半导体器件及其制造方法与流程

技术特征：

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体器件的制造方法包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多个分立的导电层，相邻的两个所述导电层之间暴露出所述半导体衬底；

形成钝化层，所述钝化层覆盖所述导电层的侧壁和顶部以及所述半导体衬底，所述导电层侧壁的钝化层的厚度与所述导电层顶部的钝化层的厚度相同；

在所述钝化层上形成侧墙材料层，所述侧墙材料层覆盖所述钝化层；

对所述侧墙材料层进行刻蚀，去除所述导电顶部的所述侧墙材料层以暴露出所述导电层顶部的所述钝化层，以及去除所述半导体衬底上的侧墙材料层并保留所述导电层侧壁的所述侧墙材料层以形成侧墙层；以及，

刻蚀所述导电层顶部的所述钝化层，以形成暴露出所述导电层的开口。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述钝化层包括第一钝化层和覆盖所述第一钝化层的第二钝化层，所述第一钝化层的材质与所述第二钝化层的材质不同。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一钝化层的材质为氧化硅，通过等离子体增强化学气相沉积的方式形成所述第一钝化层；所述第二钝化层的材质为氮化硅和/或氮氧化硅，通过热处理的方式形成所述第二钝化层。

4.如权利要求2或3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一钝化层的厚度为0.8μm～1μm，所述第二钝化层的厚度为0.25μm～0.35μm。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述侧墙材料层包括第一侧墙材料层和第二侧墙材料层，所述第一侧墙材料层与所述第二侧墙材料层的材质不同。

6.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一侧墙材料层的材质为氧化硅，通过低压化学气相沉积工艺或者原子层沉积工艺形成所述第一侧墙材料层；所述第二侧墙材料层的材质为氮化硅，通过低压化学气相沉积工艺形成所述第二侧墙材料层。

7.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一侧墙材料层的厚度为1μm～1.5μm，所述第二侧墙材料层的厚度为1μm～1.5μm。

8.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，对所述侧墙材料层进行刻蚀的方法包括：

通过等离子体刻蚀工艺刻蚀所述第一侧墙材料层和第二侧墙材料层，以去除所述半导体衬底上的第一侧墙材料层和第二侧墙材料层，以及去除所述导电层顶部的所述第一侧墙材料层和第二侧墙材料层，并保留所述导电层侧壁的所述第一侧墙材料层以形成第一侧墙层，以及保留所述导电层侧壁的所述第二侧墙材料层以形成第二侧墙层，所述侧墙层包括所述第一侧墙层和所述第二侧墙层。

9.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述导电层的材质为铝、铜、钛、镍、氮化铝、氮化钛和氮化镍中的至少一种。

10.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

半导体衬底；

多个分立的导电层，形成于所述半导体衬底上并覆盖部分所述半导体衬底；

钝化层，覆盖所述导电层的侧壁和顶部以及所述半导体衬底，所述钝化层中具有一暴露出所述导电层的开口；

侧墙层，覆盖位于所述导电层的侧壁上的钝化层。

技术总结
本发明提供一种半导体器件及其制造方法，先形成钝化层，钝化层覆盖导电层的侧壁和顶部以及半导体衬底，所述钝化层可以保护导电层以及半导体衬底，防止灰尘或水汽等；然后，在钝化层上形成侧墙材料层，所述侧墙材料层覆盖所述钝化层，接着，对所述侧墙材料层进行刻蚀，以去除所述半导体衬底上的侧墙材料层以及去除所述导电层顶部的所述侧墙材料层，并保留所述导电层侧壁的所述侧墙材料层以形成侧墙层，所述侧墙层可起到支撑所述导电层的作用，避免导电层在高温环境下发生倒塌或者倾斜。相比现有技术，在刻蚀所述钝化层的过程中，钝化层的过刻蚀量较少，可避免损伤钝化层下方的导电层，由此避免等离子体损伤。

技术研发人员：陈宏;
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司;
技术研发日：2022.01.24
技术公布日：2022.05.03