接触电阻的测试方法与装置与流程

1.本技术实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种接触电阻的测试方法与装置。


背景技术：

2.金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,简称mosfet)又称mos晶体管，是半导体器件制造过程中最基本的元器件，已经广泛应用于各种集成电路中。
3.在mos晶体管制备过程中，通常需要对mos晶体管的可靠性进行测试，比如对其接触电阻进行测试。但是，在实际测试过程中，由于接触电阻的阻值会随着环境温度的变化而变化，很难保持在一固定值，因此会对整个mos晶体管的测试精确度存在较大影响。


技术实现要素：

4.本技术实施例提供一种接触电阻的测试方法与装置，可以提升现有技术中mos晶体管的测试精确度。
5.第一方面，本技术实施例提供一种接触电阻的测试方法，用于测试mos晶体管的接触电阻，包括以下步骤：
6.获取所述接触电阻的单位面积电阻值；
7.获取所述接触电阻的电阻温度系数；
8.根据所述单位面积电阻值、所述电阻温度系数、所述接触电阻的面积确定所述接触电阻的目标电阻值。
9.在一种可行的实施方式中，所述接触电阻包括第一接触电阻与第二接触电阻，所述第一接触电阻与所述半导体场效应晶体管的源极连接，所述第二接触电阻与所述半导体场效应晶体管的漏极连接。
10.在一种可行的实施方式中，所述获取所述接触电阻的电阻温度系数，包括：
11.获取当前检测环境的环境温度；
12.确定所述接触电阻的电阻温度参数；
13.根据预设的标准温度、所述环境温度以及所述电阻温度参数，得到所述接触电阻的电阻温度系数。
14.在一种可行的实施方式中，所述电阻温度参数包括第一电阻温度参数与第二电阻温度参数，所述确定所述接触电阻的电阻温度参数，包括：
15.获取所述接触电阻在预设的多个采样温度下对应的电阻值；
16.根据各个采样温度与所述接触电阻在各个采样温度下对应的电阻值，确定所述第一电阻温度参数与所述第二电阻温度参数。
17.在一种可行的实施方式中，所述根据预设的标准温度、所述环境温度以及所述电阻温度参数，得到所述接触电阻的电阻温度系数，包括：
18.通过以下方式得到所述接触电阻的电阻温度系数：
19.rconfet_temper＝1 (temper-tnom)*(tc1rcon tc2rcon*(temper-tnom))
20.其中，rconfet_temper表示所述电阻温度系数，temper表示所述环境温度，tnom表示所述标准温度，tc1rcon表示所述第一电阻温度参数，tc2rcon表示所述第二电阻温度参数。
21.在一种可行的实施方式中，所述根据所述单位面积电阻值、所述电阻温度系数、所述接触电阻的面积确定所述接触电阻的目标电阻值，包括：
22.根据所述单位面积电阻值、所述电阻温度系数、所述第一接触电阻的面积，确定所述第一接触电阻的第一目标电阻值；
23.根据所述单位面积电阻值、所述电阻温度系数、所述第二接触电阻的面积，确定所述第二接触电阻的第二目标电阻值。
24.在一种可行的实施方式中，所述根据所述单位面积电阻值、所述电阻温度系数、所述第一接触电阻的面积，确定所述第一接触电阻的第一目标电阻值，包括：
25.通过以下方式确定所述第一目标电阻值：
26.rdc＝rconfet*rconfet_temper*1/s127.所述根据所述单位面积电阻值、所述电阻温度系数、所述第二接触电阻的面积，确定所述第二接触电阻的第二目标电阻值，包括：
28.通过以下方式确定所述第二目标电阻值：
29.rsc＝rconfet*rconfet_temper*1/s230.其中，rdc表示所述第一目标电阻值，rsc表示所述第二目标电阻值，rconfet表示所述单位面积电阻值，rconfet_temper表示所述电阻温度系数，s1表示所述第一接触电阻的面积，s2表示所述第二接触电阻的面积。
31.第二方面，本技术实施例提供一种接触电阻的测试装置，用于测试mos晶体管的接触电阻，所述装置包括：
32.获取模块，用于获取所述接触电阻的单位面积电阻值；
33.所述获取模块，还用于获取所述接触电阻的电阻温度系数；
34.处理模块，用于根据所述单位面积电阻值、所述电阻温度系数、所述接触电阻的面积确定所述接触电阻的目标电阻值。
35.在一种可行的实施方式中，所述接触电阻包括第一接触电阻与第二接触电阻，所述第一接触电阻与所述半导体场效应晶体管的源极连接，所述第二接触电阻与所述半导体场效应晶体管的漏极连接。
36.在一种可行的实施方式中，所述获取模块用于：
37.获取当前检测环境的环境温度；
38.确定所述接触电阻的电阻温度参数；
39.根据预设的标准温度、所述环境温度以及所述电阻温度参数，得到所述接触电阻的电阻温度系数。
40.在一种可行的实施方式中，所述电阻温度参数包括第一电阻温度参数与第二电阻温度参数，所述获取模块用于：
41.获取所述接触电阻在预设的多个采样温度下对应的电阻值；
42.根据各个采样温度与所述接触电阻在各个采样温度下对应的电阻值，确定所述第
一电阻温度参数与所述第二电阻温度参数。
43.在一种可行的实施方式中，所述获取模块用于通过以下方式得到所述接触电阻的电阻温度系数：
44.rconfet_temper＝1 (temper-tnom)*(tc1rcon tc2rcon*(temper-tnom))
45.其中，rconfet_temper表示所述电阻温度系数，temper表示所述环境温度，tnom表示所述标准温度，tc1rcon表示所述第一电阻温度参数，tc2rcon表示所述第二电阻温度参数。
46.在一种可行的实施方式中，所述处理模块用于：
47.根据所述单位面积电阻值、所述电阻温度系数、所述第一接触电阻的面积，确定所述第一接触电阻的第一目标电阻值；
48.根据所述单位面积电阻值、所述电阻温度系数、所述第二接触电阻的面积，确定所述第二接触电阻的第二目标电阻值。
49.在一种可行的实施方式中，所述处理模块用于：
50.通过以下方式确定所述第一目标电阻值：
51.rdc＝rconfet*rconfet_temper*1/s152.通过以下方式确定所述第二目标电阻值：
53.rsc＝rconfet*rconfet_temper*1/s254.其中，rdc表示所述第一目标电阻值，rsc表示所述第二目标电阻值，rconfet表示所述单位面积电阻值，rconfet_temper表示所述电阻温度系数，s1表示所述第一接触电阻的面积，s2表示所述第二接触电阻的面积。
55.本技术所提供的接触电阻的测试方法与装置，用于测试mos晶体管的接触电阻；上述方法包括：获取接触电阻的单位面积电阻值与电阻温度系数，根据上述单位面积电阻值、电阻温度系数以及接触电阻的面积，确定接触电阻的目标电阻值。即本技术实施例在测试mos晶体管的接触电阻时，能够根据接触电阻的电阻温度系数，对接触电阻的测量结果进行校正，从而可以有效消除环境温度对接触电阻的测量结果的影响，进而提升mos晶体管的测量精确度。
附图说明
56.为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对本技术实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
57.图1为本技术实施例中提供的一种半导体器件的结构示意图；
58.图2为本技术实施例中提供的一种接触电阻的测试方法的流程示意图；
59.图3为本技术实施例中提供的一种接触电阻的测试方法的子流程示意图；
60.图4为本技术实施例中提供的一种接触电阻的测试装置的程序模块示意图。
具体实施方式
61.为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例
中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
62.在现有的集成电路制造中，随着半导体集成电路技术的不断进步和特征尺寸的不断减小，使得单片晶圆上的器件数量不断增加，电路的功能得到了改进，而随着工艺制造中的环节要求越来越精细，器件的可靠性也显得日益重要。
63.金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,简称mosfet)又称mos晶体管。mos晶体管是半导体器件制造过程中最基本的元器件，已经广泛应用于各种集成电路中。参见图1，图1为本技术实施例中提供的一种半导体器件的结构示意图，在图1中，上述半导体器件基于mos晶体管构成，具体包括：
64.p型衬底100(p-substrate，简称psub)、深n阱结构200(deep n-well，简称dnw)、p阱结构300(简称pwell)、浅槽隔离结构400(shallow trench isolation，简称sti)、n 注入区501与n 注入区502、多晶硅结构600(poly)、第一接触电阻701以及第二接触电阻702。
65.其中，n 注入区501与n 注入区502陷入p阱结构300的内部，第一接触电阻701位于n 注入区501的上方，并与n 注入区501形成欧姆接触；第二接触电阻702位于n 注入区502的上方，并与n 注入区502形成欧姆接触。
66.其中，n 注入区501构成mos晶体管的源极区，n 注入区502构成mos晶体管的漏极区，多晶硅结构600构成mos晶体管的栅极区。
67.在一些实施例中，在对mos晶体管进行测试时，可以基于bsim4测试模型对mos晶体管的源极、漏极以及栅极构成的区域进行测试。其中，bsim4测试模型是一种用于测试电路仿真和cmos技术发展的一种基于物理的、具有精确性、可升级性、健壮性、语言性等特点的软件模拟系统，能提供标准电路的直流分析，瞬时分析，交流分析等数据。
68.在一些实施例中，在基于上述bsim4测试模型对mos晶体管进行测试时，还需要在测试模型中添加mos晶体管的接触电阻的电阻值。其中，mos晶体管的接触电阻作为mos晶体管的重要元件，其电阻值的大小对mos晶体管的电学特性而言至关重要。而由于接触电阻的阻值会随着环境温度的变化而变化，由此可能会导致整个mos晶体管的测试精确度存在较大误差。
69.为了解决上述技术问题，本技术实施例提供了一种接触电阻的测试方法，在测试mos晶体管的接触电阻时，根据接触电阻的电阻温度系数，对接触电阻的测量结果进行校正，从而可以有效消除环境温度对接触电阻的测量结果的影响，进而提升mos晶体管的测量精确度。具体实施方式可以参加以下实施例中的描述。
70.参照图2，图2为本技术实施例中提供的一种接触电阻的测试方法的流程示意图，在本技术一种可行的实施方式中，上述接触电阻的测试方法包括以下步骤：
71.s201、获取接触电阻的单位面积电阻值。
72.可以理解的是，在温度一定的情况下，常规材料的电阻值r与材料的长度l成正比，与材料的面积s成反比，通常表示为：r＝ρl/s，其中，ρ表示材料的电阻率。
73.在一些实施例中，上述接触电阻的单位面积电阻值可以理解为是接触电阻在每个单位面积内所产生的电阻值。
74.s202、获取上述接触电阻的电阻温度系数。
75.在半导体结构中，接触电阻的阻值在与它所在的环境温度具有线性关系，上述电阻温度系数(temperature coefficient of resistance简称tcr)则可以用来表征接触电阻的阻值和它所在的环境温度之间的关系。例如，可以用于表示当上述接触电阻所在的环境温度改变1摄氏度时，其电阻值的相对变化量，单位为ppm/℃。
76.由于电阻温度系数并不恒定，而是一个随着温度变化而变化的值，随着温度的增加，电阻温度系数通常会变小。因此，本实施例中获取上述接触电阻的电阻温度系数是指获取当前环境温度下上述接触电阻的电阻温度系数。
77.s203、根据上述单位面积电阻值、电阻温度系数、上述接触电阻的面积，确定上述接触电阻的目标电阻值。
78.本技术实施例中，在确定上述接触电阻的单位面积电阻值、当前环境温度下的电阻温度系数之后，即可根据上述单位面积电阻值、电阻温度系数以及上述接触电阻的面积，计算出上述接触电阻的目标电阻值。
79.可以理解的是，由于本技术实施例中所计算出的目标电阻值引入了接触电阻在当前环境温度下的电阻温度系数，因此，可以有效消除温度对接触电阻测量结果的影响，有效减小计算出的目标电阻值与接触电阻的实际电阻值之间的误差，由此，将上述目标电阻值输入mos晶体管的测量模型中之后，能够有效提升mos晶体管的测量精度。
80.需要说明的是，上述接触电阻包括图1所示的第一接触电阻701与第二接触电阻702，通过上述实施例，可以分别得到第一接触电阻701与第二接触电阻702对应的目标电阻值。
81.本技术实施例所提供的接触电阻的测试方法，在测试过程中能够根据接触电阻的电阻温度系数，对接触电阻的测量结果进行校正，从而可以有效消除环境温度对接触电阻的测量结果的影响，进而提升mos晶体管的测量精度。
82.基于上述实施例中所描述的内容，参照图3，图3为本技术实施例中提供的一种接触电阻的测试方法的子流程示意图。在本技术一种可行的实施方式中，上述实施例中步骤s202描述的获取上述接触电阻的电阻温度系数，具体包括以下步骤：
83.s301、获取当前检测环境的环境温度。
84.s302、确定所述接触电阻的电阻温度参数。
85.s303、根据预设的标准温度、所述环境温度以及所述电阻温度参数，得到所述接触电阻的电阻温度系数。
86.可选的，可以采用一些常规的测温方式，来检测当前测试环境的环境温度。
87.可选的，上述接触电阻的电阻温度参数包括第一电阻温度参数与第二电阻温度参数，上述接触电阻的电阻温度参数可以通过以下方式来确定：
88.获取上述接触电阻在预设的多个采样温度下对应的电阻值；根据各个采样温度与接触电阻在各个采样温度下对应的电阻值，确定第一电阻温度参数与第二电阻温度参数。
89.示例性的，假设tc1rcon表示上述第一电阻温度参数，tc2rcon表示上述第二电阻温度参数，t
x
表示采样温度，则接触电阻的电阻值r与tc1rcon、tc2rcon、t
x
的关系可以通过一个二元n次函数来表示。例如：
90.r＝tc1rcon*t
x
tc2rcon*t
x2
c，c为预设系数；
91.在一种可行的实施方式中，可以在一定的温度范围内，随机选取若干个采样温度
值，并测量出上述接触电阻在各个采样温度值下的真实的电阻值，然后将各个采样温度值与接触电阻在各个采样温度下对应的电阻值分别输入上述二元n次函数，即可在坐标系中获得若干个点，通过曲线拟合，即可得到上述第一电阻温度参数tc1rcon与第二电阻温度参数tc2rcon的最佳取值。
92.可选的，可以采用最小二乘法对上述二元n次函数进行曲线拟合，也可以采用matlab软件对上述二元n次函数进行曲线拟合，本技术实施例对具体的曲线拟合方式不做限定。
93.在一些实施例中，在确定出接触电阻的电阻温度参数之后，即可根据该电阻温度参数、以及预设的标准温度与当前测试环境的环境温度，得到上述接触电阻的电阻温度系数。
94.可选的，可以通过以下方式得到上述接触电阻的电阻温度系数：
95.rconfet_temper＝1 (temper-tnom)*(tc1rcon tc2rcon*(temper-tnom))
96.其中，rconfet_temper表示上述电阻温度系数，temper表示上述环境温度，tnom表示上述标准温度，tc1rcon表示上述第一电阻温度参数，tc2rcon表示上述第二电阻温度参数。
97.其中，上述标准温度是为了使测量条件标准化而设定的，以允许在不同组数据之间进行比较。可以选用一个被许多测量模型所引用的国际公认数值。例如冰的熔化温度，即水的凝点：0℃(273.15k)。
98.本技术实施例所提供的接触电阻的测试方法，在检测当前检测环境的环境温度，以及通过曲线拟合得到上述接触电阻的电阻温度参数之后，即可根据预设的标准温度、当前检测环境的环境温度以及上述电阻温度参数，计算得到上述接触电阻在当前检测环境下的电阻温度系数，进而在后续的电阻值测量过程中，能够根据该电阻温度系数对接触电阻的测量结果进行校正，提高接触电阻的测量准确度，进而提升mos晶体管的测量精确度。
99.基于上述实施例中所描述的内容，本技术实施例所提供的接触电阻的测试方法中，在确定接触电阻的电阻温度系数之后，即可根据接触电阻的单位面积电阻值、上述电阻温度系数以及接触电阻的面积，计算出上述接触电阻的目标电阻值。
100.示例性的，通过以下方式确定上述第一接触电阻的第一目标电阻值：
101.rdc＝rconfet*rconfet_temper*1/s1102.通过以下方式确定上述第二接触电阻的第二目标电阻值：
103.rsc＝rconfet*rconfet_temper*1/s2104.其中，rdc表示上述第一目标电阻值，rsc表示上述第二目标电阻值，rconfet表示上述单位面积电阻值，rconfet_temper表示上述电阻温度系数，s1表示上述第一接触电阻的面积，s2表示上述第二接触电阻的面积。
105.本技术实施例所提供的接触电阻的测试方法，在测试过程中能够根据接触电阻的电阻温度系数，对接触电阻的测量结果进行校正，从而可以有效消除环境温度对接触电阻的测量结果的影响，提高接触电阻的测量准确度。
106.基于上述实施例中所描述的内容，本技术实施例中还提供一种接触电阻的测试装置，用于测试mos晶体管的接触电阻，参照图4，图4为本技术实施例中提供的一种接触电阻的测试装置的程序模块示意图。
107.在本技术一种可行的实施方式中，上述接触电阻的测试装置40包括：
108.获取模块401，用于获取接触电阻的单位面积电阻值，以及获取上述接触电阻的电阻温度系数。
109.处理模块402，用于根据上述单位面积电阻值、电阻温度系数、上述接触电阻的面积，确定上述接触电阻的目标电阻值。
110.本技术实施例所提供的接触电阻的测试装置40，可以用于测试mos晶体管的接触电阻，在测试过程中，根据接触电阻的电阻温度系数，对接触电阻的测量结果进行校正，从而可以有效消除环境温度对接触电阻的测量结果的影响，提升mos晶体管的测量精度。
111.在一种可行的实施方式中，上述接触电阻包括第一接触电阻与第二接触电阻，第一接触电阻与上述mos晶体管的源极连接，所述第二接触电阻与上述mos晶体管的漏极连接。
112.在一种可行的实施方式中，获取模块401用于：
113.获取当前检测环境的环境温度；确定上述接触电阻的电阻温度参数；根据预设的标准温度、上述环境温度以及上述电阻温度参数，得到上述接触电阻的电阻温度系数。
114.在一种可行的实施方式中，上述电阻温度参数包括第一电阻温度参数与第二电阻温度参数，上述获取模块401用于：
115.获取上述接触电阻在预设的多个采样温度下对应的电阻值；根据各个采样温度与上述接触电阻在各个采样温度下对应的电阻值，确定上述第一电阻温度参数与上述第二电阻温度参数。
116.在一种可行的实施方式中，获取模块401用于通过以下方式得到上述接触电阻的电阻温度系数：
117.rconfet_temper＝1 (temper-tnom)*(tc1rcon tc2rcon*(temper-tnom))
118.其中，rconfet_temper表示上述电阻温度系数，temper表示上述环境温度，tnom表示上述标准温度，tc1rcon表示上述第一电阻温度参数，tc2rcon表示上述第二电阻温度参数。
119.在一种可行的实施方式中，处理模块402用于：
120.根据上述单位面积电阻值、上述电阻温度系数、上述第一接触电阻的面积，确定上述第一接触电阻的第一目标电阻值；根据上述单位面积电阻值、上述电阻温度系数、上述第二接触电阻的面积，确定上述第二接触电阻的第二目标电阻值。
121.在一种可行的实施方式中，处理模块402用于：
122.通过以下方式确定上述第一目标电阻值：
123.rdc＝rconfet*rconfet_temper*1/s1124.通过以下方式确定上述第二目标电阻值：
125.rsc＝rconfet*rconfet_temper*1/s2126.其中，rdc表示上述第一目标电阻值，rsc表示上述所述第二目标电阻值，rconfet表示上述单位面积电阻值，rconfet_temper表示上述电阻温度系数，s1表示上述第一接触电阻的面积，s2表示上述第二接触电阻的面积。
127.可以理解的是，上述接触电阻的测试装置40中的各个功能模块所实现的功能，与上述实施例中所描述的接触电阻的测试方法中的各个步骤相对应，因此，上述接触电阻的
测试装置40中的各个功能模块详细的实现过程，可以参照上述实施例中所描述的接触电阻的测试方法中的各个步骤，在此不再赘述。
128.进一步的，基于上述实施例中所描述的内容，本技术实施例中还提供了一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质中存储有计算机执行指令，当处理器执行所述计算机执行指令时，以实现如上述实施例中描述的接触电阻的测试方法中的各个步骤。
129.在本技术所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的设备和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的设备实施例仅仅是示意性的，例如，所述模块的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个模块可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或模块的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
130.所述作为分离部件说明的模块可以是或者也可以不是物理上分开的，作为模块显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。
131.另外，在本技术各个实施例中的各功能模块可以集成在一个处理单元中，也可以是各个模块单独物理存在，也可以两个或两个以上模块集成在一个单元中。上述模块成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用硬件加软件功能单元的形式实现。
132.上述以软件功能模块的形式实现的集成的模块，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。上述软件功能模块存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)或处理器(英文：processor)执行本技术各个实施例所述方法的部分步骤。
133.应理解，上述处理器可以是中央处理单元(英文：central processing unit，简称：cpu)，还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(英文：digital signal processor，简称：dsp)、专用集成电路(英文：application specific integrated circuit，简称：asic)等。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。结合申请所公开的方法的步骤可以直接体现为硬件处理器执行完成，或者用处理器中的硬件及软件模块组合执行完成。
134.存储器可能包含高速ram存储器，也可能还包括非易失性存储nvm，例如至少一个磁盘存储器，还可以为u盘、移动硬盘、只读存储器、磁盘或光盘等。
135.总线可以是工业标准体系结构(industry standard architecture，isa)总线、外部设备互连(peripheral component，pci)总线或扩展工业标准体系结构(extended industry standard architecture，eisa)总线等。总线可以分为地址总线、数据总线、控制总线等。为便于表示，本技术附图中的总线并不限定仅有一根总线或一种类型的总线。
136.上述存储介质可以是由任何类型的易失性或非易失性存储设备或者它们的组合实现，如静态随机存取存储器(sram)，电可擦除可编程只读存储器(eeprom)，可擦除可编程只读存储器(eprom)，可编程只读存储器(prom)，只读存储器(rom)，磁存储器，快闪存储器，磁盘或光盘。存储介质可以是通用或专用计算机能够存取的任何可用介质。
137.一种示例性的存储介质耦合至处理器，从而使处理器能够从该存储介质读取信
息，且可向该存储介质写入信息。当然，存储介质也可以是处理器的组成部分。处理器和存储介质可以位于专用集成电路(application specific integrated circuits，简称：asic)中。当然，处理器和存储介质也可以作为分立组件存在于电子设备或主控设备中。
138.本领域普通技术人员可以理解：实现上述各方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成。前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中。该程序在执行时，执行包括上述各方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括：rom、ram、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
139.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的范围。