半导体结构及其形成方法与流程

技术特征：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，在所述基底内形成具有第一深度的第一沟槽；在所述第一沟槽的侧壁表面形成牺牲层；沿形成有所述牺牲层的所述第一沟槽刻蚀所述基底，形成位于所述第一沟槽下方的第二沟槽；在所述第二沟槽的内壁形成隔离层；去除所述牺牲层，暴露出所述第一沟槽的侧壁；在所述第一沟槽的侧壁表面形成栅介质层。2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述栅介质层的厚度小于所述隔离层的厚度。3.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述牺牲层和所述隔离层采用不同的材料。4.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述牺牲层和所述第二沟槽的形成方法包括：在所述第一沟槽的底部和侧壁表面形成牺牲材料层；刻蚀位于所述第一沟槽底部的牺牲材料层至暴露所述第一沟槽的底部的基底，形成位于所述第一沟槽侧壁的牺牲层；沿所述第一沟槽继续刻蚀所述基底，形成所述第二沟槽。5.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一沟槽的宽度大于所述第二沟槽的宽度。6.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述栅介质层的形成方法包括：对所述第一沟槽的侧壁进行热氧化处理，形成热氧化层作为所述栅介质层；和/或，所述隔离层的形成方法包括：对所述第二沟槽的内壁进行热氧化处理，形成所述隔离层。7.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，采用沉积工艺在所述第一沟槽的侧壁表面形成沉积层作为所述栅介质层；和/或，所述栅介质层还覆盖所述第二沟槽内的隔离层的表面。8.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述基底表面处形成有掺杂阱和形成于所述掺杂阱内的源极掺杂区，所述第一沟槽贯穿所述源极掺杂区。9.根据权利要求8所述的形成方法，其特征在于，所述栅介质层的底部低于所述源极掺杂区的底部。10.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底；位于所述基底内的沟槽，所述沟槽包括贯通的第一沟槽和第二沟槽，所述第二沟槽位于所述第一沟槽底部；覆盖所述第二沟槽内壁表面的隔离层；覆盖所述第一沟槽侧壁的栅介质层；填充于所述沟槽内的栅极，以及位于所述栅极两侧的基底内的源极。11.根据权利要求10述的半导体结构，其特征在于，所述栅介质层的厚度小于所述隔离层的厚度。12.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述栅介质层为热氧化层；和/或，所述栅介质层为沉积层。
13.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述栅介质层的底部低于所述源极的底部。14.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述基底表面处形成有掺杂阱，所述源极位于所述掺杂阱内。15.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极包括：位于所述第一沟槽内的第一栅极部和位于所述第二沟槽内的第二栅极部，所述第二栅极部在基底表面的投影位于所述第一栅极部在基底表面的投影区域内。16.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构采用权利要求1至9中任一项权利要求所述的形成方法所形成。

技术总结
本申请公开一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：提供基底，在所述基底内形成具有第一深度的第一沟槽；在所述第一沟槽的侧壁表面形成牺牲层；沿形成有所述牺牲层的所述第一沟槽刻蚀所述基底，形成位于所述第一沟槽下方的第二沟槽；在所述第二沟槽的内壁形成隔离层；去除所述牺牲层，暴露出所述第一沟槽的侧壁；在所述第一沟槽的侧壁表面形成栅介质层。所述半导体结构的性能得到提高。所述半导体结构的性能得到提高。所述半导体结构的性能得到提高。


技术研发人员：魏峰 相奇 戴学春
受保护的技术使用者：广东芯粤能半导体有限公司
技术研发日：2022.01.13
技术公布日：2022/5/17