一种旋转装置及晶圆外延设备的制作方法

技术特征：
1.一种旋转装置，其特征在于，包括：壳体，所述壳体具有中空的容腔，且开设有与所述容腔相连通的反应气体入口和出气口；发热层，所述发热层设置于所述容腔的底部，且开设有旋转气体通道；旋转组件，所述旋转组件转动地设置于所述发热层上，从所述旋转气体通道进入的气流能够驱动所述旋转组件转动；托盘，所述托盘设置于所述旋转组件上，用于放置晶圆。2.根据权利要求1所述的旋转装置，其特征在于，所述旋转组件包括基座和多个叶片，所述基座转动地设置于所述发热层上，并沿周向设置有若干个环形凸面，多个所述叶片沿所述基座的环形凸面周向间隔设置，所述托盘设置于所述基座的顶部。3.根据权利要求2所述的旋转装置，其特征在于，所述旋转组件还包括转轴，所述基座通过所述转轴与所述发热层转动连接。4.根据权利要求2所述的旋转装置，其特征在于，所述旋转组件还包括支撑座，所述支撑座与所述基座连接，并位于所述基座的顶部，所述托盘设置于所述支撑座上。5.根据权利要求2所述的旋转装置，其特征在于，所述发热层为层叠结构，包括第一发热层、第二发热层和辅助层；所述第一发热层位于所述壳体的容腔底部，所述第二发热层、所述辅助层和所述旋转组件分别位于所述第一发热层平面上，且所述第二发热层与所述辅助层分布于所述旋转组件的两侧。6.根据权利要求5所述的旋转装置，其特征在于，所述第一发热层内置悬浮气体通道，所述悬浮气体通道位于所述基座下方，并在所述基座下方开设有悬浮气体出口，所述悬浮气体出口与所述悬浮气体通道相连通，所述悬浮气体出口位于所述基座的两侧并呈对称分布。7.根据权利要求5所述的旋转装置，其特征在于，所述第二发热层设置于所述第一发热层上并位于靠近反应气体入口的一侧，所述第二发热层内置旋转气体通道，所述旋转气体通道的出口和所述旋转组件的所述叶片相对，从所述旋转气体通道流出的气体可以驱动所述叶片的转动。8.根据权利要求6所述的旋转装置，其特征在于，所述辅助层包括间隔设置的第一凸台、第二凸台和凹面，所述第一凸台面、所述第二凸台面与所述第二发热层顶面处于同一平面且高于所述凹面；从所述悬浮气体通道进入的气流能够驱动所述旋转组件的浮动，从所述旋转气通道进入的气流能够驱动所述旋转组件的转动。9.根据权利要求5所述的旋转装置，其特征在于，所述托盘的顶面与所述第二发热层的顶面处于同一平面上，且所述托盘上设置有凹槽，晶圆位于所述凹槽内。10.一种晶圆外延设备，其特征在于，包括如权利要求1至9中任一项所述的旋转装置。

技术总结
本实用新型提供一种旋转装置及晶圆外延设备，属于半导体生产辅助设备领域。该旋转装置包括壳体、发热层、旋转组件及托盘；壳体具有中空的容腔，且开设有与容腔相连通的反应气体入口和出气口；发热层设置于容腔的底部，且开设有旋转气体通道；旋转组件转动地设置于所述发热层上，托盘设置于旋转组件上，用于放置晶圆。本实用新型提供的旋转装置，从旋转气体通道进入的气流能够驱动旋转组件转动，参与反应的气体从反应气体入口流入，在晶圆表面发生化学气相沉积的过程中，由于晶圆始终处于旋转的状态，晶圆表面的各位置发生反应的概率更为接近，有利于形成良好的外延层。有利于形成良好的外延层。有利于形成良好的外延层。


技术研发人员：黄帅帅 肖蕴章 钟国仿 王泽桦 刘亮辉 杨方 徐鑫 经军辉 刘佳明 陈炳安
受保护的技术使用者：深圳市纳设智能装备有限公司
技术研发日：2021.12.27
技术公布日：2022/5/25