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光接收装置、测距装置和光接收电路的制作方法

2022-05-13 12:06:15 来源:中国专利 TAG:
光接收装置、测距装置和光接收电路的制作方法

本公开涉及光接收装置、测距装置和光接收电路。

背景技术

在诸如车载和移动的多个领域中,用于基于来自发光元件的照射光被对象反射并返回光接收元件的飞行时间(TOF)测量到对象的距离的技术的应用正在进步。雪崩光电二极管(APD)是已知的光接收元件。在盖革模式APD(Geiger-mode APD)中,在两个端子之间施加大于或等于击穿电压的电压,并且随着单光子的入射而发生雪崩现象。单光子通过雪崩现象引起倍增的APD被称为单光子雪崩二极管(SPAD)。

在SPAD中,可以通过将两个端子之间的电压降低到击穿电压来停止雪崩现象。通过降低端子之间的电压来停止雪崩现象被称为淬灭(quenching)。当使SPAD的两个端子之间的电压再充电到大于或等于击穿电压的偏置电压时,则可以再次检测光子。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本专利公开号2010-091377

专利文献2:日本专利公开号2014-081254

专利文献2:日本专利公开号2018-179732



技术实现要素:

本发明要解决的技术问题

根据TOF的测量距离需要支持用于宽亮度范围的动态范围的装置。然而,在具有高照度的环境中,存在SPAD再充电可能停止的情况,或者SPAD需要较长时间进行再充电的情况。因此,不能进行光子检测的死区时间(dead time)变长。希望缩短死区时间以便以高精度执行距离测量。

因此,本公开提供了一种光接收装置、光接收电路和测距装置,其可以以高精度检测光子,而不管环境中的照度如何。

问题的解决方案

根据本公开的一个方面的光接收装置可以包括:第一光接收电路,被配置为使得可以切换用于光接收元件的再充电方法;以及控制电路,被配置为基于第一光接收电路通过与光子的反应而输出的信号来控制用于第一光接收电路的再充电方法。

再充电方法可以包括被动再充电、主动再充电、以及被动再充电和主动再充电的组合中的至少一者。

再充电方法可以包括用于被动再充电操作时的再充电电流、以及在主动再充电操作时生成复位脉冲的时间延迟中的至少一者。

可以提供多个第一光接收电路,并且控制电路被配置为基于从多个第一光接收电路输出的信号来控制用于至少一个第一光接收电路的再充电方法。

还可以提供测量电路,测量电路被配置为对多个第一光接收电路中的反应数量进行计数,并且控制电路被配置为基于反应数量控制用于至少一个第一光接收电路的再充电方法。

还可以提供错误检测器,错误检测器被配置为基于第一光接收电路输出的信号的波形来执行错误确定,并且控制电路被配置为基于多个第一光接收电路输出的信号的错误确定的数量来控制用于至少一个第一光接收电路的再充电方法。

错误检测器可以被配置为对脉冲宽度超过第一阈值的信号和脉冲之间的间隔小于第二阈值的信号中的至少一者执行错误确定。

还可以提供纠错电路,纠错电路被配置为基于第一光接收电路输出的信号的波形来执行错误确定,并纠正对其执行了错误确定的信号的波形。

纠错电路可以被配置为对脉冲宽度超过第一阈值的信号和脉冲之间的间隔小于第二阈值的信号中的至少一者执行错误确定。

控制电路可以被配置为基于针对从多个第一光接收电路输出的信号的错误确定的数量来控制用于至少一个第一光接收电路中的再充电方法。

控制电路可以被配置为针对所捕获图像的每个区域控制用于第一光接收电路的再充电方法。

控制电路可以被配置为基于第一光接收电路输出的与所捕获图像的部分区域相对应的信号来控制用于多个第一光接收电路的再充电方法。

还可以提供被配置为执行被动再充电操作的多个第二光接收电路。

第一光接收电路可以连接到第一像素,并且每个第二光接收电路可以连接到光接收表面或开口表面比第一像素的光接收表面或开口表面小的第二像素。

光接收元件可以是雪崩光电二极管。

根据本公开的一个方面的测距装置可以包括:发光元件;被配置为使得可以切换用于光接收元件的再充电方法的多个光接收电路;以及控制电路,其被配置为在发光元件不发光的时段期间,基于多个光接收电路通过与光子的反应而输出的信号来控制用于至少一个光接收电路中的再充电方法。

根据本公开的一个方面的光接收电路可以包括:光接收元件、连接到参考电位的负载元件、连接在负载元件和光接收元件之间的第一开关、经由第二信号线连接到第一开关和光接收元件之间的第一信号线的逆变器、连接到参考电位的第一晶体管、连接在第一晶体管和第二信号线之间的第二开关、以及连接到作为逆变器的后级的第三信号线和第一晶体管的第一控制电极的脉冲发生器。

脉冲发生器可以被配置为根据第三信号线的电压将脉冲输出到第一控制电极。

脉冲发生器可以被配置为当第三信号线的电压电平改变时以一时间延迟将脉冲输出到第一控制电极。

还提供连接到参考电位的第二晶体管、以及连接在第二晶体管和第二信号线之间的第三开关,并且第二晶体管的第二控制电极连接到第三信号线。

附图说明

图1是示出测距装置的示例的框图。

图2是示意性地示出通过使用测距装置的距离测量的示例的视图。

图3是示出光接收电路的示例的电路图。

图4是示出光接收电路中的电压波形的示例的曲线图。

图5是示出低照度环境下的直方图的示例的曲线图。

图6是示出高照度环境下的直方图的示例的曲线图。

图7是示出高照度环境下的理想直方图的示例的曲线图。

图8是示意性地示出根据本公开的光接收装置的示例的视图。

图9是示出根据本公开的电路的示例的电路图。

图10是指示根据本公开的电路的开关设置的示例的表。

图11是示出根据本公开的电路中的电压波形的示例的曲线图。

图12是示出脉冲发生器的配置示例的电路图。

图13是示出发生反应的SPAD的数量与阈值之间的关系的示例的曲线图。

图14是示出发生反应的SPAD的数量与选择的操作模式之间的对应关系的示例的表。

图15是示出用于确定距离测量条件的处理示例的流程图。

图16是示出像素与再充电电路之间的对应关系的示例的平面图。

图17是示出像素与再充电电路之间的对应关系的示例的平面图。

图18是示出对于每个图像的区域设置距离测量条件的示例的视图。

图19是示出对于每个图像设置距离测量条件的示例的视图。

图20是示出光接收装置的示例的框图。

图21是示出根据第一变形例的光接收装置的示例的示意图。

图22是示出电压波形的错误检测的示例的曲线图。

图23是指示第一变形例中的操作模式的示例的表。

图24是示出根据第一变形例的用于确定距离测量条件的处理的示例的流程图。

图25是示出根据第二变形例的光接收装置的示例的示意图。

图26是示出第二变形例中的用于纠正电压波形的处理的示例的曲线图。

图27是示出第二变形例中的用于纠正电压波形的处理的示例的曲线图。

图28是示出根据第三变形例的电路的示例的电路图。

图29是示出主动再充电电路的示例的电路图。

图30是示出测距装置的示例的框图。

图31是描绘车辆控制系统的示意性配置的示例的框图。

图32是帮助说明外部车辆信息检测部和成像部的安装位置的示例的图。

具体实施方式

参考附图,下面详细给出关于根据本公开的合适实施例的描述。注意,在本说明书和附图中,将相同的附图标记添加到具有基本相同的功能配置的部件,由此省略重复说明。

图1中的框图示出了测距装置的示例。另外,图2示意性地示出了通过使用测距装置进行的距离测量的示例。图1中的测距装置200包括通信电路210、控制电路220、SPAD控制器221、电路块240、电路块241、处理电路230、传输电路211、PLL 250、时钟生成器251、电流源252、温度传感器253和触发电路254。处理电路230包括直方图生成器232和距离计算部233作为内部部件。此外,测距装置200经由端子T_OUT连接到图2中的发光元件255。

通信电路210和传输电路211与外部电路通信。控制电路220控制测距装置200的每个部件。电路块240对应于图2中的检测部1。电路块240安装有例如SPAD阵列以及对应于每个SPAD的光接收电路。SPAD阵列包括多个单光子雪崩二极管(SPAD)。每个光接收电路被配置为当SPAD与光子反应时将脉冲输出到后级电路。另外,光接收电路包括用于淬灭SPAD和再充电SPAD的电路。SPAD控制器221控制光接收电路。例如,SPAD控制器221切换光接收电路中的开关、控制电流值并控制脉冲生成定时。

例如,电路块241包括作为相应的光接收电路的后级连接的采样器。每个采样器称为缓冲器,并将从光接收电路输入的信号数字化。另外,电路块241可以包括错误检测器或纠错电路。下面描述错误检测器和纠错电路的细节。触发电路254控制发光元件255的发光定时。

直方图生成器232对来自每个光接收电路的数字化输出信号的电压电平进行采样,并生成直方图。直方图生成器232可以多次重复采样操作,并生成直方图。采样操作被执行多次,从而可以识别从发光元件照射的光的干扰光和反射光rl。当生成直方图时,直方图生成器232可以执行诸如多次测量结果的平均值的计算。距离计算部233基于与从触发电路254传输的光的照射时间t0和直方图的峰值时间t1相关的信息计算测距装置200与对象之间的距离。例如,设光速为C,可以通过公式L=c/2(t1-t0)获得测距装置200和与对象OBJ之间的距离。在公式中,t1-t0对应于飞行时间。通过使用传输电路211,可以将包括计算的距离的信息传输到外部电路。

例如,根据诸如现场可编程门阵列(FPGA)或专用集成电路(ASIC)的硬件电路,可以实现处理电路230的部件,该部件包括直方图生成器232和距离计算部233。然而,处理电路230的功能可以通过中央处理单元(CPU)和CPU执行的程序实现。在这种情况下,处理电路230可以包括用于存储程序和执行程序所需的数据的存储器或存储装置。

注意,图1中的测距装置200仅是测距装置的配置的示例。因此,根据本公开的测距装置的配置可以不同于测距装置200的配置。测距装置不需要包括测距装置200的所有部件。例如,测距装置可以省略PLL 250、时钟生成器251、电流源252、温度传感器253,触发电路254和通信电路210中的至少一者。此外,可以添加其他部件,或可以省略这些其他部件。

图3中的电路图示出了在光子检测中使用的光接收电路的示例。另外,图4中的曲线图示出了光接收电路中的电压波形的示例。图3中的电路13包括光电二极管PD、晶体管TR0和逆变器INV。晶体管TR0是PMOS晶体管。例如,可以使用SPAD作为光电二极管PD。晶体管TR0的源极连接到电源电位Vdd。晶体管TR0的漏极连接到光电二极管PD的阴极。将电压Van施加到光电二极管PD的阳极。通过电压Van,在光电二极管PD的两个端子之间施加大于或等于击穿电压的反向电压。晶体管TR0的漏极和光电二极管PD的阴极连接到逆变器INV的输入侧。另外,诸如缓冲器的后级电路连接到逆变器INV的输出侧。

晶体管TR0是电路13的负载元件90的示例。然而,负载元件的配置可以与其不同。例如,作为负载元件,可以使用电阻器,或可以使用组合晶体管和电阻器的结果。

当光子入射在光电二极管PD上并且由于雪崩倍增而导致光电二极管PD的两个端子之间的电流增加时,阴极电位Vca根据负载元件90处的电压降而减小。当光电二极管PD的端子之间的电压减少至击穿电压时,雪崩现象停止,并且在光电二极管PD的两个端子之间流动的电流减少。结果,光电二极管PD的两个端子之间的电压取大于或等于击穿电压的值,并且可以再次检测光子(曲线图60中的Vca)。相较之下,逆变器INV在阴极电位Vca小于或等于阈值thi的时段内输出正极性(HIGH)脉冲(曲线图60中的Vp)。当检测到光子时,电路13输出脉冲,因此可以在后级电路中执行诸如计数光子、生成直方图和计算飞行时间的各种处理。

注意,用于执行曲线图60中所示的操作的电路被称为被动再充电电路。上述电路13是被动再充电电路的示例。作为被动再充电电路,可以使用配置不同于电路13的配置的电路。例如,可以使用由使极性反转产生的电路。另外,可以使用通过向电路13添加另一元件产生的电路。当使用被动再充电电路时,可以抑制功耗。

在光电二极管PD与光子反应之后,在使雪崩现象停止(淬灭)并将光电二极管PD的两个端子之间的电压再次再充电到大于或等于击穿电压的时段中光电二极管PD不能检测光子。该时段被称为死区时间。增加安装在装置中的SPAD的数量,从而可以降低死区时间的影响。这是因为,如果存在足够数量的SPAD,则可以使其他SPAD补偿已经进入死区时间的一些SPAD的检测能力。

在被动再充电电路中,增加了流过负载元件90的再充电电流,从而可以将死区时间缩短到一定水平。然而,当再充电电流增加太多时,光电二极管PD的端子之间的电压停止降低到击穿电压,并且因此光电二极管PD不能执行淬灭(曲线图62中的Vca)。此时,由于逆变器INV的输出电压被卡住,因此难以检测光子。

另外,在高照度环境中,在阴极电位Vca上升到高于逆变器INV的阈值之前,光电二极管PD可能会与来自干扰光的光子重新反应。因此,阴极电位Vca的上升存在延迟,并且死区时间延长。另外,逆变器INV输出的脉冲宽度变得太大(曲线图61)。当脉冲宽度变得太大时,后级电路执行的诸如距离测量的处理可能变得困难。

接下来,给出关于直方图生成器生成的直方图的示例的描述。

图5中的曲线图示出了在低照度环境中生成的直方图的示例。图6中的曲线图示出了在高照度环境中生成的直方图的示例。在每个曲线图中,纵轴指示发生反应的SPAD的数量。另外,横轴指示与发光元件255的发光时间的时间差。当干扰光的照度低时,可以生成与反射光rl相对应的峰值清晰的直方图(图5)。然而,在高照度环境下,SPAD更可能与来自干扰光的光子而不是来自反射光rl的光子反应。另外,如上所述的图4中所示,在高照度环境中SPAD的死区时间存在延长的趋势。因此,由于不能与光子反应的SPAD的数量增加,因此清晰的峰值将停止出现在直方图中(图6)。理想地,即使在高照度环境中,也希望能够生成通过将图5中的直方图以对应于干扰光的光子数量向上移位而产生的直方图,如图7中的曲线图所示。

设想在各种照度环境中执行通过SPAD进行的光子检测,诸如晴朗天气的室外、夜间或隧道内。为了执行与环境的照度无关的高精度的距离测量,需要具有用于在宽亮度范围的动态范围内对光子进行高精度检测的技术。

下面给出关于根据本公开的光接收电路和光接收装置的描述。

图8示意性地示出了根据本公开的光接收装置的示例。图8中的光接收装置100包括多个光接收电路11、多个采样器20、测量电路30和控制电路40。光接收电路11包括SPAD和光接收电路。测量电路30包括作为内部部件的直方图生成器31。

多个光接收电路11例如设置在测距装置200的电路块240(图1)中。例如,多个采样器20设置在电路块241中。测量电路30对应于处理电路230。例如,控制电路40对应于控制电路220和SPAD控制器221。

每个光接收电路11经由信号线l_rd连接到后级采样器20。每个采样器20的后级连接到测量电路30。测量电路30连接到控制电路40。控制电路40经由信号线l_ct连接到每个光接收电路11。注意,在图8中,示出了多个信号线l_ct,但是用于控制的信号线的数量无关紧要。例如,控制电路40可以通过一条信号线控制多个光接收电路11。

当SPAD与光子反应时,光接收电路11向信号线l_rd输出脉冲。采样器20将包括脉冲的信号数字化。直方图生成器31基于从各个采样器输入的信号中包括的脉冲来生成直方图。

图9中的电路图示出了根据本公开的电路的示例。图9中的电路10包括光电二极管PD、开关SW1、晶体管TR0、晶体管TR1、开关SW2、晶体管TR2,开关SW3、逆变器INV和脉冲发生器PG。晶体管TR0、晶体管TR1和晶体管TR2均是PMOS晶体管。例如,可以使用SPAD作为光电二极管PD。

例如,开关SW1、开关SW2和开关SW3由MOS晶体管实现。例如,可以将每个MOS晶体管的栅极连接到控制电路40。在这种情况下,控制电路40通过控制施加到每个MOS晶体管的栅极的电压来导通/关断开关。注意,晶体管TR0的栅极可以连接到控制电路40。在这种情况下,控制电路40可以控制施加到晶体管TR0的栅极的电压,并调整晶体管TR0的源极和漏极之间的电阻。

晶体管TR0的源极连接到电源电位Vdd。开关SW1连接在晶体管TR0的漏极和光电二极管PD的阴极之间。电压Van施加到光电二极管PD的阳极。可以确定电压Van的值,使得将大于或等于击穿电压的反向电压施加在光电二极管PD的两个端子之间。逆变器INV的输入端子经由信号线Lin连接到光电二极管PD的阴极和开关SW1。

晶体管TR1的源极和晶体管TR2的源极都连接到电源电位Vdd。开关SW2连接在晶体管TR1的漏极和信号线Lin之间。同时,开关SW3连接在晶体管TR2的漏极和信号线Lin之间。逆变器INV的输出端子经由信号线Lout连接到晶体管TR2的栅极和脉冲发生器PG的输入端子。脉冲发生器PG的输出端子连接到晶体管TR1的栅极。

图10中的表指示用于电路10的开关设置的示例。如图10中的表70中所示,在电路10中,可以根据开关设置切换对光电二极管PD再充电的方法。当开关SW1关断并且开关SW2和开关SW3导通时,可以使电路10执行主动再充电(开关设置st1)。这是用于在图9中所示的电路10中执行主动再充电的开关设置。当开关SW1导通并且开关SW2和开关SW3关断时,可以使电路10执行被动再充电(开关设置st2)。在这种情况下,电路10执行与图3中的电路13(被动再充电电路)的操作类似的操作。此外,当开关SW1和开关SW2导通时,可以使电路10执行主动再充电和被动再充电两者(开关设置st3)。在这种情况下,开关SW3可以导通或可以关断。

图11中的曲线图示出了电路10中的电压波形的示例。图11中的曲线图63对应于在电路10中执行被动再充电的情况下的电压波形。相较之下,曲线图64对应于在电路10中执行主动再充电的情况下的电压波形。注意,曲线图64中的Vg指示晶体管TR1的栅极电压。在所有曲线图中,横轴指示时间。

给出关于在电路10中引起主动再充电时(在开关设置st1时)的操作的描述。当光子入射在光电二极管PD上并且由于雪崩倍增而导致在光电二极管PD的两个端子之间流动的电流增加时,阴极电位Vca根据晶体管TR1和晶体管TR2的源极和漏极之间的电压降而减小。当光电二极管PD的两个端子之间的电压降低到击穿电压时雪崩现象停止(淬灭),这一情况类似于执行被动再充电的情况。

逆变器INV在信号线Lin的电压小于或等于阈值thi的时段内输出HIGH(正极性)脉冲(曲线图64中的Vp)。基于该脉冲,后级测量电路30可以执行各种处理。因为信号线Lin的电压为负极性(LOW),因此逆变器INV的输出侧的信号线Lout的电压变为HIGH。当HIGH信号输入脉冲发生器PG时,在时间延迟td之后输出LOW(负极性)脉冲。因此,LOW电压施加到晶体管TR1的栅极,并且在晶体管TR1的源极和漏极之间导通。在曲线图64的Vg处,在时段tr内输出LOW脉冲。结果,通过电源电位Vdd提升阴极电位Vca,并且可以再次通过光电二极管PD进行光子检测。

当信号线Lin的电压由于再充电而变为HIGH时,逆变器INV的输出侧的信号线Lout的电压变为LOW。此时,将LOW电压施加到晶体管TR2的栅极,并且在晶体管TR2的源极和漏极之间导通。以这样的方式,晶体管TR2锁存晶体管TR1的状态。通过晶体管TR2,可以抑制通过电流的发生并防止阴极电位Vca变得无穷。

注意,在不仅仅是开关SW2和开关SW3并且开关SW1也导通(开关设置st3)的情况下,晶体管TR0的源极和漏极之间的电压降也有助于淬灭光电二极管PD。当在光电二极管PD的端子之间流动的电流由于淬灭而减小时光电二极管PD的端子之间的电压上升的情况类似于图3中的电路13的情况。

在电路10中,包括晶体管TR1、晶体管TR2、开关SW2、开关SW3和脉冲发生器PG的部分对应于主动再充电电路91。此外,在电路10中,包括晶体管TR0(负载元件90)和开关SW1的部分对应于被动再充电电路。电路10是包括被动再充电电路和主动再充电电路并且能够切换再充电方法的光接收电路的示例。

注意,可以使用具有与电路10(图9)的配置不同的配置的电路。例如,可以使用通过向电路10添加另一元件而产生的电路。另外,可以使用通过使电路10中的极性反转产生的电路。在使用通过使极性反转产生的电路的情况下,可以由NMOS晶体管代替PMOS晶体管。另外,当电路10中的极性反转时,将正偏置电压施加到光电二极管PD的阴极。注意,对于本说明书中描述的其他电路,可以采用反转极性的配置,而不限于电路10。

图12中的电路图示出了脉冲发生器的配置的示例。图12中的脉冲发生器PG包括触发器FP和逆变器INV2。触发器FP是D触发器。信号线Lout连接到触发器F1的D端子。信号线dctr连接到触发器F1的时钟端子。逆变器INV2连接在触发器F1的Q端子和晶体管TR1的栅极之间。

在图12中的脉冲发生器PG中,通过控制信号线dctr上提供的时钟信号,可以改变从信号线Lout的电压变为HIGH电平直到电压Vg变为LOW电平的时间延迟td。例如,当时钟信号中的脉冲之间的间隔增加时,可以增加时间延迟td。另外,当时钟信号中的脉冲之间的间隔减小时,可以减小时间延迟td。如果使用图12中的脉冲发生器PG,则根据从外部提供的时钟信号,控制时间延迟变得容易。例如,可以使控制电路40或时钟生成器251向信号线dctr提供时钟信号。

注意,图12中的电路仅是脉冲发生器PG的示例。因此,可以使用具有与此不同的配置的脉冲发生器。例如,可以根据逆变器链来实现脉冲发生器。另外,可以通过组合延迟器件和逻辑运算元件来实现脉冲发生器。换句话说,只要能够在输入电压的电平改变之后以时间延迟的方式将脉冲输出到晶体管TR1的栅极,则可以使用具有任何电路配置的脉冲发生器。

接下来,假设图9中的电路10被实现为图8中的每个光接收电路11,给出根据本公开的光接收装置的操作的描述。

图13中的曲线图示出了根据本公开的光接收装置生成的以便测量干扰光的直方图的示例。图13中的曲线图的纵轴对应于发生反应的SPAD的数量Nr。同时,曲线图的横轴对应于光子检测时间。为了测量环境(干扰光)的照度,测量电路30在发光元件不发光的时段中测量光接收装置100中的反应的SPAD的数量。另外,直方图生成器31可以用于生成如图13所示的直方图。图13中的曲线图通过虚线指示阈值th1和阈值th2。

测量电路30将反应的SPAD的数量Nr传输到控制电路40。然后,控制电路40可以将反应的SPAD的数量与阈值th1和阈值th2进行比较,并确定再充电方法。在再充电方法中,例如,指定了被动再充电、主动再充电以及被动再充电和主动再充电的组合。另外,可以在再充电方法中指定用于再充电操作时的参数。用于再充电操作时的参数的示例包括生成用于主动再充电的脉冲的时间延迟td或被动再充电时的再充电电流。然而,可以在参数中指定其他类型的设置值。另外,无需能够指定用于再充电操作时的所有参数。例如,在使用具有生成用于主动再充电的脉冲的固定时间延迟td的电路或再充电电流的动态控制不可行的电路的情况下,可以从控制对象中排除这些参数。

通常,估计反应的SPAD的数量Nr与环境的照度相关。因此,如果反应的SPAD的数量Nr大,则可以估计光接收装置100安装在具有高照度的环境中。相较之下,如果反应的SPAD的数量Nr小,则可以估计光接收装置100安装在具有低照度的环境中。

图14中的表指示反应的SPAD的数量与选择的操作模式之间的对应关系的示例。参考图14中的表71,根据发生反应的SPAD的数量来选择不同的操作模式。例如,在发生反应的SPAD的数量Nr大于或等于阈值th2的情况下,执行主动再充电(模式m1)。另外,在反应的SPAD的数量Nr小于阈值th2的情况下,执行被动再充电。在反应的SPAD的数量Nr大于阈值th1并且小于阈值th2的情况下,执行根据再充电电流i1的被动再充电(模式m2)。在反应的SPAD的数量Nr小于或等于阈值th1的情况下,执行根据小于i1的再充电电流i2的被动再充电(模式m3)。

通常,主动再充电使得与被动再充电相比能够更多地缩短死区时间。因此,可以说主动再充电是适合于高照度环境的再充电方法。相较之下,与主动再充电相比,被动再充电具有能够更多地抑制功耗的优点。在被动再充电的情况下,具有大的再充电电流使得能够缩短死区时间。因此,在表71的示例中,期望按模式m3、模式m2和模式m1的顺序缩短SPAD的死区时间。

越是预期能够缩短死区时间的模式,需要的电力就越多。因此,可以说,SPAD的死区时间和功耗处于折中关系。因此,如表71中所例示,根据与环境的照度具有相关性的反应的SPAD的数量Nr,可以选择在死区时间和功耗之间实现平衡的最佳操作模式。以这样的方式,当使用定义包括参数的再充电方法的模式时,可以避免由测量电路30和控制电路40执行的处理的复杂化。

注意,控制电路40可以将在一次测量中获得的反应的SPAD的数量与阈值进行比较。另外,控制电路40可以将基于在多次测量中获得的反应的SPAD的数量的代表值与阈值进行比较。例如,控制电路40可以将测量多次的反应的SPAD的数量的平均值与阈值进行比较。另外,控制电路40可以每次执行测量时就将反应的SPAD的数量与阈值进行比较,并基于具有最高频率的确定结果选择操作模式。

表71中指示的模式的切换仅仅是改变用于光接收电路11的再充电方法的方法的示例。可以根据与表71的方法不同的方法改变用于光接收电路的再充电方法。例如,可以在反应的SPAD的数量超过阈值t_rch的情况下选择主动再充电,并且在反应的SPAD的数量小于或等于阈值t_rch的情况下选择被动再充电。在存在可以在光接收电路11中调整的参数的情况下,可以基于反应的SPAD的数量Nr来确定参数。例如,可以使用以反应的SPAD的数量Nr作为变量的函数来确定脉冲延迟或再充电电流。在这种情况下,可以使用反应的SPAD的数量Nr越大则脉冲延迟的值越小的函数。另外,可以使用反应的SPAD的数量Nr越大则再充电电流的值越大的函数。

图15中的流程图示出了用于确定距离测量条件的处理的示例。下面参考图15中的流程图描述该处理。例如,距离测量条件包括在光接收电路11中使用的再充电方法。

在开始时,供应电力并且光接收装置100被激活(步骤S100)。然后,光接收装置100在发光元件不发光的时段中测量反应的SPAD的数量Nr(步骤S101)。这里,测量电路30可以对从多个光接收电路11(例如,电路10)输出的脉冲进行计数,从而获得反应的SPAD的数量Nr。测量电路30将反应的SPAD的数量Nr传输到控制电路40。

接下来,控制电路40基于反应的SPAD的数量Nr确定要由光接收电路11使用的再充电方法(步骤S102)。这里,控制电路40可以基于测量电路30获得的反应的SPAD的数量Nr来确定要由光接收电路11使用的再充电方法。在步骤S102中,例如,可以选择如图14中的表71中的规定模式之一。

控制电路40(更具体地,SPAD控制器221)经由信号线l_ct发送控制信号。结果,光接收电路11可以例如根据再充电方法执行开关切换。测量电路30可以基于在步骤S102中确定的设置来执行距离测量(步骤S103)。在执行步骤S103的处理之后,可以在不执行距离测量(换句话说,不执行发光元件发光)的定时,再次执行步骤S101及其之后的处理。结果,可以根据环境的照度的变化来设置光接收装置100。

根据本公开的光接收装置可以包括:第一光接收电路,被配置为使得可以切换用于光接收元件的再充电方法;以及控制电路,被配置为基于第一光接收电路通过与光子的反应而输出的信号来控制用于第一光接收电路的再充电方法。另外,根据本公开的光接收电路可以包括多个第一光接收电路。在这种情况下,控制电路被配置为基于多个第一光接收电路输出的信号来控制用于至少一个第一光接收电路的再充电方法。作为光接收元件,可以使用例如雪崩光电二极管。上述光电二极管PD是光接收元件的示例。另外,电路10(图9)是第一光接收电路的示例。然而,第一光接收电路可以是具有与此不同的配置的电路。

用于第一光接收电路中的光接收元件的再充电方法可以包括被动再充电、主动再充电、以及被动再充电和主动再充电的组合中的至少一者。另外,用于第一光接收电路中的光接收元件的再充电方法可以包括被动再充电操作时的再充电电流、以及在主动再充电操作时生成复位脉冲的时间延迟中的至少一者。

另外,根据本公开的光接收装置还可以包括:测量电路,被配置为计数多个第一光接收电路中的反应数量。在这种情况下,控制电路被配置为基于反应数量控制用于至少一个第一光接收电路的再充电方法。

根据本公开的测距装置可以包括发光元件、多个光接收电路和控制电路。每个光接收电路被配置为使得可以切换用于光接收元件的再充电方法。控制电路被配置为:在发光元件不发光的时段内,基于多个光接收电路通过与光子的反应而输出的信号来控制用于至少一个光接收电路的再充电方法。作为光接收元件,可以使用例如雪崩光电二极管。上述光电二极管PD是光接收元件的示例。另外,电路10(图9)是光接收电路的示例。然而,光接收电路可以是具有与此不同的配置的电路。

注意,不需要使光接收装置100中提供的多个光接收电路11全部是可以切换再充电方法的电路(例如,电路10)。例如,在光接收装置中,多个光接收电路11中的一些可以是可以切换再充电方法的电路,而多个光接收电路11中的其余光接收电路可以是被动再充电电路(例如,电路13)。换句话说,根据本公开的光接收装置还可以包括被配置为执行光接收元件的被动再充电的多个第二光接收电路。另外,光接收装置的光接收电路11中的一些可以是主动再充电电路。因此,根据本公开的光接收装置还可以包括被配置为执行光接收元件的主动再充电的多个第三光接收电路。

图16和图17中的平面图示出了像素和再充电电路之间的对应关系的示例。图16示出了像素50至54。在像素50至54中,像素50安装有光接收表面的面积相对大的光电二极管。例如,可以将具有可以切换再充电方法的电路(例如,电路10)的光电二极管安装到像素50。相较之下,像素51至54各自安装有光接收表面的面积相对小的光电二极管。例如,可以将具有被动再充电电路(电路13)的光电二极管安装到像素51至54中的每一个。

图17示出了像素55和像素56。像素55被面积相对大的遮光部75覆盖,因此开口表面80的面积较小。例如,可以将具有被动再充电电路(电路13)的光电二极管安装到像素55。相较之下,像素56被面积相对小的遮光部76覆盖,因此开口表面81的面积较大。例如,可以将具有能够切换再充电方法的电路(例如,电路10)的光电二极管安装到像素56。

光接收电路将检测到光子并进入死区时间的概率取决于光电二极管的光接收表面或开口表面的面积、以及环境的照度。因此,如图16和图17所例示,根据光电二极管的光接收表面或开口表面的面积,可以制备其灵敏度被调整并支持各种照明的光接收电路。例如,可以将能够切换再充电方法的电路(例如,电路10)安装在进入死区时间的概率被估计为相对高的像素中,而将被动再充电电路(例如,电路13)安装在进入死区时间的概率被估计为相对低的像素中。与将能够切换再充电方法的电路安装在所有像素中的情况相比,这可以在保持光子检测精度的同时降低功耗和成本。

换句话说,在根据本公开的光接收装置中,可以是第一光接收电路连接到第一像素,并且第二光接收电路连接到光接收表面或开口表面比第一像素的光接收表面或开口表面小的第二像素。

控制电路40可以均匀地对多个光接收电路11执行相同的设置。例如,控制电路40可以将相同的再充电方法设置到多个光接收电路11。然而,对多个光接收电路11的设置细节不需要相同。例如,控制电路40可以根据光接收电路11设置不同的再充电方法。例如,可以使预定比率的光接收电路11执行主动再充电,而其余的光接收电路11执行被动再充电。例如,可以将40%的光接收电路设置为主动再充电,而将60%的光接收电路设置为被动再充电。

图18示出了对于每个图像的区域设置距离测量条件的示例。另外,图19示出了对于每个图像设置距离测量条件的示例。图18和图19示出了由沿公路高架桥行驶的汽车所成像的图像。该图像包括区域A1、区域A2和区域A3。区域A1对应于天空部分并且具有相对高的照度。区域A2对应于由于高架桥而处于阴影中的部分并且具有相对较低的照度。另外,区域A3对应于其余部分。图像中的区域的照度越大,距离测量时的干扰光越多。因此,可以对于对区域A1进行成像的光接收电路设置预期短死区时间的再充电方法。对于对区域A2进行成像的光接收电路设置预期抑制功耗的再充电方法。

例如,可以使在对区域A1成像的光接收电路中执行主动再充电。还可以使在对区域A2成像的光接收电路中执行被动再充电。通过关于图13所述的方法可以估计图像中的每个区域的照度。例如,直方图生成器31可以对于对各个区域成像的每组光接收电路生成如图13中的直方图。如果将直方图的纵轴的值通过对各个区域成像的光接收电路(像素)的数量而归一化,则可以比较多个区域的照度。

另外,可以对于对区域A1进行成像的光接收电路设置能够预期短死区时间的参数,并且对于对区域A2进行成像的光接收电路设置能够预期抑制功耗的参数。例如,对于区域A1,可以将用于再充电脉冲的时间延迟td设置为短,或可以将再充电电流设置为大。例如,对于区域A2,可以将用于再充电脉冲的时间延迟td设置为长,或可以将再充电电流设置为小。

注意,在存在像图18中的区域A3中一样照度高的像素和照度低的像素的混合的情况下,可以根据具有最高照度的像素来设置用于光接收电路的再充电方法。结果,可以保持高的测距精度。另外,可以基于区域A3内的平均照度,确定用于对区域A3进行成像的光接收电路的再充电方法。

换句话说,根据本公开的光接收装置的控制电路可以被配置为对于捕获图像的每个区域控制用于第一光接收电路的再充电方法。

由于控制电路40的功能或用于传输控制信号的信号线l_ct的拓扑,存在仅能执行均匀地使多个光接收电路的设置相同的情况。另外,还可以存在以光接收电路的组为单位执行再充电方法的指定的实现方式。此外,存在不管可以进行控制的粒度如何,都希望避免使控制算法复杂化的情况。

因此,可以对于整个图像设置相同的再充电方法。在使测距精度为最高优先级的情况下,控制电路40根据测量了最高照度的光接收电路或光接收电路的组,确定要设置到多个光接收电路的再充电方法。另外,可以指定需要特别高的测距精度的图像区域,并且根据通过对该区域进行成像的光接收电路测量的照度,确定要设置到多个光接收电路的再充电方法。例如,在车载设备领域的应用中,可以根据在图17中的区域A5中测量的照度来确定对于整个图像的距离测量条件,在区域A5中存在出现其他汽车、行人、动物等的高可能性。

可以基于图像中高度方向的坐标预先指定出现其他汽车、行人、动物等的可能性高的区域。另外,测量电路30可以使用诸如神经网络的机器学习来动态地提取图像中出现其他汽车、行人、动物等的可能性高的区域。在这种情况下,测量电路30可以根据多个光接收电路(多个SPAD)获得的图像生成训练数据。另外,测量电路30可以根据由其他图像传感器所成像的图像生成训练数据。

换句话说,根据本公开的光接收装置的控制电路可以被配置为使得控制电路基于由第一光接收电路输出的与捕获图像的一部分区域相对应的信号来控制用于多个第一光接收电路的再充电方法。

根据本公开的光接收装置可以是像图1和图2中所示的装置一样包括发光元件和距离计算部的测距装置。然而,根据本公开的光接收装置不一定需要包括测距功能。例如,可以使用其中省略了距离计算部233和触发电路254的装置,如同图20中的光接收装置201一样。光接收装置201可以通过SPAD阵列检测光子,并生成图13中的直方图。光接收装置201可以连接到另一装置,并且添加对应于距离计算部、触发电路和发光元件的功能。另外,光接收装置201可以用作用于确定再充电方法的装置。在这种情况下,另一测距装置可以基于光接收装置201确定的再充电方法来测量距离。

接下来,给出关于基于从光接收电路输出的电压信号执行(作出)错误确定并确定再充电方法的光接收装置的示例的描述。

图21是示出根据第一变形例的光接收装置的示例的示意图。在图21中的光接收装置101中,错误检测器21连接在光接收电路11和采样器20之间。每个错误检测器21被配置为基于从光接收电路11输出的电压信号执行错误检测。例如,错误检测器21设置在图1或图20的电路块241中。可以使多个光接收电路11中的至少一些是可以切换再充电方法的电路(例如,电路13)。光接收装置101中的一些光接收电路11可以是被动再充电电路或主动再充电电路。

注意,图21中所示的光接收装置配置仅仅是示例。例如,错误检测器21可以连接在采样器20和测量电路30的输入端子之间。另外,集成了采样器20的功能和错误检测器21的功能的电路可以连接在相应的光接收电路11和测量电路30的输入端子之间。另外,对应于错误检测器21的功能可以在测量电路30中实现。在这种情况下,可以说测量电路30包括错误检测器21。

图22中的曲线图示出了错误检测器21进行的错误检测的示例。图22中的曲线图65至67示出了光电二极管PD的阴极电位Vca、以及光接收电路11(逆变器INV)的输出电压Vp的波形。在所有曲线图中,横轴指示时间。

曲线图65示出了由于高照度,在阴极电位Vca上升到高于逆变器INV的阈值的电压之前,光电二极管PD与干扰光的光子重新反应且逆变器INV输出的脉冲宽度变得太大的情况(类似于图4中的曲线图61的情况)。例如,错误检测器21检测从光接收电路11输出的电压信号中的脉冲的上升沿。然后,错误检测器21监测脉冲宽度。错误检测器21在脉冲宽度超过阈值t_h的情况下执行错误确定。例如,错误检测器21可以以周期t_s对信号的电压进行采样,并且一旦采样电压连续地为HIGH达到n_h次时,就执行错误确定。在这种情况下,可以设置t_s和n_h的值,使得满足关系t_h=t_s×n_h。另外,可以通过与此不同的方法来执行错误确定。

在曲线图66中,因为光接收电路11中的再充电电流过大,所以光电二极管PD的两个端子之间的电压不降低到击穿电压,并且淬灭可能停止。因此,光接收电路11的输出电压被卡住(类似于图4中的曲线图62的情况)。例如,错误检测器21检测从光接收电路11输出的电压信号中的脉冲的上升沿。错误检测器21随后测量来自光接收电路11的输出电压为HIGH的时段。如果来自光接收电路11的输出电压为HIGH的时段超过阈值t_h,则错误检测器21执行错误确定。在曲线图66的示例中,可以通过与曲线图65的情况中的方法类似的方法来执行错误确定。

在曲线图67中,在与光子反应之后在光电二极管PD中出现残余电荷。因此,由于光接收电路11,即使正在执行用于淬灭和再充电操作,也在光电二极管PD中发生与光子的重新反应。由于与光子重新反应,因此阴极电位Vca出现波动。例如,在来自光接收电路11的电压信号中的脉冲的下降沿之后,在光接收电路11的输出电压为LOW的时段短于阈值t_l的情况下,错误检测器21执行错误确定。例如,错误检测器21可以以周期t_s对信号的电压进行采样,并且在采样的电压连续为LOW的次数小于n_l的情况下执行错误确定。在这种情况下,可以设置t_s和n_l的值使得满足关系t_l=t_s×n_l。另外,可以通过与此不同的方法执行错误确定。

在这里给出在光子检测时光接收电路11输出HIGH电平(正极性)脉冲的情况下进行错误确定的描述。错误检测器21也可以在光接收电路11输出LOW电平(负极性)脉冲的情况下执行错误确定。在这种情况下,在上面给出的描述中,如果错误检测器11以用LOW替换HIGH、用HIGH替换LOW、用脉冲的上升沿替换脉冲的下降沿、以及用脉冲的下降沿替换脉冲的上升沿的方式进行操作就足够了。

在已经执行错误确定的情况下,错误检测器21将错误信号发送到测量电路30。例如,错误检测器21可以使用与在检测光子时发送脉冲的信号线分离的信号线来发送错误信号。可替代地,错误检测器21可以在检测光子时发送脉冲的信号线上叠加错误信号以进行发送。

错误检测器21发送的错误信号可以包括错误代码。错误代码是用于指定错误检测器21检测到的错误类型的信息。例如,可以分别将错误代码E1、E2和E3与上述曲线图65至67中的错误关联。测量电路30对多个光接收电路11的错误确定的数量进行计数。此外,在错误代码被包括在错误信号中的情况下,测量电路30可以对于每个错误代码的错误确定的数量进行计数。除了错误代码之外,错误检测器21还可以发送与错误相关的信息。例如,错误检测器21可以与错误代码E3一起向测量电路30发送关于通过使用错误信号检测到的脉冲之间的间隔t_ip的信息。测量电路30将错误确定的计数数量传输到控制电路40。

控制电路40可以基于对于多个光接收电路11的错误确定的数量来确定再充电方法。例如,在错误确定的数量超过阈值的情况下控制电路40可以改变再充电方法。此外,控制电路40可以基于错误信号中包括的错误代码确定再充电方法。例如,控制电路40可以基于相应错误代码之间的比率确定再充电方法。

例如,在错误确定的数量大于或等于阈值并且错误代码E1以预定或更高比率包括在多个错误信号中的情况下,控制电路40可以在被动再充电时增加再充电电流或将再充电方法改变为主动再充电。另外,在错误确定的数量超过阈值并且错误代码E2的比率超过预定值的情况下,控制电路40可以在被动再充电时减小再充电电流,或将再充电方法切换到主动再充电。

在通过多个光接收电路11执行被动再充电时错误确定的数量超过阈值并且错误代码E3的比率超过预定值的情况下,控制电路40可以增加再充电电流。在通过多个光接收电路11执行主动再充电时错误确定的数量超过阈值并且错误代码E3的比率超过预定值的情况下,可以根据检测到的脉冲之间的间隔t_ip执行不同的处理。在t_ip与主动再充电的脉冲延迟td之间的差小于预定值的情况下,控制电路40可以确定脉冲延迟的设置值td太低并使控制电路40将脉冲延迟td改变到更大的值。另外,在t_ip与主动再充电的脉冲延迟td之间的差大于或等于预定值的情况下,控制电路40可以将主动再充电的脉冲延迟td改变到更小的值。

在以上描述中,给出了控制电路40基于错误代码的比率确定再充电方法的情况的示例。然而,控制电路40可以通过与此不同的方法来确定再充电方法。例如,控制电路40可以将具有相应错误代码的错误信号的数量与阈值进行比较,并根据比较的确定结果确定再充电方法。

图23中的表指示光接收装置101的操作模式的示例。在图23中的表72中,定义了五个操作模式M1至M5。在模式M1和模式M2中,执行主动再充电。在模式M2中,与模式M1相比,主动再充电的脉冲延迟的设置值更大。在模式M3至M5中,执行被动再充电。再充电电流的设置值按模式M5、M4和M3的顺序变大。因此,光接收电路11中预期的死区时间的长度按模式M5、M4、M3、M2和M1的顺序变短。然而,功耗按模式M5、M4、M3、M2和M1的顺序增加。

使用定义了包括参数的再充电方法的模式,从而可以避免使测量电路30和控制电路40执行的处理复杂。例如,测量电路30和控制电路40可以切换操作模式,从而实现如上所述的再充电方法的改变。

图24中的流程图示出了根据光接收装置101确定距离测量条件的处理的示例。下面参考图24中的流程图描述该处理。

在开始时,供应电力并且光接收装置101被激活(步骤S110)。然后,光接收装置101在发光元件不发光的时段中计数多个光接收电路的错误(步骤S111)。在步骤S111中,测量电路30可以从错误检测器21接收错误信号,并基于错误信号对错误进行计数。例如,测量电路30可以通过接收错误信号来获得错误确定的数量的总数。另外,测量电路30可以获得对于单个错误代码的错误确定的数量。以这样的方式,测量电路30可以通过各种方法计数错误。测量电路30将关于错误确定的数量的信息传输到控制电路40。

接下来,控制电路40基于错误计数确定要由光接收电路11使用的再充电方法(步骤S112)。然后,控制电路40在执行所确定的再充电方法的状态下再次计数错误,并确定错误计数是否小于阈值(步骤S113)。根据步骤S113中的确定结果将处理分支开。

在检测到的错误计数小于阈值的情况下(步骤S113中的是),测量电路30可以基于在步骤S112中确定的设置来执行距离测量(步骤S114)。在检测到的错误计数大于或等于阈值的情况下(步骤S113中的否),光接收装置101返回到步骤S112。注意,在执行步骤S114的处理之后,在不执行距离测量(换句话说,不执行发光元件发光)的时段中,可以再次执行步骤S111及其之后的处理。结果,可以根据环境的照度的变化来设置光接收装置101。

可以启动光接收装置101并基于在步骤S111中获得的错误计数,确定光接收装置101的初始状态下的操作模式。例如,在步骤S111中的错误计数大于预定值的情况下,可以将光接收装置101的初始操作模式设置为模式M1。另外,在步骤S111中的错误计数小于预定值的情况下,可以将光接收装置101的初始操作模式设置为模式M5。

控制电路40可以基于初始状态下的操作模式确定改变后的操作模式。例如,在初始操作模式是模式M5的情况下,在错误计数大于或等于阈值的情况下,可以将操作模式改变为模式M4。类似地,在模式M4中,也可以在错误计数大于或等于阈值的情况下,将操作模式改变为模式M3。以这样的方式,在重复地执行操作模式的改变直到错误计数变得小于阈值之后,可以开始测距处理。通过这种方法,可以在功耗和测距精度之间实现平衡。

另外,在初始状态下的操作模式是模式M1的情况下,在错误计数小于阈值的情况下,可以将操作模式改变为模式M2。在模式M2中,也可以在错误计数小于阈值的情况下将操作模式改变为M3。以这样的方式,可以在预期的死区时间最短的操作模式下执行开始,并且在错误计数小于阈值的情况下,改变为更抑制功耗的操作模式。当使用该方法时,可以防止功耗大于必要的功耗。

注意,光接收装置101不一定需要被如上所述地调整。例如,光接收装置101可以在初始状态的操作模式下获得错误计数,并且在错误计数小于阈值的情况下,立即开始距离测量而不改变操作模式。

在光接收装置101中,可以根据环境的照度调整多个光接收电路11的设置。结果,可以确保高的测距精度。

注意,类似于光接收装置100,光接收装置101的控制电路40可以设置在各个光接收电路11之间不同的再充电方法。类似地,光接收装置101的控制电路40可以将相同的再充电方法设置到多个光接收电路11。另外,光接收装置101的控制电路40可以设置在各个光接收电路11之间不同的参数。换句话说,光接收装置101的控制电路40可以将相同的操作模式设置给多个光接收电路11。此外,光接收装置101的控制电路40可以设置在各个光接收电路11之间不同的操作模式。

根据本公开的光接收装置还可以包括错误检测器,其被配置为基于第一光接收电路输出的信号的波形执行错误确定。在这种情况下,控制电路被配置为基于对于多个第一光接收电路输出的信号的错误确定的数量来控制用于至少一个第一光接收电路的再充电方法。另外,错误检测器可以被配置为对脉冲宽度超过第一阈值的信号和脉冲之间的间隔小于第二阈值的信号中的至少一者执行错误确定。上述阈值t_h是第一阈值的示例。另外,上述阈值t_l是第二阈值的示例。

此外,光接收装置101可以对于每个图像区域计数错误并确定对于每个图像区域的距离测量条件(例如,再充电方法),如图18所示。另外,如图19所示,光接收装置101可以对于每个图像区域计数错误并基于计数的结果对于整个图像设置相同的距离测量条件。光接收装置101可以是包括发光元件255、距离测量部234和触发电路254的测距装置。另外,光接收装置101可以是省略了发光元件255、距离测量部234和触发电路254的装置。

接下来,给出关于光接收装置的示例的描述,该光接收装置包括用于在光接收电路的输出信号受到错误确定的情况下纠正该信号的功能。

图25中的示意图示出了根据第二变形例的光接收装置的示例。在图25中的光接收装置102中,纠错电路22连接在光接收电路11和采样器20之间。每个纠错电路22被配置为根据从光接收电路11输出的电压信号纠正被确定为处于错误状态的电压信号。每个纠错电路22对应于向错误检测器21添加用于将已经经受错误确定的电压信号转换为不处于错误状态的电压信号的功能的结果。例如,纠错电路22被设置在图1或图20中的电路块241中。除了错误检测器21被纠错电路22代替之外,光接收装置102的配置和功能类似于上述光接收装置101的配置和功能。

注意,图25中所示的光接收装置配置仅仅是示例。例如,纠错电路22可以连接在采样器20和测量电路30的输入端子之间。另外,集成了采样器20的功能和纠错电路22的功能的电路可以连接在各个光接收电路11和测量电路30的输入端子之间。注意,用于将已经经受错误确定的电压信号转换为不处于错误状态的电压信号的功能可以在测量电路30的输入级上实现。在这种情况下,测量电路30可以基于从错误检测器21接收的错误信号纠正从光接收电路11输出的电压信号。换句话说,测量电路30可以采用包括纠错电路22的配置。

可以使多个光接收电路11中的至少一些是可以切换再充电方法的电路(例如,电路13)。注意,光接收装置101中的一些光接收电路11可以是被动再充电电路或主动再充电电路。

图26和图27中的曲线图示出了用于纠正光接收装置102中的电压波形的处理的示例。在所有曲线图中,横轴指示时间。

图26中的曲线图73示出了纠错电路22的输入电压Vai、纠错电路22的输出电压Vao和错误信号Ves的波形。在曲线图73中的示例中,通过光接收电路11执行被动再充电,并且出现类似于曲线图61(图4)和曲线图65(图22)的现象。在曲线图73中,从光接收电路11输出的脉冲宽度变得太大。例如,纠错电路22检测从光接收电路11输出的电压信号中的脉冲的上升沿。然后,纠错电路22监测脉冲宽度。纠错电路22原样输出输入的信号,直到执行错误确定为止。在脉冲宽度超过阈值t_h的情况下,纠错电路22执行错误确定。当在脉冲检测期间执行错误确定时,纠错电路22掩蔽脉冲中超过阈值t_h的部分。

在曲线图73的示例中,纠错电路22从脉冲的上升沿起的时段t_h的部分中输出HIGH电压。然后,纠错电路22在对应于脉冲宽度超过t_h之后的时段t_m1的部分中输出LOW电压。以这样的方式,即使在光接收电路11输出脉冲宽度超过阈值t_h的脉冲的情况下,纠错电路22也可以将脉冲纠正为脉冲宽度等于阈值t_h的脉冲。注意,在曲线图73的示例中,在脉冲被掩蔽的时段t_m1中,错误信号Ves的电压变为HIGH。结果,可以向作为后级的测量电路30执行已经执行错误确定的通知。注意,纠错电路22可以将错误代码通知给测量电路30。结果,控制电路40可以根据错误类型而不仅仅是错误确定的数量来确定再充电方法。

纠错电路22可以以周期t_s对输入电压Vai进行采样,并且在采样电压连续处于HIGH电平达n_h次的情况下执行错误确定。这里,可以设置t_s和n_h的值,使得满足关系t_h=t_s×n_h。例如,可以设置t_s=1纳秒,n_h=10和t_h=10纳秒。然而,可以通过与此不同的方法来执行错误确定。注意,即使在已经发生曲线图62(图4)和曲线图66(图22)的现象的情况下,纠错电路22也可以纠正电压信号的波形,并输出脉冲宽度等于阈值t_h的脉冲。

图27中的曲线图74示出了纠错电路22的输入电压Vai、纠错电路22的输出电压Vao以及错误信号Ves的波形。在曲线图74的示例中,通过光接收电路11执行主动再充电。在曲线图74的示例中,来自光接收电路11的输出电压(换句话说,纠错电路22的输入电压Vai)由于与曲线图67(图22)中的现象类似的现象而出现波动。纠错电路22原样输出输入的信号,直到执行错误确定为止。例如,在输入电压Vai中的脉冲的下降沿之后,在输入电压Vai为LOW的时段比阈值t_1短的情况下,纠错电路22执行错误确定。纠错电路22可以在执行了错误确定之后输出HIGH错误信号Ves。另外,纠错电路22可以将错误代码通知给测量电路30。纠错电路22在错误确定之后在预定时段t_m2中掩蔽脉冲。

在曲线图74中的示例中,纠错电路22在错误确定之后的时段t_m2中输出处于LOW电平的电压。该时段t_m2将被称为掩蔽时段。在错误确定之后,当经过了掩蔽时段t_m2时,纠错电路22再次原样输出输入的信号。例如,在曲线图74中,在经过了掩蔽时段t_m2之后,纠错电路22再次输出脉冲。作为掩蔽时段t_m2,例如,可以设置大于阈值t_l的值。

另外,纠错电路22可以根据输入电压Vai的错误确定的情况调整掩蔽时段t_m2。例如,在曲线图74中的输入电压Vai中,在第一个脉冲到达之后,三个脉冲以比阈值t_l短的间隔到达。因此,纠错电路22在白色箭头指示的定时相继执行错误确定三次。然而,纠错电路22可以在执行最终错误确定之后在时段t_r内未执行错误确定的情况下解除错误状态。在解除错误状态之后,纠错电路22再次原样输出输入的脉冲。如在曲线图74中的示例中,当解除错误状态时,纠错电路22可以将错误信号Ves设置为LOW。注意,在时段t_m2的持续时间内,纠错电路22可以在每次执行了错误确定时输出不连续的HIGH错误信号Ves,而不是连续输出HIGH错误信号Ves。

例如,纠错电路22可以以周期t_s对信号的电压进行采样,并且在采样电压连续地为LOW的次数小于n_l的情况下执行错误确定。可以设置t_s和n_l的值,使得满足关系t_l=t_s×n_l。然而,纠错电路22可以通过与此不同的方法执行错误确定。

在这里给出关于在光子检测时光接收电路11输出HIGH电平(正极性)脉冲的情况下进行错误确定和纠错的描述。但是,纠错电路22也可以在光接收电路11输出LOW电平(负极性)脉冲的情况下执行错误确定。在这种情况下,在上面给出的描述中,如果纠错电路22以用LOW替换HIGH、用HIGH替换LOW、用脉冲的上升沿替换脉冲的下降沿、以及用脉冲的下降沿替换脉冲的上升沿的方式进行操作就足够了。

根据本公开的光接收装置还可以包括纠错电路,其被配置为基于第一光接收电路输出的信号的波形作出错误确定并纠正对其作出了错误确定的信号的波形。另外,纠错电路可以被配置为对脉冲宽度超过第一阈值的信号和脉冲之间的间隔小于第二阈值的信号中的至少一者执行错误确定。此外,控制电路可以被配置为基于多个第一光接收电路输出的信号的错误确定的数量来控制用于至少一个第一光接收电路的再充电方法。

图9示出了能够切换再充电方法的电路10。然而,电路10仅仅是能够切换再充电方法的电路的示例。因此,能够切换再充电方法的电路可以具有与此不同的配置。

图28中的电路图示出了根据第三变形例的电路的示例。图28中的电路12对应于省略电路10中的晶体管TR2和开关SW3而产生的电路。换句话说,在电路12中,省略了电路10中用于锁存晶体管TR1的状态的部分。在电路12中,当SW1被设置为通而SW2被设置为断时,执行被动再充电。另外,在电路12中,当SW1被设置为断而SW2被设置为通时执行主动再充电。注意,在电路12中,当SW1和SW2都被设置为通时,执行被动再充电和主动再充电。注意,除了不存在用于锁存晶体管TR1的状态的操作之外,电路12的操作类似于上述电路10的操作。

根据本公开的光接收电路可以包括光接收元件、负载元件、第一开关,逆变器、第一晶体管、第二开关和脉冲发生器。负载元件连接到参考电位。第一开关连接在负载元件和光接收元件之间。逆变器经由第二信号线连接到第一开关和光接收元件之间的第一信号线。第一晶体管连接到参考电位。第二开关连接在第一晶体管和第二信号线之间。脉冲发生器连接到作为逆变器的后级的第三信号线、以及第一晶体管的第一控制电极。

这里,光电二极管PD是光接收元件的示例。光接收元件可以是雪崩光电二极管。图9和图28中的晶体管TR0是负载元件的示例。电源电位Vdd是参考电位的示例。开关SW1是第一开关的示例。晶体管TR1是第一晶体管的示例。开关SW2是第二开关的示例。第一信号线对应于例如在开关SW1和光电二极管PD之间连接的信号线。信号线Lin是第二信号线的示例。信号线Lout是第三信号线的示例。晶体管TR1的栅极是第一晶体管的第一控制电极的示例。

脉冲发生器可以被配置为根据第三信号线的电压将脉冲输出到第一控制电极。另外,脉冲发生器可以被配置为当第三信号线的电压电平改变时,以一时间延迟将脉冲输出到第一控制电极。脉冲发生器可以被配置为根据从控制电路提供的控制信号调整时间延迟。可以使用具有任何电路配置的脉冲发生器。

另外,根据本公开的光接收电路还可以包括连接到参考电位的第二晶体管,以及连接在第二晶体管和第二信号线之间的第三开关。在这种情况下,第二晶体管的第二控制电极连接到第三信号线。图9中的晶体管TR2是第二晶体管的示例。图9中的开关SW3是第三开关的示例。另外,例如,第二晶体管的第二控制电极对应于晶体管TR2的栅极。

图29中的电路14对应于通过省略电路10中的负载元件90(晶体管TR0)而产生的电路。换句话说,电路14是不执行被动再充电的主动再充电电路。电路14的操作类似于以下情况:其中,在电路10中,开关SW1被设置为断、开关SW2被设置为通并且开关SW3被设置为通(表70中的开关设置st1)。

上述光接收装置100至102(图8、图21和图25)中的多个光接收电路11中的至少一个可以是电路12或电路14。在这种情况下,控制电路40可以切换开关SW1和开关SW2,并控制提供给信号线dctr的信号。另外,上述电路10、电路12或电路13中的至少一个可以包括在多个光接收电路11中。如上所述,可以基于光电二极管的光接收表面或开口表面的面积(光电二极管将进入死区时间的可能性)确定用作光接收电路11的电路的类型。例如,可以将电路14(主动再充电电路)安装在光接收表面或开口表面的面积大的像素中。

图30中的框图示出了测距装置的示例。图30示出了测距装置202和外部处理电路300。测距装置202对应于从测距装置200的部件(图1)中省略控制电路220的结果。测距装置202的处理电路230经由传输电路211和端子S_OUT连接到外部处理电路300。另外,测距装置202的SPAD控制器221经由端子S_IN和通信电路210连接到外部处理电路300。例如,外部处理电路300是作为ASIC或FPGA的硬件电路。然而,外部处理电路300可以是包括中央处理单元(CPU)和存储器的计算机。在这种情况下,处理电路300通过CPU执行的存储在存储装置中的程序提供各种功能。

外部处理电路300执行对应于图1中的控制电路220(图8、图21和图25中的控制电路40)的功能。换句话说,对于测距装置202,单独的外部处理电路300可以确定用于每个光接收电路11的再充电方法。例如,外部处理电路300可以从处理电路230接收在发光元件不发光的时段内获得的反应的SPAD的数量Nr,并基于反应的SPAD的数量Nr来确定用于每个光接收电路11的再充电方法(图13至图15的方法)。另外,外部处理电路300可以基于错误计数来确定用于每个光接收电路11的再充电方法(图24的方法)。

注意,可以通过有线方式执行或可以无线地执行处理电路300和测距装置202之间的通信。另外,处理电路300可以基于针对每个图像区域确定的反应的SPAD的数量Nr或错误计数来确定用于每个光接收电路11的再充电方法(图18和图19的方法)。

通过使用根据本公开的光接收装置、光接收电路和测距装置,可以根据环境的照度确定要使用的再充电方法。因此,无论环境的照度如何,都可以检测光子并以高精度执行距离测量。

另外,根据本公开的光接收装置、光接收电路和测距装置可以在确定不需要执行主动再充电的情况下执行被动再充电。此外,还可以在被动再充电时抑制再充电电流,或增加生成主动再充电用的脉冲的时间延迟。因此,可以抑制光子检测或距离测量所需的功耗。此外,在根据本公开的光接收装置、光接收电路和测距装置中,由于可以对于每个成像的图像区域执行确定并确定再充电方法或再充电时的参数,因此可以实现根据预期用途的最佳性能。

如本公开(本技术)的技术可以应用于各种产品。例如,如本公开中的技术可以实现为安装到在各种类型的移动体中的任何一种的装置,诸如汽车、电动汽车、混合动力电动车辆、摩托车、自行车、个人移动工具、飞机、无人机、船舶或机器人。

图31是描绘作为可以应用根据本公开的实施例的技术的移动体控制系统的示例的车辆控制系统的示意性配置的示例的框图。

车辆控制系统12000包括经由通信网络12001彼此连接的多个电子控制单元。在图31所示的示例中,车辆控制系统12000包括驱动系统控制单元12010、车身系统控制单元12020、外部车辆信息检测单元12030、车载信息检测单元12040和集成控制单元12050。另外,微计算机12051、声音/图像输出部12052和车载网络接口(I/F)12053被示出为集成控制单元12050的功能配置。

驱动系统控制单元12010根据各种程序控制与车辆的驱动系统相关的设备的操作。例如,驱动系统控制单元12010用作用于生成车辆的驱动力的驱动力生成设备的控制设备,例如内燃发动机或驱动电动机、用于将驱动力传输到轮的驱动传输机构、用于调整车辆转向角的转向机构、用于生成车辆的制动力的制动设备等。

车身系统控制单元12020根据各种程序控制提供给车身的各种设备的操作。例如,车身系统控制单元12020用作用于无钥匙进入系统、智能钥匙系统、动力窗口设备或各种灯(例如前照灯、备用灯、制动灯、转动信号或雾灯)的控制设备。在这种情况下,可以将从移动设备发送的无线电波作为钥匙或各种开关的信号的替代输入车身系统控制单元12020。车身系统控制单元12020接收这些输入的无线电波或信号,并控制车辆的门锁设备、动力窗口设备、灯等。

外部车辆信息检测单元12030检测关于包括车辆控制系统12000的车辆外部的信息。例如,外部车辆信息检测单元12030与成像部12031连接。外部车辆信息检测单元12030使成像部12031对车辆外部的图像进行成像,并接收捕获图像。基于接收的图像,外部车辆信息检测单元12030可以执行检测诸如人、车辆、障碍物、标志或路面上的字符的对象的处理,或检测与其的距离的处理。

成像部12031是接收光、并输出对应于接收的光的光量的电信号的光学传感器。成像部12031可以将电信号输出为图像,或可以将电信号输出为关于测量距离的信息。另外,成像部12031接收的光可以是可见光,或可以是诸如红外线的不可见光。

车载信息检测单元12040检测关于车辆内部的信息。车载信息检测单元12040例如与检测驾驶员的状态的驾驶员状态检测部12041连接。例如,驾驶员状态检测部12041包括对驾驶员成像的相机。基于从驾驶员状态检测部12041输入的检测信息,车载信息检测单元12040可以计算驾驶员的疲劳程度或驾驶员的集中程度,或可以确定驾驶员是否打盹。

微计算机12051可以基于关于车辆的内部或外部的信息来计算用于驱动力生成设备、转向机构或制动设备的控制目标值,该信息由外部车辆信息检测单元12030或车载信息检测单元12040获得,并将控制命令输出到驱动系统控制单元12010。例如,微计算机12051可以执行旨在实现高级驾驶员辅助系统(ADA)的功能的协作控制,该功能包括车辆的碰撞避免或冲击减轻、基于跟随距离的跟随驾驶、车速保持驾驶、车辆碰撞警告、车辆从车道偏离警告等。

此外,微计算机12051可以执行旨在进行自动驾驶的协作控制,这使得通过基于关于车辆外部或内部的信息控制驱动力生成设备、转向机构、制动设备等,车辆自主行驶而不依赖于驾驶员的操作等,该信息由外部车辆信息检测单元12030或车载信息检测单元12040获得。

另外,微计算机12051可以基于关于车辆外部的信息将控制命令输出到车身系统控制单元12020,该信息由外部车辆信息检测单元12030获得。例如,微计算机12051可以通过根据由外部车辆信息检测单元12030检测到的前面的车辆或迎面而来的车辆的位置控制前照灯以便将高光束改变到低光束来执行旨在防止眩光的协作控制。

声音/图像输出部12052将声音和图像中的至少一个的输出信号发送到能够在视觉上或听觉上将信息通知给车辆的乘员或车辆外部的输出设备。在图31的示例中,音频扬声器12061、显示部12062和仪表板12063被示出为输出设备。显示部12062可以例如包括车载显示器和抬头显示器中的至少一个。

图32是描绘成像部12031的安装位置的示例的图。

在图32中,成像部12031包括成像部12101、12102、12103、12104和12105。

成像部12101、12102、12103、12104和12105例如设置在车辆12100的前鼻部、侧视镜、后部保险杠和后门处的各个位置,以及车辆内部内的挡风玻璃上部的位置处。设置到前鼻部的成像部12101和设置到车辆内部内的挡风玻璃的上部的成像部12105主要获得车辆12100前面的图像。设置到侧视镜的成像部12102和12103主要获得车辆12100侧面的图像。设置到后部保险杠或后门的成像部12104主要获得车辆12100后面的图像。设置到车辆内部内的挡风玻璃的上部的成像部12105主要用于检测前面的车辆、行人、障碍物、信号、交通标志、车道等。

顺便提及,图32描绘了成像部12101至12104的拍摄范围的示例。成像范围12111表示设置到前鼻部的成像部12101的成像范围。成像范围12112和12113分别表示设置到侧视镜的成像部12102和12103的成像范围。成像范围12114表示设置到后部保险杠或后门的成像部12104的成像范围。例如,通过叠加由成像部12101至12104成像的图像数据,获得车辆12100的从上方观察的鸟瞰图。

成像部12101至12104中的至少一个可以具有获取距离信息的功能。例如,成像部12101至12104中的至少一个可以是由多个成像元件构成的立体相机,或可以是具有用于相差检测的像素的成像元件。

例如,微计算机12051可以基于从成像部12101至12104获得距离信息来确定到成像范围12111至12114内的每个三维对象的距离和距离的时间变化(关于车辆12100的相对速度),从而将特别是出现在车辆12100的进行路径上并以预定速度(例如,等于或超过0km/小时)在与车辆12100基本相同的方向上进行的最靠近的三维对象提取为前面的车辆。此外,微计算机12051可以预先设置要保持在前面的车辆的前面的跟随距离,并执行自动制动控制(包括跟随停止控制)、自动加速控制(包括跟随开始控制)等。因此,可以执行旨在进行自动驾驶的协作控制,其使车辆自主行驶而不依赖于驾驶员的操作等。

例如,微计算机12051可以基于从成像部12101至12104获得的距离信息将关于三维对象的三维对象数据分类为两轮车辆、标准尺寸的车辆、大尺寸车辆、行人、公用电杆和其他三维对象的三维对象数据,提取分类的三维对象数据,并使用提取的三维对象数据进行自动避障。例如,微计算机12051将车辆12100周围的障碍识别为车辆12100的驾驶员能够在视觉上识别的障碍物和车辆12100的驾驶员难以在视觉上识别的障碍物。然后,微计算机12051确定碰撞风险,其指示与每个障碍物碰撞的风险。在碰撞风险等于或高于设置值并且因此存在碰撞的可能性的情况下,微计算机12051经由音频扬声器12061或显示部12062将警告输出给驾驶员,并经由驱动系统控制单元12010执行强制减速或避开转向。因此,微计算机12051从而可以辅助驾驶以避免碰撞。

成像部12101至12104中的至少一个可以是检测红外线的红外相机。例如,微计算机12051可以通过确定成像部12101至12104的成像图像中是否存在行人来识别行人。例如,通过提取作为红外相机的成像部12101至12104的捕获图像中的特征点的过程和通过对表示对象轮廓的一系列特征点执行模式匹配处理的过程来执行对行人的这样的识别。当微计算机12051确定成像部12101至12104的捕获图像中存在行人并因此识别行人时,声音/图像输出部12052控制显示部12062,以显示用于强调的正方形轮廓线以便叠加在识别的行人上。声音/图像输出部12052还可以控制显示部12062,使得表示行人的图标等被显示在期望位置。

上面给出关于可以应用如本公开中的技术的车辆控制系统的示例的描述。如本公开中的技术可以应用于成像部12031。例如,可以将图1中的测距装置200和图2中的发光元件255实现在成像部12031中。此外,可以在成像部12031中实现图8中的光接收装置100、图20中的光接收装置201、图21中的光接收装置101、图25中的光接收装置102和图30中的外部处理电路300和测距装置202中的至少一个。如本公开中的技术应用于成像部12031,由此可以以高精度执行距离测量,而不管环境的照度如何。结果,可以提高车辆12100的安全性。

注意,本技术可以具有以下配置。

(1)一种光接收装置,包括:

第一光接收电路,被配置为使得切换用于光接收元件的再充电方法;和

控制电路,被配置为基于所述第一光接收电路通过与光子的反应而输出的信号来控制用于所述第一光接收电路的再充电方法。

(2)根据(1)的光接收装置,其中,

所述再充电方法包括被动再充电、主动再充电、以及被动再充电和主动再充电的组合中的至少一者。

(3)根据(1)或(2)的光接收装置,其中,

所述再充电方法包括被动再充电操作时的再充电电流、以及在主动再充电操作时生成复位脉冲的时间延迟中的至少一者。

(4)根据(1)到(3)之一的光接收装置,还包括:

多个所述第一光接收电路,其中,

所述控制电路被配置为基于多个所述第一光接收电路输出的信号控制用于所述第一光接收电路中的至少一个的再充电方法。

(5)根据(4)的光接收装置,还包括:

测量电路,被配置为对多个所述第一光接收电路中的反应数量进行计数,其中,

所述控制电路被配置为基于所述反应数量控制用于至少一个第一光接收电路的再充电方法。

(6)根据(4)或(5)的光接收装置,还包括:

错误检测器,被配置为基于所述第一光接收电路输出的信号的波形执行错误确定,其中,

所述控制电路被配置为基于针对多个所述第一光接收电路输出的信号的错误确定的数量控制用于所述第一光接收电路中的至少一个的所述再充电方法。

(7)根据(6)的光接收装置,其中,

所述错误检测器被配置为对脉冲宽度超过第一阈值的信号和脉冲之间的间隔小于第二阈值的信号中的至少一者执行错误确定。

(8)根据(4)或(5)的光接收装置,其中,

纠错电路被配置为基于所述第一光接收电路输出的信号的波形执行错误确定,并纠正执行了所述错误确定的信号的波形。

(9)根据(8)的光接收装置,其中,

所述纠错电路被配置为对脉冲宽度超过第一阈值的信号和脉冲之间的间隔小于第二阈值的信号中的至少一者执行错误确定。

(10)根据(8)或(9)的光接收装置,其中,

所述控制电路被配置为基于针对多个所述第一光接收电路输出的信号的错误确定的数量来控制用于所述第一光接收电路中的至少一个的再充电方法。

(11)根据(4)到(10)之一的光接收装置,其中,

所述控制电路被配置为对于捕获图像的每个区域控制用于所述第一光接收电路的再充电方法。

(12)根据(4)到(10)之一的光接收装置,其中,

所述控制电路被配置为基于所述第一光接收电路输出的与捕获图像的一部分区域相对应的信号来控制用于多个所述第一光接收电路的再充电方法。

(13)根据(4)到(12)之一的光接收装置,还包括:

多个第二光接收电路,每个第二光接收电路被配置为执行所述光接收元件的被动再充电。

(14)根据(13)的光接收装置,其中,

每个第一光接收电路连接到第一像素,并且

每个第二光接收电路连接到光接收表面或开口表面比所述第一像素的光接收表面或开口表面小的第二像素。

(15)根据(1)到(14)之一的光接收装置,其中,

所述光接收元件是雪崩光电二极管。

(16)一种测距装置,包括:

发光元件;

多个光接收电路,光接收电路被配置为使得切换用于光接收元件的再充电方法;和

控制电路,被配置为在所述发光元件不发光的时段内,基于所述多个光接收电路通过与光子的反应而输出的信号来控制用于所述光接收电路中的至少一个的再充电方法。

(17)一种光接收电路,包括:

光接收元件;

负载元件,连接到参考电位;

第一开关,连接在所述负载元件和所述光接收元件之间;

逆变器,经由第二信号线连接到所述第一开关和所述光接收元件之间的第一信号线;

第一晶体管,连接到参考电位;

第二开关,连接在所述第一晶体管和所述第二信号线之间;以及

脉冲发生器,连接到作为所述逆变器的后级的第三信号线、和所述第一晶体管的第一控制电极。

(18)根据(17)的光接收电路,其中,

所述脉冲发生器被配置为根据所述第三信号线的电压向所述第一控制电极输出脉冲。

(19)根据(18)的光接收电路,其中,

所述脉冲发生器被配置为当所述第三信号线的电压电平改变时,以时间延迟向所述第一控制电极输出脉冲。

(20)根据(17)到(19)之一的光接收电路,还包括:

连接到所述参考电位的第二晶体管;和

连接在所述第二晶体管与所述第二信号线之间的第三开关,其中,

所述第二晶体管的第二控制电极连接到所述第三信号线。

本公开的各方面不限于上述每个实施例,并且包括本领域技术人员可以想到的各种修改。本公开的效果也不限于上述细节。换句话说,在不脱离从权利要求及其等同物中定义的内容得出的本公开的构思和要素的情况下,可以进行各种添加、修改和部分删减。

附图标记列表

OBJ:对象

1:检测部

10、12、13:电路

11:光接收电路

20:采样器

21:错误检测器

22:纠错电路

30:测量电路

40:控制电路

50、51、52、53、54、55、56:像素

75、76:遮光部

80、81:开口表面

90:负载元件

91、91、92:主动再充电电路

100、101、102:光接收装置

200:测距装置

255:发光元件。

再多了解一些

本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。

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