一种显示基板、显示装置及显示基板的制备方法与流程

1.本公开实施例涉及显示技术领域，具体涉及一种显示基板、显示装置及显示基板的制备方法。


背景技术：

2.相比液晶显示(lcd)技术，由于有机电致发光二极管(oled)器件具有自发光、广色域、低功耗、宽视角、反应快等优点，oled显示技术被认为是下一代显示技术之一。oled器件包括叠设的阳极、有机功能层(包括电荷注入层、电荷传输层、发光层等)和阴极。根据出光方向的不同，可以分为底发射oled器件和顶发射oled器件。相比底发射结构，采用顶发射oled器件的显示面板可以获得更大开口率，从而可以获得更好的显示效果。顶发射oled器件包含透明阴极和反射阳极，因为需要保证透过率，阴极通常比较薄，这就导致阴极具有较高的电阻，从而造成oled显示面板的电压降(ir drop)问题。在中大尺寸的oled显示面板中，距离电源供给点越远，电压降越明显，从而使显示面板中心和边缘的oled器件的驱动电流存在差异，进而导致显示面板有发光不均匀现象。


技术实现要素：

3.本公开实施例提供一种显示基板、显示装置及显示基板的制备方法，可以改善由于阴极高电阻造成的电压降问题导致的显示基板发光不均匀现象。
4.本公开实施例提供一种显示基板，包括依次叠设于基底上的驱动结构层和发光结构层；所述驱动结构层包括像素驱动电路，其特征在于：所述发光结构层包括第一电极层、像素界定层、辅助电极、有机功能层和第二电极层；
5.所述第一电极层包括设置在所述驱动结构层上的多个第一电极，所述像素界定层设于所述多个第一电极的远离所述基底一侧并设有多个第一开口，每个所述第一开口将对应的一个所述第一电极的远离所述基底的表面暴露出；
6.所述像素界定层的远离所述基底的表面设有第二开口，所述第二开口贯穿或不贯穿所述像素界定层，所述辅助电极设于所述第二开口处，所述辅助电极的远离所述基底的表面的一部分或全部被所述第二开口暴露，所述辅助电极的远离所述基底的表面的被所述第二开口暴露的部分在所述基底上的正投影包含所述第二开口的远离所述基底的一端在所述基底上的正投影；
7.所述有机功能层和所述第二电极层依次叠设于所述多个第一电极和所述像素界定层的远离所述基底的一侧，每个所述第一电极、所述有机功能层和所述第二电极层形成一个发光器件；所述有机功能层在所述第二开口处断开并将所述辅助电极的远离所述基底的表面的至少一部分暴露；所述辅助电极的远离所述基底的表面的至少一部分与所述第二电极层搭接。
8.本公开实施例还提供一种显示装置，包括所述的显示基板。
9.本公开实施例还提供一种显示基板的制备方法，包括：
10.在基底上形成驱动结构层，所述驱动结构层包括像素驱动电路；
11.在所述驱动结构层上形成第一电极层，所述第一电极层包括多个第一电极；
12.在所述多个第一电极的远离所述基底一侧形成像素界定层，所述像素界定层设有多个第一开口，每个所述第一开口将对应的一个所述第一电极的远离所述基底的表面暴露出，所述像素界定层的远离所述基底的表面设有第二开口，所述第二开口贯穿或不贯穿所述像素界定层，所述第二开口的靠近所述基底的一端在所述基底上的正投影包含所述第二开口的远离所述基底的一端在所述基底上的正投影；
13.在所述第二开口内形成辅助电极，所述辅助电极的远离所述基底的表面在所述基底上的正投影包含所述第二开口的远离所述基底的一端在所述基底上的正投影；
14.在所述多个第一电极和所述像素界定层的远离所述基底的一侧形成有机功能层，所述有机功能层在所述第二开口处断开并将所述辅助电极的远离所述基底的表面的至少一部分暴露；
15.在所述有机功能层的远离所述基底的一侧形成第二电极层，所述第二电极层与所述辅助电极的远离所述基底的表面的至少一部分搭接。
16.本公开实施例还提供另一种显示基板的制备方法，包括：
17.在基底上形成驱动结构层，所述驱动结构层包括像素驱动电路；
18.在所述驱动结构层上形成第一电极层和辅助电极，所述第一电极层包括多个第一电极；
19.在所述多个第一电极和所述辅助电极的远离所述基底一侧形成像素界定层，所述像素界定层设有多个第一开口和第二开口，每个所述第一开口将对应的一个所述第一电极的远离所述基底的表面暴露出，所述第二开口将所述辅助电极的远离所述基底的表面的一部分暴露，所述辅助电极的远离所述基底的表面的被所述第二开口暴露的部分在所述基底上的正投影包含所述第二开口的远离所述基底的一端在所述基底上的正投影；
20.在所述多个第一电极和所述像素界定层的远离所述基底的一侧形成有机功能层，所述有机功能层在所述第二开口处断开并将所述辅助电极的远离所述基底的表面的至少一部分暴露；
21.在所述有机功能层的远离所述基底的一侧形成第二电极层，所述第二电极层与所述辅助电极的远离所述基底的表面的至少一部分搭接。
22.本公开实施例的显示基板，通过将像素界定层设置第二开口，并在第二开口处设置辅助电极，且所述辅助电极的远离基底的表面的一部分或全部被所述第二开口暴露，所述辅助电极的远离基底的表面的被所述第二开口暴露的部分在基底上的正投影包含所述第二开口的远离基底的一端在基底上的正投影，这样，可以使得后续通过蒸镀工艺形成有机功能层过程中，有机功能层可以在所述第二开口处自然断开，并可以将所述辅助电极的远离所述基底的表面的至少一部分暴露，以使得后续形成的第二电极层能够与所述辅助电极搭接。通过设置所述辅助电极并与第二电极层(比如为阴极)搭接，可以减小显示基板的电压降，从而可以改善显示基板的发光不均匀现象。
附图说明
23.附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本
公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。附图中部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。
24.图1为一些示例性实施例的显示基板的局部剖面结构示意图；
25.图2为另一些示例性实施例的显示基板的局部剖面结构示意图；
26.图3a为一些示例性实施例的显示基板的平面结构示意图；
27.图3b为另一些示例性实施例的显示基板的平面结构示意图；
28.图3c为又一些示例性实施例的显示基板的平面结构示意图；
29.图4为一些示例性实施例的显示基板的发光器件的膜层结构示意图；
30.图5a为在一些示例性实施例中图1的显示基板在形成像素界定层后的局部剖面结构示意图；
31.图5b为在一些示例性实施例中图1的显示基板在形成辅助电极后的局部剖面结构示意图；
32.图5c为在一些示例性实施例中图1的显示基板在形成有机功能层后的局部剖面结构示意图；
33.图6a为在一些示例性实施例中图2的显示基板在形成第一电极和辅助电极后的局部剖面结构示意图；
34.图6b为在一些示例性实施例中图2的显示基板在形成像素界定层后的局部剖面结构示意图；
35.图6c为在一些示例性实施例中图2的显示基板在形成有机功能层后的局部剖面结构示意图。
36.附图标记为：10、基底，20、驱动结构层，30、发光结构层，31、第一电极，32、像素界定层，33、辅助电极，34、有机功能层，35、第二电极层，40、封装结构层，321、第一开口，322、第二开口，3221、第一方向开口，3222、第二方向开口；
37.341、空穴注入层，342、空穴传输层，343、电子阻挡层，344、发光层，345、空穴阻挡层，346、电子传输层，347、电子注入层。
具体实施方式
38.本领域的普通技术人员应当理解，可以对本公开实施例的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本公开实施例技术方案的精神和范围，均应涵盖在本公开的权利要求范围当中。
39.本公开实施例提供一种显示基板，包括依次叠设于基底上的驱动结构层和发光结构层；所述驱动结构层包括像素驱动电路，所述发光结构层包括第一电极层、像素界定层、辅助电极、有机功能层和第二电极层；所述第一电极层包括设置在所述驱动结构层上的多个第一电极，所述像素界定层设于所述多个第一电极的远离所述基底一侧并设有多个第一开口，每个所述第一开口将对应的一个所述第一电极的远离所述基底的表面暴露出。
40.所述像素界定层的远离所述基底的表面设有第二开口，所述第二开口贯穿或不贯穿所述像素界定层，所述辅助电极设于所述第二开口处，所述辅助电极的远离所述基底的表面的一部分或全部被所述第二开口暴露，所述辅助电极的远离所述基底的表面的被所述第二开口暴露的部分在所述基底上的正投影包含所述第二开口的远离所述基底的一端在
所述基底上的正投影。
41.所述有机功能层和所述第二电极层依次叠设于所述多个第一电极和所述像素界定层的远离所述基底的一侧，每个所述第一电极、所述有机功能层和所述第二电极层形成一个发光器件；所述有机功能层在所述第二开口处断开并将所述辅助电极的远离所述基底的表面的至少一部分暴露；所述辅助电极的远离所述基底的表面的至少一部分与所述第二电极层搭接。
42.本公开实施例的显示基板，通过将像素界定层设置第二开口，并在第二开口处设置辅助电极，且所述辅助电极的远离基底的表面的一部分或全部被所述第二开口暴露，所述辅助电极的远离基底的表面的被所述第二开口暴露的部分在基底上的正投影包含所述第二开口的远离基底的一端在基底上的正投影，这样，可以使得后续通过蒸镀工艺形成有机功能层过程中，有机功能层可以在所述第二开口处自然断开，并可以将所述辅助电极的远离所述基底的表面的至少一部分暴露，以使得后续形成的第二电极层能够与所述辅助电极搭接。通过设置所述辅助电极并与第二电极层(比如为阴极)搭接，可以减小显示基板的电压降，从而可以改善显示基板的发光不均匀现象。
43.在一些示例性实施例中，如图1所示，图1为一些示例性实施例的显示基板的局部剖面结构示意图，所述显示基板包括依次叠设于基底10上的驱动结构层20和发光结构层30。所述驱动结构层20可以包括多个像素驱动电路，发光结构层30可以包括多个发光器件，每个像素驱动电路可以驱动对应的一个发光器件发光。所述像素驱动电路可以包括多个薄膜晶体管和存储电容，所述像素驱动电路可以为3t1c、4t1c、5t1c、5t2c、6t1c或7t1c等结构，本实施例对此不作限制。
44.所述发光结构层30包括第一电极31层、像素界定层32、辅助电极33、有机功能层34和第二电极层35。所述第一电极31层包括设置在所述驱动结构层20上的多个第一电极31，每个第一电极31与一个所述像素驱动电路连接。所述像素界定层32设于所述多个第一电极31的远离所述基底10一侧并设有多个第一开口321，每个所述第一开口321将对应的一个所述第一电极31的远离所述基底10的表面暴露出。
45.所述像素界定层32的远离所述基底10的表面设有第二开口322，所述第二开口322可以贯穿或不贯穿所述像素界定层32，所述辅助电极33设于所述第二开口322内，所述辅助电极33的远离所述基底10的表面全部被所述第二开口322暴露，所述辅助电极33的远离所述基底10的表面在所述基底10上的正投影包含所述第二开口322的远离所述基底10的一端在所述基底10上的正投影。
46.所述有机功能层34和所述第二电极层35依次叠设于所述多个第一电极31和所述像素界定层32的远离所述基底10的一侧，每个所述第一电极31、所述有机功能层34和所述第二电极层35形成一个发光器件；所述有机功能层34在所述第二开口322处断开并将所述辅助电极33的远离所述基底10的表面的至少一部分暴露；所述辅助电极33的远离所述基底10的表面的至少一部分与所述第二电极层35搭接。
47.本实施例的显示基板在制备过程中，可以先形成像素界定层32，然后在像素界定层32的第二开口322内形成辅助电极33。所述辅助电极33可以采用溶液法形成，比如可采用喷墨打印或狭缝涂布等工艺将导电墨水材料形成在第二开口322内，经过真空抽气、烘烤等处理后，导电墨水材料固化形成辅助电极33。
48.本实施例的一些示例中，如图1所示，所述第二开口322的靠近所述基底10的一端在所述基底10上的正投影可以包含所述第二开口322的远离所述基底10的一端在所述基底10上的正投影。示例性地，所述第二开口322的剖面形状可以为正梯形，正梯形的靠近基底10的底边长度大于正梯形的远离基底10的底边长度，这样，采用溶液法在第二开口322内形成辅助电极33后，辅助电极33能较好地填充在第二开口322内并与第二开口322的周向侧壁接触(辅助电极33的剖面形成相应地为正梯形)，且辅助电极33形成在第二开口322内，辅助电极33的厚度小于第二开口322的深度，则，辅助电极33的远离所述基底10的表面在所述基底10上的正投影包含所述第二开口322的远离所述基底10的一端在所述基底10上的正投影，因此，在所述第二开口322的剖面内，所述第二开口322的远离所述基底10的一端的宽度为l1(即所述正梯形的远离基底10的底边长度)，辅助电极33的远离所述基底10的表面的宽度为l2，l2》l1。由于l2》l1，在后续采用真空热蒸镀工艺形成有机功能层34时，有机功能层34会在第二开口322的周向边缘处自然断开，辅助电极33的远离基底10的表面的与第二开口322的远离基底10的一端正对的位置(即第二开口322的远离基底10的一端在辅助电极33的远离基底10的表面上的投影区域)会沉积有宽度为l1的有机功能层34，辅助电极33的远离基底10的表面的其余区域未沉积有机功能层34，这样，后续在形成第二电极层35时，可以采用溅射工艺沉积形成第二电极层35，受shadow效应(阴影效应)影响，第二电极层35可以在所述第二开口322内连续成膜，从而使第二电极层35与辅助电极33的未被有机功能层34覆盖的区域搭接。在一些示例中，所述辅助电极33的远离所述基底10的表面的周向边缘区域可以未被所述有机功能层34覆盖，且与所述第二电极层35搭接。
49.在另一些示例性实施例中，如图2所示，图2为另一些示例性实施例的显示基板的局部剖面结构示意图，所述显示基板包括依次叠设于基底10上的驱动结构层20和发光结构层30。所述驱动结构层20可以包括多个像素驱动电路，发光结构层30可以包括多个发光器件，每个像素驱动电路可以驱动对应的一个发光器件发光。所述像素驱动电路可以包括多个薄膜晶体管和存储电容，所述像素驱动电路可以为3t1c、4t1c、5t1c、5t2c、6t1c或7t1c等结构，本实施例对此不作限制。
50.所述发光结构层30包括第一电极31层、像素界定层32、辅助电极33、有机功能层34和第二电极层35。所述第一电极31层包括设置在所述驱动结构层20上的多个第一电极31，每个第一电极31与一个所述像素驱动电路连接。所述辅助电极33设置在所述驱动结构层20上，所述像素界定层32设于所述多个第一电极31和所述辅助电极33的远离所述基底10一侧，所述像素界定层32设有多个第一开口321，每个所述第一开口321将对应的一个所述第一电极31的远离所述基底10的表面暴露出，所述像素界定层32的远离所述基底10的表面设有第二开口322，所述第二开口322贯穿所述像素界定层32，所述辅助电极33的远离所述基底10的表面的一部分被所述第二开口322暴露，所述辅助电极33的远离所述基底10的表面的被所述第二开口322暴露的部分在所述基底10上的正投影包含所述第二开口322的远离所述基底10的一端在所述基底10上的正投影。
51.所述有机功能层34和所述第二电极层35依次叠设于所述多个第一电极31和所述像素界定层32的远离所述基底10的一侧，每个所述第一电极31、所述有机功能层34和所述第二电极层35形成一个发光器件；所述有机功能层34在所述第二开口322处断开并将所述辅助电极33的远离所述基底10的表面的至少一部分暴露；所述辅助电极33的远离所述基底
10的表面的至少一部分与所述第二电极层35搭接。
52.本实施例的显示基板，辅助电极33设置在驱动结构层20上，像素界定层32设置在多个第一电极31和辅助电极33的远离基底10一侧。本实施例的显示基板在制备过程中，先形成第一电极31和辅助电极33，然后形成像素界定层32。形成辅助电极33的工艺可以不限，可以采用沉积工艺或者溶液法。
53.本实施例的一些示例中，如图2所示，所述第二开口322的剖面形状可以为正梯形，正梯形的靠近基底10的底边长度为l2，正梯形的远离基底10的底边长度为l1，即l2》l1。在所述第二开口322的剖面内，所述辅助电极33的远离所述基底10的表面的被所述第二开口322暴露的部分的宽度即为l2。这样，所述辅助电极33的远离所述基底10的表面的被所述第二开口322暴露的部分在所述基底10上的正投影包含所述第二开口322的远离所述基底10的一端在所述基底10上的正投影。由于l2》l1，在后续采用真空热蒸镀工艺形成有机功能层34时，有机功能层34会在第二开口322的周向边缘处自然断开，辅助电极33的远离基底10的表面的与第二开口322的远离基底10的一端正对的位置(即第二开口322的远离基底10的一端在辅助电极33的远离基底10的表面上的投影区域)会沉积有宽度为l1的有机功能层34，辅助电极33的远离基底10的表面的其余区域未沉积有机功能层34，这样，后续在形成第二电极层35时，可以采用溅射工艺沉积形成第二电极层35，受shadow效应影响，第二电极层35可以在所述第二开口322内连续成膜，从而使第二电极层35与辅助电极33的未被有机功能层34覆盖的区域搭接。在一些示例中，所述辅助电极33的远离所述基底10的表面的被所述第二开口322暴露的部分的周向边缘区域可以未被所述有机功能层34覆盖，且与所述第二电极层35搭接。
54.在一些示例性实施例中，如图3a、图3b和图3c所示，图3a为一些示例性实施例的显示基板的平面结构示意图，图3b为另一些示例性实施例的显示基板的平面结构示意图，图3c为又一些示例性实施例的显示基板的平面结构示意图，所述多个第一开口321可以包括多个第一开口行和多个第一开口列，每个所述第一开口行包括沿第一方向x排布的多个所述第一开口321，每个所述第一开口列包括沿第二方向y排布的多个所述第一开口321，所述第一方向x与所述第二方向y相交(比如可以垂直)。
55.本实施例的一个示例中，如图3a所示，所述第二开口322可以包括一个或多个沿所述第一方向x延伸的第一方向开口3221，所述第一方向开口3221位于相邻的两个所述第一开口行之间。所述辅助电极33的形状可以与所述第一方向开口3221的形状相适配，所述辅助电极33与所述第一方向开口3221的数量可以相同，相应地，本示例的显示基板可以包括一个或多个沿所述第一方向x延伸的辅助电极33，相邻的两个所述第一开口行之间可以设有一个所述辅助电极33。
56.本实施例的一个示例中，如图3b所示，所述第二开口322可以包括一个或多个沿所述第二方向y延伸的第二方向开口3222，所述第二方向开口3222位于相邻的两个所述第一开口列之间。所述辅助电极33的形状可以与所述第二方向开口3222的形状相适配，所述辅助电极33与所述第二方向开口3222的数量可以相同，相应地，本示例的显示基板可以包括一个或多个沿所述第二方向y延伸的辅助电极33，相邻的两个所述第一开口列之间可以设有一个所述辅助电极33。
57.本实施例的另一个示例中，如图3c所示，所述第二开口322可以包括一个或多个沿
所述第一方向x延伸的第一方向开口3221，所述第一方向开口3221位于相邻的两个所述第一开口行之间。所述第二开口322还可以包括一个或多个沿所述第二方向y延伸的第二方向开口3222，所述第二方向开口3222位于相邻的两个所述第一开口列之间。相应地，本示例的显示基板可以包括一个或多个沿所述第一方向x延伸的辅助电极33，以及一个或多个沿所述第二方向y延伸的辅助电极33，相邻的两个所述第一开口行之间可以设有一个沿所述第一方向x延伸的辅助电极33，相邻的两个所述第一开口列之间可以设有一个沿所述第二方向y延伸的辅助电极33，多个所述辅助电极33可以相互交叉连通呈网格状。
58.在一些示例性实施例中，所述第二开口可以设置为一个或多个，所述第二开口可以为条状、块状或不规则形状，相应地，所述辅助电极设置为一个或多个，所述辅助电极的形状可以为条状、块状或不规则形状。所述辅助电极的形状和位置可以不限。
59.在一些示例性实施例中，所述辅助电极的材料可以包括银、碳纳米管、石墨烯、聚3,4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐中的一种或多种。本公开实施例对辅助电极33的材料可以不限，具有良好的导电性即可。所述辅助电极的厚度可以为至
60.在一些示例性实施例中，如图4所示，图4为一些示例性实施例的显示基板的发光器件的膜层结构示意图，所述有机功能层34包括发光层344。所述有机功能层34还可以包括叠设于所述第一电极31和所述发光层344之间的以下任一个或多个膜层：空穴注入层341、空穴传输层342、电子阻挡层343；或/和，所述有机功能层34还可以包括叠设于所述发光层344和所述第二电极层35之间的以下任一个或多个膜层：空穴阻挡层345、电子传输层346、电子注入层347。示例性地，所述发光器件可以为oled器件，包括依次叠设的第一电极31(阳极)、空穴注入层341、空穴传输层342、电子阻挡层343、发光层344、空穴阻挡层345、电子传输层346、电子注入层347和第二电极层35(阴极)。所述发光器件可以为顶发射器件，所述第一电极31可以为反射电极，所述第一电极31可以采用多层复合结构，比如，氧化铟锡/银/氧化铟锡(ito/ag/ito)；所述第二电极层35可以为透明电极，比如，镁银合金、ito、氧化铟锌(izo)、掺铝氧化锌(azo)等。
61.本实施例的一个示例中，所述发光层包括多个子发光层，每个子发光层可以设置在对应的一个第一开口内。示例性地，所述显示基板可以包括红、绿、蓝三种子像素，每个红色子像素包括一个红光发光器件，每个绿色子像素包括一个绿光发光器件，每个蓝色子像素包括一个蓝光发光器件。所述发光层可以包括多个红色子发光层、多个绿色子发光层和多个蓝色子发光层，一个红光发光器件包括一个红色子发光层，一个绿光发光器件包括一个绿色子发光层，一个蓝光发光器件包括一个蓝色子发光层。每个发光器件的子发光层在第一电极和第二电极层的电压作用下发射相应颜色的光。所述发光器件可以为oled器件。可多次采用蒸镀工艺分别形成红色子发光层、绿色子发光层和蓝色子发光层，每种颜色子像素的子发光层在蒸镀过程中可以采用精细金属掩膜板(fmm)，形成在相应颜色子像素的第一开口内。所述空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的任一个膜层在采用蒸镀工艺形成时，可以采用开放式掩膜板(open mask)，蒸镀过程中任一个膜层会在第二开口处自然断开并将辅助电极的远离基底的表面的至少一部分暴露。
62.顶发射oled器件在由电流驱动起亮后，光从远离基底一侧的第二电极层(阴极)出射。顶发射器件的第一电极(阳极)为反射电极，可以为ito/ag/ito，可以阻挡光从阳极一侧
出射，并可以将光反射回阴极一侧出射。受出光方向的要求，阴极需要具有较高的透过率，从而保证oled的发光可以由阴极一侧出射。透明阴极的材料可以为镁银合金(厚度一般＜)，或透明导电氧化物(如izo等)。导电薄膜的电阻可用方块电阻rs表示，rs满足关系rs＝ρ/d，ρ是材料电阻率，d是薄膜厚度，从该公式可以看到，导电薄膜厚度越薄，其方块电阻越大。因此采用镁银合金作为阴极时，显示面板存在比较严重的ir drop问题。采用透明氧化物作为阴极时，虽然相对更厚，但是在大尺寸显示面板中仍然会造成ir drop问题。ir drop会造成不同位置oled器件的驱动电流存在明显差异，进而造成显示面板的显示不均匀的问题，影响显示效果。本公开实施例的显示基板，通过设置所述辅助电极并与第二电极层(比如为阴极)搭接，可以降低第二电极层的电阻，减小显示基板的电压降，从而可以改善显示基板的发光不均匀现象。
63.下面示例性地说明本公开显示基板的制备方法。本文所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀和剥离光刻胶等处理。沉积可以采用选自溅射、蒸镀和化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用选自喷涂和旋涂中的任意一种或多种，刻蚀可以采用选自干刻和湿刻中的任意一种或多种。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积或涂覆工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需构图工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。当在整个制作过程当中该“薄膜”还需构图工艺，则在构图工艺前称为“薄膜”，构图工艺后称为“层”。经过构图工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本文中所说的“a和b同层设置”是指，a和b通过同一次构图工艺同时形成。“a的正投影包含b的正投影”是指，b的正投影落入a的正投影范围内，或者a的正投影覆盖b的正投影。
64.在一些示例性实施例中，图1示例的显示基板的制备方法可以包括如下步骤：
65.1)在基底10上形成驱动结构层20、第一电极31层和像素界定层32。
66.在基底10上形成驱动结构层20，所述驱动结构层20包括像素驱动电路，所述像素驱动电路可以包括多个薄膜晶体管和存储电容，所述像素驱动电路可以为3t1c、4t1c、5t1c、5t2c、6t1c或7t1c等结构，本实施例对此不作限制。
67.在所述驱动结构层20的远离所述基底10一侧形成导电薄膜，通过构图工艺对导电薄膜进行构图，形成第一电极31层图案，第一电极31层图案包括多个第一电极31。所述导电薄膜可以为单层结构或多层复合结构，比如为ito/ag/ito。所述第一电极31为反射阳极。
68.在形成前述图案的基底10上涂覆像素界定薄膜，通过掩膜、曝光、显影、刻蚀、剥离等工艺，形成像素界定层32。所述像素界定层32设有多个第一开口321，每个所述第一开口321将对应的一个所述第一电极31的远离所述基底10的表面暴露出。所述像素界定层32的远离所述基底10的表面设有第二开口322，所述第二开口322贯穿或不贯穿所述像素界定层32(图1的示例中，第二开口322不贯穿像素界定层32)，所述第二开口322的剖面形状可以为正梯形，该正梯形的远离基底10的底边长度为l1。如图5a所示，图5a为在一些示例性实施例中图1的显示基板在形成像素界定层32后的局部剖面结构示意图。
69.2)形成辅助电极33。
70.可以采用喷墨打印或狭缝涂布等工艺将导电墨水材料形成在第二开口322内，经过真空抽气、烘烤等处理后，导电墨水材料固化形成辅助电极33。所述导电墨水材料可以为：银纳米颗粒、导电银浆、碳纳米管(carbon nanotubes，cnts)、石墨烯(graphene)或聚3,
4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐(pedot:pss)等。所述辅助电极33的厚度可以为至在所述第二开口322的剖面内，所述辅助电极33的远离基底10的表面的宽度为l2，则l2》l1，如图5b所示，图5b为在一些示例性实施例中图1的显示基板在形成辅助电极33后的局部剖面结构示意图。
71.3)形成有机功能层34。
72.可采用蒸镀工艺在形成前述图案的基底10上依次形成空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层，在所述第二开口322处，由于l2》l1，有机功能层34的这些膜层中的任一个在蒸镀形成过程中会在所述第二开口322处自然断开并将所述辅助电极33的远离所述基底10的表面的至少一部分暴露，如图5c所示，图5c为在一些示例性实施例中图1的显示基板在形成有机功能层34后的局部剖面结构示意图。
73.4)形成第二电极层35和封装结构层40。
74.可以采用溅射工艺沉积形成第二电极层35，受shadow效应影响，第二电极层35可以在所述第二开口322内连续成膜，使得所述第二电极层35可以与所述辅助电极33的远离所述基底10的表面的未被所述有机功能层34覆盖的区域搭接，如图1所示。
75.在第二电极层35的远离基底10一侧依次形成第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层，从而形成封装结构层40。封装结构层40可以防止外界水汽进入显示基板内部。如图1所示。
76.在一些示例性实施例中，图2示例的显示基板的制备方法可以包括如下步骤：
77.1)在基底10上形成驱动结构层20、多个第一电极31和辅助电极33。
78.在基底10上形成驱动结构层20，所述驱动结构层20包括像素驱动电路，所述像素驱动电路可以包括多个薄膜晶体管和存储电容，所述像素驱动电路可以为3t1c、4t1c、5t1c、5t2c、6t1c或7t1c等结构，本实施例对此不作限制。
79.在所述驱动结构层20上形成多个第一电极31和辅助电极33。示例性地，多个第一电极31和辅助电极33可以采用同一次构图工艺形成或者采用不同构图工艺形成。可以先在驱动结构层20上沉积形成导电薄膜，然后通过构图工艺对导电薄膜进行构图，形成多个第一电极31和辅助电极33。或者，多个第一电极31和辅助电极33可以先后单独形成，如图6a所示，图6a为在一些示例性实施例中图2的显示基板在形成第一电极31和辅助电极33后的局部剖面结构示意图。
80.2)形成像素界定层32。
81.在形成前述图案的基底10上涂覆像素界定薄膜，通过掩膜、曝光、显影、刻蚀等工艺，形成像素界定层32。
82.所述像素界定层32设有多个第一开口321和第二开口322，每个所述第一开口321将对应的一个所述第一电极31的远离所述基底10的表面暴露出，所述第二开口322将所述辅助电极33的远离所述基底10的表面的一部分暴露。所述第二开口322的剖面形状可以为正梯形，该正梯形的靠近基底10的底边长度为l2，该正梯形的远离基底10的底边长度为l1，即l2》l1，则，所述辅助电极33的远离所述基底10的表面的被所述第二开口322暴露的部分在所述基底10上的正投影包含所述第二开口322的远离所述基底10的一端在所述基底10上
的正投影。如图6b所示，图6b为在一些示例性实施例中图2的显示基板在形成像素界定层32后的局部剖面结构示意图。
83.3)形成有机功能层34。
84.可采用蒸镀工艺在形成前述图案的基底10上依次形成空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层，在所述第二开口322处，由于l2》l1，有机功能层34的这些膜层中的任一个在蒸镀形成过程中会在所述第二开口322处自然断开并将所述辅助电极33的远离所述基底10的表面的至少一部分暴露，如图6c所示，图6c为在一些示例性实施例中图2的显示基板在形成有机功能层34后的局部剖面结构示意图。
85.4)形成第二电极层35和封装结构层40。
86.可以采用溅射工艺沉积形成第二电极层35，受shadow效应影响，第二电极层35可以在所述第二开口322内连续成膜，使得所述第二电极层35可以与所述辅助电极33的远离所述基底10的表面的未被所述有机功能层34覆盖的区域搭接。如图2所示。
87.可以在第二电极层35的远离基底10一侧依次形成第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层，从而形成封装结构层40。如图2所示。封装结构层40可以防止外界水汽进入显示基板内部。在第二电极层35和封装结构层40之间还可以形成有覆盖层(cpl)。
88.基于上文内容，本公开实施例还提供一种显示基板的制备方法，包括：
89.在基底上形成驱动结构层，所述驱动结构层包括像素驱动电路；
90.在所述驱动结构层上形成第一电极层，所述第一电极层包括多个第一电极；
91.在所述多个第一电极的远离所述基底一侧形成像素界定层，所述像素界定层设有多个第一开口，每个所述第一开口将对应的一个所述第一电极的远离所述基底的表面暴露出，所述像素界定层的远离所述基底的表面设有第二开口，所述第二开口贯穿或不贯穿所述像素界定层，所述第二开口的靠近所述基底的一端在所述基底上的正投影包含所述第二开口的远离所述基底的一端在所述基底上的正投影；
92.在所述第二开口内形成辅助电极，所述辅助电极的远离所述基底的表面在所述基底上的正投影包含所述第二开口的远离所述基底的一端在所述基底上的正投影；
93.在所述多个第一电极和所述像素界定层的远离所述基底的一侧形成有机功能层，所述有机功能层在所述第二开口处断开并将所述辅助电极的远离所述基底的表面的至少一部分暴露；
94.在所述有机功能层的远离所述基底的一侧形成第二电极层，所述第二电极层与所述辅助电极的远离所述基底的表面的至少一部分搭接。
95.基于上文内容，本公开实施例还提供另一种显示基板的制备方法，包括：
96.在基底上形成驱动结构层，所述驱动结构层包括像素驱动电路；
97.在所述驱动结构层上形成第一电极层和辅助电极，所述第一电极层包括多个第一电极；
98.在所述多个第一电极和所述辅助电极的远离所述基底一侧形成像素界定层，所述像素界定层设有多个第一开口和第二开口，每个所述第一开口将对应的一个所述第一电极的远离所述基底的表面暴露出，所述第二开口将所述辅助电极的远离所述基底的表面的一部分暴露，所述辅助电极的远离所述基底的表面的被所述第二开口暴露的部分在所述基底
上的正投影包含所述第二开口的远离所述基底的一端在所述基底上的正投影；
99.在所述多个第一电极和所述像素界定层的远离所述基底的一侧形成有机功能层，所述有机功能层在所述第二开口处断开并将所述辅助电极的远离所述基底的表面的至少一部分暴露；
100.在所述有机功能层的远离所述基底的一侧形成第二电极层，所述第二电极层与所述辅助电极的远离所述基底的表面的至少一部分搭接。
101.本公开实施例还提供一种显示装置，包括前文任一实施例所述的显示基板。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
102.在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的实施方式并不一定限定于该尺寸，附图中每个部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了一些例子，本公开的实施方式不局限于附图所示的形状或数值。
103.在本文描述中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10
°
以上且10
°
以下的状态，因此，包括该角度为-5
°
以上且5
°
以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80
°
以上且100
°
以下的状态，因此，包括85
°
以上且95
°
以下的角度的状态。
104.在本文描述中，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“顶”、“内”、“外”、“轴向”、“四角”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开实施例的简化描述，而不是指示或暗示所指的结构具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。
105.在本文描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定连接”、“安装”、“装配”应做广义理解，例如，可以是固定连接，或是可拆卸连接，或一体地连接；术语“安装”、“连接”、“固定连接”可以是直接相连，或通过中间媒介间接相连，或是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据情况理解上述术语在本公开实施例中的含义。