显示基板及其制备方法、显示装置与流程

本公开实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

柔性OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示器具有可折叠、可弯曲、窄边框等优点，被视为拥有广泛的应用前景。OLED显示器通常采用无机层-有机层-无机层的三层薄膜封装(Thin Film Encapsulation，TFE)结构。TFE封装层中往往要求有机层材料的流动性好，固化后表面平坦，以保证显示器的封装效果和显示效果，但是良好的流动性容易导致有机材料溢流(overflow)，由于有机材料的阻水氧能力较弱，一旦发生溢流将会导致封装失败，影响显示效果。

技术实现要素：

本公开实施例提供一种显示基板及其制备方法，显示装置，能够解决有机封装材料在阻挡坝处爬坡的问题。

本公开实施例提供一种显示基板，包括显示区域以及位于所述显示区域外围的周边区域，在所述周边区域设置有阻挡坝以及至少一个阻挡柱；所述显示基板包括衬底基板、以及设置在所述衬底基板上的发光结构层和封装结构层，所述封装结构层位于所述发光结构层远离所述衬底基板的一侧，所述发光结构层包括阴极，所述封装结构层包括有机封装层；所述至少一个阻挡柱位于所述阴极与所述阻挡坝之间，所述至少一个阻挡柱在所述衬底基板上的正投影位于所述有机封装层在所述衬底基板上的正投影的范围内。

一示例性实施例中，所述至少一个阻挡柱形成围绕所述显示区域的至少一个封闭环。

一示例性实施例中，所述周边区域设置多个阻挡柱，所述多个阻挡柱沿远离所述显示区域的方向依次排布。

一示例性实施例中，所述阻挡柱的横截面设置为倒梯形。

一示例性实施例中，所述阻挡柱的个数小于或等于10。

一示例性实施例中，所述阻挡柱包括多个子阻挡柱，相邻子阻挡柱之间存在间隔，所述多个子阻挡柱环绕所述显示区域。

一示例性实施例中，所述至少一个阻挡柱包括：沿远离所述显示区域的方向依次排布的第一阻挡柱、第二阻挡柱和第三阻挡柱，在沿远离所述显示区域的方向上，第一阻挡柱的子阻挡柱与第三阻挡柱的子阻挡柱对齐，第一阻挡柱的子阻挡柱之间的间隔与第二阻挡柱的子阻挡柱对齐。

一示例性实施例中，所述子阻挡柱包括主体部和自所述主体部向所述显示区域一侧延伸的凸出部。

一示例性实施例中，所述至少一个阻挡柱包括沿远离所述显示区域的方向依次排布的第四阻挡柱和第五阻挡柱，第五阻挡柱的子阻挡柱的凸出部面向第四阻挡柱的子阻挡柱之间的间隔。

一示例性实施例中，所述阻挡柱靠近所述显示区域一侧的表面与所述阻挡柱远离所述显示区域一侧的表面之间的最远距离设置为1微米至7微米；所述阻挡柱的远离所述衬底基板的表面与靠近所述衬底基板的表面之间的距离设置为0.5微米至5微米。

一示例性实施例中，所述显示基板还包括像素平坦层，所述像素平坦层位于所述发光结构层靠近所述衬底基板的一侧，所述至少一个阻挡柱在所述衬底基板上的正投影与所述像素平坦层在所述衬底基板上的正投影部分交叠。

本发明实施例还提供了一种显示基板的制备方法，包括：在显示区域的衬底基板上形成发光结构层、在周边区域的衬底基板上形成阻挡坝和至少一个阻挡柱；所述发光结构层包括阴极，所述至少一个阻挡柱位于所述阴极与所述阻挡坝之间。在形成上述结构的显示基板上形成封装结构层，所述至少一个阻挡柱在所述衬底基板上的正投影位于所述封装结构层的有机封装层在所述衬底基板上的正投影的范围内。

本发明实施例还提供了一种显示装置，包括以上所述的显示基板。

本实施例提出的显示基板，通过在阴极和阻挡坝之间设置至少一个阻挡柱，使得在有机封装层和阻挡坝之间形成至少一层阻挡，间接延长了有机封装层与阻挡坝之间的距离，能够解决有机封装层在阻挡坝处爬坡的问题，降低了有机封装层溢流的风险。本公开实施例提供的显示基板，有助于提升显示基板边缘处有机封装层的平坦性以及封装效果，能够避免水氧通过有机封装层传入形成GDS不良。

本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。

图1为一种相关技术的显示基板的俯视结构示意图；

图2为图1中的A-A向的剖视图；

图3为本公开显示基板的俯视结构示意图；

图4为一示例性实施例中图3中的B-B向的剖视图；

图5为一示例性实施例中图3的区域C内阻挡柱的位置示意图；

图6为又一示例性实施例中图3的区域C内阻挡柱的位置示意图；

图7为再一示例性实施例中图3的区域C内阻挡柱的位置示意图。

附图标记说明：

101—衬底基板； 102—驱动结构层； 103—像素平坦层；

201—阻挡坝； 3—发光结构层； 301—阳极；

302—发光层； 303—阴极； 304—像素定义层；

305—连接电极； 306—低压线； 401—第一无机封装层；

402—有机封装层； 403—第二无机封装层； 5—阻挡柱；

501—第一阻挡柱； 502—第二阻挡柱； 503—第三阻挡柱；

504—第一阻挡柱； 505—第二阻挡柱； 506—第三阻挡柱；

507—第四阻挡柱； 508—第五阻挡柱。

具体实施方式

下文中将结合附图对本发明的实施例进行详细说明。注意，实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。

在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了各构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的一个方式并不一定限定于该尺寸，附图中各部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。

本说明书中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。

在本说明书中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。

在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。

在本说明书中，晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(漏电极端子、漏区域或漏极)与源电极(源电极端子、源区域或源极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。注意，在本说明书中，沟道区域是指电流主要流过的区域。

在本说明书中，第一极可以为漏电极、第二极可以为源电极，或者第一极可以为源电极、第二极可以为漏电极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此，在本说明书中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换。

在本说明书中，“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的传输，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有各种功能的元件等。

在本说明书中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，也包括85°以上且95°以下的角度的状态。

在本说明书中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。

图1为一种相关技术的显示基板的俯视结构示意图，图2为图1中A-A向的剖视图。如图1和图2所示，相关技术中，显示基板包括显示区域AA和位于显示区域AA至少一侧的周边区域PA，在周边区域PA设置有阻挡坝201。

如图2所示，显示基板的显示区域AA包括依次设置的衬底基板101、驱动结构层102、像素平坦层103、发光结构层3和封装结构层，其中，驱动结构层102位于衬底基板101上，像素平坦层103位于驱动结构层102上，发光结构层3位于驱动结构层102上且与驱动结构层102中的薄膜晶体管电连接。封装结构层自下而上可以包括第一无机封装层401、有机封装层402和第二无机封装层403。显示基板的周边区域PA包括依次设置的衬底基板101、驱动结构层102、在驱动结构层102上设置的阻挡坝201，以及覆盖阻挡坝201的第一无机封装层401和第二无机封装层403。阻挡坝201可以围绕显示区域AA设置，阻挡坝201能够阻挡有机封装层402向周边区域PA运动，从而防止有机封装层402溢流。第一无机封装层401和第二无机封装层403在衬底基板101上的正投影重合，有机封装层402在衬底基板101上的正投影位于第二无机封装层403在衬底基板101上的正投影范围内。

然而，上述在OLED显示器的边框处设置阻挡坝(dam)来阻挡有机材料运动的设计中，有机层材料很有可能流动到阻挡坝处并沿着阻挡坝向上爬坡，在窄边框的OLED显示器中，由于有机封装层与阻挡坝之间的距离较短，更容易发生爬坡运动。一些技术中，在将显示区域边缘位置的有机材料的厚度设置为比显示区域中心位置的有机材料更薄的情况下，当有机封装层在阻挡坝处发生爬坡时，会使得显示区域边缘位置的像素开口内填充的有机材料更少，甚至可能导致部分像素开口内没有有机材料的填充，影响封装性能。并且，有机封装层的这种爬坡运动也容易导致封装结构层产生缝隙或发生断裂，大气中的水汽将会沿着缝隙进入发光器件，使发光器件中的有机材料氧化失效，形成无法发光的失效区域。随着水汽沿着缝隙不断入侵发光器件，失效区域逐渐扩大，导致显示装置出现显示不良，称之为不断扩大的暗点(GDS，Growing Dark Spot)。有机封装层的这种爬坡运动也可能给后续的处理工艺带来影响，例如可能会影响FMLOC(Flexible Multi-Layer On Cell，柔性多层结构)的曝光工艺，导致显示基板无法通过信赖性测试。

本公开实施例提出了一种显示基板。该显示基板包括显示区域以及位于显示区域外围的周边区域，在周边区域设置有阻挡坝以及至少一个阻挡柱；显示基板包括衬底基板、以及设置在衬底基板上的发光结构层和封装结构层，封装结构层位于发光结构层远离衬底基板的一侧，发光结构层包括阴极，封装结构层包括有机封装层；至少一个阻挡柱位于阴极与阻挡坝之间，至少一个阻挡柱在衬底基板上的正投影位于有机封装层在衬底基板上的正投影的范围内。

阻挡柱与阴极在衬底基板的正投影可以没有交叠。通过在阴极和阻挡坝之间设置至少一个阻挡柱，使得在有机封装层和阻挡坝之间形成至少一层阻挡，间接延长了有机封装层与阻挡坝之间的距离，能够防止有机封装层在阻挡坝处爬坡，降低了有机封装层溢流的风险。本公开实施例提供的显示基板，有助于提升显示基板边缘处有机封装层的平坦性以及封装效果，能够避免水氧通过有机封装层传入形成GDS不良。

一种示例性实施例中，周边区域的阻挡坝的个数可以为一个或两个，本公开对此不作限制。

一种示例性实施例中，阻挡坝设置为环绕显示区域。

一种示例性实施例中，封装结构层可以包括：第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层的叠层结构，第一无机封装层和第二无机封装层覆盖显示区域、阻挡柱和阻挡坝；有机封装层覆盖显示区域、阻挡柱，有机封装层在衬底基板的正投影与阻挡坝在衬底基板的正投影可以没有交叠。

一种示例性实施例中，至少一个阻挡柱形成围绕显示区域的至少一个封闭环。

封闭环的形状可以是圆形、矩形、椭圆形或其它形状。封闭环在衬底基板上的正投影可以是连续的；或者，封闭环在衬底基板上的正投影可以是不连续的，即封闭环可以包括多个组成部分，多个组成部分之间存在间隔，多个组成部分共同围绕显示区域。

一种示例性实施例中，周边区域设置多个阻挡柱，多个阻挡柱沿远离显示区域的方向依次排布。

每个阻挡柱的环状结构的尺寸不同，多个阻挡柱在阴极和阻挡坝之间呈多个环状分布。多个封闭环的形状可以不同。

一种示例性实施例中，阻挡柱的横截面设置为倒梯形。

阻挡柱可以环绕显示区域设置，阻挡柱的横截面与显示区域所在平面相垂直。将阻挡柱在远离显示区域且与自身延伸方向(或与阻挡柱上某一点的切线方向)相垂直、与显示区域所在平面相垂直的方向上的切面设置为阻挡柱的横截面，将阻挡柱的横截面设置为倒梯形。将阻挡柱的横截面设置为倒梯形，有助于更好地阻止有机封装层的流动。在其他实施方式中，阻挡柱的截面也可以设置为其他形状，例如其他形状的多边形等。

一种示例性实施例中，阻挡柱在衬底基板上的正投影为连续的封闭环，至少一个阻挡柱在显示区域和阻挡坝之间形成一个或多个封闭环。

在显示区域和阻挡坝之间设置有至少一个阻挡柱，每个阻挡柱均设置为连续的、封闭的环状结构，即环绕显示区域的每个阻挡柱不存在间断。

一种示例性实施例中，阻挡柱的个数小于或等于10。

一种示例性实施例中，阻挡柱的个数小于或等于5。

例如，在阴极和阻挡坝之间可以设置一到五个环状结构的阻挡柱，即可以在显示区域和阻挡坝之间设置有五个阻挡柱。可以根据实际需要在阴极和阻挡坝之间设置不同个数的阻挡柱，本公开对此不作限制。

一种示例性实施例中，阻挡柱靠近显示区域一侧的表面与阻挡柱远离显示区域一侧的表面之间的最远距离设置为1微米至7微米，阻挡柱的远离衬底基板的表面与靠近衬底基板的表面之间的距离设置为0.5微米至5微米。

一种示例性实施例中，阻挡柱靠近显示区域一侧的表面与阻挡柱远离显示区域一侧的表面之间的最远距离设置为2微米至5微米，阻挡柱的远离衬底基板的表面与靠近衬底基板的表面之间的距离设置为1微米至3微米。

阻挡柱的宽度设置为阻挡柱在从显示区域至周边区域的方向上的最大尺寸，即阻挡柱在衬底基板上的正投影的自周边区域朝向有效区域方向上的长度，为阻挡柱靠近显示区域一侧的表面与阻挡柱远离显示区域一侧的表面之间的最远距离。阻挡柱的高度设置为阻挡柱的远离衬底基板的表面与靠近衬底基板的表面之间的距离。

一种示例性实施例中，阻挡柱包括多个子阻挡柱，相邻子阻挡柱之间存在间隔，多个子阻挡柱环绕显示区域。

本实施方式中，阻挡柱在衬底基板上的正投影为不连续的封闭环，不连续的位置对应的是子阻挡柱之间的间隔。在示例性的实施方式中，可以根据需要设置阻挡柱包含子阻挡柱的数量、以及子阻挡柱的形状、尺寸和间隔，本公开对此不做限制。

一种示例性实施例中，至少一个阻挡柱包括：沿远离显示区域的方向依次排布的第一阻挡柱、第二阻挡柱和第三阻挡柱，在沿远离显示区域的方向上，第一阻挡柱的子阻挡柱与第三阻挡柱的子阻挡柱对齐，第一阻挡柱的子阻挡柱之间的间隔与第二阻挡柱的子阻挡柱对齐。

将子阻挡柱的两个横截面之间的最小距离称为子阻挡柱的长度，即子阻挡柱的面向相邻的间隔之间的表面的最小距离。在示例性的实施方式中，第一阻挡柱的子阻挡柱之间的间隔与第二阻挡柱的子阻挡柱对齐，且第二阻挡柱的子阻挡柱的长度大于第一阻挡柱的子阻挡柱之间的间隔。

第一阻挡柱、第二阻挡柱和第三阻挡柱环绕显示区域分别形成第一封闭环、第二封闭环和第三封闭环。由于每个阻挡柱的子阻挡柱间存在间隔，第一封闭环、第二封闭环和第三封闭环在衬底基板上的正投影呈现不连续的封闭环，不连续的位置分别对应子阻挡柱间的间隔。而在沿远离显示区域的方向上，第一阻挡柱的子阻挡柱与第三阻挡柱的子阻挡柱对齐，即沿远离显示区域的方向上，第一封闭环和第三封闭环在衬底基板上的正投影的不连续的位置是对应的。第一阻挡柱的子阻挡柱之间的间隔与第二阻挡柱的子阻挡柱对齐，且第二阻挡柱的子阻挡柱的长度大于第一阻挡柱的子阻挡柱之间的间隔，即沿远离显示区域的方向上，第二阻挡柱的子阻挡柱在衬底基板上的正投影对应第一封闭环和第三封闭环在衬底基板上的正投影的不连续的位置。在第一封闭环、第二封闭环和第三封闭环的相互配合下，对显示区域形成了完整的封闭，沿远离显示区域的各个方向不存在空缺。

一种示例性实施例中，子阻挡柱包括主体部和自主体部向显示区域一侧延伸的凸出部。

通过将子阻挡柱设置为包括主体部和自主体部向显示区域一侧延伸的凸出部，能够对有机封装层的流动造成更大的阻挡效果。

一种示例性实施例中，利用主体部的宽度表示子阻挡柱的宽度，即子阻挡柱的主体部靠近显示区域一侧的表面与子阻挡柱的主体部远离显示区域一侧的表面之间的最远距离设置为1微米至7微米；利用主体部的高度表示子阻挡柱的高度，即子阻挡柱的主体部的远离衬底基板的表面与靠近衬底基板的表面之间的距离设置为0.5微米至5微米。

一种示例性实施例中，子阻挡柱的主体部靠近显示区域一侧的表面与子阻挡柱的主体部远离显示区域一侧的表面之间的最远距离设置为2微米至5微米，子阻挡柱的主体部的远离衬底基板的表面与靠近衬底基板的表面之间的距离设置为1微米至3微米。

一种示例性实施例中，子阻挡柱的凸出部的宽度，即子阻挡柱的凸出部靠近显示区域一侧的表面与子阻挡柱的主体部靠近显示区域一侧的表面之间的最远距离设置为1微米至7微米；子阻挡柱的凸出部的高度，即子阻挡柱的凸出部的远离衬底基板的表面与靠近衬底基板的表面之间的距离设置为0.5微米至5微米；子阻挡柱的凸出部的长度即子阻挡柱的凸出部的两个横截面之间的最小距离。可以根据需要设置子阻挡柱的主体部和凸出部的尺寸，本公开对此不做限制。

一种示例性实施例中，至少一个阻挡柱包括沿远离显示区域的方向依次排布的第四阻挡柱和第五阻挡柱，第五阻挡柱的子阻挡柱的凸出部面向第四阻挡柱的子阻挡柱之间的间隔。

在示例性的实施方式中，第五阻挡柱的子阻挡柱的长度大于第四阻挡柱的子阻挡柱之间的间隔。第四阻挡柱和第五阻挡柱环绕显示区域分别形成第四封闭环和第五封闭环，子阻挡柱的凸出部均指向显示区域。在沿远离显示区域的方向上，第五阻挡柱的子阻挡柱在衬底基板上的正投影对应第四封闭环在衬底基板上的正投影的不连续的位置。在第四封闭环和第五封闭环的配合下，对显示区域形成了完整的封闭，在沿远离显示区域的各个方向不存在空缺。而子阻挡柱的凸出部指向显示区域，能够更好地阻挡有机封装层的运动。

一种示例性实施例中，显示基板还包括像素平坦层，所述像素平坦层位于所述发光结构层靠近所述衬底基板的一侧，至少一个阻挡柱在衬底基板上的正投影与像素平坦层在衬底基板上的正投影部分交叠。

在示例性的实施方式中，像素平坦层在衬底基板的正投影与阻挡柱在衬底基板的正投影没有交叠，或者，像素平坦层在衬底基板的正投影包含多个阻挡柱中靠近显示区域的至少一个阻挡柱在衬底基板的正投影。在设置多个阻挡柱的情况下，可以将一个或几个阻挡柱在衬底基板上的正投影设置为位于像素平坦层在衬底基板上的正投影的范围内。

在一种实施方式中，阻挡坝可以采用树脂材料形成，可以采用与像素平坦层采用同样的材料形成，可以与像素平坦层采用同样的工艺形成。

下面将通过具体的实施例详细介绍本公开的技术内容。

图3为本公开显示基板的俯视结构示意图，图4为一示例性实施例中图3中的B-B向的剖视图。如图3所示，显示基板包括显示区域AA，显示区域AA的外围设置有周边区域PA。在周边区域PA设置有阻挡坝201以及至少一个阻挡柱5，阻挡坝201设置为环绕显示区域AA，阻挡柱5设置在阻挡坝201和显示区域AA之间，阻挡柱5设置为环绕显示区域AA。

如图4所示，在垂直于显示基板的方向上，显示区域AA的显示基板包括：衬底基板101、以及依次设置在衬底基板101上的驱动结构层102、像素平坦层103、发光结构层以及封装结构层。在衬底基板101上设置有驱动结构层102，显示区域的驱动结构层102包括：多个像素电路及设置在像素电路之间的第一绝缘层11、第二绝缘层13、第三绝缘层15和第四绝缘层16。至少一个像素电路包括多个晶体管和至少一个电容。图4中以第一晶体管和第一存储电容为例进行示意。第一晶体管可以包括：有源层12、栅电极14、源电极17和漏电极18，在衬底基板101和有源层12之间设置有第一绝缘层11，在有源层12和栅电极14之间设置有第二绝缘层13，在栅电极14与源电极17和漏电极18之间设置有第三绝缘层15和第四绝缘层16。第一存储电容可以包括：第一电容电极41和第二电容电极42。第一电容电极41设置在第二绝缘层13上，第一电容电极41和第二电容电极42之间设置有第三绝缘层15。在驱动结构层102上设置有像素平坦层103，在像素平坦层103上设置有发光结构层，发光结构层包括：阳极301、发光层302、阴极303和像素定义层304，阳极301通过像素平坦层103上开设的第二过孔与第一晶体管的漏电极连接，像素定义层304的像素开口暴露出阳极301的表面，发光层302形成在像素开口内，与阳极301连接，部分阴极303与发光层302连接。在发光结构层上设置有封装结构层，封装结构层覆盖显示区域AA，包括：叠设的第一无机封装层401、有机封装层402和第二无机封装层403。

如图4所示，在垂直于显示基板的方向上，周边区域PA的显示基板包括衬底基板101、以及设置在衬底基板101上的驱动结构层102、像素平坦层103、连接电极305、三个阻挡柱5、阻挡坝201以及封装结构层。周边区域PA的驱动结构层102包括在衬底基板101上叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层13、第三绝缘层15和第四绝缘层16以及低压线306。低压线306设置在第四绝缘层16上，部分像素平坦层103覆盖部分低压线306，在像素平坦层103上设置有连接电极305，连接电极305与低压线306连接。阴极303自显示区域AA延伸至周边区域PA，与连接电极305连接，实现与低压线306电连接。在驱动结构层102上还设置有阻挡坝201，在阴极303与阻挡坝201之间设置有三个阻挡柱5，三个阻挡柱5沿远离显示区域AA的方向依次排布。其中一个阻挡柱在衬底基板101上的正投影位于像素平坦层103在衬底基板101上的正投影范围内。

如图4所示，第一无机封装层401和第二无机封装层403在衬底基板101上的正投影重合，有机封装层402在衬底基板101上的正投影位于第二无机封装层403在衬底基板101上的正投影范围内。在周边区域PA，封装结构层包裹阻挡柱5，第一无机封装层401和第二无机封装层403包裹阻挡坝201，即阻挡柱5在衬底基板101上的正投影位于有机封装层402在衬底基板101上的正投影范围内，有机封装层402在衬底基板的正投影与阻挡坝在衬底基板的正投影没有交叠，阻挡坝201位于有机封装层402靠近周边区域PA的一侧。如图5所示，阻挡柱5的横截面设置为倒梯形。

图5为一示例性实施例中图3的区域C内阻挡柱的位置示意图。图5为图3中区域C的俯视图。图5中示意了阴极303、像素平坦层103、阻挡坝201以及三个阻挡柱5的位置，省略示意其余结构。如图5所示，在阴极303和阻挡坝201之间设置有三个阻挡柱5，三个阻挡柱5包括：沿远离显示区域AA依次排布的第一阻挡柱501、第二阻挡柱502和第三阻挡柱503，每个阻挡柱均设置为环绕显示区域AA的连续的封闭环，每个阻挡柱的宽度设置为d1。阻挡柱一501在衬底基板上的正投影位于像素平坦层103在衬底基板101上的正投影范围内。可以根据需要设置阻挡柱的个数、是否为连续的封闭环及尺寸参数，本公开对此不做限制。

图6为又一示例性实施例中图3的区域C内阻挡柱的位置示意图。图6为图3中区域C的俯视图。图6中示意了阴极303、像素平坦层103、阻挡坝201以及三个阻挡柱5的位置，省略示意其余结构。如图6所示，在阴极303和阻挡坝201之间设置有三个阻挡柱5，三个阻挡柱5包括：沿远离显示区域AA依次排布的第一阻挡柱504、第二阻挡柱505和第三阻挡柱506，每个阻挡柱均包括多个尺寸相同的子阻挡柱，子阻挡柱在衬底基板的正投影为矩形，矩形的长度为L1，宽度为d2，每个阻挡柱的相邻子阻挡柱之间存在间隔d3，多个子阻挡柱环绕显示区域AA设置。如图6所示，在沿远离显示区域AA的方向上，第一阻挡柱504的子阻挡柱与第三阻挡柱506的子阻挡柱对齐，第一阻挡柱504的子阻挡柱之间的间隔与第二阻挡柱505的子阻挡柱对齐，且第二阻挡柱505的子阻挡柱的长度L1大于第一阻挡柱504的子阻挡柱之间的间隔d3。第一阻挡柱504、第二阻挡柱505和第三阻挡柱506分别形成有缺口的第一封闭环、第二封闭环和第三封闭环，这些缺口即为子阻挡柱之间的间隔d3。在沿远离显示区域AA的方向上，第一封闭环和第三封闭环的缺口相重叠，第二封闭环与第一封闭环和第三封闭环存在错位，可以补全这些缺口。在第一封闭环、第二封闭环和第三封闭环的配合下，形成了围绕显示区域AA的完整的封闭环，实现对显示区域AA的全方位环绕。根据实际需要，阻挡柱可以包含任意数量的子阻挡柱，可以根据需要设置子阻挡柱的形状、尺寸及相邻子阻挡柱之间的间隔的形状、尺寸，不同阻挡柱包含的子阻挡柱可以不同，本公开实施例对此不作限制。

图7为再一示例性实施例中图3的区域C内阻挡柱的位置示意图。图7为图3中区域C的俯视图。图7中示意了阴极303、像素平坦层103、阻挡坝201以及三个阻挡柱5的位置，省略示意其余结构。如图7所示，在阴极303和阻挡坝201之间设置有两个阻挡柱5，两个阻挡柱5包括：沿远离显示区域AA依次排布的第四阻挡柱507和第五阻挡柱508，每个阻挡柱均包括多个尺寸相同的子阻挡柱，子阻挡柱包括主体部和自主体部向显示区域AA延伸的凸出部，主体部的长度为L2，宽度为d4，凸出部的宽度为d6，长度为L3，每个阻挡柱的相邻子阻挡柱之间存在间隔d5，多个子阻挡柱环绕显示区域AA设置。如图7所示，第四阻挡柱507和第五阻挡柱508分别形成有缺口的第四封闭环和第五封闭环，这些缺口即为子阻挡柱的主体部之间的间隔d5。在沿远离显示区域AA的方向上，第四封闭环和第五封闭环存在错位，第五阻挡柱的子阻挡柱的凸出部面向第四阻挡柱的子阻挡柱之间的间隔，第五封闭环可以补全第四封闭环的缺口。在第四封闭环和第五封闭环的配合下，形成了围绕显示区域AA的完整的封闭环，实现对显示区域AA的全方位环绕。

在其他实施方式中，可以将图5至图7中记载的阻挡柱相互任意组合。例如：在图5所示结构的基础上，将第二阻挡柱502替换为图6中的第二阻挡柱506；或者，在图6所示结构的基础上，将第二阻挡柱506替换为图7中的第四阻挡柱507。本公开对此不作限制。

下面通过显示基板的制备过程的示例说明本公开显示基板的结构。本公开所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀和剥离光刻胶等处理。沉积可以采用选自溅射、蒸镀和化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用选自喷涂和旋涂中的任意一种或多种，刻蚀可以采用选自干刻和湿刻中的任意一种或多种。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积或涂覆工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需构图工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。当在整个制作过程当中该“薄膜”还需构图工艺，则在构图工艺前称为“薄膜”，构图工艺后称为“层”。经过构图工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本公开中所说的“A和B同层设置”是指，A和B通过同一次构图工艺同时形成。“A的正投影包含B的正投影”是指，B的正投影落入A的正投影范围内，或者A的正投影覆盖B的正投影。

下面以制备如图4所示的显示基板为例进行说明：

(1)在玻璃载板上制备衬底基板101。本公开中，衬底基板101可以为柔性基底。在一示例性实施例中，衬底基板101可以包括在玻璃载板上叠设的第一柔性材料层、第一无机材料层、半导体层、第二柔性材料层和第二无机材料层。第一、第二柔性材料层的材料可以采用聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或经表面处理的聚合物软膜等材料，第一、第二无机材料层的材料可以采用氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等，用于提高基底的抗水氧能力，第一、第二无机材料层也称之为阻挡(Barrier)层，半导体层的材料可以采用非晶硅(a-si)。本次工艺后，显示区域AA和周边区域PA均包括衬底基板101。

(2)在衬底基板101上制备驱动结构层102图案。在示例性实施方式中，显示区域AA的驱动结构层可以包括构成像素驱动电路的第一晶体管、第一存储电容和低压线306。周边区域PA的驱动结构层包括多个无机绝缘层构成的复合绝缘层。在一示例性实施方式中，驱动结构层102的制备过程可以包括：

在衬底基板101上依次沉积第一绝缘薄膜和有源层薄膜，通过构图工艺对有源层薄膜进行构图，形成覆盖整个衬底基板101的第一绝缘层11，以及设置在第一绝缘层11上的有源层图案，有源层12形成在显示区域AA。本次构图工艺后，周边区域PA包括设置在衬底基板101上的第一绝缘层11。

随后，依次沉积第二绝缘薄膜和第一金属薄膜，通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图，形成覆盖有源层图案的第二绝缘层13，以及设置在第二绝缘层13上的第一栅金属层图案，第一栅金属层图案形成在显示区域AA，包括栅电极14、第一电容电极41、多条栅线(未示出)和多条栅引线(未示出)。本次构图工艺后，周边区域PA包括在衬底基板101叠设的第一绝缘层11和第二绝缘层13。

随后，依次沉积第三绝缘薄膜和第二金属薄膜，通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图，形成覆盖第一栅金属层的第三绝缘层15，以及设置在第三绝缘层15上的第二栅金属层图案，第二栅金属层图案形成在显示区域AA，包括第二电容电极42和第二栅引线(未示出)，第二电容电极42的位置与第一电容电极41的位置相对应。本次构图工艺后，周边区域PA包括在衬底基板101叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层13和第三绝缘层15。

随后，沉积第四绝缘薄膜，通过构图工艺对第四绝缘薄膜进行构图，形成覆盖第二栅金属层的第四绝缘层16图案，第四绝缘层16上开设有两个第一过孔，该两个第一过孔形成在显示区域AA，其位置与第一有源层12的两端位置相对应，两个第一过孔内的第四绝缘层16、第三绝缘层15和第二绝缘层13被刻蚀掉，暴露出有源层12的表面。本次构图工艺后，周边区域PA包括在衬底基板101上叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层13、第三绝缘层15和第四绝缘层16。

随后，沉积第三金属薄膜，通过构图工艺对第三金属薄膜进行构图，在第四绝缘层16上形成源漏金属层图案，源漏金属层形成在显示区域AA，包括源电极17、漏电极18、低压(VSS)线306、多条数据线(未示出)和多条数据引线图案，源电极17和漏电极18分别通过第一过孔与有源层12连接。在一示例性实施方式中，根据实际需要，源漏金属层还可以包括电源线(VDD)、补偿线和辅助阴极中的任意一种或多种，源漏金属层也称之为第一源漏金属层(SD1)。本次构图工艺后，周边区域PA包括在柔性基底10上叠设的第一绝缘层11、第二绝缘层13、第三绝缘层15和第四绝缘层16。

至此，在柔性基底10上制备完成驱动结构层图案。有源层12、栅电极14、源电极17和漏电极18组成第一晶体管，第一电容电极41和第二电容电极42组成第一存储电容。在一示例性实施方式中，第一晶体管可以是薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)。

(3)在形成前述图案的衬底基板上涂覆第一平坦薄膜，形成覆盖整个衬底基板的像素平坦层103，通过构图工艺在像素平坦层103上形成第二过孔、第一隔断和第二隔断，第二过孔形成在显示区域AA，暴露出第一晶体管的漏电极的表面，第一隔断和第二隔断形成在周边区域PA，第一隔断内的像素平坦层103被显影掉，暴露出低压线306的表面，第二隔断内的像素平坦层103被显影掉，暴露出第四绝缘层16的表面，第一隔断和第二隔断之间的像素平坦层103称为第一坝基，第一坝基为阻挡坝201的组成部分。本公开中，在周边区域PA形成第二隔断是用于后续封装时，使封装层中的无机层直接接触第四绝缘层16，保证封装效果和工艺质量。

(4)在形成前述图案的衬底基板上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺对透明导电薄膜进行构图，形成阳极301和连接电极305图案，阳极301形成在显示区域AA的像素平坦层103上，通过像素平坦层103上的第二过孔与第一晶体管的漏电极相连接。连接电极305形成在周边区域PA，与低压线306相连接。

(5)在形成前述图案的衬底基板上涂覆像素定义薄膜，通过掩膜、曝光、显影工艺，形成像素定义层304、第二坝基图案，像素定义层304形成在显示区域AA，其上开设有像素开口，像素开口内的像素定义薄膜被显影掉，暴露出阳极301的表面。第二坝基形成在周边区域PA，位于第一坝基之上，第二坝基为阻挡坝201的组成部分。

(6)在形成前述图案的衬底基板上依次形成发光层302和阴极303。发光层302包括叠设的空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层，形成在显示区域AA的像素开口内，与阳极301连接。由于阳极301与第一晶体管的漏电极连接，因而实现了发光层302的发光控制。阴极303的一部分与发光层连接，阴极303的另一部分覆盖像素定义层304后延伸至周边区域PA，与连接电极305连接，由于连接电极305与低压线306连接，实现了阴极303与低压线306的连接。

(7)在形成前述图案的衬底基板上涂覆阻挡柱薄膜，通过掩膜、曝光、显影工艺，在周边区域PA形成阻挡柱5和第三坝基图案。阻挡柱5位于阻挡坝201和阴极303之间，其横截面可以为倒梯形。第三坝基位于第二坝基之上，为阻挡坝201的组成部分，第一坝基、第二坝基和第三坝基依次堆叠形成阻挡坝201，阻挡坝201的截面形状可以为梯形。

(8)在形成前述图案的衬底基板上形成封装结构层。封装结构层形成在显示区域AA和周边区域PA，采用无机材料/有机材料/无机材料的叠层结构，两个无机材料层(第一无机封装层401和第二无机封装层403)设置在显示区域AA和周边区域PA，包裹阻挡柱5和阻挡坝201，有机材料层(有机封装层402)设置在两个无机材料层之间，位于阻挡坝201远离周边区域PA的一侧，包裹阻挡柱5。第一无机封装层401和第二无机封装层403的材质可以包括具有阻隔水氧作用的材料，例如，氮化硅、氧化硅、碳化硅(SiC)、氧化铝(Al2O3)、ZnS或ZnO等。可以采用化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)等沉积方式形成第一无机封装层401和第二无机封装层402。有机封装层402的材料可以采用单体(Monomer)有机物主体(大于95％体积比)与光引发剂、活性稀释剂以及各种助剂等混合物，可以通过喷墨打印的方式成膜，并在紫外线光照射下固化，形成有机封装层402。

(9)最后，剥离玻璃载板，形成本公开实施例的显示基板，如图4所示。

在其它实施方式中，阻挡坝可以采用其它方式进行制备，可以根据需要在周边区域设置两个阻挡坝，本公开实施例对阻挡坝的数量及制备方式不作限制。在其它实施方式中，可以采用两层源漏金属层(双SD)的结构，本公开对此不做限制。

本示例中，第一绝缘薄膜、第二绝缘薄膜、第三绝缘薄膜、第四绝缘薄膜和第五绝缘薄膜可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。第一绝缘层称之为缓冲(Buffer)层，用于提高基底的抗水氧能力，第二绝缘层和第三绝缘层称之为栅绝缘(GI)层，第四绝缘层称之为层间绝缘(ILD)层。第一金属薄膜、第二金属薄膜和第三金属薄膜可以采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Mo/Cu/Mo等。阴极可以采用镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)和锂(Li)中的任意一种或更多种，或采用上述金属中任意一种或多种制成的合金。像素平坦层可以采用有机材料。阴极可以采用镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)和锂(Li)中的任意一种或更多种，或采用上述金属中任意一种或多种制成的合金。有源层薄膜可以采用非晶态氧化铟镓锌材料(a-IGZO)、氮氧化锌(ZnON)、氧化铟锌锡(IZTO)、非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)、六噻吩、聚噻吩等各种材料，即本公开适用于基于氧化物Oxide技术、硅技术以及有机物技术制造的晶体管。透明导电薄膜可以采用氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)，像素定义层可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等，阻挡柱薄膜可以采用聚酰亚胺、聚硅烷、亚克力或环氧树脂等。

本公开实施例还提供了一种显示基板的制备方法。所述方法包括：分别在显示区域的衬底基板上形成发光结构层、在周边区域的衬底基板上形成阻挡坝和至少一个阻挡柱；所述发光结构层包括阴极，所述至少一个阻挡柱位于所述阴极与所述阻挡坝之间；在形成上述结构的显示基板上形成封装结构层，所述至少一个阻挡柱在所述衬底基板上的正投影位于所述封装结构层的有机封装层在所述衬底基板上的正投影的范围内。

通过在阴极和阻挡坝之间设置至少一个阻挡柱，使得在有机封装层和阻挡坝之间形成至少一层阻挡，间接延长了有机封装层与阻挡坝之间的距离，能够防止有机封装层在阻挡坝处爬坡，降低了有机封装层溢流的风险。本公开实施例提供的显示基板的制备方法，有助于提升显示基板边缘处有机封装层的平坦性以及封装效果，能够避免水氧通过有机封装层传入形成GDS不良。

基于前述实施例的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括采用前述实施例的显示基板。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。