基于挠曲电效应的压电聚合物膜及其制备方法

技术特征：
1.基于挠曲电效应的压电聚合物膜，其特征在于，所述聚合物压电膜的表面密布有非中心对称形状的微纳米结构。2.如权利要求1所述的基于挠曲电效应的压电聚合物膜，其特征在于，所述微纳米结构的形状为锥形、截顶锥形或球冠形。3.如权利要求1或2所述的基于挠曲电效应的压电聚合物膜，其特征在于，所述微纳米结构的高度为1nm-1000μm，最大宽度为1nm-1000μm。4.如权利要求1所述的基于挠曲电效应的压电聚合物膜，其特征在于，所述压电聚合物膜的材质为含氟树脂。5.如权利要求4所述的基于挠曲电效应的压电聚合物膜，其特征在于，所述含氟树脂选自偏氟乙烯的均聚物，偏氟乙烯与三氟乙烯的共聚物，偏氟乙烯与三氟氯乙烯的共聚物，偏氟乙烯、三氟乙烯和三氟氯乙烯的共聚物，偏氟乙烯与六氟丙烯的共聚物，偏氟乙烯与六氟环氧丙烷的共聚物，偏氟乙烯、六氟丙烯和四氟乙烯的共聚物中的一种或多种。6.一种权利要求1-5中任一项所述的基于挠曲电效应的压电聚合物膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤，s1：在基材的表面制备具有非中心对称形状的微纳米结构；s2：将含氟树脂熔体或溶液涂覆到所述基材的表面，固化后剥离，得到所述基于挠曲电效应的压电聚合物膜。7.如权利要求6所述的基于挠曲电效应的压电聚合物膜的制备方法，其特征在于，所述基材的材质选自热固性树脂、无机氧化物、陶瓷或金属。8.如权利要求6所述的基于挠曲电效应的压电聚合物膜的制备方法，其特征在于，所述步骤s1中，具有非中心对称形状的微纳米结构的制备方法为光刻、雕刻或模版复制。9.如权利要求6所述的基于挠曲电效应的压电聚合物膜的制备方法，其特征在于，所述压电聚合物溶液的溶剂选自n,n-二甲基甲酰胺，二甲基亚砜、丙酮、丁酮中的一种或多种。

技术总结
本发明属于压电材料技术领域，具体涉及一种基于挠曲电效应的压电聚合物膜及其制备方法。该制备方法是通过在压电聚合物膜的成膜过程中于膜的一侧或双侧表面引入具有非中心对称形状的微纳米结构，并保持非中心对称形状微纳米结构的尺寸和形状直至根据压电聚合物膜的制造结束来进行。本发明通过一步就可制备压电聚合物薄膜，无需严格控制含氟树脂中β相晶体的形成和含量，也无需控制分子链和晶体的取向，简化了生产工艺流程，提高了生产效率，降低了成本，有利于实现大规模工艺化生产。有利于实现大规模工艺化生产。有利于实现大规模工艺化生产。


技术研发人员：胡志军 胡贵林
受保护的技术使用者：苏州大学
技术研发日：2021.12.24
技术公布日：2022/4/29