用于暗场；相衬和衰减干涉成像系统的探测器的制作方法

技术特征：
1.一种用于暗场和/或相衬干涉成像系统的探测器(10)，所述探测器包括：-多个像素(50)；-多个第一探测器阵列(20)；-多个第二探测器阵列(30)；以及-处理单元(40)；其中，所述多个像素以二维图案被布置；其中，每个像素包括第一探测器阵列和第二探测器阵列；其中，每个第一探测器阵列包括多个指状物(22)；其中，每个第二探测器阵列包括多个指状物(32)；其中，针对每个像素，所述第一探测器阵列的所述指状物与所述第二探测器阵列的所述指状物交替地交错；其中，针对每个像素，与入射x射线光子的相互作用能够导致在该像素的所述第一探测器阵列的至少一个指状物中的电荷生成，并且能够导致在该像素的所述第二探测器阵列的至少一个指状物中的电荷生成；其中，针对每个像素，所述第一探测器阵列被配置为探测与所述第一探测器阵列的所述多个指状物相关联的累积电荷，并且所述第二探测器阵列被配置为探测与所述第二探测器阵列的所述多个指状物相关联的累积电荷；并且其中，针对每个像素，所述处理单元被配置为基于具有最高累积电荷的探测器阵列将x射线相互作用事件分配给所述第一探测器阵列或所述第二探测器阵列。2.根据权利要求1所述的探测器，其中，针对每个像素，所述处理单元被配置为基于具有最高累积电荷的探测器阵列将由所述第一探测器阵列探测到的所述累积电荷和由所述第二探测器阵列探测到的所述累积电荷分配给所述第一探测器阵列或所述第二探测器阵列。3.根据权利要求1-2中的任一项所述的探测器，其中，直接转换基板与每个像素相关联。4.根据权利要求1-3中的任一项所述的探测器，其中，所述处理单元被配置为当由所述第一探测器阵列探测到的所述累积电荷与由所述第二探测器阵列探测到的所述累积电荷之间的差异大于阈值时，将所述x射线相互作用事件分配给所述第一探测器阵列或所述第二探测器阵列。5.根据权利要求1-4中的任一项所述的探测器，其中，所述处理单元被配置为当由所述第一探测器阵列探测到的所述累积电荷与由所述第二探测器阵列探测到的所述累积电荷之间的差异大于阈值时，将由所述第一探测器阵列探测到的所述累积电荷和由所述第二探测器阵列探测到的所述累积电荷分配给所述第一探测器阵列或所述第二探测器阵列。6.根据权利要求4-5中的任一项所述的探测器，其中，所述处理单元被配置为当由所述第一探测器阵列探测到的所述累积电荷与由所述第二探测器阵列探测到的所述累积电荷之间的所述差异小于或等于阈值时，丢弃由所述第一探测器阵列探测到的所述累积电荷和由所述第二探测器阵列探测到的所述累积电荷。7.根据权利要求1-6中的任一项所述的探测器，其中，在衰减操作模式中，所述处理单元被配置为当由所述第一探测器阵列探测到的所述累积电荷与由所述第二探测器阵列探
测到的所述累积电荷之间的差异小于或等于阈值时，将所述x射线相互作用事件分配给所述第一探测器阵列或所述第二探测器阵列。8.根据权利要求1-7中的任一项所述的探测器，其中，在衰减操作模式中，所述处理单元被配置为当由所述第一探测器阵列探测到的所述累积电荷与由所述第二探测器阵列探测到的所述累积电荷之间的差异小于或等于阈值时，将由所述第一探测器阵列探测到的所述累积电荷和由所述第二探测器阵列探测到的所述累积电荷分配给所述第一探测器阵列或所述第二探测器阵列。9.根据权利要求1-8中的任一项所述的探测器，其中，所述第一探测器阵列的每个指状物具有10-20μm的宽度，并且所述第二探测器阵列的每个指状物具有10-20μm的宽度。10.根据权利要求1-9中的任一项所述的探测器，其中，所述第一探测器阵列的所述指状物与所述第二探测器阵列的所述指状物具有相同的宽度。11.根据权利要求1-9中的任一项所述的探测器，其中，所述第一探测器阵列的所述指状物与所述第二探测器阵列的所述指状物具有不同的宽度。12.根据权利要求1-11中的任一项所述的探测器，其中，每个像素的所述第一探测器阵列包括4或5个指状物，并且每个像素的所述第二探测器阵列包括相等数量的指状物。13.根据权利要求1-12中的任一项所述的探测器，其中，每个像素具有154μm的宽度。14.根据权利要求1-13中的任一项所述的探测器，其中，每个像素具有154μm的垂直于所述宽度的广度。15.一种x射线成像系统(100)，包括：-x射线源(110)；-干涉装置(120)；以及-根据权利要求1-14中的任一项所述的探测器(10)。

技术总结
本发明涉及一种用于暗场和/或相衬干涉成像系统的探测器(10)。探测器包括多个像素(50)、多个第一探测器阵列(20)、多个第二探测器阵列(30)和处理单元(40)。多个像素以二维图案被布置。每个像素包括第一探测器阵列和第二探测器阵列。每个第一探测器阵列包括多个指状物(22)。每个第二探测器阵列包括多个指状物(32)。针对每个像素，第一探测器阵列的指状物与第二探测器阵列的指状物交替交错。针对每个像素，与入射X射线光子的相互作用可以导致在该像素的第一探测器阵列的至少一个指状物中的电荷生成，并且可以导致在该像素的第二探测器阵列的至少一个指状物中的电荷生成。针对每个像素，第一探测器阵列被配置为探测与第一探测器阵列的多个指状物相关联的累积电荷，并且第二探测器阵列被配置为探测与第二探测器阵列的多个指状物相关联的累积电荷。针对每个像素，处理单元被配置为基于具有最高累积电荷的探测器阵列将X射线相互作用事件分配给第一探测器阵列或第二探测器阵列。测器阵列或第二探测器阵列。测器阵列或第二探测器阵列。


技术研发人员：T
受保护的技术使用者：皇家飞利浦有限公司
技术研发日：2020.09.16
技术公布日：2022/5/10