λ/4型电波吸收体的制作方法

λ
/4型电波吸收体
技术领域
1.本发明涉及λ/4型电波吸收体等。


背景技术：

2.近年，移动电话、智能手机等便携通信机器的普及飞速进展，另外在车辆等中也搭载了大量的电子机器，它们产生的电波
·
噪声导致的电波干扰、其他电子机器的故障等问题多有发生。作为防止这样的电波干扰、故障等的对策，各种电波吸收体正在被研究。例如，专利文献1中公开了：在60～90gh z的频率带域中，电磁波吸收量为20db以上的频率带域的带域宽度为2ghz以上的电磁波吸收体。
3.现有技术文献
4.专利文献
5.[专利文献1]日本特开第2018-098367号公报


技术实现要素：

[0006]
发明所解决的技术问题
[0007]
对于通信技术、自动驾驶技术中高频率区域的电波，在广频率范围中高度吸收的电波吸收体的需要正在升高。本发明人在进行研究的过程中，发现了下述情况：这些电波吸收体中，由于作为其构成体之一的电阻膜的薄层电阻的面内不均匀，而存在能够吸收的电波的频率与设计发生偏差。
[0008]
因此，本发明的技术问题在于：提供具备优异的电波吸收性能的λ/4型电波吸收体。
[0009]
解决问题的技术手段
[0010]
本发明人对于所述问题进行了深入研究，其结果，发现了：电阻膜面向的电介质层对电波吸收性能和薄层电阻值的不均匀造成的影响较大。基于该发现，进一步进行了研究，其结果，发现采用下述λ/4型电波吸收体时，能够解决所述问题，所述λ/4型电波吸收体为包含电阻膜、电介质层和反射层的λ/4型电波吸收体，其中，根据热重质谱联用分析测定，由质量18的峰面积求得的水分量为0.7mg/cm2以下。本发明人基于该发现进一步进行了研究，其结果，完成了本发明。
[0011]
即，本发明包含下述方案。
[0012]
项1.一种λ/4型电波吸收体，其为包含电阻膜、电介质层和反射层的λ/4型电波吸收体，其中，根据热重质谱联用分析测定，由质量18的峰面积求得的水分量为0.7mg/cm2以下。
[0013]
项2.根据项1所述的λ/4型电波吸收体，其中，
[0014]
按照电阻膜、电介质层、反射层的顺序进行了叠层。
[0015]
项3.根据项1或2所述的电波吸收体，其中，
[0016]
电阻膜包含钼。
[0017]
项4.根据项1或2所述的电波吸收体，其中，
[0018]
电阻膜包含氧化铟。
[0019]
项5.根据项1～4中任一项所述的电波吸收体，其中，
[0020]
电阻膜的薄层电阻在200～800ω/
□
的范围内。
[0021]
项6.根据项1～5中任一项所述的λ/4型电波吸收体，其中，
[0022]
在电阻膜的任意9点处测定得到的薄层电阻的标准差为5ω/
□
以下。
[0023]
项7.一种带有电磁波吸收体的成形品，其具备：
[0024]
成形品、和
[0025]
安装于所述成形品的项1～6中任一项所述的电磁波吸收体。
[0026]
项8.一种λ/4型电波吸收体用部件，其为具有电阻膜和电介质层的λ/4型电波吸收体用部件，其中，
[0027]
根据热重质谱联用分析测定，由质量18的峰面积求得的水分量为0.7mg/cm2以下。
[0028]
发明的效果
[0029]
根据本发明，能够提供：能够发挥一定程度以上的电波吸收性的λ/4型电波吸收体。
附图说明
[0030]
[图1]表示本发明的λ/4型电波吸收体的一个实例的概要截面图。
[0031]
[图2]上方的图是表示本发明的λ/4型电波吸收体用部件的一个实例的概要截面图。下方是表示以使得该部件相接的方式配置的、可作为反射层而发挥功能的被粘接体的一个实例的概要截面图。
[0032]
[图3]表示本发明的λ/4型电波吸收体的用途的一个实例(介由粘接剂层而安装于成形品的方案的一个实例)的概要截面图。
[0033]
本发明的具体实施方式
[0034]
本说明书中，“含有”和“包含”这样的表达包含：“含有”、“包含”、“实际上由其构成”和“仅由其构成”这样的概念。
[0035]
本发明的一个方案中，涉及一种λ/4型电波吸收体(本说明书中，有时表示为“本发明的λ/4型电波吸收体”)，其为包含电阻膜、电介质层和反射层的λ/4型电波吸收体，其中，根据热重质谱联用分析测定，由质量18的峰面积求得的水分量为0.7mg/cm2以下。在下文中，对其进行说明。
[0036]
《1.特性》
[0037]
本发明的λ/4型电波吸收体具备：根据热重质谱联用分析测定，由质量18的峰面积求得的水分量为0.7mg/cm2以下这样的特性(本说明书中，有时表示为“本发明的特性”)。通过具备该特性，能够发挥优异的电波吸收性能。此外，所述水分量优选为0.6mg/cm2以下，更优选为0.5mg/cm2以下。
[0038]
本发明中，作为提高电波吸收性能的重要原因，可认为：通过将由电波吸收体(特别是电阻膜面向的电介质层)产生的释气设为一定程度以下，能够降低电阻膜的薄层电阻的不均匀。因此，使得能够吸收的电波的频率与设计的偏差变少，电波吸收性能优异。
[0039]
本发明的特性，例如可通过下述方式进行测定。可将电波吸收体以任意的面积进
行切出而得到试验片。对于该试验片，可在以下的条件下测定热重质谱联用分析(tg-ms分析)。
[0040]
(条件)
[0041]
装置：netzsch公司制，商品编号sta449f1和qms403或其同等品
[0042]
tg测定条件：在40℃下将样品室真空脱气1分钟后，用he返回至常压后以50ml/min导入至样品室的同时，以10℃/min的升温速度升温至250℃，在250℃下保持10分钟。
[0043]
ms测定：scan模式
[0044]
管线温度：250℃
[0045]
使用netzsch公司制“proteus thermal analysis”实施在所述的条件下测定得到的数据的解析。将横轴设为温度，将第一纵轴设为tg/％，第二纵轴设为离子强度而制成图表，计算质量(m/z)18的峰面积。使用校准曲线，根据所述峰面积而求得试验片的水分量(mg/cm2)。
[0046]
作为制成所述校准曲线时的标准资料，例如，可使用草酸钙1水合物。例如，在使用草酸钙1水合物作为标准资料的情况下，通过以下的步骤制成校准曲线。
[0047]
(步骤)
[0048]
(1)量取规定量的草酸钙1水合物，以10℃/min加热至900℃。
[0049]
(2)通过netzsch公司制“proteus thermal analysis”而得到质量(m/z)18的色谱图。
[0050]
(3)计算100℃～200℃的峰面积。
[0051]
(4)对于所述(1)～(3)，变更草酸钙1水合物的量测定2～3点而制成校准曲线。
[0052]
本发明的特性，例如可通过电介质层的种类、包含的水分量的调节、对于电波吸收体的加热
·
干燥处理来进行调节。
[0053]
《2.构成》
[0054]
本发明的λ/4型电波吸收体的构成，只要具备所述本发明的特性就没有特别限制，例如可采用电波吸收体的公知的构成。一个实施方式中，本发明的λ/4型电波吸收体具备：具有电阻膜、电介质层和反射层这样的构成。优选的一个实施方式中，本发明的λ/4型电波吸收体具备：具有支撑体、电阻膜、电介质层和反射层这样的构成。在下文中，对于这些实施方式进行说明。
[0055]
《2-1.支撑体》
[0056]
在本发明的λ/4型电波吸收体具有电阻膜的情况下，优选进一步具有支撑体。由此，能够保护电阻膜，能够提高作为电波吸收体的耐久性。支撑体，只要是片状的就没有特别限定。作为支撑体，没有特别限定，例如可举出树脂基材。
[0057]
树脂基材，只要是包含树脂作为原材料的基材，并且是片状的，就没有特别限定。树脂基材，在不会显著损害本发明的效果的范围内，可包含树脂以外的成分。例如，从调节相对介电常数等的观点出发，可包含氧化钛等。树脂基材中的树脂的总量，例如为80质量％以上，优选为90质量％以上，更优选为95质量％以上，进一步优选为99质量％以上，通常不足100质量％。
[0058]
作为树脂，没有特别限制，例如可举出：聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚乙烯萘二甲酸酯、改性聚酯等聚酯类树脂、聚乙烯(pe)树脂、聚丙烯(pp)树脂、聚苯乙烯树脂、环状烯
烃类树脂等聚烯烃类树脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚偏二氟乙烯等乙烯基类树脂、聚乙烯醇缩丁醛(pvb)等聚乙烯醇缩醛树脂、聚醚醚酮(peek)树脂、聚砜(psf)树脂、聚醚砜(pes)树脂、聚碳酸酯(pc)树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸类树脂、三乙酰纤维素(ta c)树脂等。这些可以单独使用1种或组合使用2种以上。
[0059]
这些中，从生产性、强度的观点、本发明的特性的观点等出发，优选可举出聚酯类树脂，更优选可举出聚对苯二甲酸乙二醇酯。
[0060]
支撑体的相对介电常数，没有特别限定。支撑体的相对介电常数，例如为1～20，优选为1～15，更优选为1～10。其中，从能够提高基于膜厚的不均匀的余量这样的观点出发，支撑体的相对介电常数特别优选为1～5。
[0061]
支撑体的相对介电常数，可通过与后述的电介质层的相对介电常数同样的方式进行测定。
[0062]
支撑体的厚度，没有特别限定。支撑体的厚度，例如为5μm以上500μm以下，优选为10μm以上300μm以下，更优选为20μm以上300μm以下。特别是，从本发明的特性的观点出发，支撑体的厚度优选为30μm以上250μm以下，更优选为40μm以上200μm以下。
[0063]
支撑体的层构成没有特别限定。支撑体，可以由1种单独的支撑体构成，也可以由2种以上的支撑体组合而成。
[0064]
《2-2.电阻膜》
[0065]
电阻膜，只要包含能够在电波吸收体中作为电阻层发挥功能的层，就没有特别限定。
[0066]
电阻膜的电阻值，没有特别限定。电阻膜的电阻值，例如为200～800ω/
□
。该范围中，更优选为220～550ω/
□
，进一步优选为250～500ω/
□
。
[0067]
电阻膜的电阻值，可使用非破坏式(涡流法)薄层电阻测定器(ec-80p(nap son株式会社制)或其同等品)进行测定。
[0068]
电阻膜的厚度，没有特别限定。电阻膜的厚度，例如为1nm以上200nm以下，优选为2nm以上100nm以下，更优选为2nm以上50nm以下。
[0069]
电阻膜的层构成没有特别限定。电阻膜，可以由1种单独的层构成，也可以由2种以上的层组合而成。
[0070]
《2-2-1.电阻层》
[0071]
《2-2-1-1.含ito的电阻层》
[0072]
作为电阻层，例如使用氧化铟锡(以下称为“ito”)。尤其是，从非晶质结构极其稳定，即使在高温湿度大的环境下也能够抑制电阻膜的薄层电阻的变动的观点出发，优选使用包含含有1～40重量％的sno2，更优选2～35重量％的sno2的ito的物质。所述ito的含量，在电阻层中，例如为50质量％以上，优选为70质量％以上，更优选为90质量％以上，进一步优选为95质量％以上，通常不足100质量％。
[0073]
《2-2-1-2.含钼的电阻层》
[0074]
作为电阻层，从易于进行耐久性、薄层电阻的调节的观点出发，优选使用含钼的电阻层。钼的含量的下限无特别限定，从进一步提高耐久性的观点出发，优选为5重量％，更优选为7重量％，进一步优选为9重量％，更进一步优选为11重量％，特别优选为13重量％，非常优选为15重量％，最优选为16重量％。另外，所述钼的含量的上限，从表面电阻值的调节
的容易化的观点出发，优选为30重量％，更优选为25重量％，进一步优选为20重量％。
[0075]
所述电阻层含有钼时，更优选进一步含有镍以及铬。通过使电阻层中除了钼外还含有镍以及铬，能够制得耐久性更优异的电波吸收体。作为含有镍、铬以及钼的合金，例如，可以举出哈氏合金b-2、b-3、c-4、c-2000、c-22、c-276、g-30、n、w、x等各种牌号。
[0076]
所述电阻层含有钼、镍以及铬时，优选钼的含量为5重量％以上、镍的含量为40重量％以上、铬的含量为1重量％以上。通过使钼、镍以及铬的含量在所述范围内，能够制得耐久性更优异的电波吸收体。所述钼、镍以及铬的含量进一步优选为，钼含量为7重量％以上、镍含量为45重量％以上、铬含量为3重量％以上。所述钼、镍以及铬的含量更优选为，钼含量为9重量％以上、镍含量为47重量％以上、铬含量为5重量％以上。所述钼、镍以及铬的含量更进一步优选为，钼含量为11重量％以上、镍含量为50重量％以上、铬含量为10重量％以上。所述钼、镍以及铬的含量特别优选为，钼含量为13重量％以上、镍含量为53重量％以上、铬含量为12重量％以上。所述钼、镍以及铬的含量非常优选为，钼含量为15重量％以上、镍含量为55重量％以上、铬含量为15重量％以上。所述钼、镍以及铬的含量最优选为，钼含量为16重量％以上、镍含量为57重量％以上、铬含量为16重量％以上。另外，所述镍的含量优选为80重量％以下，更优选为70重量％以下，再更优选为65重量％以下。所述铬含量的上限，优选为50重量％以下，更优选为40重量％以下，再更优选为35重量％以下。
[0077]
所述电阻层可以含有所述钼、镍以及铬以外的金属。作为这样的金属，例如可以举出铁、钴、钨、锰、钛等。所述电阻层含有钼、镍以及铬时，所述钼、镍以及铬以外的金属的总含量的上限，从电阻层的耐久性的观点出发，优选为45重量％，更优选为40重量％，进一步优选为35重量％，更进一步优选为30重量％，特别优选为25重量％，非常优选为23重量％。所述钼、镍以及铬以外的金属的总含量的下限，例如为1重量％以上。
[0078]
所述电阻层含有铁时，从电阻层的耐久性的观点出发，含量的优选的上限为25重量％，进一步优选的上限为20重量％，更优选的上限为15重量％，优选的下限为1重量％。所述电阻层含有钴和/或锰时，从电阻层的耐久性的观点出发，分别独立地，含量的优选的上限为5重量％，进一步优选的上限为4重量％，更优选的上限为3重量％，优选的下限为0.1重量％。所述电阻层含有钨时，从电阻层的耐久性的观点出发，含量的优选的上限为8重量％，进一步优选的上限为6重量％，更优选的上限为4重量％，优选的下限为1重量％。
[0079]
所述电阻层也可以含有硅和/或碳。电阻层含有硅和/或碳时，所述硅和/或碳的含量，分别独立地优选为1重量％以下，进一步优选为0.5重量％以下。另外，电阻层含有硅和/或碳时，所述硅和/或碳的含量优选为0.01重量％以上。
[0080]
电阻层的电阻值，没有特别限定。电阻层的电阻值，例如为200～600ω/
□
。该范围中，更优选为220～550ω/
□
，进一步优选为250～500ω/
□
。
[0081]
在电阻层的任意9点处测定得到的薄层电阻的标准差没有特别限定。从电波吸收性的观点出发，电阻层的薄层电阻的标准差优选为5ω/
□
以下，更优选为4ω/
□
以下，进一步优选为3ω/
□
以下。电阻层的薄层电阻的标准差的下限没有特别限制，例如为0.01ω/
□
以上，优选为0.1ω/
□
以上。
[0082]
电阻层的任意9点处测定得到的薄层电阻的标准差，可根据用非破坏式(涡流法)薄层电阻测定器(ec-80p(napson株式会社制)或其同等品)测定得到的任意9点处的薄层电阻值来计算。电阻层的薄层电阻的标准差，可通过电波吸收体含有的水分量，在电波吸收体
具有支撑体的情况下，可通过支撑体的与电阻层接触的面的表面粗糙度等，来进行调节。
[0083]
电阻层的厚度，没有特别限定。电阻层的厚度，例如为1nm以上200nm以下，优选为2nm以上100nm以下，更优选为2nm以上50nm以下。
[0084]
电阻层的层构成没有特别限定。电阻层可以由1种单独的电阻层构成，也可以由2种以上的电阻层组合而成。
[0085]
《2-2-2.阻隔层》
[0086]
从耐久性的观点出发，电阻膜优选包含阻隔层。阻隔层，配置在电阻层的至少一个表面上。对于阻隔层，在下文中进行详述。
[0087]
阻隔层只要是能够保护电阻层并抑制其劣化的层，就无特别限制。作为阻隔层的原材料，例如可以举出金属化合物、准金属化合物，优选为金属或准金属的氧化物、氮化物、氮氧化物等。阻隔层，只要不显著损害本发明的效果，也可以包含所述原材料以外的成分。此时，阻隔层中的所述原材料量，例如为80质量％以上，优选为90质量％以上，更优选为95质量％以上，进一步优选为99质量％以上，通常小于100质量％。
[0088]
作为阻隔层所包含的金属元素，例如可以举出钛、铝、铌、钴、镍等。作为阻隔层所包含的准金属元素，例如可以举出硅、锗、锑、铋等。
[0089]
作为所述氧化物，例如可以举出以mo
x
[式中，x是满足式：n/100≤x≤n/2(n为金属或准金属的价数)的数，m为金属元素或准金属元素]表示的化合物。
[0090]
作为所述氮化物，例如可以举出以mny[式中，y是满足式：n/100≤y≤n/3(n是金属或准金属的价数)的数，m为金属元素或准金属元素]表示的化合物。
[0091]
作为所述氮氧化物，例如可以举出以mo
x
ny[式中，x和y满足：n/100≤x，n/100≤y，并且，x y≤n/2(n是金属或准金属的价数)，m为金属元素或准金属元素]表示的化合物。
[0092]
关于所述氧化物或氮氧化物的氧化数x，例如可以通过对包含mo
x
或mo
x
ny的层的截面，以fe-tem-edx(例如，日本电子公司制“jem-arm200f”)进行元素分析，根据包含mo
x
或mo
x
ny的层的截面的单位面积的m和o的元素比算出x，从而算出氧原子的价数。
[0093]
关于所述氮化物或氮氧化物的氮化数y，例如可以通过对包含mny或mo
x
ny的层的截面，以fe-tem-edx(例如，日本电子公司制“jem-arm200f”)进行元素分析，根据包含mny或mo
x
ny层的截面的单位面积的m和n的元素比算出y，从而算出氮原子的价数。
[0094]
作为阻隔层的原材料的具体例，可举出sio2、sio
x
、al2o3、mgal2o4、cuo、cun、tio2、tin、azo(铝掺杂氧化锌)等。
[0095]
阻隔层的厚度，没有特别限定。阻隔层的厚度，例如为1nm以上200nm以下，优选为1nm以上100nm以下，更优选为1nm以上20nm以下。
[0096]
阻隔层的层构成没有特别限定。阻隔层可以由1种单独的阻隔层构成，也可以由2种以上的阻隔层组合而成。
[0097]
《2-3.电介质层》
[0098]
电介质层，只要能够在电波吸收体中对目标波长作为电介质而发挥功能，就没有特别限定。作为电介质层，没有特别限定，例如可举出树脂片、粘接剂等。
[0099]
树脂片只要是包含树脂作为原材料的片状物，就无特别限制。只要不显著损害本发明的效果，树脂片也可以包含树脂以外的成分。此时，树脂片中的树脂的总量，例如为50质量％以上，优选为70质量％以上，更优选为90质量％以上，进一步优选为95质量％以上，
通常小于100质量％。
[0100]
作为树脂，无特别限制，例如优选将乙烯乙酸乙烯酯共聚物(eva)、氯乙烯、氨基甲酸酯、丙烯酸、丙烯酸氨基甲酸酯、聚烯烃、聚乙烯、聚丙烯、聚硅氧烷、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酯、聚苯乙烯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚酰胺、聚砜、聚醚砜、环氧树脂等合成树脂、聚异戊二烯橡胶、聚苯乙烯
·
丁二烯橡胶、聚丁二烯橡胶、氯丁二烯橡胶、丙烯腈
·
丁二烯橡胶、丁基橡胶、丙烯酸橡胶、乙烯
·
丙烯橡胶和硅橡胶等合成橡胶材料作为树脂成分使用。它们可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。
[0101]
电介质层可以是起泡体、粘接剂。作为粘接剂，没有特别限制，例如可举出：丙烯酸类粘接剂、氨基甲酸酯类粘接剂、聚烯烃类粘接剂、聚酯类粘接剂、乙烯基烷基醚类粘接剂、聚酰胺类粘接剂、橡胶类粘接剂、聚硅氧烷类粘接剂、氟类粘接剂等。这些中，从耐候性较高这样的观点出发，优选为丙烯酸类粘接剂。
[0102]
电介质层，可具备粘合性。因此，在通过粘接剂层将不具有粘合性的电介质叠层至其他层的情况下，该电介质和粘接剂层组合而成的层成为“电介质层”。从易于与相邻的层叠层这样的观点出发，电介质层优选包含粘接剂层。
[0103]
电介质层的相对介电常数，只要能够满足本发明的特性，就没有特别限定。电介质层的相对介电常数，例如为1～20，优选为1～15，更优选为1～10。其中，从提高基于电介质的膜厚的不均匀的余量这样的观点出发，电介质层的相对介电常数特别优选为1～5。
[0104]
电介质层的相对介电常数，可通过下述方式进行测定：使用keysight公司制介电常数测定装置(precision lcr meter e4980al)和keycom公司制测定用电极(dpt-2141-01)以1mhz的范围进行测定。
[0105]
电介质层的水分量，只要能够满足本发明的特性，就没有特别限定。电介质层的水分量，从本发明的特性的观点出发，优选为0.5mg/cm2以下。该下限，没有特别限制，例如为0.1μg/cm2。需要说明的是，电介质层的水分量，可通过构成电介质层的成分的种类、通过加热、真空干燥等对电介质层进行处理来调节。
[0106]
电介质层的水分量，可通过与本发明的特性同样的方式而求得。具体而言，例如，可通过下述方式测定。将电介质层以任意的面积进行切出而得到试验片。对于该试验片，在以下的条件下测定热重质谱联用分析(tg-ms分析)。
[0107]
(条件)
[0108]
装置：netzsch公司制，商品编号sta449f1和qms403或其同等品tg测定条件：在40℃下将样品室真空脱气1分钟后，用he返回至常压后以50ml/min导入至样品室的同时，以10℃/min的升温速度升温至250℃，在250℃下保持10分钟。
[0109]
ms测定：scan模式
[0110]
管线温度：250℃
[0111]
使用netzsch公司制“proteus thermal analysis”实施在所述的条件下测定得到的数据的解析。将横轴设为温度，将第一纵轴设为tg/％，第二纵轴设为离子强度而制成图表，计算质量(m/z)18的峰面积。使用校准曲线，根据所述峰面积而求得试验片的水分量(mg/cm2)。
[0112]
作为制成所述校准曲线时的标准资料，例如，可使用草酸钙1水合物。例如，在使用草酸钙1水合物作为标准资料的情况下，通过以下的步骤制成校准曲线。
[0113]
(步骤)
[0114]
(1)量取规定量的草酸钙1水合物，以10℃/min加热至900℃。
[0115]
(2)通过netzsch公司制“proteus thermal analysis”而得到质量(m/z)18的色谱图。
[0116]
(3)计算100℃～200℃的峰面积。
[0117]
(4)对于所述(1)～(3)，变更草酸钙1水合物的量测定2～3点而制成校准曲线。
[0118]
电介质层的厚度，只要能够满足本发明的特性，就没有特别限定。电介质层的厚度，例如为100～1000μm。该厚度，从本发明的特性的观点出发，优选为150～900μm，更优选为200～800μm。
[0119]
电介质层的厚度，可通过nikon digimicro standms-11c nikon d igimicro mfc-101进行测定。
[0120]
电介质层的层构成没有特别限定。电介质层可以由1种单独的电介质层构成，也可以由2种以上的电介质层组合而成。例如，可举出：包含不具有粘合性的电介质及配置在其两面的粘接剂层的3层结构的电介质层、包含具有粘合性的电介质的1层结构的电介质层等。
[0121]
《2-4.反射层》
[0122]
反射层只要能够在电波吸收体中作为电波的反射层而发挥功能，就无特别限制。作为反射层，无特别限制，例如可以举出金属膜。
[0123]
金属膜只要是包含金属作为原材料的层就无特别限制。只要不显著损害本发明的效果，金属膜也可以包含金属以外的成分。此时，金属膜中的金属的总量，例如为30质量％以上，优选为50质量％以上，更优选为75质量％以上，进一步优选为80质量％以上，更进一步优选为90质量％以上，特别优选为95质量％以上，非常优选为99质量％以上，通常小于100质量％。
[0124]
作为金属，无特别限制，例如可以举出铝、铜、铁、银、金、铬、镍、钼、镓、锌、锡、铌、铟等。另外，金属化合物，例如ito等，也可以作为金属膜的原材料使用。它们可以是单独的1种，也可以是2种以上的组合。
[0125]
反射层的厚度无特别限制。反射层的厚度，例如为1μm以上500μm以下，优选为2μm以上200μm以下，更优选为5μm以上100μm以下。
[0126]
反射层的层构成无特别限制。反射层可以是由1种反射层单独构成，也可以是2种以上的反射层多层组合而成。
[0127]
《2-5.层构成》
[0128]
在本发明的λ/4型电波吸收体具有电阻膜、电介质层和反射层的情况下，各层配置为能够发挥电波吸收性能的顺序。作为一个实例，依次配置电阻膜、电介质层和反射层。
[0129]
此外，在本发明的λ/4型电波吸收体具有支撑体的情况下，作为一个实例，依次配置支撑体、电阻膜、电介质层和反射层。
[0130]
在本发明的λ/4型电波吸收体中，除了支撑体、电阻膜、电介质层和反射层以外，可包含其他层。其他层，可配置在支撑体、电阻膜、电介质层和反射层各层的任意一侧的表面上。
[0131]
《3.制造方法》
[0132]
本发明的λ/4型电波吸收体，根据其构成，可通过各种方法、例如公知的制造方法而得到。例如，可通过包含在支撑体上依次叠层电阻膜、电介质层和反射层的工序的方法而得到。
[0133]
叠层方法没有特别限定。
[0134]
电阻膜，例如，可通过溅射法、真空蒸镀法、离子镀法、化学蒸镀法、脉冲激光沉积法等而得到。其中，从膜厚控制性的观点出发，优选溅射法。作为溅射法，无特别限定，例如，可以举出直流磁控溅射、高频磁控溅射和离子束溅射等。另外，溅射装置可以是批次式，也可以是卷对卷式。
[0135]
电介质层、反射层，例如可利用电介质层具有的粘合性来进行叠层。
[0136]
《4.λ/4型电波吸收体用部件》
[0137]
本发明的一个方案中，涉及一种λ/4型电波吸收体用部件，其包含电阻膜和电介质层，其中，根据热重质谱联用分析测定，由质量18的峰面积求得的水分量为0.7mg/cm2以下。λ/4型电波吸收体用部件，是用于以使得电介质层与金属等被粘接体接触的方式进行配置而形成λ/4型电波吸收体的部件。就电阻膜、电介质层、本发明的特性、其它的构成而言，与本发明的λ/4型电波吸收体所涉及的说明同样。
[0138]
《5.用途》
[0139]
本发明的λ/4型电波吸收体具有吸收不需要的电磁波的性能，因此适合用作例如光收发器、下一代移动通信系统(5g)、短距离无线传输技术等中的无线电波对应部件。
[0140]
本发明的一个方案中，可使用本发明的λ/4型电波吸收体，制造例如带有电波吸收体的成形品。带有电波吸收体的成形品具备：成形品和安装于成形品的电波吸收体。成形品，例如为保险杠等车辆部件、雷达装置的壳体等。
[0141]
此外，作为其它的用途，也可基于电波干涉抑制、噪声降低的目的而用于：在车辆、道路、人彼此间进行信息通信的高度道路交通系统(its)、车辆防撞击系统中使用的毫米波雷达中。
[0142]
本发明的一个方案中，涉及一种毫米波雷达，其包含本发明的λ/4型电波吸收体。本发明的λ/4型电波吸收体的对象电波的频率优选为10～150ghz，更优选为50～100ghz，进一步优选为70～90ghz。
[实施例]
[0143]
在下文中，基于实施例对本发明详细地进行说明，但是本发明不限于这些实施例。
[0144]
(1)λ/4型电波吸收体的制造
[0145]
(实施例1)
[0146]
作为支撑体，准备厚度125μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)膜(相对介电常数3.2)。在所述pet膜上通过dc溅射形成薄层电阻值375ω/
□
的电阻膜。溅射如下进行：使用哈氏合金c-276为靶材，以输出0.4kw，ar气体流量100sccm进行导入，将压力调节为0.12pa。接着，在形成的电阻膜上叠层厚度450μm的丙烯酸两面粘合胶带(非支撑类型，相对介电常数2.6)构成的电介质层。进一步，在电介质层的另一侧的面上叠层厚度12μm的铜构成的反射层，得到λ/4型电波吸收体。将得到的λ/4型电波吸收体放入烘箱，在温度110℃的条件下，进行6分钟干燥。
[0147]
(实施例2)
[0148]
将电阻膜的薄层电阻值变更为表1记载的值，就溅射而言，导入将ar与o2的比调节为96:4的气体，调节为0.8pa，使用铟锡氧化物(sno2含量为2重量％)为靶材，以输出5.5kw进行，将得到的λ/4型电波吸收体放入烘箱，在温度110℃的条件下，进行3分钟干燥，除此之外，以与实施例1同样的方式得到λ/4型电波吸收体。
[0149]
(实施例3)
[0150]
将电阻膜的薄层电阻值变更为表1记载的值，将得到的λ/4型电波吸收体放入烘箱，在温度100℃的条件下，进行10分钟干燥，除此之外，以与实施例1同样的方式得到λ/4型电波吸收体。
[0151]
(实施例4)
[0152]
将电阻膜的薄层电阻值变更为表1记载的值，就溅射而言，导入将ar与o2的比调节96:4的气体，调节为0.8pa，使用铟锡氧化物(sno2含量为2重量％)为靶材，以输出5.5kw进行，将得到的λ/4型电波吸收体放入烘箱，在温度100℃的条件下，进行2分干燥，除此之外，以与实施例1同样的方式得到λ/4型电波吸收体。
[0153]
(实施例5)
[0154]
作为支撑体，准备厚度125μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)膜(相对介电常数3.2)。在所述pet膜上通过dc溅射形成薄层电阻值375ω/
□
的电阻膜。溅射如下进行：使用哈氏合金c-276为靶材，以输出0.4kw，ar气体流量100sccm进行导入，将压力调节为0.12pa。接着，在形成的电阻膜上介由丙烯酸两面胶带(相对介电常数：2.6，厚度：30μm)而叠层厚度377μm的聚酰亚胺膜(相对介电常数3.5)构成的电介质。进一步，在电介质层的另一侧的面上叠层厚度12μm的包含铜的反射层，得到λ/4型电波吸收体。将得到的λ/4型电波吸收体放入烘箱，在温度110℃的条件下，进行1分钟干燥。
[0155]
(实施例6)
[0156]
将电阻膜的薄层电阻值变更为表1记载的值，将得到的λ/4型电波吸收体放入真空干燥器，在0.01pa的条件下，进行3小时干燥，除此之外，以与实施例1同样的方式得到λ/4型电波吸收体。
[0157]
(比较例1)
[0158]
将电阻膜的薄层电阻值变更为表1记载的值，就溅射而言，导入将ar与o2的比调节为96:4的气体，调节为0.8pa，使用铟锡氧化物(sno2含量为2重量％)为靶材，以输出5.5kw进行，特别是，得到的λ/4型电波吸收体没有用烘箱进行干燥，除此之外，以与实施例1同样的方式得到λ/4型电波吸收体。
[0159]
(比较例2)
[0160]
将电阻膜的薄层电阻值变更为表1记载的值，将得到的λ/4型电波吸收体放入烘箱，在温度100℃的条件下，进行1分钟干燥，除此之外，以与实施例1同样的方式得到λ/4型电波吸收体。
[0161]
(2)测定，评价
[0162]
(2-1)通过热重质谱联用分析装置进行的水分量的测定
[0163]
将电波吸收体切出纵1cm
×
横1.3cm而得到试验片。对于该试验片，在以下的条件下测定热重质谱联用分析(tg-ms分析)。
[0164]
(条件)
[0165]
装置：netzsch公司制，商品编号sta449f1和qms403
[0166]
样品量：100mg(1cm
×
1.3cm)
[0167]
tg测定条件：在40℃下将样品室真空脱气1分钟后，用he返回至常压后以50ml/min导入至样品室的同时，以10℃/min的升温速度升温至250℃，在250℃下保持10分钟。
[0168]
ms测定：scan模式
[0169]
管线温度：250℃
[0170]
使用netzsch公司制“proteus thermal analysis”实施在所述的条件下测定得到的数据的解析。将横轴设为温度，将第一纵轴设为tg/％，将第二纵轴设为离子强度而制成图表，计算质量(m/z)18的峰面积。使用校准曲线，根据所述峰面积而求得试验片的水分量(mg/cm2)。
[0171]
使用草酸钙1水合物作为制成所述校准曲线时的标准资料，通过以下的步骤制成校准曲线。
[0172]
(步骤)
[0173]
(1)量取规定量的草酸钙1水合物，以10℃/min加热至900℃。
[0174]
(2)通过netzsch公司制“proteus thermal analysis”而得到质量(m/z)18的色谱图。
[0175]
(3)计算100℃～200℃的峰面积。
[0176]
(4)对于草酸钙1水合物的重量1.4mg、4.4mg、9.6mg的3点，测定所述(1)～(3)，制成校准曲线。
[0177]
(2-2)薄层电阻的标准差
[0178]
电波吸收体制备1000小时后，使用非破坏式(涡流法)薄层电阻测定器(e c-80p(napson株式会社制))，将探针放置在与面向支撑体的电阻膜的侧相反的一侧，测定彼此相隔0.5mm的9点的薄层电阻，根据这9点处的薄层电阻值而求出标准差。
[0179]
(2-3)电波吸性能的测定
[0180]
使用网络分析仪ms4647b(anritsu公司制)、自由空间材料测定装置bd1-26.a(keycom公司制)构成电波吸收测定装置。使用该电波吸收测定装置，基于jis r1679对得到的λ/4型电波电磁波吸收体的79ghz处的电波吸收量进行测定。需要说明的是，以使得电波入射方向为垂直入射并且从支撑体侧入射的方式设置λ/4型电波吸收体。将电波吸收量为20db以上的情况设为
○
，将不足20db的情况设为
×
。
[0181]
(3)结果
[0182]
将结果示于表1。
[0183][0184]
符号的说明
[0185]
1 支撑体
[0186]
2 电阻膜
[0187]
3 电介质层
[0188]
4 反射层
[0189]
5 粘接剂层
[0190]
6 成形品