技术特征:
1.一种光接收装置,包括:
第一光接收电路,被配置为使得切换用于光接收元件的再充电方法;和
控制电路,被配置为基于所述第一光接收电路通过与光子的反应而输出的信号来控制用于所述第一光接收电路的所述再充电方法。
2.根据权利要求1所述的光接收装置,其中,
所述再充电方法包括被动再充电和主动再充电的组合、被动再充电、以及主动再充电中的至少一者。
3.根据权利要求1所述的光接收装置,其中,
所述再充电方法包括被动再充电操作时的再充电电流、以及在主动再充电操作时生成复位脉冲的时间延迟中的至少一者。
4.根据权利要求1所述的光接收装置,还包括:
多个所述第一光接收电路,其中,
所述控制电路被配置为基于从多个所述第一光接收电路输出的信号来控制用于所述第一光接收电路中的至少一个的再充电方法。
5.根据权利要求4所述的光接收装置,还包括:
测量电路,所述测量电路被配置为对多个所述第一光接收电路中的反应数量进行计数,其中,
所述控制电路被配置为基于所述反应数量来控制用于至少一个所述第一光接收电路的所述再充电方法。
6.根据权利要求4所述的光接收装置,还包括:
错误检测器,所述错误检测器被配置为基于所述第一光接收电路输出的信号的波形执行错误确定,其中,
所述控制电路被配置为基于针对多个所述第一光接收电路输出的信号的错误确定的数量来控制用于所述第一光接收电路中的至少一个的再充电方法。
7.根据权利要求6所述的光接收装置,其中,
所述错误检测器被配置为对脉冲宽度超过第一阈值的信号和脉冲之间的间隔小于第二阈值的信号中的至少一者执行错误确定。
8.根据权利要求4所述的光接收装置,还包括:
纠错电路,所述纠错电路被配置为基于所述第一光接收电路输出的信号的波形执行错误确定,并纠正执行了所述错误确定的所述信号的波形。
9.根据权利要求8所述的光接收装置,其中,
所述纠错电路被配置为对脉冲宽度超过第一阈值的信号和脉冲之间的间隔小于第二阈值的信号中的至少一者执行错误确定。
10.根据权利要求8所述的光接收装置,其中,
所述控制电路被配置为基于针对多个所述第一光接收电路输出的信号的错误确定的数量来控制用于所述第一光接收电路中的至少一个的再充电方法。
11.根据权利要求4所述的光接收装置,其中,
所述控制电路被配置为针对所捕获图像的每个区域控制用于所述第一光接收电路的再充电方法。
12.根据权利要求4所述的光接收装置,其中,
所述控制电路被配置为基于所述第一光接收电路输出的与所捕获图像的部分区域相对应的信号,来控制用于多个所述第一光接收电路的再充电方法。
13.根据权利要求4所述的光接收装置,还包括:
多个第二光接收电路,所述第二光接收电路被配置为执行所述光接收元件的被动再充电。
14.根据权利要求13所述的光接收装置,其中,
每个所述第一光接收电路连接到第一像素,并且
每个所述第二光接收电路连接到光接收表面比所述第一像素的光接收表面小或者开口表面比所述第一像素的开口表面小的第二像素。
15.根据权利要求1所述的光接收装置,其中,
所述光接收元件是雪崩光电二极管。
16.一种测距装置,包括:
发光元件;
多个光接收电路,所述光接收电路被配置为使得切换用于光接收元件的再充电方法;以及
控制电路,所述控制电路被配置为在所述发光元件不发光的时段内,基于多个所述光接收电路通过与光子的反应而输出的信号来控制用于所述光接收电路中的至少一个的再充电方法。
17.一种光接收电路,包括:
光接收元件;
负载元件,连接到参考电位;
第一开关,连接在所述负载元件和所述光接收元件之间;
逆变器,经由第二信号线连接到在所述第一开关与所述光接收元件之间的第一信号线;
第一晶体管,连接到所述参考电位;
第二开关,连接在所述第一晶体管与所述第二信号线之间;以及
脉冲发生器,连接到作为所述逆变器的后级的第三信号线、和所述第一晶体管的第一控制电极。
18.根据权利要求17所述的光接收电路,其中,
所述脉冲发生器被配置为根据所述第三信号线的电压向所述第一控制电极输出脉冲。
19.根据权利要求18所述的光接收电路,其中,
所述脉冲发生器被配置为在所述第三信号线的电压电平改变时,以一时间延迟向所述第一控制电极输出脉冲。
20.根据权利要求17所述的光接收电路,还包括:
第二晶体管,连接到所述参考电位;以及
第三开关,连接在所述第二晶体管与所述第二信号线之间,其中,
所述第二晶体管的第二控制电极连接到所述第三信号线。
技术总结
[问题]提供一种光接收装置、光接收电路和测距装置,其能够以高精度检测光子,而不管环境中的照度如何。[解决方案]根据本公开的光接收装置包括:第一光接收电路,被配置为使得可以切换光接收元件的再充电方法;以及控制电路,被配置为基于由第一光接收电路作为与光子作用的结果而输出的信号来控制第一光接收电路的再充电方法。
技术研发人员:马原久美子;小泽治;松川朋広;篠塚康大;
受保护的技术使用者:索尼半导体解决方案公司;
技术研发日:2020.10.13
技术公布日:2022.05.13
本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。