一种驱动系统、电子板、显示屏及电子设备的制作方法

1.本技术涉及显示屏技术领域，尤其涉及一种驱动系统、电子板、显示屏及电子设备。


背景技术：

2.液晶显示屏因其分辨率高、耗电量低、色彩柔和等特点，已成为目前主流的显示屏类型之一。液晶显示屏的中设置有背光模组和电子板，其中，背光模组包括m
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n的发光二极管(light-emitting diode，led)阵列，m和n皆为大于1的整数。电子板承载有电源电路、驱动系统和控制电路，驱动系统可以将电源电路输出的供电电压转发给led阵列，驱动系统还可以在控制电路的控制下调节led阵列的发光强度，从而改变显示画面的亮度。
3.在目前的液晶显示屏中为了使led阵列中的各个led在不同的场景下皆能正常工作，电源电路往往会为led阵列提供较大的供电电压，进而使得液晶显示屏的能量损耗较大，发热严重。虽然在一些支持局部调光(local dimming)的液晶显示屏中，电源电路可以通过驱动系统的反馈机制动态调节供电电压的大小，以降低能量损耗。但会导致电子板中驱动系统的走线较多，使驱动系统的抗干扰能力较低，进而导致供电电压不稳定等问题。
4.因此，目前的液晶显示屏还需要作进一步研究。


技术实现要素：

5.有鉴于此，本技术提供一种驱动系统、电子板、显示屏及电子设备，以减少驱动系统的走线，增强驱动系统的抗干扰能力，保持供电电压稳定。
6.第一方面，本技术实施例提供一种驱动系统，该驱动系统可以驱动发光二极管led阵列，该led阵列包括多个子阵列，每个子阵列包括阵列排布的多个led。本技术实施例中，驱动系统可以包括依次级联的k个驱动芯片，k为大于1的整数，其中第1个驱动芯片的输入端可以接收由电源电路提供的反馈电流，该电源电路可以为led阵列提供供电电压。第p个驱动芯片的输入端可以接收第p-1个驱动芯片输出的反馈电流，该第p个驱动芯片的输出端可以向第p 1个驱动芯片输出反馈电流，p为大于1且小于k的整数。
7.在驱动系统的k个驱动芯片中，每个驱动芯片包括至少一个通道开关管，而且k个驱动芯片中的通道开关管与led阵列中的多个子阵列一一对应连接，每个通道开关管可以控制与该每个通道开关管对应连接的子阵列的发光强度。
8.每个驱动芯片可以在该每个驱动芯片中存在至少一个通道开关管的漏源电压小于最小阈值电压时，增大该每个驱动芯片的参考电流值，在每个驱动芯片中的通道开关管的漏源电压皆大于上述最小阈值电压，且存在至少一个通道开关管的漏源电压大于最大阈值电压时，降低该每个驱动芯片的参考电流值。
9.第1个驱动芯片接收的反馈电流的大小可以是上述k个驱动芯片中参考电流值的最大值，本技术实施例中，第1个驱动芯片接收的反馈电流的大小可以指示电源电路调节为led阵列提供的供电电压的大小。
10.具体来说，通道开关管可以对应的子阵列串联，在不考虑其它分压的情况下，任一通道开关管的漏源电压，和该通道开关管对应的子阵列的压降之和，为电源电路提供的供电电压。
11.对于任一通道开关管来说，在该通道开关管的漏源电压小于最小阈值电压时，说明对于该通道开关管来说，当前的供电电压不足。在该通道开关管的漏源电压大于最大阈值电压时，说明对于该通道开关管来说，当前的供电电压过大，存在能量浪费。
12.对于任一驱动芯片来说，由于该驱动芯片可以根据内部的通道开关管的源漏电压调节各自的参考电流值，因此该驱动芯片的参考电流值可以反映当前的供电电压对于该驱动芯片不足或过大。
13.第1个驱动芯片接收的反馈电流的大小可以是k个驱动芯片中的参考电流值的最大值，也就是k个驱动芯片中，供电电压不足的通道开关管的数量最多或供电电压过大的通道开关管的数量最多的驱动芯片。不论供电电压充足，还是供电电压不足，最大的参考电流值对应的驱动芯片皆可以视为k个驱动芯片中最需要优化供电电压的驱动芯片。因此，在第1个驱动芯片接收的反馈电流的大小是k个驱动芯片中的参考电流值的最大值的情况下，第1个驱动芯片接收的反馈电流的大小可以指示电源电路调节为led阵列提供的供电电压的大小。
14.而且，本技术实施例中k个驱动芯片之间通过级联的方式连接，使驱动系统结构更加简单，有利于布置驱动系统中的走线。此外，本技术实施例还可以缩短反馈电流在走线中的传输距离，有利于提高驱动系统的抗干扰能力，从而提高供电电压的稳定性。
15.如前所述，每个通道开关管可以与该每个通道开关管对应的子阵列串联。示例性的，每个通道开关管的漏极可以与该每个通道开关管对应的子阵列的输出端连接，该每个通道开关管的源极接地。
16.本技术实施例中，最小阈值电压可以是使通道开关管工作在饱和区的最小漏源电压。示例性的，该最小阈值电压大于k个驱动芯片中每个通道开关管接收到的控制电压的最大电压。
17.在此情况下，本技术实施例通过动态调节供电电压，可以使k驱动芯片中的通道开关管保持工作在饱和区，进而可以保持k个驱动芯片调节led阵列中多个子阵列的发光强度的功能。
18.本技术实施例中，最大阈值电压可以是通道开关管的漏源电压可以达到的最大电压。示例性的，最大阈值电压不小于多个子阵列的最大压降偏移的最大值，与最小阈值电压之和，其中，每个子阵列的最大压降偏移为每个子阵列的压降相对于每个子阵列的额定压降的最大偏移。
19.随着应用场景或工作环境的变化，led阵列中的led的导通压降可能出现偏移。由于本技术实施例中最大阈值电压不小于多个子阵列的最大压降偏移的最大值，与最小阈值电压之和，因此当通道开关管的漏源电压等于该最大阈值电压时，可以在保持k个驱动芯片中的通道开关管工作在饱和区的同时，还能够满足不同应用场景下该通道开关管对应连接的子阵列中led的电压需求。而当漏源电压大于该最大阈值电压时，便可以认为存在能量浪费。
20.如前所述，本技术实施例中k个驱动芯片依次级联，k个驱动芯片皆可以根据各自
的参考电流值调节接收到的反馈电流。
21.例如，第k个驱动芯片可以根据第k个驱动芯片的参考电流值调节第k个驱动芯片接收到的反馈电流的大小，使得第k个驱动芯片接收到的反馈电流的电流值为第k个驱动芯片的参考电流值。其中，第k个驱动芯片接收到的反馈电流也就是第k-1个驱动芯片的输出电流。
22.又例如，第一驱动芯片为第1个驱动芯片至第k-1个驱动芯片中的任一驱动芯片，第一驱动芯片可以根据第一驱动芯片的参考电流值和第一驱动芯片输出的反馈电流的电流值调节第一驱动芯片接收到的反馈电流的大小，使得第一驱动芯片接收到的反馈电流的电流值为参考电流值和第一驱动芯片输出的反馈电流的电流值中的最大值。在第k个驱动芯片接收到的反馈电流的电流值为第k个驱动芯片的参考电流值的情况下，采用该实现方式，便可以使第1个驱动芯片接收到的反馈电流的电流值为第1个驱动芯片至第k个驱动芯片中参考电流值的最大值。
23.第二方面，本技术实施例提供一种电子板，其主要包括电源电路、第一电阻、第二电阻和第一方面中任一项所提供的驱动系统。第二方面中相应方案的技术效果可以参照第一方面中对应方案可以得到的技术效果，重复之处不予详述。
24.示例性的，第一电阻的一端与电源电路连接，第一电阻的另一端与第二电阻的一端连接，第二电阻的另一端接地。第1个驱动芯片的输入端与第一电阻和第二电阻之间的连接节点连接，第1个驱动芯片接收到的反馈电流为电源电路输出的、经第一电阻传输至第1个驱动芯片的电流。电源电路包括反馈端，反馈端与第一电阻和第二电阻之间的连接节点连接，电源电路可以为led阵列提供供电电压。反馈电路还可以通过反馈端检测连接节点的电压；在连接节点的电压大于参考电压时，降低供电电压；在连接节点的电压小于参考电压时，增大供电电压。
25.根据第一电阻、第二电阻和电源电路之间的连接关系可知，第一电阻和第二电阻之间的连接节点的电压与第1个驱动芯片接收到的反馈电流之间负相关。也就是说，第1个驱动芯片接收到的反馈电流越大，连接节点的电压越小，第1个驱动芯片接收到的反馈电流越小，连接节点的电压越大。因此，电源电路检测到的连接节点的电压大小，便可以间接反映第1个驱动芯片接收到的反馈电流的大小。
26.在连接节点的电压过大(大于参考电压)时，说明第1个驱动芯片接收到的反馈电流较小，k个驱动芯片中参考电流值的最大值较小。由于每个驱动芯片会在供电电压过大时降低参考电流的电流值，因此可以认为在连接节点的电压过大时，供电电压对于led阵列整体而言过大，电源电路可以降低供电电压的大小，以降低能量浪费。
27.在连接节点的电压过小(小于参考电压)时，说明第1个驱动芯片接收到的反馈电流较大，k个驱动芯片中参考电流值的最大值较大。由于每个驱动芯片会在供电电压不足时增大参考电流的电流值，因此可以认为在连接节点的电压过小时，供电电压对于led阵列整体而言不足，电源电路可以增大供电电压的大小，以维持驱动系统控制led阵列的发光强度的功能。
28.示例性的，参考电压与供电电压之可以间满足以下公式：
29.30.其中，v1表示供电电压当前的电压值，vref表示参考电压的电压值，r1表示第一电阻的电阻值，r2表示第二电阻的电阻值，i表示第1个驱动芯片接收到的反馈电流的电流值。
31.第三方面，本技术实施例提供一种驱动系统，该驱动系统可以驱动发光二极管led阵列，该led阵列包括多个子阵列，每个子阵列包括阵列排布的多个led。本技术实施例所提供的驱动系统包括依次级联的k个驱动芯片，k为大于1的整数，其中：每个驱动芯片包括至少一个通道开关管，k个驱动芯片中的通道开关管与多个子阵列一一对应连接，且，每个通道开关管可以控制与每个通道开关管对应连接的子阵列的发光强度；每个驱动芯片可以确定每个驱动芯片的通道开关管中的最大漏源电压和最小漏源电压；其中，第k个驱动芯片可以输出k个驱动芯片分别对应的最大漏源电压和最小漏源电压，k个驱动芯片分别对应的最大漏源电压和最小漏源电压可以指示调节led阵列的供电电压的大小。
32.每个驱动芯片中通道开关管的最大漏源电压和最小漏源电压，可以反映对于该驱动芯片而言，当前的供电电压是否不足或过大。例如，若最小漏源电压小于最小阈值电压，则说明对于该驱动芯片而言，当前的供电电压不足。若最小漏源电压大于最小阈值电压，且最大漏源电压大于最大阈值电压，则说明对于该驱动芯片而言，当前的供电电压过大。因此，k个驱动芯片分别对应的最大漏源电压和最小漏源电压可以指示调节led阵列的供电电压的大小。
33.而且，本技术实施例中k个驱动芯片之间通过级联的方式连接，使驱动系统结构更加简单，有利于布置驱动系统中的走线。此外，本技术实施例还可以缩短反馈电流在走线中的传输距离，有利于提高驱动系统的抗干扰能力，从而提高供电电压的稳定性。
34.本技术实施例中，每个通道开关管可以与该每个通道开关管对应的子阵列串联。示例性的，每个通道开关管的漏极可以与该每个通道开关管对应的子阵列的输出端连接，该每个通道开关管的源极接地。
35.如前所述，本技术实施例中k个驱动芯片依次级联。在一种可能的实现方式中，第p个驱动芯片可以从第p-1个驱动芯片接收第1个驱动芯片至第p-1个驱动芯片的最大漏源电压的电压值和最小漏源电压的电压值。第p个驱动芯片向第p 1个驱动芯片输出第1个驱动芯片至第p个驱动芯片的最大漏源电压的电压值和最小漏源电压的电压值，p为大于1且小于k的整数。采用该实现方式，从第1个驱动芯片开始依次向后一个驱动芯片传输接收到的最大漏源电压和最小漏源电压，以及驱动芯片自身的最大漏源电压和最小漏源电压，使得第k个驱动芯片可以接收到从第1个驱动芯片至第k-1个驱动芯片分别对应的最大漏源电压和最小漏源电压。进而使得第k个驱动芯片可以输出k个驱动芯片分别对应的最大漏源电压和最小漏源电压。
36.在一个示例中，可以基于k个驱动芯片之间的级联关系，由指令集指示k个驱动芯片传输最大漏源电压和最小漏源电压。具体来说，第1个驱动芯片可以接收包括k指令的指令集，k个读取指令与k个驱动芯片分别一一对应。在确定指令集中包括与第1个驱动芯片对应的读取指令后，第1个驱动芯片向第2个驱动芯片输出第1个驱动芯片的最大漏源电压的电压值和最小漏源电压的电压值。
37.第p个驱动芯片则可以从第p-1个驱动芯片接收第1个驱动芯片至第p-1个驱动芯片的最大漏源电压的电压值和最小漏源电压的电压值，以及指令集；在确定指令集中包括与第p个驱动芯片对应的读取指令后，向第p 1个驱动芯片输出指令集，以及第1个驱动芯片
至第p个驱动芯片分别对应的最大漏源电压的电压值和最小漏源电压的电压值。
38.为了使驱动芯片可以确定其中的最大漏源电压，本技术实施例中驱动芯片还可以包括最大漏源电压检测电路，最大漏源电压检测电路可以输出第二驱动芯片中的最大漏源电压。具体来说，假设第二驱动芯片为第1个驱动芯片至第k个驱动芯片中的任一驱动芯片，第二驱动芯片包括最大漏源电压检测电路和m个通道开关管，m为大于或等于1的整数；最大漏源电压检测电路包括级联的m-1级第一比较电路，其中，第1级的第一比较电路可以输出第1个通道开关管的漏源电压和第2个通道开关管的漏源电压中的最大电压；第n级的第一比较电路可以接收第n 1个通道开关管的漏源电压和第n-1级的第一比较电路的输出电压，并输出第n 1个通道开关管的漏源电压和第n-1级的第一比较电路的输出电压中的最大电压，n为大于1且小于m的整数。
39.示例性的，第n级的第一比较电路可以包括第一比较器、第一开关和第二开关，其中，第一开关为高电平导通开关，第二开关为低电平导通开关；
40.第一开关的控制端和第二开关的控制端皆与第一比较器的输出端连接。第一开关的第一端与第一比较器的正输入端连接，第一开关的第一端可以接收第n-1级的第一比较电路的输出电压；第一开关的第二端与第二开关的第二端连接，第二开关的第一端与第一比较器的负输入端连接，第二开关的第一端可以接收第n 1个通道开关管的漏源电压。第一比较器可以在第n-1级的第一比较电路的输出电压大于第n 1个通道开关管的漏源电压时输出高电平；在第n-1级的第一比较电路的输出电压小于第n 1个通道开关管的漏源电压时输出低电平。
41.为了使控制电路能够读取并处理各个驱动芯片的最大漏源电压，在一种可能的实现方式中，第二驱动芯片还可以包括第一模数转换器，第一模数转换器与最大漏源电压检测电路连接，可以将最大漏源电压转换为数字信号形式。而且，相比于模拟信号，数字信号更加稳定可靠，第二驱动芯片将最大漏源电压转换为数字信号形式，也可以降低传输最大漏源电压的过程中，外界对最大漏源电压的干扰。
42.为了使驱动芯片可以确定其中的最小漏源电压，本技术实施例中驱动芯片还可以包括最小漏源电压检测电路，最小漏源电压检测电路可以输出第二驱动芯片中的最小漏源电压。具体来说，假设第二驱动芯片为第1个驱动芯片至第k个驱动芯片中的任一驱动芯片，第二驱动芯片包括最小漏源电压检测电路和m个通道开关管，m为大于或等于1的整数；最小漏源电压检测电路包括级联的m-1级第二比较电路，其中，第1级的第二比较电路可以输出第1个通道开关管的漏源电压和第2个通道开关管的漏源电压中的最小电压；第n级的第二比较电路可以接收第n 1个通道开关管的漏源电压和第n-1级的第一比较电路的输出电压，并输出第n 1个通道开关管的漏源电压和第n-1级的第一比较电路的输出电压中的最小电压，n为大于1且小于m的整数。
43.示例性的，第n级的第二比较电路包括第二比较器、反相器、第三开关和第四开关，其中，第三开关为高电平导通开关，第四开关为低电平导通开关。反相器的输入端与第二比较器的输出端连接，反相器的输出端分别与第三开关的控制端和第四开关的控制端连接；第三开关的第一端与第二比较器的正输入端连接，第三开关的第一端用于接收第n-1级的第二比较电路的输出电压；第三开关的第二端与第四开关的第二端连接，可以输出第n 1个通道开关管的漏源电压和第n-1级的第一比较电路的输出电压中的最小电压；第四开关的
第一端与第二比较器的负输入端连接，第四开关的第一端用于接收第n 1个通道开关管的漏源电压。第二比较器可以在第n-1级的第二比较电路的输出电压大于第n 1个通道开关管的漏源电压时输出高电平；在第n-1级的第二比较电路的输出电压小于第n 1个通道开关管的漏源电压时输出低电平。反相器可以输出第二比较器的输出电平的反相电平。
44.为了使控制电路能够读取并处理各个驱动芯片的最小漏源电压，在一种可能的实现方式中，第二驱动芯片还可以包括第二模数转换器，第二模数转换器与最小漏源电压检测电路连接，可以将最小漏源电压转换为数字信号形式。而且，相比于模拟信号，数字信号更加稳定可靠，第二驱动芯片将最小漏源电压转换为数字信号形式，也可以降低传输最小漏源电压的过程中，外界对最小漏源电压的干扰。
45.第四方面，本技术实施例提供一种电子板，其主要包括电源电路、控制电路和如第三方面中任一项所提供的驱动系统。第四方面中相应方案的技术效果可以参照第三方面中对应方案可以得到的技术效果，重复之处不予详述。
46.示例性的，电源电路可以输出供电电压，控制电路分别与电源电路和第k个驱动芯片连接。控制电路可以从第k个驱动芯片获取k个驱动芯片分别对应的最大漏源电压和最小漏源电压；在k个驱动芯片的最小漏源电压中存在至少一个驱动芯片的最小漏源电压小于最小阈值电压时，控制电源电路增大供电电压；在k个驱动芯片的最小漏源电压皆大于最小阈值电压，且存在至少一个驱动芯片的最大漏源电压大于最大阈值电压时，控制电源电路降低供电电压。
47.示例性的，控制电路在控制电源电路增大供电电压时，可以先确定第1个驱动芯片至第k个驱动芯片的最小漏源电压中的最小值；控制电路继而可以按照最小阈值电压减去最小漏源电压中的最小值后得到的差值，控制电源电路增大供电电压。采用该实现方式，控制电路可以控制电源电路通过较少次数的调节，便可以快速增大供电电压，从而有利于提高驱动系统整体的功能稳定。
48.示例性的，控制电路在控制电源电路降低供电电压时，可以先确定第1个驱动芯片至第k个驱动芯片的最大漏源电压中的最大值；控制电路继而可以按照最大漏源电压中的最大值减去最大阈值电压后得到的差值，控制电源电路降低供电电压。采用该实现方式，控制电路可以控制电源电路通过较少次数的调节，便可以快速降低供电电压，从而有利于进一步降低驱动系统的能量浪费。
49.本技术实施例中，最小阈值电压可以是使通道开关管工作在饱和区的最小漏源电压。示例性的，该最小阈值电压大于k个驱动芯片中每个通道开关管接收到的控制电压的最大电压。
50.在此情况下，本技术实施例通过动态调节供电电压，可以使k驱动芯片中的通道开关管保持工作在饱和区，进而可以保持k个驱动芯片调节led阵列中多个子阵列的发光强度的功能。
51.本技术实施例中，最大阈值电压可以是通道开关管的漏源电压可以达到的最大电压。示例性的，最大阈值电压不小于多个子阵列的最大压降偏移的最大值，与最小阈值电压之和，其中，每个子阵列的最大压降偏移为每个子阵列的压降相对于每个子阵列的额定压降的最大偏移。
52.随着应用场景或工作环境的变化，led阵列中的led的导通压降可能出现偏移。由
于本技术实施例中最大阈值电压不小于多个子阵列的最大压降偏移的最大值，与最小阈值电压之和，因此当通道开关管的漏源电压等于该最大阈值电压时，可以在保持k个驱动芯片中的通道开关管工作在饱和区的同时，还能够满足不同应用场景下该通道开关管对应连接的子阵列中led的电压需求。而当漏源电压大于该最大阈值电压时，便可以认为存在能量浪费。
53.本技术实施例中，控制电路可以通过指令集指示第k个驱动芯片提供k个驱动芯片分别对应的最大漏源电压和最小漏源电压。具体来说，控制电路与第1个驱动芯片连接，控制电路还用于：向第1个驱动芯片发送包括k个读取指令的指令集，k个读取指令与k个驱动芯片分别一一对应；其中，与第p个驱动芯片对应的读取指令，可以指示第p个驱动芯片向第p 1个驱动芯片发送第1个驱动芯片至第p个驱动芯片分别对应的最大漏源电压的电压值和最小漏源电压的电压值，p为大于1且小于k的整数。k个驱动芯片对指令集逐级传输，从而可以使k个驱动芯片分别接收到对应的读取指令。
54.第五方面，本技术实施例提供一种显示屏，包括led阵列，以及如第二方面中任一项所提供的电子板，或者如第四方面中任一项所提供的电子板。示例性的，该显示屏可以是液晶显示屏。示例性的，该显示屏可以是支持局部调光(local dimming)技术的显示屏。
55.第六方面，本技术实施例提供一种电子设备，该电子设备包括如第五方面所提供的显示屏。示例性的，该电子设备可以是台式电脑显示屏，也可以是具有显示屏的电子设备，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、智能电视等等，本技术实施例对此不再一一列举。
56.本技术的这些方面或其它方面在以下实施例的描述中会更加简明易懂。
附图说明
57.图1为一种液晶显示屏的爆炸结构示意图；
58.图2a为一种支持扫描驱动led阵列的电路结构示意图；
59.图2b为一种子阵列结构示意图；
60.图2c为一种支持直接驱动led阵列的电路结构示意图；
61.图3为一种背光模组结构示意图；
62.图4为一种支持local dimming的电路结构示意图；
63.图5为一种电源电路、驱动系统和子阵列之间的连接关系示意图；
64.图6为一种动态调节供电电压的流程示意图；
65.图7为本技术实施例提供的一种电源电路、驱动系统和子阵列之间的连接关系示意图；
66.图8为本技术实施例提供的一种动态调节供电电压的流程示意图；
67.图9为本技术实施例提供的一种动态调节反馈电流的流程示意图；
68.图10为本技术实施例提供的一种电源电路、驱动系统和子阵列之间的连接关系示意图；
69.图11为本技术实施例提供的一种最大漏源电压检测电路的结构示意图；
70.图12为本技术实施例提供的一种最小漏源电压检测电路的结构示意图；
71.图13为本技术实施例提供的一种动态调节供电电压的流程示意图；
72.图14为本技术实施例提供的一种电子板结构示意图；
73.图15为本技术实施例提供的另一种电子板结构示意图。
具体实施方式
74.为了使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术作进一步地详细描述。方法实施例中的具体操作方法也可以应用于装置实施例或系统实施例中。需要说明的是，在本技术的描述中“至少一个”是指一个或多个，其中，多个是指两个或两个以上。鉴于此，本发明实施例中也可以将“多个”理解为“至少两个”。“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，a和/或b，可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b这三种情况。另外，字符“/”，如无特殊说明，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。另外，需要理解的是，在本技术的描述中，“第一”、“第二”等词汇，仅用于区分描述的目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性，也不能理解为指示或暗示顺序。
75.需要指出的是，本技术实施例中“连接”指的是电连接，两个电学元件连接可以是两个电学元件之间的直接或间接连接。例如，a与b连接，既可以是a与b直接连接，也可以是a与b之间通过一个或多个其它电学元件间接连接，例如a与b连接，也可以是a与c直接连接，c与b直接连接，a与b之间通过c实现了连接。
76.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
77.液晶显示屏是目前主流的显示屏类型之一，例如智能手机、平板电脑、家用电视机等常采用液晶显示屏作为显示部件。液晶显示屏还可以适用于全面屏、曲面屏等技术中，因此具有较大的应用前景。
78.图1示例性示出了一种液晶显示屏的爆炸结构示意图，如图1所示，液晶显示屏10主要包括依次层叠设置的电子板11、背光模组12、液晶模组13和结构前框14。接下来，分别对液晶显示屏10中的各个结构作进一步的示例性说明。
79.1、电子板11
80.电子板11承载有驱动系统101、控制电路102和电源电路103，其中，驱动系统101分别与控制电路102和电源电路103连接，控制电路102与电源电路103连接。
81.控制电路102可以是显示屏10中的处理器、微处理器、控制器等控制组件，例如可以是通用中央处理器(central processing unit，cpu)，通用处理器，数字信号处理(digital signal processing，dsp)，专用集成电路(application specific integrated circuits，asic)，现场可编程门阵列(field programmable gate array，fpga)或者其他可编程逻辑器件、晶体管逻辑器件、硬件部件或者其任意组合。控制电路102也可以是实现计算功能的组合，例如包括一个或多个微处理器组合，dsp和微处理器的组合等等。
82.在本技术实施例中，控制电路102既可以控制电源电路103的工作状态，例如控制电源电路103开始或停止输出供电电压v1。控制电路102也可以通过驱动系统101控制背光模组12的工作状态，例如控制电路102可以通过驱动系统101控制背光模组12的发光强度。
83.电源电路103可以输出供电电压v1。例如，电源电路103中可以包括电池和电源转换电路，电源转换电路可以将电池输出的电池电压转换为与背光模组12适配的供电电压v1。又例如，电源电路103可以包括电源转换电路，电源转换电路可以接收液晶显示屏10的外部电源提供的电能，该外部电源可以是液晶显示屏的适配器，也可以电源插座等等。电源
转换电路可以将外部电源提供的电压转换为供电电压v1。
84.2、背光模组12
85.背光模组12可以作为液晶显示屏10中的光源。如图1所示，背光模组12设置于液晶模组13和电子板11之间，背光模组12可以在电子板11的驱动下发光，且背光模组12所产生的光线可以入射液晶模组13。
86.以目前作为研究热点的迷你led(mini led)为例，示例性的，如图2a所示，背光模组12主要包括led阵列，该led阵列可以划分为m
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n个子阵列，每个子阵列包括阵列排布的多个led。示例性的，如图2b所示，在每个子阵列中，列方向的led串联，多列led之间并联。子阵列的输入端用于接收供电电压v1，子阵列的输出端用于连接驱动系统101。
87.可以理解，不同的子阵列之间可以具有相同或不同数量的行数，也可以具有相同或不同数量的列数，本技术实施例对此并不多作限制。
88.在本技术实施例中，电源电路103输出的供电电压v1可以通过扫描驱动或直接驱动的方式提供给背光模组12中的led阵列。
89.具体来说，在扫描驱动中，驱动系统101可以将电源电路103输出的供电电压v1传输至背光模组12。如图2a所示，驱动系统101中包括m个驱动开关管(驱动开关管k1至驱动开关管km)，m个驱动开关管与m行子阵列分别一一对应。
90.以驱动开关管k1为例，驱动开关管k1的一端用于接收电源电路103输出的供电电压v1，驱动开关管k1的另一端用于为第一行子阵列(子阵列z11至子阵列z1n)输出供电电压v1。其它驱动开关管与对应的子阵列之间的连接关系与之类似，对此不再赘述。
91.在背光模组12工作期间，控制电路102依次导通或断开驱动开关管k1至驱动开关管km，从而依次为第一行子阵列至第m行子阵列提供供电电压v1。
92.在直接驱动中，如图2c所示，电源电路103的输出端直接与各个子阵列的输入端连接，从而为各个子阵列提供供电电压v1。可以理解，无论是扫描驱动还是直接驱动，每个子阵列的输入端皆可以接收供电电压v1。
93.为了便于描述，本技术实施例接下来以直接驱动为例进行说明，应理解，本技术实施例中所提及的对供电电压v1的调节方式同样可以适用于扫描驱动的场景中。
94.一般来说，经过子阵列的导通电流越大，经过该子阵列中的每个led的导通电流便越大，该子阵列中每个led的发光强度便越强，该子阵列整体的发光强度便越强。在液晶显示屏10中，控制电路102可以通过驱动系统101调节经过子阵列的导通电流大小，从而可以控制子阵列的发光强度。
95.在一些液晶显示屏10中，驱动系统101可以同步调节每个子阵列的发光强度，也就是说，m
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n个子阵列与驱动系统101之间只存在一个驱动电流，且该驱动电流为m
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n个子阵列的导通电流之和。控制电路102通过驱动系统101调节该驱动电流的大小，便可以同步调节m
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n个子阵列的导通电流，从而可以同步调节m
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n个子阵列的发光强度。在此情况下，led阵列具有统一的发光强度。
96.3、液晶模组13
97.如图1所示，液晶模组13位于结构前框14和背光模组12之间。示例性的，如图3所示，液晶模组13主要包括下偏光层131、玻璃基板132、液晶分子层133、彩色光阻层134、玻璃基板135和上偏光层136。
98.其中，下偏光层131可以将背光模组12产生的光线转换为线偏振光。玻璃基板132和玻璃基板135用于包裹液晶分子层133和彩色光阻层134。其中，液晶分子层133中液晶分子的排列方式是可控的，通过改变液晶分子的排列方式，可以改变透射液晶分子层133的光线的偏振方向。
99.彩色光阻层134包括阵列排布的光阻，通常包括红、绿、蓝三种颜色。
100.下偏光层131与上偏光层136的偏光角正交，由下偏光层131透射的线偏振光无法直接透射上偏光层136。因此可以通过液晶分子层133调整入射各个光阻的光线的偏振状态，从而控制来自各个光阻的光线从上偏光层136的透射强度。
101.例如，对于无需发光的光阻，液晶分子层133可以保持入射该光阻的光线的偏振状态不变，即为下偏光层131所透射的光线的偏振状态。因此，从无需发光的光阻透射的光线将无法继续从上偏光层136透射，即该光阻无法发光。
102.而对于需要发光的光阻，液晶分子层133可以调节入射该光阻的光线的偏振状态(调节偏振角)。对于从需要发光的光阻透射的光线，不同偏振角的光线可以从上偏光层136透射的强度不同，因此通过调节入射光阻的光线的偏振状态，便可以控制该光阻的发光强度。
103.4、结构前框14
104.如图1所示，结构前框14设置于液晶显示屏10的出光面，一般来说，结构前框14可以包括液晶显示屏10的边框和支架等支撑结构。
105.由图2a所示的led阵列可见，电源电路103输出的供电电压v1需要为每一个子阵列供电。针对单个子阵列而言，若供电电压v1较小，则会使该子阵列中的一个或多个led无法发光，或者使该子阵列中的一个或多个led无法达到预期的发光强度。
106.考虑到不同子阵列之间led个体差异，以及led阵列工作环境的变化，电源电路103通常需要输出较大的供电电压v1，以确保供电电压v1能够满足每个子阵列在不同工作环境下的工作需求。然而，由于电源电路103输出的供电电压v1较大，使得背光模组12和驱动系统101的能量损耗较大，发热严重。
107.有鉴于此，目前在一些支持局部调光(local dimming)的液晶显示屏10中，电源电路103可以动态调节供电电压v1的大小，从而可以在满足led阵列整体的工作需求的同时，降低背光模组12和驱动系统101的能量损耗。
108.具体来说，液晶显示屏10的显示光线可以从液晶显示屏10的出光面射出。液晶显示屏10的显示光线对应了液晶显示屏10的显示画面，也就说，当显示光线入射人眼后，用户便可以观察到液晶显示屏10的显示画面。
109.若led阵列中的m
×
n个子阵列采用统一的发光强度，则会使液晶显示屏10的显示画面的对比度较低，local dimming技术便常被用来增加液晶显示屏10的显示画面的对比度。
110.如图2c所示，对于支持local dimming的液晶显示屏10，led阵列中包括m
×
n个子阵列。适配于m
×
n个子阵列，驱动系统101可以具有m
×
n个通道开关管，该m
×
n个通道开关管与m
×
n个子阵列一一对应。对于任一子阵列而言，该子阵列中的输入端可以接收供电电压v1，该子阵列中的输出端可以与该子阵列对应的通道开关管连接。
111.可以理解，m
×
n个通道开关管分别对应有m
×
n个漏源电流，该m
×
n个漏源电流也
可以称为m
×
n个通道开关管的驱动电流。每个通道开关管内的漏源电流可以等效于该通道开关管对应连接的子阵列的导通电流。
112.其中，“等效于”指的是漏源电流和驱动电流之间存在正相关关系，增大通道开关管的漏源电流可以同步增大该通道开关管对应的子阵列的导通电流，降低通道开关管的漏源电流可以同步降低该通道开关管对应的子阵列的导通电流。因此，控制电路102可以通过调节m
×
n个通道开关管中的漏源电流大小，分别调节led阵列中m
×
n个子阵列的发光强度。
113.在此情况下，控制电路102便可以根据显示画面的各个像素的亮度参数，调节各个子阵列的发光强度。示例性的，控制电路102可以将显示画面划分为多个显示区域，每个显示区域中的像素的亮度参数位于同一个亮度参数范围。
114.如前所述，显示画面是液晶显示屏10的显示光线对应的成像，显示区域的亮度与该显示区域对应的显示光线的强度正相关。而液晶显示屏10的显示光线源自于背光模组12中的led阵列，因此，控制电路102可以控制驱动系统101分别调节各个显示区域所对应的一个或多个子阵列的发光强度。其中，任一显示区域对应的一个或多个子阵列，可以理解为该一个或多个子阵列所产生的光线从液晶显示屏10出射后的成像为该显示区域。
115.例如，对于显示画面中较为明亮(亮度参数较大)的显示区域，控制电路102可以控制驱动系统101增大与该显示区域对应的一个或多个子阵列的发光强度，而对于显示画面中较为昏暗(亮度参数较小)的显示区域，控制电路102可以控制驱动系统101降低与该显示区域对应的一个或多个子阵列的发光强度，从而可以增大显示画面的对比度。
116.一般来说，每个子阵列中所包括的led的数量越小，也就是在led阵列中led总数不变的情况下，led阵列中子阵列的数量越多，local dimming的调节效果越好，因此在目前支持local dimming的液晶显示屏10中，led阵列中往往包括了大量的子阵列。但这又会使驱动系统101中的通道开关管数量较多，为了使驱动系统101能够集成大量的通道开关管，目前的驱动系统101中往往可以包括多个驱动芯片。
117.示例性的，如图4所示，在驱动系统101中包括k个驱动芯片(驱动芯片1011至驱动芯片101k)，k为大于或等于1的整数。每个驱动芯片可以包括一个或多个通道开关管，不同驱动芯片之间，通道开关管的数量可以相同也可以不同。
118.为了便于表述，本技术实施例接下来假设每个驱动芯片皆包括m个通道开关管，m为大于或等于1的整数。如图4所示，驱动系统101中共包括m
×
k个通道开关管，且该m
×
k个通道开关管与led阵列中的m
×
k个子阵列分别一一对应。当该驱动系统101适配于图2c所示的led阵列时，m
×
k＝m
×
n。
119.以驱动芯片1011为例，主要包括m个通道开关管(通道开关管11至通道开关管1m)，该m个通道开关管分别与led阵列中的子阵列1至子阵列m一一对应。其中，通道开关管t11与子阵列1对应，通道开关管t11的漏极与子阵列1的输出端相连接，通道开关管t11的源极接地。其它通道开关管与对应的子阵列之间的连接关系与之类似，对此不再赘述。
120.每个通道开关管的栅极可以与控制电路102连接，接收控制电路102施加的栅极电压。例如图4中，驱动芯片1011中的m个通道开关管的栅极可以分别接收控制电压vc11至控制电压vc1m，驱动芯片101k中的m个通道开关管的栅极可以分别接收控制电压vck1至控制电压vckm。
121.驱动系统101中每个通道开关管皆工作在饱和区，使得每个通道开关管的漏源电
流(由通道开关管的漏极流向源极的电流)的大小可以随栅极电压的变化而变化。因此，控制电路102可以通过调节各个通道开关管的栅极电压的大小，分别调节各个通道开关管的漏源电流的大小，进而分别调节各个子阵列的发光强度。
122.以驱动芯片1011中的通道开关管t11为例，该通道开关管t11与子阵列1对应连接，通道开关管t11的漏源电流等效于子阵列1的导通电流。因此，控制电路102通过调节控制电压vc11的大小便可以调节通道开关管t11中漏源电流的大小，进而可以调节子阵列1的发光强度。
123.由此可见，在支持local dimming的液晶显示屏10中，led阵列可以划分为多个子阵列，并且该多个子阵列分别与驱动系统101的多个通道开关管连接，控制电路102通过调节驱动系统101中多个通道开关管的栅极电压，分别调节各个子阵列的发光强度，以达到优化显示画面对比度的目的。
124.基于local dimming的多个子阵列的系统架构，存在一些可以动态调节供电电压v1的技术方案，以降低背光模组12和驱动系统101的能量损耗，改善液晶显示屏10的发热情况。
125.示例性的，如图5所示，在支持local dimming的液晶显示屏10中，电源电路103可以从驱动系统101检测反馈电压vfb，该反馈电压vfb可以指示当前的供电电压v1对于子阵列1至子阵列m
×
k而言是否存在可以降低的余量。
126.在一个具体的示例中，如图4所示，驱动芯片1011至驱动芯片101k中每个驱动芯片还包括第一反馈端fb1，例如驱动芯片1011包括第一反馈端fb1-1，驱动芯片101k包括第一反馈端fb1-k。每个驱动芯片的第一反馈端fb1皆可以接收反馈电流，例如驱动芯片1011的第一反馈端fb1-1可以接收反馈电流i1，驱动芯片1012的第一反馈端fb1-2可以接收反馈电流i2，
……
，驱动芯片101k的第一反馈端fb1-k可以接收反馈电流ik。
127.每个驱动芯片还可以分别调节接收到的反馈电流的大小，电源电路103进而可以根据反馈电流i1至ik的总电流的大小调节供电电压v1。
128.接下来，以驱动芯片1011为例，对驱动系统101中的驱动芯片作进一步的示例性说明。驱动芯片1011可以检测通道开关管t11至通道开关管t1m的漏源电压，根据通道开关管t11至通道开关管t1m的漏源电压调节反馈电流i1的大小。
129.示例性的，驱动芯片1011中可以设置有最小阈值电压vl。其中，最小阈值电压vl是在维持驱动芯片1011正常工作的情况下，通道开关管的漏源电压可以达到的最小值。
130.如前所述，通道开关管t11至通道开关管t1m需要工作在饱和区，使得控制电路102可以通过通道开关管t11至通道开关管t1m分别调节子阵列1至子阵列m的发光强度。
131.具体来说，当通道开关管满足v
gs-v
t
《v
ds
(公式一)时，通道开关管可以工作在饱和区。其中，v
gs
可以表示通道开关管的栅源电压(栅极与源极之间的电压)，v
t
可以表示通道开关管的阈值电压，v
ds
可以表示通道开关管的漏源电压。由公式一可见，若v
ds
取值过小，则会使通道开关管无法满足上述公式一，也就是无法使通道开关管工作在饱和区。
132.有鉴于此，驱动芯片1011中可以设置有最小阈值电压vl，该最小阈值电压vl可以是能够使通道开关管vc11至通道开关管vc1m工作在饱和区的最小漏源电压。在任一通道开关管的漏源电压低于该最小阈值电压vl时，说明对于该通道开关管而言，当前的供电电压v1不足，导致该通道开关管无法工作在饱和区。
133.示例性的，如图4所示，各个通道开关管的源极接地，因此各个通道开关管中栅源电压v
gs
＝vg。则公式一也可以表示为：v
g-v
t
《v
ds
。
134.其中，vg既是通道开关管的栅极电压，也是控制电路102输出的控制电压。以通道开关管t11为例，其栅极电压为控制电压vc11，控制电路102通过调节控制电压vc11的大小调节通过通道开关管t11的漏源电流的大小。
135.有鉴于此，驱动芯片1011中的最小阈值电压vl可以大于控制电压vc11至控制电压vc1m中可能出现的最大电压，从而可以确保在任一通道开关管的漏源电压大于或等于该最小阈值电压vl时，该通道开关管可以工作在饱和区。
136.一般来说，驱动芯片1011至驱动芯片101k中的通道开关管可以具有相同的选型，控制电压vc11至控制电压vckm具有相同的最大取值。因此，驱动芯片1011至驱动芯片101k可以具有相同的最小阈值电压vl。
137.在一种可能的实现方式中，驱动芯片1011中还可以设置有最大阈值电压vh。最大阈值电压vh是在维持驱动芯片1011正常工作的情况下，通道开关管的漏源电压可以达到的最大值。
138.示例性的，最大阈值电压vh不小于子阵列1至子阵列m的最大压降偏移的最大值与最小阈值电压vl之和。
139.具体来说，子阵列1的压降可以理解为子阵列1的输入端与子阵列1的输出端之间的电压。子阵列1的压降是由子阵列1中列方向上串联的多个led的压降构成的，也就是说，由于在led的额定导通电压的基础上led的导通电压可能出现偏移，使得子阵列1的压降也可能相对于子阵列1的额定压降出现偏移。其中，子阵列1的额定压降可以理解为子阵列1中列方向上串联的多个led的额定导通电压之和。
140.子阵列1的最大压降偏移则可以理解为子阵列1的压降相对于子阵列1的额定压降的最大偏移。也就是子阵列1中列方向上串联的多个led的导通电压可能出现的、相对于led的额定导通电压最大偏移之和。例如子阵列1的列方向上串联有3个led，每个led在额定导通电压的基础上可能出现的最大偏移为50mv，则子阵列1的最大压降偏移为150mv。
141.本技术实施例采用子阵列1至子阵列m中的最大压降偏移的最大值确定驱动芯片1011中的最大阈值电压vh。该最大压降偏移的最大值可以是列方向串联的led数量最多的子阵列的最大压降偏移，示例性的，假设子阵列1的列方向上串联的led数量最多，则可以通过子阵列1中列方向串联的led的数量，以及led的导通电压可能出现的最大偏移计算得到子阵列1至子阵列m中的最大压降偏移的最大值。
142.如上例中，子阵列1的最大压降偏移为150mv，假设子阵列1的最大压降偏移为子阵列1至子阵列m中的最大压降偏移的最大值，则可以确定驱动芯片1011的最大阈值电压vh≥最小阈值电压vl 150mv。
143.一般来说，子阵列1至子阵列m
×
k可以具有相同的led选型和阵列结构，即子阵列1至子阵列m
×
k在列方向串联有相同数量的led，且子阵列1至子阵列m
×
k中的led具有相同的选型。因此，子阵列1至子阵列m
×
k可以具有相同的压降偏移，驱动芯片1011至驱动芯片101k可以具有相同的最大阈值电压vh。
144.以通道开关管t11为例，若通道开关管t11的漏源电压等于最大阈值电压vh，说明当前供电电压v1在保持通道开关管t11处于饱和区的情况下，还可以满足子阵列1至子阵列
m的导通需求。
145.若通道开关管t11的漏源电压大于最大阈值电压vh，便说明在保持通道开关管t11处于饱和区，以及满足子阵列1至子阵列m的导通需求的情况下，当前的供电电压v1尚有余量。对于通道开关管t11而言，供电电压v1还存在进一步降低的空间。
146.综上所述，驱动芯片1011中设置有最大阈值电压vh和最小阈值电压vl。对于任一通道开关管而言，在该通道开关管的漏源电压大于最大阈值电压vh时，说明当前的供电电压v1过大，存在能量浪费。在该通道开关管的漏源电压小于最小阈值电压vl时，说明当前的供电电压v1过小，不足以维持该通道开关管工作在饱和区。
147.基于驱动芯片1011中设置的最大阈值电压vh和最小阈值电压vl，驱动芯片1011可以分别对比通道开关管t11至通道开关管t1m的漏源电压与最大阈值电压vh和最小阈值电压vl之间的相对大小关系。进而，驱动芯片1011可以根据上述相对大小关系调节反馈电流i1的大小。
148.示例性的，驱动芯片1011可以轮循通道开关管t11至通道开关管t1m的漏源电压，即驱动芯片1011可以针对通道开关管t11至通道开关管t1m中的每个通道开关管依次执行以下调节过程：
149.驱动芯片1011检测通道开关管t1j的漏源电压，j可以等于1，也可以等于m，还可以为大于1且小于m的任一整数。驱动芯片1011根据通道开关管t1j的漏源电压分别与最大阈值电压vh和最小阈值电压vl之间的相对大小关系，调节反馈电流i1的大小。
150.具体来说，若通道开关管t1j的漏源电压大于最大阈值电压vh，则驱动芯片1011可以按照预设的电流调节幅度istep降低反馈电流i1。若通道开关管t1j的漏源电压小于最小阈值电压vl，则驱动芯片1011可以按照预设的电流调节幅度istep增大反馈电流i1。若通道开关管t1j的漏源电压等于最大阈值电压vh，或等于最小阈值电压vl，或大于最小阈值电压vl且小于最大阈值电压vh时，驱动芯片1011可以不改变反馈电流i1的大小。
151.在针对通道开关管t1j完成调节反馈电流i1的大小后，驱动芯片1011继续针对通道开关管tj 1重复上述调节反馈电流i1的过程。需要指出的是，在j取值为m时，j 1＝1。即驱动芯片1011在针对通道开关管t1m完成调节反馈电流i1的大小后，驱动芯片1011返回针对通道开关管t11继续执行上述调节反馈电流i1的过程。
152.驱动芯片1011根据通道开关管t11至通道开关管t1m的漏源电压，持续调节反馈电流i1的大小。驱动芯片1012可以采用与驱动芯片1011类似的过程调节反馈电流i2的大小，
……
，驱动芯片101k可以采用与驱动芯片1011类似的过程调节反馈电流ik的大小。
153.因此，反馈电流i1至反馈电流ik的总电流的大小变化可以反映当前的供电电压v1对于子阵列1至子阵列m
×
k是否不足，或是否存在可以降低的余量。
154.为了使电源电路103能够检测到反馈电流i1至反馈电流ik的总电流的变化，如图4所示，电源电路103还具有第二反馈端fb2，驱动系统101还包括第一电阻r1、第二电阻r2和反馈二极管dfb。
155.其中，第一电阻r1的一端与电源电路103的输出端连接，第一电阻r1的另一端与电源电路103的第二反馈端fb2连接。第二电阻r2的一端与电源电路103的第二反馈端连接fb2，第二电阻r2的另一端接地。
156.反馈二极管dfb的阳极与电源电路103的第二反馈端fb2连接，反馈二极管dfb的阴
极分别与驱动芯片1011至驱动芯片101k的第一反馈端fb1(第一反馈端fb1-1至第一反馈端fb1-k)连接。其中，反馈二极管dfb的阴极可以输出反馈电流i，反馈电流i可以分为反馈电流i1至反馈电流ik，并分别输入驱动芯片1011至驱动芯片101k。
157.反馈二极管dfb具有单向导通特性，可以确保反馈电流i由反馈二极管dfb的阳极输入，由反馈二极管dfb的阴极输出。其中，流经反馈二极管dfb的反馈电流i可以为上述反馈电流i1至反馈电流ik的总电流。
158.由图4可见，电源电路103可以通过第二反馈端fb2检测反馈二极管dfb的阳极电压vfb。反馈电流i是驱动芯片1011至驱动芯片101k统一调节的，反馈电流i的大小变化可以反映当前供电电压v1相对于子阵列1至子阵列m
×
k是否存在可以降低的余量。因此，电源电路103可以根据检测到的反馈电压vfb的大小变化确定当前供电电压v1相对于子阵列1至子阵列m
×
k是否不足，或者是否存在可以降低的余量。
159.示例性的，电源电路103中设置有参考电压vref，该参考电压vref与供电电压v1可以满足以下公式二：
[0160][0161]
可以理解，公式二中各字符表示对应物理量的取值，具体来说，v1表示供电电压v1的电压值，vref表示参考电压vref的电压值，r1表示电阻r1的电阻值，r2表示电阻r2的电阻值，i表示反馈电流i的取值。
[0162]
基于公式二可见，在电源电路103上电初期，反馈电流i取值为0。电源电路103输出的供电电压v1的初始值v10和参考电压vref之间满足以下公式三：
[0163][0164]
一般来说，参考电压vref可以是电源电路103中自带的高精度的稳定电压，可以通过配置第一电阻r1和第二电阻r2的阻值，使参考电压vref和供电电压v1的初始值v10满足以上公式三。
[0165]
当反馈电压vfb大于参考电压vref时，说明当前的供电电压v1相对于子阵列1至子阵列m
×
k存在可以降低的余量，电源电路103可以降低供电电压v1的大小，以降低能量损耗。
[0166]
当反馈电压vfb小于参考电压vref时，说明当前的供电电压v1相对于子阵列1至子阵列m
×
k不足，电源电路103可以增大供电电压v1的大小，以维持控制电路102对子阵列1至子阵列m
×
k的发光强度的调节功能。
[0167]
当反馈电压vfb等于参考电压vref时，说明当前的供电电压v1相对于子阵列1至子阵列m
×
k的电压大小适配，电源电路103无需改变供电电压v1的大小。
[0168]
采用上述方案，使得电源电路103可以动态调节供电电压v1的大小。然而，上述方案中，每个驱动芯片的第一反馈端fb1需要与反馈二极管dfb连接，由反馈二极管dfb汇总连接到电源电路103的第二反馈端fb2。这便使得每个驱动芯片与反馈二极管dfb之间都存在连线，进而使部分驱动芯片与反馈二极管dfb之间的连线过长，使该驱动芯片所确定的反馈电流容易受到干扰，导致电源电路103输出的供电电压v1不稳定。
[0169]
有鉴于此，本技术实施例提供一种驱动芯片，以及使用该驱动芯片构成的驱动系统，驱动芯片之间采用级联方式连接，使每个驱动芯片对应的反馈电流可以经过驱动芯片
逐级传输，从而可以减少驱动系统中的走线，有利于增强驱动系统的抗干扰能力。
[0170]
示例性的，本技术实施例中驱动系统101和电源电路103之间可以周期性实现如图6所示的供电电压v1调节方法，主要包括以下步骤：
[0171]
s601：驱动系统101检测每个通道开关管的漏源电压。
[0172]
s602：驱动系统101分别判断每个通道开关管的漏源电压是否位于最大阈值电压vh和最小阈值电压vl之间。其中，最大阈值电压vh和最小阈值电压vl的具体实现方式皆可以参考前述内容，对此不再赘述。
[0173]
需要指出的是，漏源电压位于最大阈值电压vh和最小阈值电压vl之间，既可以指漏源电压等于最大阈值电压vh，也可以指漏源电压等于最小阈值电压vl，还可以指漏源电压大于最小阈值电压vl，且小于最大阈值电压vh。
[0174]
如图6所示，主要存在以下三种情况：
[0175]
情况一：当所有通道开关管的漏源电压均位于最大阈值电压vh和最小阈值电压vl之间时，驱动系统101返回执行下一个周期的s601。也就是说，在当前周期内电源电路103无需调节供电电压v1的大小。
[0176]
情况二：当存在一个或多个通道开关管的漏源电压小于最小阈值电压vl时，驱动系统101为电源电路103提供反馈电压vfb，且反馈电压vfb小于参考电压vref(s603)。
[0177]
情况三：当所有通道开关管的漏源电压均大于最小阈值电压vl，且存在一个或多个通道开关管的漏源电压大于最大阈值电压vh时，驱动系统101为电源电路103提供反馈电压vfb，且反馈电压vfb大于参考电压vref(s604)。
[0178]
s605：电源电路103检测到驱动系统101提供的反馈电压vfb小于参考电压vref后，增大供电电压v1。
[0179]
s606：电源电路103检测到驱动系统101提供的反馈电压vfb大于参考电压vref后，降低供电电压v1。
[0180]
由图4可见，存在对应关系的子阵列和通道开关管串联。如通道开关管t11和子阵列1，在不考虑其它电路结构的情况下，通道开关管t11的压降和子阵列1的压降之和可以近似等于供电电压v1。
[0181]
其中，子阵列1的压降并不会随供电电压v1的变化而变化，或变化较小。电源电路103改变供电电压v1的大小后，将会导致通道开关管t11的漏源电压随之变化。其它通道开关管同理，对此不再赘述。
[0182]
驱动系统101可以继续执行s601，即驱动系统101可以周期性调节反馈电流i的大小，使得电源电路103可以根据检测到的反馈电压vfb动态调节供电电压v1的大小。
[0183]
接下来，通过以下示例对本技术实施例所提供的供电电压v1动态调节方案作进一步的示例性说明。
[0184]
示例一
[0185]
如图7所示，驱动系统101主要包括k个驱动芯片(驱动芯片1011至驱动芯片101k)，k个驱动芯片与led阵列中m
×
k个子阵列的连接关系与图4类似，对此不再赘述。
[0186]
驱动系统101中的k个驱动芯片按照从驱动芯片1011至驱动芯片101k的顺序依次级联。具体来说，驱动芯片1011的输入端用于接收反馈电流，驱动芯片1011的输出端与驱动芯片1012的输入端连接，驱动芯片1012的输出端与驱动芯片1013的输入端连接，
……
，驱动
芯片101(k-1)的输出端与驱动芯片101k的输入端连接。
[0187]
反馈电流从驱动芯片1011向驱动芯片101k传输，并依次经过驱动芯片1011至驱动芯片101k中的每个驱动芯片。驱动系统101中的每个驱动芯片皆可以根据该驱动芯片中每个通道开关管的漏源电压调节反馈电流的大小。
[0188]
为了使电源电路103能够确定反馈电流的变化情况，如图7所示，驱动系统101还包括第一电阻r1、第二电阻r2。其中，第一电阻r1的一端与电源电路103的输出端连接，第一电阻r1的另一端与电源电路103的第二反馈端fb2连接。第二电阻r2的一端与电源电路103的第二反馈端fb2连接，第二电阻r2的另一端接地。
[0189]
电源电路103可以检测第一电阻r1与第二电阻r2之间的连接节点的电压，即反馈电压vfb。且反馈电压vfb和供电电压v1满足公式二。需要指出的是，在本技术实施例中公式二中的i可以表示驱动芯片1011的输入端接收到的反馈电流的电流值。
[0190]
电源电路103可以根据检测到的反馈电压vfb调节供电电压v1的大小。具体实现方式可以参考上述实施例，对此不再赘述。
[0191]
在一种可能的实现方式中，驱动系统101还可以包括第三电阻r3。如图7所示，第三电阻r3的一端与电源电路103的第二反馈端fb2连接，第三电阻r3的另一端与驱动芯片1011的输入端连接。第三电阻r3可以防止输入驱动芯片1011的输入端的电流过大，从而可以保护驱动芯片1011。
[0192]
在一种可能的实现方式中，驱动系统101还可以包括反馈二极管dfb，该反馈二极管dfb的阳极与第三电阻r3的另一端连接，该反馈二极管dfb的阴极与驱动芯片1011的输入端连接。反馈二极管dfb还可以防止反馈电流i从驱动系统101流向电源电路103，从而可以保护电源电路103。
[0193]
接下来，以驱动芯片1011为例对本技术实施例所提供的驱动系统101作进一步的示例性说明。
[0194]
在本技术实施例中，驱动芯片1011根据通道开关管t11至通道开关管t1m的漏源电压调节接收到的反馈电流的大小。
[0195]
具体来说，驱动芯片1011维护有参考电流值aref，驱动芯片1011可以周期性调节参考电流值aref的大小。在一个周期内，该过程主要包括如图8所示的以下步骤：
[0196]
s801：驱动芯片1011分别检测通道开关管t11至通道开关管t1m的漏源电压。
[0197]
s802：驱动芯片1011分别判断通道开关管t11至通道开关管t1m的漏源电压是否位于最小阈值电压vl和最大阈值电压vh之间。如图8所示，判断结果主要存在以下三种情况：
[0198]
情况一：当所有通道开关管的漏源电压均位于最大阈值电压vh和最小阈值电压vl之间时，驱动芯片1011返回执行下一个周期的s801。也就是说，在此情况下驱动芯片1011无需调节当前参考电流值aref。
[0199]
情况二：当存在一个或多个通道开关管的漏源电压小于最小阈值电压vl时，驱动芯片1011在当前参考电流值aref的基础上进一步增大参考电流值aref(s803)。示例性的，驱动芯片1011可以按照设置的单位调节幅度增大该参考电流值aref。
[0200]
情况三：当所有通道开关管的漏源电压均大于最小阈值电压vl，且存在一个或多个通道开关管的漏源电压大于最大阈值电压vh时，驱动芯片1011在当前参考电流值aref的基础上进一步降低参考电流值aref(s804)。示例性的，驱动芯片1011可以按照设置的单位
调节幅度降低该参考电流值aref。
[0201]
驱动芯片1011在完成调节参考电流值aref之后，可以返回执行下一个周期的s801。在当前周期内所确定的参考电流值aref将会在下一个周期内，作为当前的参考电流值aref。也可以理解为，当前的参考电流值aref为上一个周期内所确定的参考电流值aref。
[0202]
驱动芯片1011确定参考电流值aref的大小后，还需要根据参考电流值aref和当前输出的反馈电流的电流值aout之间的相对大小关系，确定接下来需要接收的反馈电流的电流值。示例性的，主要包括如图9所示的以下步骤：
[0203]
s901：确定内部参考电流值aref。
[0204]
s902：确定驱动芯片1011当前输出的反馈电流的电流值aout。
[0205]
s903：判断参考电流值aref与当前输出的反馈电流的电流值aout之间的相对大小关系。若参考电流值aref大于当前输出的反馈电流的电流值aout，则驱动芯片1011将接收到的反馈电流的电流值调节至参考电流值aref(s904)。若参考电流值aref小于或等于当前输出的反馈电流的电流值aout，则驱动芯片1011将当前接收到的反馈电流的电流值调节至aout。
[0206]
驱动芯片1012至驱动芯片101(k-1)皆可以参考上述过程，调节接收的反馈电流的大小，对此不再赘述。驱动芯片101k则可以将接收到的反馈电流的电流值调节为驱动芯片101k内部维护的参考电流值aref。
[0207]
可以理解，由于每一个驱动芯片皆可以按照图9所示的过程调节接收的反馈电流的大小，因此驱动芯片1011接收到的反馈电流的电流值实际为驱动芯片1011至驱动芯片101k中参考电流值aref的最大值。
[0208]
例如，驱动芯片1012的参考电流值aref大于其他驱动芯片的aref，说明驱动芯片1012相较于其它驱动芯片而言，驱动芯片1012中漏源电压小于最小阈值电压vl的通道开关管的数量最多(驱动芯片1012的参考电流值aref增大了更多个单位调节幅度)，或者所有驱动芯片中通道开关管的漏源电压均大于最小阈值电压，且驱动芯片1012中漏源电压大于最大阈值电压vh的通道开关管的数量最少(驱动芯片1012的参考电流值aref降低了更少个单位调节幅度)。
[0209]
在此情况下，以驱动芯片1012的参考电流值aref作为驱动芯片1011接收到的反馈电流的电流值，使得电源电路103可以检测到与驱动芯片1012的参考电流值aref对应的反馈电压vfb。
[0210]
其中，反馈电压vfb的大小与驱动芯片1012的参考电流值aref的大小负相关，电源电路103因此可以根据检测到的反馈电压vfb调节供电电压v1，具体来说：
[0211]
若因驱动芯片1012中漏源电压小于最小阈值电压vl的通道开关管的数量最多，使得驱动芯片1012的参考电流值aref大于其他驱动芯片的aref，则由于驱动芯片1012的参考电流值aref在本周期内增大了，会使反馈电压vfb降低至小于参考电压vref。因此，电源电路103可以根据反馈电压vfb与参考电压vref之间的相对大小关系增大供电电压v1，以降低驱动芯片1012中漏源电压小于最小阈值电压vl的通道开关管的数量。其它驱动芯片中，漏源电压小于最小阈值电压vl的通道开关管的数量也会随之降低。
[0212]
若因所有驱动芯片中通道开关管的漏源电压均大于最小阈值电压，且驱动芯片1012中漏源电压大于最大阈值电压vh的通道开关管的数量最少，使得驱动芯片1012的参考
电流值aref大于其他驱动芯片的aref，则由于驱动芯片1012的参考电流值aref在本周期内降低了，会使反馈电压vfb升高至大于参考电压vref。因此，电源电路103可以根据反馈电压vfb与参考电压vref之间的相对大小关系降低供电电压v1。由于其它驱动芯片中通道开关管的漏源电压均大于最小电压阈值vl，且其它驱动芯片中通道开关管的漏源电压大于最大阈值电压vh的通道开关管较多，因此降低供电电压v1并不会对其它驱动芯片对应的子阵列产生明显影响。
[0213]
而且，本技术实施例中驱动芯片之间通过级联的方式连接，相较于图4所示的连接结构，本技术实施例所提供的驱动系统101结构更加简单，有利于布置驱动系统101中的走线。此外，本技术实施例还可以缩短反馈电流在走线中的传输距离，有利于提高驱动系统101的抗干扰能力。
[0214]
示例二
[0215]
在目前大多数的供电电压v1调节方案中，电源电路103只能按照预设的调节幅度逐步增大或降低供电电压v1，使得供电电压v1的调节过程较长，不利于提高用户的使用体验，也不利于降低能量损耗。
[0216]
有鉴于此，本技术实施例中驱动芯片可以实现模数转换功能，即驱动芯片之间可以级联传输数字信号，因此驱动系统可以输出数字信号形式的反馈信号。驱动系统可以将反馈信号发送给控制电路102，使得控制电路102可以根据该反馈信号计算得到供电电压v1所需的电压调节幅度，进而控制电源电路103经过少量次数的调节便可以达到较为合适的供电电压v1的取值。
[0217]
如图10所示，驱动芯片1011至驱动芯片101k通过输入端和输出端级联，其中，驱动芯片101k还与控制电路102连接。每个驱动芯片可以确定其内部通道开关管的最大漏源电压vmax和最小漏源电压vmin。
[0218]
其中，第p个驱动芯片可以从第p-1个驱动芯片接收第1个驱动芯片至第p-1个驱动芯片的最大漏源电压的电压值和最小漏源电压的电压值。第p个驱动芯片进而可以向第p 1个驱动芯片输出第1个驱动芯片至第p个驱动芯片的最大漏源电压的电压值和最小漏源电压的电压值，p为大于1且小于k的整数。
[0219]
以图10为例，具体来说，驱动芯片1011可以将驱动芯片1011中的最大漏源电压vmax和最小漏源电压vmin发送给驱动芯片1012。驱动芯片1012可以将驱动芯片1011的最大漏源电压vmax和最小漏源电压vmin，以及驱动芯片1012的最大漏源电压vmax和最小漏源电压vmin发送给驱动芯片1013。
……
。驱动芯片101(k-1)可以将驱动芯片1011至驱动芯片101(k-1)分别对应的最大漏源电压vmax和最小漏源电压vmin发送给驱动芯片101k。
[0220]
驱动芯片101k进而可以将驱动系统101中k个驱动芯片分别对应的最大漏源电压vmax和最小漏源电压vmin发送给控制电路102。
[0221]
示例性的，每个驱动芯片内部可以设置有最大漏源电压检测电路和最小漏源电压检测电路。接下来，以驱动芯片1011为例，分别对最大漏源电压检测电路和最小漏源电压检测电路作进一步的示例性说明。
[0222]
最大漏源电压检测电路
[0223]
如图11所示，最大漏源电压检测电路由m-1级第一比较电路级联而成，每一级第一比较电路皆具有类似的电连接结构，主要包括比较器、开关1和开关2，开关1为高电平导通
开关，开关2为低电平导通开关。其中，开关1和开关2的控制端皆与比较器的输出端连接，开关1的第一端与比较器的正输入端连接，开关2的第一端与比较器的负输入端连接，开关1的第二端和开关2的第二端连接，用于输出比较电压。
[0224]
具体来说，在第1级的第一比较电路中，比较器的正输入端与通道开关管t11的漏极(t11-d)连接，比较器的负输入端与通道开关管t12的漏极(t12-d)连接。由于通道开关管t11的源极和通道开关管t12的源极皆接地，因此通道开关管t11的漏极电压即为通道开关管t11的漏源电压，通道开关管t12的漏极电压即为通道开关管t12的漏源电压。
[0225]
比较器可以在正输入端的电压大于负输入端的电压时，输出高电平信号。在此情况下，可以使开关1导通，开关2断开，因此可以从开关1的第二端输出t11的漏源电压。即，在t11的漏源电压大于t12的漏源电压时，第1级的第一比较电路可以输出t11的漏源电压。
[0226]
比较器还可以在正输入端的电压小于负输入端的电压时，输出低电平信号。在此情况下，可以使开关1断开，开关2导通，因此可以从开关2的第二端输出t12的漏源电压。即，在t11的漏源电压小于t12的漏源电压时，第1级的第一比较电路可以输出t12的漏源电压。
[0227]
在第2级的第一比较电路中，比较器的正输入端与第1级的第一比较电路的输出端连接，比较器的负输入端与通道开关管t13的漏极(t13-d)连接。与第1级的第一比较电路类似，第2级的第一比较电路可以在通道开关管t13的漏源电压大于第1级的第一比较电路的输出电压时，输出通道开关管t13的漏源电压，在通道开关管t13的漏源电压小于第1级的第一比较电路的输出电压时，输出第1级的第一比较电路的输出电压。也就是说，第2级的第一比较电路可以输出通道开关管t11至通道开关管t13中漏源电压的最大值。
[0228]
通过多级第一比较电路的逐级比较，最终可以通过第m-1级第一比较电路输出驱动芯片1011的m个通道开关管中漏源电压的最大值，即驱动芯片1011中的最大漏源电压vmax。
[0229]
最小漏源电压检测电路
[0230]
如图12所示，最小漏源电压检测电路也可以由m-1级第二比较电路级联而成，每一级第二比较电路皆具有类似的电连接结构，主要包括比较器、反相器、开关3和开关4，反相器的输入端与比较器的输出端连接，可以将比较器的输出电平反相，开关3为高电平导通开关，开关4为低电平导通开关。其中，开关3和开关4的控制端皆与反相器的输出端连接，开关3的第一端与比较器的正输入端连接，开关4的第一端与比较器的负输入端连接，开关3的第二端和开关4的第二端连接，用于输出比较电压。
[0231]
具体来说，在第1级的第二比较电路中，比较器的正输入端与通道开关管t11的漏极(t11-d)连接，比较器的负输入端与通道开关管t12的漏极(t12-d)连接。比较器可以在正输入端的电压大于负输入端的电压时，输出高电平信号。反相器接收比较器输出的高电平信号，从而输出低电平信号。在此情况下，可以使开关3断开，开关4导通，因此可以从开关4的第二端输出t12的漏源电压。即，在t12的漏源电压小于t11的漏源电压时，第一级第二比较电路可以输出t12的漏源电压。
[0232]
比较器还可以在正输入端的电压小于负输入端的电压时，输出低电平信号。反相器接收比较器输出的低电平信号，从而输出高电平信号。在此情况下，可以使开关3导通，开关4断开，因此可以从开关3的第二端输出t11的漏源电压。即，在t11的漏源电压小于t12的漏源电压时，第1级的第二比较电路可以输出t11的漏源电压。
[0233]
在第2级的第二比较电路中，比较器的正输入端与第1级的第二比较电路的输出端连接，比较器的负输入端与通道开关管t13的漏极(t13-d)连接。与第1级的第二比较电路类似，第2级的第二比较电路可以在通道开关管t13的漏源电压小于第1级的第二比较电路的输出电压时，输出通道开关管t13的漏源电压，在通道开关管t13的漏源电压大于第1级的第二比较电路的输出电压时，输出第1级的第二比较电路的输出电压。也就是说，第2级的第二比较电路可以输出通道开关管t11至通道开关管t13中漏源电压的最小值。
[0234]
通过多级第二比较电路的逐级比较，最终可以通过第m-1级第二比较电路输出驱动芯片1011的m个通道开关管中漏源电压的最小值，即驱动芯片1011中的最小漏源电压vmin。
[0235]
通过m-1级第一比较电路得到的最大漏源电压，以及通过m-1级第二比较电路得到的最小漏源电压皆为模拟信号，控制电路102通常无法直接读取。为了使控制电路102能够读取并处理各个驱动芯片中的最大漏源电压，如图11所示，驱动芯片1011还可以包括模数转换器1和寄存器1。模数转换器1可以将最大漏源电压vmax转换为数字信号形式，由最大漏源电压vmax转换而来的数字信号可以指示最大漏源电压vmax的电压值。寄存器1可以存储模数转换器1输出的数字信号，也就是存储最大漏源电压vmax的电压值，从而使得控制电路102可以从寄存器1中读取最大漏源电压vmax的电压值。
[0236]
基于同样的道理，如图12所示，驱动芯片1011还可以包括寄存器2和模数转换器2，对此不再赘述。
[0237]
如前所述，第k个驱动芯片可以向控制电路102输出k个驱动芯片分别对应的最大漏源电压vmax和最小漏源电压vmin。示例性的，控制电路102可以执行如图13所示的以下过程：
[0238]
s1301：控制电路102通过串行外设接口(serial peripheral interface，spi)总线读取各个驱动芯片中的最大漏源电压vmax和最小漏源电压vmin的电压值。具体来说，控制电路102可以向驱动芯片1011发送包括k个读取指令的指令集，该k个读取指令与k个驱动芯片分别一一对应。
[0239]
如图10所示，控制电路102还可以分别为驱动芯片1011至驱动芯片101k发送时钟信号clk，该时钟信号clk可以用于同步控制电路102，以及驱动芯片1011至驱动芯片101k中任意两两之间的数据传输频率。
[0240]
驱动芯片1011可以识别指令集中与自身对应的读取指令，如读取指令1。在识别到读取指令1后，驱动芯片1011便可以将指令集继续发送给驱动芯片1012。驱动芯片1012至驱动芯片101k重复驱动芯片1011的识别过程，从而可以将k个读取指令分别发送给对应的驱动芯片。
[0241]
驱动芯片1011在识别到读取指令1后，将寄存器缓存的最大漏源电压vmax和最小漏源电压vmin的电压值发送给驱动芯片1012。驱动芯片1012接收并通过寄存器缓存驱动芯片1011发送的最大漏源电压vmax和最小漏源电压vmin的电压值。驱动芯片1012在从指令集中识别到对应的读取指令2后，可以将驱动芯片1012的寄存器内缓存驱动芯片1012的最大漏源电压vmax和最小漏源电压vmin的电压值，以及驱动芯片1011发送的最大漏源电压和最小漏源电压的电压值一同发送给驱动芯片1013。
[0242]
驱动芯片1013至驱动芯片101k重复上述过程，直至驱动芯片101k能够接收到驱动
芯片1011至驱动芯片101(k-1)的最大漏源电压vmax和最小漏源电压vmin的电压值。驱动芯片101k在从指令集中识别到对应的读取指令k后，进而可以将驱动芯片1011至驱动芯片101k分别对应的最大漏源电压vmax和最小漏源电压vmin的电压值一并发送给控制电路102。
[0243]
s1302：控制电路102确定驱动芯片1011至驱动芯片101k的最大漏源电压vmax和最小漏源电压vmin是否皆位于最小阈值电压vl和最大阈值电压vh之间。主要存在以下三种情况：
[0244]
情况一：k个驱动芯片的最大漏源电压vmax和最小漏源电压vmin皆位于最小阈值电压vl和最大阈值电压vh之间，则控制电路102返回执行下一个周期的s1301，即本周期内不改变供电电压v1的大小。
[0245]
情况二：存在一个或多个最小漏源电压vmin小于最小阈值电压vl。在此情况下，控制电路102控制电源电路103增大供电电压v1，增大幅度为vl-(vmin)min，其中，(vmin)min表示驱动芯片1011至驱动芯片101k的最小漏源电压vmin的最小值(s1303)。
[0246]
例如最小阈值电压vl为3v，(vmin)min为2v，则控制电路102可以控制电源电路103增大1v供电电压v1。
[0247]
情况三：所有的最小漏源电压皆大于最小阈值电压vl，且存在至少一个最大漏源电压vmax大于最大阈值电压vh。在此情况下，控制电路102控制电源电路103降低供电电压v1，降低幅度为vh-(vmax)max，其中，(vmax)max表示驱动芯片1011至驱动芯片101k的最大漏源电压vmax的最大值(s1304)。
[0248]
例如最大阈值电压vh为4v，(vmax)max为5v，则控制电路102可以控制电源电路103降低1v供电电压v1。
[0249]
与实施例一类似，采用本技术实施例二所提供的实现方式，也有利于简化驱动系统101的结构，提高驱动系统101的抗干扰能力。此外，实施例一通常需要电源电路103按照设定的调节幅度多次调节供电电压v1的大小，直至反馈电压vfb与参考电压vef相等。而采用本技术实施例二所提供的方案，还可以使电源电路103在一个周期内便将所有通道开关管的漏源电压调节至最小阈值电压vl至最大阈值电压vh之间，调节速度更加快捷。
[0250]
需要指出的是，示例一和示例二即为示例性说明，并不构成对本技术所提供的技术方案的限制。在不违背基本逻辑的情况下，示例一中的部分特征可以与示例二所提供的技术方案相结合，示例二中的部分特征也可以与示例一所提供的技术方案相结合。通过不同示例之间的技术方案相结合所得到的技术方案，也应包含于本技术实施例之中。
[0251]
基于相同的技术构思，本技术实施例还提供一种电子板，该电子板包括本技术实施例所提供的任一种驱动系统。
[0252]
在一种可能的实现方式中，如图14所示，该电子板11包括电源电路103、第一电阻r1、第二电阻r2和本技术实施例的示例一中所提供的驱动系统101。该电子板11的具体实现可以参考上述示例一，对此不再赘述。
[0253]
在另一种可能的实现方式中，如图15所示，该电子板11包括电源电路103、控制电路102和本技术实施例的示例二中所提供的驱动系统101。该电子板11的具体实现可以参考上述示例二，对此不再赘述。
[0254]
基于相同的技术构思，本技术实施例还提供一种显示屏，该显示屏可以包括本申
请实施例所提供的任一种电子板和led阵列。示例性的，该显示屏可以是支持local dimming的显示屏。示例性的，该显示屏可以是液晶显示屏。
[0255]
基于相同的技术构思，本技术实施例还提供一种电子设备，该电子设备包括如第五方面所提供的显示屏。示例性的，该电子设备可以是台式电脑显示屏，也可以是具有显示屏的电子设备，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、智能电视等等，本技术实施例对此不再一一列举。
[0256]
显然，本领域的技术人员可以对本技术进行各种改动和变型而不脱离本技术的精神和范围。这样，倘若本技术的这些修改和变型属于本技术权利要求及其等同技术的范围之内，则本技术也意图包含这些改动和变型在内。