技术特征：
1.一种带多层反射膜的基板，其具备：基板、和在该基板上由交替层叠低折射率层和高折射率层而成的多层膜形成、用于反射曝光光的多层反射膜，其中，所述多层反射膜含有选自氢(h)、氘(d)及氦(he)中的至少一种添加元素，所述添加元素在所述多层反射膜中的原子数密度为0.006atom/nm3以上且0.50atom/nm3以下。2.根据权利要求1所述的带多层反射膜的基板，其中，所述添加元素在所述多层反射膜中的原子数密度为0.10atom/nm3以下。3.根据权利要求1或2所述的带多层反射膜的基板，其中，所述添加元素为氘(d)。4.根据权利要求1～3中任一项所述的带多层反射膜的基板，其中，在所述多层反射膜上具备保护膜。5.一种反射型掩模坯料，其在权利要求1～3中任一项所述的带多层反射膜的基板的所述多层反射膜上具备吸收体膜、或者在权利要求4所述的带多层反射膜的基板的所述保护膜上具备吸收体膜。6.一种反射型掩模，其具备对权利要求5所述的反射型掩模坯料的所述吸收体膜进行图案化而得到的吸收体图案。7.一种半导体装置的制造方法，其具有下述工序：使用权利要求6所述的反射型掩模进行使用了曝光装置的光刻工艺，在被转印体上形成转印图案。
技术总结
本发明提供带多层反射膜的基板，其用于制造具有对曝光光的反射率高、且缺陷检查时的背景水平低的多层反射膜的反射型掩模坯料及反射型掩模。带多层反射膜的基板(110)具备基板(1)和多层反射膜(5)。多层反射膜(5)在基板(1)上由交替层叠低折射率层和高折射率层而成的多层膜形成。多层反射膜(5)含有选自氢(H)、氘(D)及氦(He)中的至少一种添加元素。添加元素在多层反射膜(5)中的原子数密度为0.006atom/nm3以上且0.50atom/nm3以下。以下。以下。
技术研发人员：中川真德
受保护的技术使用者：HOYA株式会社
技术研发日：2020.09.23
技术公布日：2022/4/29
再多了解一些
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