括：
19.背板；
20.灯板，设置于所述背板一侧，所述灯板至少包括拼接的第一灯板和第二灯板；
21.光学膜片，设置于所述灯板远离所述背板的一侧；
22.其中，所述灯板包括发光芯片，所述背光模组还包括围坝结构，至少部分所述围坝结构设置于所述第一灯板与所述第二灯板的拼接处，且所述围坝结构的高度大于所述发光芯片的高度，所述围坝结构用于对光线进行反射。
23.有益效果：本技术提供一种背光模组和液晶显示装置；该背光模组包括背板、灯板和光学膜片，灯板设置于背板一侧，灯板至少包括拼接的第一灯板和第二灯板，光学膜片设置于灯板远离背板的一侧，其中，灯板包括发光芯片，背光模组还包括围坝结构，至少部分围坝结构设置于第一灯板与第二灯板的拼接处，且围坝结构的高度大于发光芯片的高度，围坝结构用于对光线进行反射。本技术通过在灯板的拼接处设置围坝结构，使围坝结构的高度大于发光芯片的高度，通过围坝结构对光线的反射，提高拼接处的亮度，从而改善显示器件的拼接处的亮度与其他区域的亮度不同的问题。
附图说明
24.下面结合附图，通过对本技术的具体实施方式详细描述，将使本技术的技术方案及其它有益效果显而易见。
25.图1为本技术实施例提供的背光模组的第一种示意图。
26.图2为本技术实施例提供的背光模组的第二种示意图。
27.图3为本技术实施例提供的液晶显示装置的示意图。
28.图4为图1中的背光模组的制备方法对应的各阶段的背光模组的第一种示意图。
29.图5为图1中的背光模组的制备方法对应的各阶段的背光模组的第二种示意图。
30.图6为图2中的背光模组的制备方法对应的各阶段的背光模组的第一种示意图。
31.图7为图2中的背光模组的制备方法对应的各阶段的背光模组的第二种示意图。
具体实施方式
32.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
33.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
34.在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
35.在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
36.下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本技术的不同结构。为了简化本技术的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本技术。此外，本技术可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本技术提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
37.本技术实施例针对现有拼接显示器件存在拼接处的亮度与其他区域的亮度不一致所导致的显示不均的技术问题，提供一种背光模组和液晶显示装置，用以缓解上述技术问题。
38.如图1所示，本技术实施例提供一种背光模组，该背光模组1包括：
39.背板11；
40.灯板12，设置于所述背板11一侧，所述灯板12至少包括拼接的第一灯板121和第二灯板122；
41.光学膜片15，设置于所述灯板12远离所述背板11的一侧；
42.其中，所述灯板12包括发光芯片121c，所述背光模组1还包括围坝结构13，至少部分所述围坝结构13设置于所述第一灯板121与所述第二灯板122的拼接处，且所述围坝结构13的高度h2大于所述发光芯片121c的高度h1，所述围坝结构13用于对光线进行反射。
43.本技术实施例提供一种背光模组，该背光模组通过在灯板的拼接处设置围坝结构，使围坝结构的高度大于发光芯片的高度，通过围坝结构对光线的反射，提高拼接处的亮度，从而改善显示器件的拼接处的亮度与其他区域的亮度不同的问题。
44.需要说明的是，在围坝结构设置在灯板上时，围坝结构的高度以灯板中的基板为
基准面确定高度，在围坝结构的高度不一致时，围坝结构的高度大于发光芯片的高度是指围坝结构的最小高度大于发光芯片的高度；在围坝结构设置在灯板并填充在拼缝处时，围坝结构的高度以灯板中的基板为基准面确定高度，在围坝结构的高度不一致时，围坝结构的高度大于发光芯片的高度是指围坝结构的最小高度大于发光芯片的高度。
45.在一种实施例中，如图1所示，所述围坝结构13包括第一围坝结构131和第二围坝结构132，所述第一灯板121包括第一围坝结构131，所述第二灯板122包括第二围坝结构132，所述第一围坝结构131设置于所述第一灯板121与所述第二灯板122的拼接处，所述第二围坝结构132设置于所述第一灯板121与所述第二灯板122的拼接处，且所述第一围坝结构131与所述第二围坝结构132对合。通过在第一灯板和第二灯板上分别设置第一围坝结构和第二围坝结构，使得第一围坝结构和第二围坝结构可以对合形成位于拼接处的围坝结构，通过围坝结构对光线的反射，提高拼接处的光线的亮度，从而改善显示器件的拼接处偏暗的问题。
46.具体的，在设置第一围坝结构和第二围坝结构时，由于第一围坝结构和第二围坝结构分别设置在第一灯板和第二灯板上，会存在第一围坝结构和第二围坝结构无法接触的问题，因此可以对第一围坝结构和第二围坝结构进行设计，使第一围坝结构和第二围坝结构向灯板外延伸，从而使得第一围坝结构和第二围坝结构能够接触对合。
47.具体的，第一灯板包括第一基板，所述第一围坝结构超出所述第一基板设置；所述第二灯板包括第二基板，所述第二围坝结构超出所述第二基板设置。
48.具体的，针对第一围坝结构和第二围坝结构刚性过大会导致第一围坝结构和第二围坝结构接触不够紧密的问题，在一种实施例中，所述第一围坝结构和所述第二围坝结构的弹性模量大于第一基板的弹性模量。通过使第一围坝结构和第二围坝结构具有一定的弹性，并在第一灯板和第二灯板拼接处时提供一定的挤压力，使得第一围坝结构和第二围坝结构在拼接处能够紧密结合，避免第一围坝结构和第二围坝结构无法对合。
49.具体的，背光模组包括多个灯板，在设置围坝结构时，例如第一灯板为中间区域的灯板或者第一灯板两侧或者四周与其他灯板拼接时，则第一灯板的四周均会与其他灯板进行拼接，此时第一灯板的四周的边缘均会设置第一围坝结构，相应的，与第一灯板拼接的灯板也会设置第二围坝结构，使第一围坝结构和第二围坝结构对合；而在第一灯板为边缘区域的灯板或者第一灯板仅在一侧拼接时，第一灯板可以仅在拼接处设置第一围坝结构，而在边缘的非拼接处采用正常的设计方式，例如正常的当前或者其他围坝结构。
50.具体的，例如第一灯板的两侧与其他灯板拼接，则可以使得第一灯板的一侧设置第一围坝结构，第一灯板的另一侧设置第二围坝结构，使得第一灯板在两侧与其他灯板拼接；或者第一灯板的两侧均设置第一围坝结构；或者第一灯板的两侧均设置第二围坝结构，使得第一灯板在两侧与其他灯板拼接。
51.在一种实施例中，围坝结构包括第一围坝结构和第二围坝结构，所述第一灯板包括第一围坝结构，所述第二灯板包括第二围坝结构，所述第一围坝结构设置于所述第一灯板与所述第二灯板的拼接处，所述第二围坝结构设置于所述第一灯板与所述第二灯板的拼接处，且所述第一围坝结构与所述第二围坝结构之间存在间隙。由于第一围坝结构和第二围坝结构对光线进行反射时，可以通过第一围坝结构和第二围坝结构的侧面进行反射，也可以通过第一围坝结构和第二围坝结构的顶面进行反射，因此，在第一灯板和第二灯板之
间存在拼接缝时，第一围坝结构和第二围坝结构也可以存在一定的间隙，而第一围坝结构和第二围坝结构仍然能够对光线进行反射，提高拼接处的亮度，改善拼接显示器件存在拼接处偏暗的问题。
52.针对部分光线会向边缘发散导致光线损失的问题。在一种实施例中，如图1所示，所述围坝结构13还包括第三围坝结构133，所述第三围坝结构133设置于所述发光芯片121c之间。通过在发光芯片之间设置第三围坝结构，使得第三围坝结构能够对发光芯片的光线进行反射，从而减小光线的损失，提高发光芯片的光线的利用率。
53.在一种实施例中，所述第一围坝结构与所述第二围坝结构的高度相等，且所述第一围坝结构的高度大于所述第三围坝结构的高度。通过使第一围坝结构和第二围坝结构的高度相等，则第一围坝结构和第二围坝结构可以较好的对合，且通过使第一围坝结构的高度大于第二围坝结构的高度，使得位于拼接处的围坝结构能够更好的阻挡光线向邻近发光芯片或者发光区域扩散，提高显示器件的拼接处的亮度。
54.针对第一围坝结构和第二围坝结构分开设置会导致第一围坝结构和第二围坝结构接触不够紧密的问题。在一种实施例中，所述第一围坝结构在远离所述拼接处的一侧形成有弧面，所述第二围坝结构在远离所述拼接处的一侧形成有弧面，且所述第二围坝结构与所述第二围坝结构对合后的顶端形成有凸起。
55.通过将第一围坝结构和第二围坝结构在远离拼接处的一侧形成一定的弧面，使得在第一围坝结构和第二围坝结构挤压在一起时，第一围坝结构和第二围坝结构能够倾向彼此，提高第一围坝结构和第二围坝结构的结合效果。通过使得第一围坝结构和第二围坝结构的顶端形成有凸起，使凸起能够对光的反射产生收光作用，如图1所示，可以将部分大角度的光线转换为小角度甚至正视角度的光线，提高拼接处的亮度，从而改善显示器件的拼接处的拼接暗线。
56.具体的，如图1所示，可以看到光线14在照射到围坝结构13上时，会进行反射，避免光线大视角反射导致光线损失，且在拼接缝123对应的区域，光线14在反射至围坝结构13的顶端的凸起时，能够转换为小角度甚至正视角度的光线，提高拼接处的亮度，从而改善显示器件的拼接处的拼接暗线。
57.在一种实施例中，所述第一围坝结构和所述第二围坝结构关于拼接缝对称设置，通过使得第一围坝结构和第二围坝结构关于拼接缝对称设置，使得第一围坝结构和第二围坝结构能够较好的对合，从而改善拼接处偏暗的问题，改善显示器件的拼接暗线的问题。
58.在一种实施例中，所述发光芯片包括大张角光型芯片，通过采用大张角光型芯片，使光线能够发散到围坝结构上，从而能够将光线控制在一定的角度，避免光线发散到大视角产生损失。
59.针对将围坝结构分别设置在两个灯板上会导致拼接处的围坝结构对合效果较差的问题。在一种实施例中，如图2所示，所述围坝结构13包括第四围坝结构134和第五围坝结构135，所述第四围坝结构134设置于所述拼接处且填充至所述第一灯板121和所述第二灯板122之间的拼接缝123中，所述第五围坝结构135设置于所述发光芯片121c之间。通过直接将第四围坝结构设置在拼接处，且第四围坝结构直接填充在拼接缝内，无需通过将第一灯板和第二灯板上的围坝结构进行拼接，从而避免围坝结构拼接效果较差导致的光线损失，且第四围坝结构设置的第一灯板和第二灯板的拼接缝中，可以提高第一灯板和第二灯板的
拼接效果，避免第一灯板和第二灯板之间出现分离。
60.具体的，围坝结构的材料包括胶材，通过采用胶材形成围坝结构，使得第四围坝结构可以对第一灯板和第二灯板进行粘合，从而避免第一灯板和的第二灯板出现脱离。
61.在一种实施例中，如图2所示，所述灯板12包括发光芯片121c和棱镜结构123，所述棱镜结构123设置于所述发光芯片121c上。本技术通过在发光芯片上设置棱镜结构，使得可以通过棱镜结构对光线的角度进行控制，从而提高显示面板的拼接处的光线强度，提高显示面板的发光亮度，改善显示器件的拼接暗线。
62.在一种实施例中，所述第四围坝结构的高度大于或者等于所述第五围坝结构的高度。通过使第四围坝的高度等于第五围坝结构的高度，使拼接处的光学性能与其他区域的光学性能保持一致，从而改善显示器件的拼接处的拼接暗线，且使得显示器件的显示均一性较好。通过使得第四围坝结构的高度大于第五围坝结构的高度，可以提升拼接处的正视亮度，改善拼接处的偏暗问题。
63.在一种实施例中，最靠近所述拼接处的发光芯片与所述拼接处的中心线的间距l的两倍、与所述拼接处的拼接缝的宽度a的和，等于远离所述拼接处的发光芯片之间的间距l，即2*l a＝l。通过使得位于拼接处两侧的发光芯片之间的间距等于其他区域的发光芯片的间距，由于灯板上各发光芯片的间距相等，相当于使得第一灯板和第二灯板为同一灯板的两个部分，且通过围坝结构的设置，使得各区域的光线的角度、光线的强度一致，从而在改善显示器件的拼接处偏暗的问题的同时，提高显示器件的显示均一性。
64.在一种实施例中，所述发光芯片包括第一发光区域、第二发光区域，所述第三围坝结构围绕所述第一发光区域设置，且所述第三围坝结构围绕所述第二发光区域设置。在远离拼接处的区域设置围坝结构时，还可以将第三围坝结构通过分区围绕发光芯片设置，控制某一发光区域内的光线。
65.在一种实施例中，所述围坝结构的反射率大于或者等于95％，通过使得围坝结构的反射率较高，避免光线的损失，提高光线的利用率。
66.具体的，上述实施例以第一围坝结构和第二围坝结构设置在拼接处配合和第四围坝结构直接设置在拼接处为例进行了详细说明。在灯板多侧与其他灯板配合时，可以使得灯板一侧采用第一围坝结构和第二围坝结构的配合方式提高拼接处的亮度，还可以使灯板另一侧采用第四围坝结构的设置方式提高拼接处的亮度，本技术实施例不限于此。
67.需要说明的是，本技术实施例中的第一、第二、第三、第四、第五并不是特指，在部件相同时，不同实施例中的技术特征可以组合，例如第三围坝结构和第五围坝结构均是指远离拼接处的围坝结构，因此，虽然第三围坝结构和第五围坝结构分属于不同实施例，但在第三围坝结构的特征与第五围坝结构的特征不同时，第三围坝结构的特征也可以应用于第五围坝结构，基于相同的理由，其他特征以及实施例在不存在冲突时，也可以组合以取得更好的技术效果，在此不再赘述。
68.在一种实施例中，如图1所示，第一灯板121包括第一基板121a，第二灯板122包括第二基板121b。
69.在一种实施例中，如图1所示，光学膜片15包括色转换膜151、匀光膜152、扩散片153和棱镜片154。
70.同时，如图3所示，本技术实施例提供一种液晶显示装置，该液晶显示面板包括液
晶显示面板31和背光模组，所述背光模组包括：
71.背板11；
72.灯板12，设置于所述背板11一侧，所述灯板12至少包括拼接的第一灯板121和第二灯板122；
73.光学膜片15，设置于所述灯板12远离所述背板11的一侧；
74.其中，所述灯板12包括发光芯片121c，所述背光模组1还包括围坝结构13，至少部分所述围坝结构13设置于所述第一灯板121与所述第二灯板122的拼接处，且所述围坝结构13的高度h2大于所述发光芯片121c的高度h1，所述围坝结构13用于对光线进行反射。
75.本技术实施例提供一种液晶显示装置，该液晶显示装置包括液晶显示面板和背光模组，该背光模组通过在灯板的拼接处设置围坝结构，使围坝结构的高度大于发光芯片的高度，通过围坝结构对光线的反射，提高拼接处的亮度，从而改善显示器件的拼接处的亮度与其他区域的亮度不同的问题。
76.在一种实施例中，如图3所示，所述液晶显示面板31包括第三基板311、第四基板313和设置于所述第三基板311和第四基板313之间的液晶层312。
77.在一种实施例中，第三基板为阵列基板，第四基板为彩膜基板；或者第三基板为coa(color on array，彩膜层设置在阵列侧)基板。
78.同时，如图4、图5所示，以图1中的背光模组为例，在形成背光模组时，如图4中的(a)所示，先提供基板41，然后在基板41上形成灯板，将发光芯片121c固定，如图4中的(b)所示，然后形成发光芯片之间的第三围坝结构133，如图5中的(a)所示，然后形成拼接处的第一围坝结构131，以及发光芯片外的第三围坝结构133，并去除基板，如图5中的(b)所示，在得到第一灯板121和第二灯板122后，将第一灯板121和122进行拼接，并设置光学膜片，得到背光模组。
79.如图6、图7所示，以图2中的背光模组为例，在形成背光模组时，如图6中的(a)所示，先提供基板41，然后在基板41上形成灯板，将发光芯片121c固定，如图6中的(b)所示，然后形成发光芯片之间的第五围坝结构135以及设置于发光芯片外的第五围坝结构135，如图7中的(a)所示，然后去除基板，并拼接第一灯板121和第二灯板122，如图7中的(b)所示，然后在拼接处形成第四围坝结构134，并设置光学膜片，得到背光模组。
80.根据上述实施例可知：
81.本技术提供一种背光模组和液晶显示装置；该背光模组包括背板、灯板和光学膜片，灯板设置于背板一侧，灯板至少包括拼接的第一灯板和第二灯板，光学膜片设置于灯板远离背板的一侧，其中，灯板包括发光芯片，背光模组还包括围坝结构，至少部分围坝结构设置于第一灯板与第二灯板的拼接处，且围坝结构的高度大于发光芯片的高度，围坝结构用于对光线进行反射。本技术通过在灯板的拼接处设置围坝结构，使围坝结构的高度大于发光芯片的高度，通过围坝结构对光线的反射，提高拼接处的亮度，从而改善显示器件的拼接处的亮度与其他区域的亮度不同的问题。
82.在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
83.以上对本技术实施例所提供的一种背光模组和液晶显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于
帮助理解本技术的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例的技术方案的范围。