氧化铍基座的制作方法

技术特征：
1.一种基板，其具有顶部和底部且包括氧化铍组合物，所述氧化铍组合物含有至少95wt％的氧化铍和任选的氟/氟离子；其中所述基板在至少600℃的温度表现出至少133kpa的夹持压力，在800℃的温度表现出大于1x105ohm-m的体电阻率。2.根据权利要求1所述的基板，其中，所述基板包含氧化铍组合物，所述氧化铍组合物包含1ppm至5wt％ppm的氧化镁和1ppm至5wt％的二氧化硅和1ppm至小于5wt％ppm的三硅酸镁。3.根据权利要求1所述的基板，其中，所述基板表现出：当被加热到高于700℃的温度时，温度方差小于
±
3％；和/或在高于1600℃的温度，分解变化小于1wt％；和/或介电常数小于20；和/或在45n级的表面硬度为至少50洛氏硬度；和/或在整个所述基板上的热膨胀系数为5至15。4.根据权利要求1所述的基板，其中，热膨胀系数从顶部至底部变化小于25
°
％。5.根据权利要求1所述的基板，其中，所述基板表现出小于0.016wt％的腐蚀损失。6.根据权利要求1所述的基板，其中，所述基板表现出小于2小时的清洁循环时间和小于
±
3％的温度方差。7.根据权利要求1所述的基板，其中，所述基板不包含分离层。8.根据权利要求1所述的基板，其中，当被加热至高于700℃时，所述基板表现出小于
±
3％的温度方差。9.根据权利要求1所述的基板，其中，所述基板具有：从顶部至底部递减的热导率梯度；从顶部至底部递减的电阻率梯度；和从顶部至底部递减的纯度梯度。10.根据权利要求1所述的基板，其中，顶部纯度比底部纯度大至少0.4％。11.一种基座组件，包括：轴，其含有第一氧化铍组合物，所述第一氧化铍组合物含有氧化铍和氟/氟离子；和基板，其含有第二氧化铍组合物，所述第二氧化铍组合物含有至少95wt％的氧化铍；其中，所述基板在至少600℃的温度下表现出至少133kpa的夹持压力，在800℃的温度表现出大于1x105ohm-m的体电阻率。12.根据权利要求11所述的组件，其中，所述第一氧化铍组合物的平均晶界大于0.1微米。13.根据权利要求11所述的组件，其中，所述第一氧化铍组合物的平均晶粒尺寸小于100微米。14.根据权利要求11所述的组件，其中，所述第一氧化铍组合物包含10ppb至800ppm的氟/氟离子。15.根据前述权利要求中任一项所述的组件，其中，所述第一氧化铍组合物包含比所述第二氧化铍组合物更多的氟/氟离子。16.根据权利要求11所述的组件，其中，所述第一氧化铍组合物还包括：1ppb至50wt％ppm的氧化铝；1ppb至10000ppm的亚硫酸盐；和/或1ppb至1wt％ppm的硼、钡、硫或锂，或其组合，包括氧化物、合金、复合材料或同素异形体，或其组合。17.根据权利要求11所述的组件，其中，所述第一氧化铍组合物包含小于75wt％的氮化铝，所述第二氧化铍组合物包含小于5wt％的氮化铝。18.一种用于基座组件的轴，其包含氧化铍组合物，所述氧化铍组合物含有氧化铍和10ppb至800ppm的氟/氟离子；其中，所述氧化铍组合物具有大于0.1微米的平均晶界或无定
形晶粒结构和小于100微米的平均晶粒尺寸。19.一种制造基板的方法，所述方法包括以下步骤：提供第一beo粉末和第三beo粉末；由所述第一和第三粉末形成第二粉末；由所述第一粉末形成第一(底部)区域；由所述第二粉末形成第二(中部)区域；由所述第三粉末形成第三(顶部)区域，以形成基板前驱体，其中所述第二区域设置在所述第一区域与所述第三区域之间；以及烧制所述基板前驱体以形成所述基板。20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述第一和第三粉末以及可选的所述第二粉末包含不同等级的原始beo。

技术总结
具有顶部和底部且包含氧化铍组合物的基板，该氧化铍组合物含有至少95wt％的氧化铍和可选的氟/氟离子。该基板在至少600℃的温度表现出至少133kPa的夹持压力，在800℃的温度表现出大于1x105ohm-m的体电阻率。m的体电阻率。


技术研发人员：拉里
受保护的技术使用者：万腾荣公司
技术研发日：2020.08.13
技术公布日：2022/4/26