温度控制方法和设备、计算机存储介质以及单晶炉与流程

技术特征：
1.一种温度控制方法，其特征在于，应用于单晶炉中，所述单晶炉包括底加热器、主加热器、坩埚以及熔料监测装置，所述底加热器和所述主加热器用于对所述坩埚进行加热，所述熔料监测装置用于获取所述坩埚内熔料的图像信息；所述温度控制方法包括：响应于加料完成信号，根据预设参数，确定第一加热时长；在所述第一加热时长内，控制所述主加热器按照第一预设功率对所述坩埚进行加热，控制所述底加热器按照第二预设功率对所述坩埚进行加热；在所述第一加热时长后，控制所述主加热器按照第三预设功率对所述坩埚进行加热，控制所述底加热器按照第四预设功率对所述坩埚进行加热，并开启所述熔料监测装置；当所述熔料的图像信息表征所述熔料为全熔状态时，控制所述主加热器的加热功率不变，降低所述底加热器的加热功率。2.根据权利要求1所述的温度控制方法，其特征在于，所述根据预设参数，确定第一加热时长包括：根据所述第一预设功率、所述第二预设功率、引晶功率和所述坩埚内熔料的总质量，确定所述第一加热时长。3.根据权利要求2所述的温度控制方法，其特征在于，所述根据所述第一预设功率、所述第二预设功率、引晶功率和所述坩埚内熔料的总质量，确定第一加热时长满足以下公式：t1＝am/{(p1 p2)*b}其中：t1为所述第一加热时长，a为加热系数，m为所述坩埚内熔料的总质量，p1为所述第一预设功率，p2为所述第二预设功率，p为引晶功率，b为功率修正系数。4.根据权利要求1所述的温度控制方法，其特征在于，所述第一预设功率大于所述第三预设功率，所述第二预设功率大于所述第四预设功率。5.根据权利要求1～4任一项所述的温度控制方法，其特征在于，在第一加热时长后，控制所述主加热器按照第三预设功率对坩埚进行加热，控制所述底加热器按照第四预设功率对坩埚进行加热，并开启熔料监测装置后，在当所述熔料的图像信息表征所述熔料为全熔状态时，控制所述主加热器的加热功率不变，降低所述底加热器的加热功率前，所述温度控制方法还包括：控制所述熔料监测装置实时获取所述坩埚内熔料的图像信息；其中，所述熔料的图像信息包括所述熔料的固液比例；当所述熔料的固液比例满足全熔比例时，确定所述熔料为全熔状态。6.根据权利要求5所述的温度控制方法，其特征在于，所述全熔比例为所述熔料的固液比例范围为0.1～0.4。7.根据权利要求1～4任一项所述的温度控制方法，其特征在于，所述单晶炉还包括位于所述坩埚上方的换热器，所述换热器用于对所述坩埚进行换热；在当所述熔料的图像信息表征所述熔料为全熔状态时，控制所述主加热器的加热功率不变，降低所述底加热器的加热功率之后，所述温度控制方法还包括：调整所述坩埚的转速，以及调整所述换热器的位置至引放位置；控制所述熔料监测装置实时获取所述坩埚内熔料的图像信息；其中，所述熔料的图像信息包括所述熔料的图像亮度；根据所述熔料的图像亮度，调整所述主加热器的加热功率。
8.根据权利要求7所述的温度控制方法，其特征在于，所述根据所述熔料的图像亮度，调整所述主加热器的加热功率包括：根据所述熔料的图像亮度与目标亮度之间的第一预设关系，对所述主加热器的加热功率进行第一次调整；当所述熔料的图像亮度与所述目标亮度之间的差值满足目标数值范围时，根据所述熔料的图像亮度与所述目标亮度之间的第二预设关系，对所述主加热器的加热功率进行第二次调整。9.根据权利要求8所述的温度控制方法，其特征在于，所述第一预设关系满足以下公式：p
′
＝p3 (x 10-y)*1.5其中：p3为第三预设功率，p
′
为主加热器的加热功率，x为目标亮度，y为熔料的图像亮度；和/或，所述第二预设关系满足以下公式：p
′
＝p (y-x)*1.5其中：p为引晶功率，p
′
为主加热器的加热功率，x为目标亮度，y为熔料的图像亮度。10.根据权利要求8所述的温度控制方法，其特征在于，所述目标数值范围包括：10nit～12nit；和/或，所述目标亮度的范围包括：40nit～60nit。11.一种温度控制设备，其特征在于，包括：处理器和通信接口，所述通信接口和所述处理器耦合，所述处理器用于运行计算机程序或指令，以实现权利要求1～10任一项所述的温度控制方法。12.一种计算机存储介质，其特征在于，所述计算机存储介质中存储有指令，当所述指令被运行时，实现权利要求1～10任一项所述的温度控制方法。13.一种单晶炉，其特征在于，所述单晶炉包括：主加热器、底加热器、坩埚、熔料监测装置以及权利要求11所述的温度控制设备，所述温度控制设备与所述主加热器、所述底加热器以及所述熔料监测装置通信连接；所述底加热器和所述主加热器用于对所述坩埚进行加热，所述熔料监测装置用于获取所述坩埚内熔料的图像信息。14.根据权利要求13所述的单晶炉，其特征在于，所述单晶炉还包括：拉晶装置、温度监测装置和换热器，所述温度控制设备与所述拉晶装置、所述温度监测装置和所述换热器通信连接；所述换热器位于所述坩埚上方，用于对所述坩埚进行换热；所述温度监测装置靠近所述坩埚设置，用于监测所述坩埚内的温度；所述拉晶装置位于所述坩埚上方，用于利用所述坩埚内熔料拉制单晶硅棒。

技术总结
本发明公开一种温度控制方法和设备、计算机存储介质以及单晶炉，涉及单晶制造技术领域，用于在加料至调温环节实现智能化的调温，且减少人力资源的投入，降低拉晶成本。所述温度控制方法包括：响应于加料完成信号，根据预设参数，确定第一加热时长；在第一加热时长内，控制主加热器按照第一预设功率对坩埚进行加热，控制底加热器按照第二预设功率对坩埚进行加热；在第一加热时长后，控制主加热器按照第三预设功率对坩埚进行加热，控制底加热器按照第四预设功率对坩埚进行加热，并开启熔料监测装置；当熔料的图像信息表征所述熔料为全熔状态时，控制主加热器的加热功率不变，降低底加热器的加热功率。热器的加热功率。热器的加热功率。


技术研发人员：李维军 魏铭琪 杨东 赵静楠 盛燕 吴苗苗 郭力 王斐
受保护的技术使用者：银川隆基硅材料有限公司
技术研发日：2021.12.01
技术公布日：2022/4/29