一种含有咔唑结构的化合物及有机电致发光器件的制作方法

技术特征：
1.一种化合物，其特征在于，其结构式如下式(i)所示：其中，r1为氢、取代或未取代的c
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芳香基或者取代或未取代的c
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杂芳基，其取代基为c
1-4
烷基或氘；r2或r3各自独立地为氢或者取代或未取代的c
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的芳香基，其取代基为氘或氰基；l为经取代或未经取代的苯基，其取代基为氘、苯基或氘代苯基；且当r1为苯基时，r2和r3不同时为氢。2.如权利要求1所述的化合物，其特征在于，r1为氢、取代或未取代的c
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芳香基或者取代或未取代的c
6-30
杂芳基，其取代基为c
1-4
烷基或氘；r2或r3各自独立地为氢、氘代或未氘代的苯基或者氘代或未氘代的联苯基。3.如权利要求1所述的化合物，其特征在于，其结构式如下式(ii)所示：4.如权利要求2所述的化合物，其特征在于，r1为氢或者取代或未取代的下述基团：联苯基、邻三联苯基、苯并菲基、三苯基[1,12-bcd]呋喃基、菲基或苯基，其取代基为c
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烷基或氘；r2或r3各自独立地为氢、苯基或氘代苯基；l为苯基、氘代苯基、苯基苯基或氘代苯基苯基。5.如权利要求1所述的化合物，其特征在于，r1为以下基团中的一种：
6.如权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述化合物为以下化合物中的任意一种：
7.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括第一电极、第二电极以及在所述第一电极和所述第二电极之间形成的有机层；所述有机层中含有如权利要求1-6中任一项所述的化合物；特别是所述有机层包含空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层；所述发光层中含有如权利要求1-6中任一项所述的化合物。8.如权利要求7所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层中含有发光主体材料，所述发光主体材料由权利要求1-6中任一项所述的化合物及化合物g1-g42中的任意一种或多种混合而成，化合物g1-g42如下所示：
9.一种电子显示设备，其特征在于，含有如权利要求7所述的有机电致发光器件。10.一种oled照明设备，其特征在于，含有如权利要求7所述的有机电致发光器件。

技术总结
本发明公开了一种含有咔唑结构的化合物及有机电致发光器件，涉及有机电致发光技术领域，本发明中的化合物在咔唑基团上进行适当的取代使化合物分子量均在560-650之间，该区间的分子量的化合物均具有合适的蒸镀温度及升华温度，保证了产品的蒸镀量产性及蒸镀稳定性。同时该区间的分子量能够很好的和目前市场上的N-type(电子传输型主体材料)进行混合形成双主体材料使用，进而提高器件的稳定性及量产性。本发明中的化合物由于具有相对较大的扭矩和空间位阻，导致该类化合物具有合适的熔点，同时，相对较大的扭矩能够提高该类材料的溶解性，进而降低了该类材料的量产成本、提高产品质量。经过器件验证，使用本发明化合物制备的器件均具有良好的发光效率及寿命。备的器件均具有良好的发光效率及寿命。备的器件均具有良好的发光效率及寿命。


技术研发人员：许军 朱东林 黄明辉
受保护的技术使用者：南京高光半导体材料有限公司
技术研发日：2022.01.19
技术公布日：2022/4/29