显示装置的制作方法

1.本公开的各种实施例涉及一种显示装置，并且更具体地，涉及一种包括超小型发光元件的显示装置，每个超小型发光元件具有从纳米级到微米级的范围的小尺寸。


背景技术：

2.最近，已经开发了使用具有可靠的无机晶体结构的材料制造超小型发光元件和使用该发光元件制造发光装置的技术。例如，已经开发了使用具有对应于从纳米级尺寸到微米级尺寸的范围的小尺寸的超小型发光元件来构造发光装置的光源的技术。这样的发光装置可以用于诸如显示装置和照明装置的各种电子装置中。
3.为了在照明装置、显示器等中使用超小型发光元件，需要将超小型发光元件和被构造为向超小型发光元件施加电力电压的电极连接。就应用的目的、针对电极的空间的减小或者制造方法而言，对超小型发光元件与电极之间的设置关系进行了各种研究。
4.设置超小型发光元件和电极的方法可以分类为在电极上直接生长超小型发光元件的方法以及单独且独立地生长超小型发光元件然后将超小型发光元件设置在电极上的方法。在后一种情况下，如果发光元件具有正常的尺寸，则能够使发光元件垂直地竖立并将发光元件与电极连接。然而，如果发光元件是纳米级超小型发光元件，则难以将发光元件垂直地竖立在电极上。


技术实现要素：

5.技术问题
6.本公开的目的是提供一种其中可以改善超小型发光元件的对准的显示装置。
7.本公开的另一目的是提供一种具有改善的视角的显示装置。
8.本公开不限于上面描述的目的，并且本领域技术人员将通过以下描述清楚地理解未提及的其它目的。
9.技术方案
10.根据本公开的实施例的显示装置可以包括：第一连接电极，在第一方向上延伸，并且电连接到第一电源施加到其的第一电力线；第二连接电极，与第一连接电极间隔开，并且电连接到第二电源施加到其的第二电力线；第一电极，从第一连接电极延伸；第二电极，从第二连接电极延伸，并且与第一电极平行地设置且在第二电极与第一电极之间具有预定距离；以及多个发光元件，均包括电连接到第一电极的第一端部和电连接到第二电极的第二端部。第一电极和第二电极中的每个可以包括弯曲部分。
11.第一电极和第二电极可以分别从第一连接电极和第二连接电极在与第一方向相交的第二方向上延伸。
12.弯曲部分可以具有在第一方向上突出的形状。
13.第一电极和第二电极中的每个可以具有弯曲形状或之字形形状。
14.第一电极和第二电极中的每个可以具有通过连接多个象限弧而形成的形状。
15.第一电极和第二电极中的每个可以具有具备通过连接多个象限弧而形成的形状的连接部分。拐点包括在连接部分中。
16.多个发光元件中的每个可以包括具有从纳米级到微米级的范围的尺寸的棒状发光二极管。
17.多个发光元件中的至少一些发光元件可以对准使得其纵向方向与相对于第一电极和第二电极沿其延伸的方向的法线方向对应。
18.第一电极或第二电极可以包括具有不同的宽度的部分。
19.显示装置可以包括设置在第一电极与第二电极之间而不直接连接到第一连接电极或第二连接电极的至少一个岛状电极。
20.多个发光元件中的一些发光元件可以设置在第一电极与至少一个岛状电极之间。多个发光元件中的其它一些发光元件可以设置在第二电极与至少一个岛状电极之间。
21.至少一个岛状电极可以与第一电极和第二电极平行地设置，在至少一个岛状电极与第一电极之间并且在至少一个岛状电极与第二电极之间具有预定距离。
22.至少一个岛状电极可以包括弯曲部分。
23.多个发光元件可以彼此串联和并联连接。
24.第一电极和第二电极中的每个还可以包括在与第一方向相交的第二方向上延伸的线型部分。
25.根据本公开的实施例的显示装置可以包括：基底，包括发射区域；第一电极，设置在基底的发射区域中；第二电极，在基底的发射区域中与第一电极设置在同一层，并且被构造为面对第一电极，并且与第一电极间隔开并电分离；以及多个发光元件，在平面图中，设置在第一电极与第二电极之间。第一电极和第二电极中的每个可以在平面图中包括弯曲部分。
26.显示装置还可以包括：第一接触电极，被构造为将多个发光元件中的每个的第一端部连接到第一电极；以及第二接触电极，被构造为将多个发光元件中的每个的第二端部连接到第二电极。
27.显示装置还可以包括设置在第一电极与第二电极之间的第一岛状电极和第二岛状电极。第一电极、第一岛状电极、第二岛状电极和第二电极之间的距离可以彼此相等。
28.第一电极、第一岛状电极、第二岛状电极和第二电极可以彼此平行地设置。
29.第一岛状电极和第二岛状电极中的每个可以包括弯曲部分。
30.各种实施例的细节包括在详细描述和附图中。
31.有益效果
32.在根据本公开的实施例的显示装置中，可以改善超小型发光元件的对准，并且可以改善视角。
33.本公开的效果不受前述内容的限制，并且在此预期了其它各种效果。
附图说明
34.图1a和图1b分别是示出根据本公开的实施例的发光元件的透视图和剖面图。
35.图2a和图2b分别是示出根据本公开的实施例的发光元件的透视图和剖面图。
36.图3a和图3b分别是示出根据本公开的实施例的发光元件的透视图和剖面图。
37.图4是示出根据本公开的实施例的显示装置的平面图。
38.图5是示出包括在图4的显示装置中的子像素的示例的电路图。
39.图6a至图6d是示出包括在图5的子像素中的单元像素的示例的电路图。
40.图7是示出包括在图4的显示装置中的子像素的示例的平面图。
41.图8是示出图7的子像素中的第一子像素的示例的平面图。
42.图9a至图9d是示出沿着图8的线i-i'截取的单元像素的示例的剖面图。
43.图10是示出包括在图4的显示装置中的子像素的示例的平面图。
44.图11是示出包括在图4的显示装置中的子像素的示例的平面图。
45.图12是示出包括在图4的显示装置中的子像素的示例的平面图。
46.图13是用于描述图12的第一电极和第二电极的形状的视图。
47.图14是示出包括在图4的显示装置中的子像素的示例的平面图。
48.图15至图17是示出包括在图4的显示装置中的子像素的其它示例的平面图。
49.图18和图19是示出包括在图4的显示装置中的子像素的其它示例的平面图。
50.图20a至图20d是示出包括在图5的子像素中的单元像素的示例的电路图。
51.图21至图30是示出图20a至图20d的示例可以应用于其的子像素(或单元像素)的各种示例的平面图。
52.图31是示出包括在图5的子像素中的单元像素的示例的电路图。
53.图32是示出图31的子像素的示例的平面图。
具体实施方式
54.参照稍后与附图一起详细描述的实施例，将清楚本公开的优点和特征以及用于实现本公开的优点和特征的方法。然而，本发明可以以许多不同的形式实施，并且不应该被解释为限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达发明的构思，并且本发明将仅由所附权利要求限定。
55.将理解的是，如果元件或层被称为“在”另一元件或层“上”，则该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在一个或更多个居间元件或层。同样的附图标记始终指同样的元件。
56.将理解的是，尽管在此可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应该受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。在本公开中，除非上下文另外清楚地指示，否则单数形式也旨在包括复数形式。
57.在下文中，将参照附图详细描述本公开的实施例。在附图中，相同或相似的附图标记用于表示相同或相似的元件。
58.图1a和图1b分别是示出根据本公开的实施例的发光元件的透视图和剖面图。尽管在图1a和图1b中示出了圆柱形形状的棒型发光元件ld，但是根据本公开的发光元件ld的类型和/或形状不限于此。
59.参照图1a和图1b，发光元件ld可以包括第一导电半导体层11、第二导电半导体层13和置于第一导电半导体层11与第二导电半导体层13之间的活性层12。例如，发光元件ld可以由通过在一个方向上依次堆叠第一导电半导体层11、活性层12和第二导电半导体层13
而形成的堆叠体构成。
60.在实施例中，发光元件ld可以以在一个方向上延伸的棒的形式设置。发光元件ld可以具有相对于一个方向的一个端部和剩余端部。
61.在实施例中，第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中的一个可以设置在发光元件ld的一个端部上，并且第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中的另一个可以设置在发光元件ld的剩余端部上。
62.在实施例中，发光元件ld可以是以棒的形式制造的棒型发光二极管。在此，术语“棒状形状”包括与在宽度方向上相比，在纵向方向上长(即，以具有大于1的纵横比)的诸如圆柱形形状和棱柱形形状的棒状形状和条状形状，并且其剖面形状不限于具体的形状。例如，发光元件ld的长度l可以大于其直径d(或其剖面的宽度)。
63.在实施例中，发光元件ld可以具有从纳米级到微米级的范围的小尺寸(例如，从纳米级到微米级的范围的直径d和/或长度l)。然而，发光元件ld的尺寸不限于此。例如，发光元件ld的尺寸可以根据各种装置(例如，采用使用发光元件ld的发光装置作为光源的显示装置)的设计条件以各种方式改变。
64.第一导电半导体层11可以包括至少一个n型半导体层。例如，第一导电半导体层11可以包括n型半导体层，该n型半导体层包括inalgan、gan、algan、ingan、aln和inn中的一种半导体材料，并且掺杂有诸如si、ge或sn的第一导电掺杂剂。然而，用于形成第一导电半导体层11的材料不限于此，并且可以使用各种其它材料来形成第一导电半导体层11。
65.活性层12可以设置在第一导电半导体层11上并且具有单量子阱结构或多量子阱结构。在实施例中，掺杂有导电掺杂剂的包覆层(未示出)可以形成在活性层12之上和/或下面。例如，包覆层可以由algan层或inalgan层形成。在实施例中，可以使用诸如algan或alingan的材料来形成活性层12，并且可以使用各种其它材料来形成活性层12。
66.如果将阈值电压或更高的电压施加到发光元件ld的相对端部，则发光元件ld可以通过在活性层12中的电子-空穴对的结合来发射光。由于可以基于前述原理控制发光元件ld的光发射，所以发光元件ld可以用作各种发光装置以及显示装置的像素的光源。
67.第二导电半导体层13可以设置在活性层12上，并且包括具有与第一导电半导体层11的类型不同的类型的半导体层。例如，第二导电半导体层13可以包括至少一个p型半导体层。例如，第二导电半导体层13可以包括p型半导体层，该p型半导体层包括inalgan、gan、algan、ingan、aln和inn中的任何一种半导体材料，并且掺杂有诸如mg的第二导电掺杂剂。然而，用于形成第二导电半导体层13的材料不限于此，并且第二导电半导体层13可以由各种其它材料形成。
68.在实施例中，发光元件ld还可以包括设置在发光元件ld的表面上的绝缘膜inf。绝缘膜inf可以形成在发光元件ld的表面上以包围至少活性层12的外周表面，并且还可以包围第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中的每个的一个区域。在此，绝缘膜inf可以允许发光元件ld的具有不同的极性的相对端部暴露于外部。例如，绝缘膜inf可以暴露设置在发光元件ld的相对于纵向方向的相应的相对端部上的第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中的每个的一个端部，例如，可以暴露圆柱体的两个表面(即，上表面和下表面)而不是覆盖它们。
69.在实施例中，绝缘膜inf可以包括二氧化硅(sio2)、氮化硅(si3n4)、氧化铝
(al2o3)和二氧化钛(tio2)中的至少一种绝缘材料，但不限于此。换句话说，形成绝缘膜inf的材料不限于具体材料，并且绝缘膜inf可以由公知的各种绝缘材料形成。
70.在实施例中，除了第一导电半导体层11、活性层12、第二导电半导体层13和/或绝缘膜inf之外，发光元件ld还可以包括附加的其它组件。例如，发光元件ld还可以包括设置在第一导电半导体层11、活性层12和/或第二导电半导体层13的一个端部上的一个或更多个荧光层、一个或更多个活性层、一个或更多个半导体层和/或一个或更多个电极层。
71.图2a和图2b分别是示出根据本公开的实施例的发光元件的透视图和剖面图。图3a和图3b分别是示出根据本公开的实施例的发光元件的透视图和剖面图。
72.参照图2a和图2b，发光元件ld还可以包括设置在第二导电半导体层13的一个端部上的至少一个电极层14。
73.参照图3a和图3b，发光元件ld还可以包括设置在第一导电半导体层11的一个端部上的至少一个电极层15。
74.电极层14和15中的每个可以是欧姆接触电极，但不限于此。此外，电极层14和15中的每个可以包括金属或导电金属氧化物。例如，电极层14和15中的每个可以由透明电极材料(诸如铬(cr)、钛(ti)、铝(al)、金(au)、镍(ni)、其氧化物或合金、氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)或氧化铟锡锌(itzo))单独或组合形成。电极层14和15可以是基本上透明的或半透明的。由此，从发光元件ld产生的光可以在穿过电极层14和15之后发射到外部。
75.在实施例中，绝缘膜inf可以至少部分地包围电极层14和15的外表面，或者可以不包围它们。换句话说，绝缘膜inf可以选择性地形成在电极层14和15的表面上。此外，绝缘膜inf可以形成为暴露发光元件ld的具有不同的极性的相对端部，例如，可以暴露电极层14和15中的每个的至少一个区域。然而，本公开不限于此，并且可以不设置绝缘膜inf。
76.如果绝缘膜inf设置在发光元件ld的表面上(例如，设置在活性层12的表面上)，则可以防止活性层12与至少一个电极(例如，连接到发光元件ld的相对端部的接触电极中的至少一个接触电极等)短路。因此，可以确保发光元件ld的电稳定性。
77.此外，绝缘膜inf可以形成在发光元件ld的表面上，从而使发光元件ld的表面缺陷最小化并提高发光元件ld的寿命和效率。此外，绝缘膜inf可以形成在发光元件ld的表面上，因此，即使多个发光元件ld彼此紧密靠近地布置，也防止发光元件ld之间发生不期望的短路。
78.在实施例中，发光元件ld可以通过表面处理工艺(例如，涂覆)制造。例如，当多个发光元件ld与待供应到每个发光区域(例如，每个像素的发光区域)的流体溶液(或溶剂)混合时，发光元件ld可以均匀地分散而不在溶液中不均匀地聚集。在此，发光区域是其中由发光元件ld发射光的区域。发光区域可以与其中不发射光的非发射区域区分开。
79.在一些实施例中，绝缘膜inf本身可以由使用疏水材料的疏水膜形成，或者可以在绝缘膜inf上形成由疏水材料形成的附加疏水膜。在实施例中，疏水材料可以是含氟材料以表现出疏水性。在实施例中，疏水材料可以以自组装单层(sam)的形式施用到发光元件ld。在这种情况下，疏水材料可以包括十八烷基三氯硅烷、氟烷基三氯硅烷、全氟烷基三乙氧基硅烷等。此外，疏水材料可以是市售的含氟材料，诸如teflon
tm
或cytop
tm
、或对应的材料。
80.包括上面描述的发光元件ld的发光装置可以用于包括需要光源的显示装置的各
种装置中。例如，至少一个超小型发光元件ld(例如，均具有从纳米级到微米级的范围的尺寸的多个超小型发光元件ld)可以设置在显示面板的每个像素区域中以使用超小型发光元件ld形成对应的像素的光源(或光源单元)。此外，根据本公开的发光元件ld的应用的领域不限于显示装置。例如，发光元件ld也可以用于需要光源的其它类型的装置(诸如照明装置)中。
81.图4是示出根据本公开的实施例的显示装置的平面图。在实施例中，图4示出了显示装置(具体地，设置在显示装置中的显示面板pnl)作为可以使用参照图1a至图3b描述的发光元件ld作为光源的装置的示例。根据实施例，图4着重于显示区域da而简单地示出了显示面板pnl的结构。在一些实施例中，尽管未示出，但是可以在显示面板pnl中进一步设置至少一个驱动电路组件(例如，扫描驱动器和数据驱动器中的至少一个)和/或多条线。
82.参照图4，显示面板pnl可以包括基体层(或基底)sub1和设置在基体层sub1上的像素pxl。详细地，显示面板pnl和基体层sub1可以包括被构造为显示图像的显示区域da和除了显示区域da之外的非显示区域nda。
83.在实施例中，显示区域da可以设置在显示面板pnl的中心区域中，并且非显示区域nda可以沿着显示面板pnl的边界以包围显示区域da的这样的方式设置。显示区域da和非显示区域nda的位置不限于此，并且其位置可以改变。
84.基体层sub1可以形成显示面板pnl的基体部。例如，基体层sub1可以形成下面板(例如，显示面板pnl的下板)的基体部。
85.在实施例中，基体层sub1可以是刚性基底或柔性基底，并且其材料或性质没有具体地限制。例如，基体层sub1可以是由玻璃或强化玻璃制成的刚性基底，或者是由塑料或金属制成的薄膜形成的柔性基底。此外，基体层sub1可以是透明基底，但不限于此。例如，基体层sub1可以是半透明基底、不透明基底或反射基底。
86.基体层sub1上的区域被限定为其中设置有像素pxl的显示区域da，而其其它区域被限定为非显示区域nda。例如，基体层sub1可以包括显示区域da和非显示区域nda，显示区域da包括其上形成有像素pxl的多个像素区域，非显示区域nda设置在显示区域da周围。连接到显示区域da的像素pxl的各种线和/或内部电路可以设置在非显示区域nda中。
87.像素pxl可以包括由对应的扫描信号和对应的数据信号驱动的至少一个发光元件ld(例如，根据图1a至图3b中所示的实施例中的任何一个的至少一个棒型发光二极管)。例如，像素pxl可以包括多个棒型发光二极管，多个棒型发光二极管中的每个具有从纳米级到微米级的范围的小尺寸，并且彼此并联连接。多个棒型发光二极管可以形成像素pxl的光源。
88.此外，像素pxl可以包括多个子像素。例如，像素pxl可以包括第一子像素spx1、第二子像素spx2和第三子像素spx3。在实施例中，第一子像素spx1、第二子像素spx2和第三子像素spx3可以发射不同的颜色的光。例如，第一子像素spx1可以是用于发射红光的红色子像素，第二子像素spx2可以是用于发射绿光的绿色子像素，并且第三子像素spx3可以是用于发射蓝光的蓝色子像素。然而，形成每个像素pxl的子像素的颜色、类型和/或数量没有具体限制。例如，可以以各种方式改变从每个子像素发射的光的颜色。尽管在图4中示出了像素pxl以条纹形状布置在显示区域da中的实施例，但是本公开不限于此。例如，像素pxl可以以已知的各种像素阵列形式布置。
89.在实施例中，子像素spx1、spx2和spx3中的每个可以包括多个单元像素。
90.图5是示出包括在图4的显示装置中的子像素的示例的电路图。图5示出了包括在图4的显示装置中的第一子像素spx1、第二子像素spx2和第三子像素spx3。由于除了第一子像素spx1、第二子像素spx2和第三子像素spx3分别连接到对应的数据线dj、dj 1和dj 2之外，第一子像素spx1、第二子像素spx2和第三子像素spx3彼此基本上相同，因此，将基于第一子像素spx1描述第一子像素spx1、第二子像素spx2和第三子像素spx3。
91.第一子像素spx1、第二子像素spx2和第三子像素spx3可以分别设置在由扫描线si-1和si(i是正整数)以及数据线dj、dj 1和dj 2(j是正整数)分隔的区域中。例如，第一子像素spx1可以设置在由第i-1扫描线si-1和第i扫描线si以及第j数据线dj和第j 1数据线dj 1限定的区域中。然而，第一子像素spx1、第二子像素spx2和第三子像素spx3的布置不限于此。
92.第一子像素spx1可以连接到扫描线si和数据线dj，并且也可以连接到第一电力线和第二电力线。在此，可以将第一电源vdd施加到第一电力线，并且可以将第二电源vss施加到第二电力线。第一电力线和第二电力线中的每条可以是连接到多个子像素的公共线。第一电源vdd和第二电源vss可以具有不同的电位以允许第一子像素spx1发射光。第一电源vdd可以具有比第二电源vss的电压电平高的电压电平。
93.在实施例中，第一子像素spx1可以包括至少一个单元像素sspx1至sspxk(k是自然数)。
94.单元像素sspx1至sspxk中的每个可以连接到扫描线si和数据线dj，并且也可以连接到第一电力线和第二电力线。单元像素sspx1至sspxk中的每个可以响应于通过扫描线si传输的扫描信号而发射具有与通过数据线dj传输的数据信号对应的亮度的光。单元像素sspx1至sspxk可以包括基本上相同的像素结构或像素电路。
95.换句话说，第一子像素spx1可以包括响应于一个扫描信号和一个数据信号而独立地发射光的单元像素sspx1至sspxk。
96.在实施例中，单元像素sspx1至sspxk(或子像素spx1至spx3)中的每个可以由有源像素形成。然而，能够应用于根据本公开的显示装置的单元像素的类型、结构和/或驱动方案不受具体地限制。例如，单元像素可以由具有已知的各种无源结构或有源结构的显示装置的像素形成。
97.图6a至图6d是示出包括在图5的子像素中的单元像素的示例的电路图。
98.图6a中所示的第一单元像素sspx1至第k单元像素sspxk可以具有基本上相同或相似的结构。图6b至图6d中所示的单元像素sspx可以是设置在图6a的第一子像素spx1中的第一单元像素sspx1至第k单元像素sspxk中的任何一个。因此，在图6a至图6d的描述中，第一单元像素sspx1至第k单元像素sspxk将被统称为“单元像素sspx”。
99.首先，参照图6a，单元像素sspx可以包括发射具有与数据信号对应的亮度的光的光源单元lsu。单元像素sspx还可以选择性地包括被构造为驱动光源单元lsu的像素电路pxc。
100.在实施例中，光源单元lsu可以包括在第一电源vdd与第二电源vss之间彼此电连接的多个发光元件ld。在实施例中，发光元件ld可以彼此并联连接，但是本公开不限于此。例如，多个发光元件ld可以以串联/并联组合结构连接在第一电源vdd与第二电源vss之间。
101.第一电源vdd和第二电源vss可以具有不同的电位以允许发光元件ld发射光。例如，第一电源vdd可以被设定为高电位电源，并且第二电源vss可以被设定为低电位电源。在此，至少在单元像素sspx(或第一子像素spx1)的发光时段期间，第一电源vdd与第二电源vss之间的电位差可以被设定为发光元件ld的阈值电压或更大。
102.尽管在图6a中示出了其中发光元件ld在第一电源vdd与第二电源vss之间在同一方向上(例如，在正向方向上)并联连接的实施例，但是本公开不限于此。例如，发光元件ld中的一些可以在第一电源vdd与第二电源vss之间在正向方向上彼此连接，从而形成相应的有效光源，并且其它发光元件ld可以在反向方向上彼此连接。可选择地，单元像素sspx可以仅包括单个发光元件ld(例如，在第一电源vdd与第二电源vss之间在正向方向上连接的单个有效光源)。
103.根据实施例，发光元件ld中的每个的一个端部可以通过第一电极公共地连接到对应的像素电路pxc，并且可以通过像素电路pxc和第一电力线连接到第一电源vdd。发光元件ld中的每个的剩余端部可以通过第二电极和第二电源线公共地连接到第二电源vss。
104.光源单元lsu可以发射具有与通过对应的像素电路pxc向其供应的驱动电流对应的亮度的光。因此，可以在显示区域da(参照图4)上显示预定图像。
105.像素电路pxc可以连接到对应的子像素(即，第一子像素spx1)的扫描线si和数据线dj。例如，如果第一子像素spx1在显示区域da中设置在第i行第j列上，则单元像素sspx的像素电路pxc可以连接到显示区域da的第i扫描线si和第j数据线dj。
106.像素电路pxc可以包括第一晶体管t1和第二晶体管t2以及存储电容器cst。
107.第一晶体管(或驱动晶体管)t1可以连接在第一电源vdd与光源单元lsu之间。第一晶体管t1的栅电极可以连接到第一节点n1。第一晶体管t1可以响应于第一节点n1的电压来控制待供应到光源单元lsu的驱动电流。
108.第二晶体管(或开关晶体管)t2可以连接在数据线dj与第一节点n1之间。第二晶体管t2的栅电极可以连接到扫描线si。
109.响应于从扫描线si供应的栅极导通电压(例如，低电压)的扫描信号，第二晶体管t2可以导通以将第一节点n1电连接到数据线dj。
110.在每个帧时段期间，对应的帧的数据信号可以供应到数据线dj。数据信号可以经由第二晶体管t2传输到第一节点n1。由此，对应于数据信号的电压可以被充入到存储电容器cst。
111.存储电容器cst的第一电极可以连接到第一电源vdd，并且其第二电极可以连接到第一节点n1。存储电容器cst可以充入与在每个帧时段期间供应到第一节点n1的数据信号对应的电压，并且保持充入的电压直到后续帧的数据信号被供应。
112.尽管图6a示出了包括在像素电路pxc中的晶体管(例如，第一晶体管t1和第二晶体管t2)中的全部由p型晶体管形成，但是本公开不限于此。例如，第一晶体管t1和第二晶体管t2中的至少一个可以改变为n型晶体管。
113.例如，如图6b中所示，第一晶体管t1和第二晶体管t2两者可以由n型晶体管形成。在这种情况下，在每个帧时段期间，用于将供应到数据线dj的数据信号写入单元像素sspx中的扫描信号的栅极导通电压可以是高电平电压。同样地，用于导通第一晶体管t1的数据信号的电压可以是具有与图6a的实施例的波形相反的波形的电压。例如，在图6b的实施例
中，随着待表示的灰度值增加，待供应的数据信号的电压电平可以增加。
114.除了一些电路元件的连接位置和控制信号(例如，扫描信号和数据信号)的电压电平根据晶体管的类型的变化而变化之外，图6b中所示的单元像素sspx在构造和操作上与图6a的单元像素sspx基本上相似。因此，将省略图6b的单元像素sspx的详细描述。
115.像素电路pxc的结构不限于图6a和图6b中所示出的实施例。换句话说，像素电路pxc可以由公知的像素电路形成，该公知的像素电路可以具有各种结构和/或通过各种驱动方案操作。例如，像素电路pxc可以以与图6c中所示出的实施例的方式相同的方式构造。
116.参照图6c，像素电路pxc不仅可以连接到对应的扫描线si，而且可以连接到至少另一扫描线(或控制线)。例如，在显示区域da中设置在第i行上的子像素spx(或子像素spx中所包括的单元像素sspx)的像素电路pxc还可以连接到第i-1扫描线si-1和/或第i 1扫描线si 1。在实施例中，像素电路pxc不仅可以连接到第一电源vdd和第二电源vss，而且可以连接到其它电源。例如，像素电路pxc还可以连接到初始化电源vint。
117.在实施例中，像素电路pxc可以包括第一晶体管t1至第七晶体管t7和存储电容器cst。
118.第一晶体管t1可以连接在第一电源vdd与光源单元lsu之间。第一晶体管t1的第一电极(例如，源电极)可以通过第五晶体管t5连接到第一电源vdd，并且第一晶体管t1的第二电极(例如，漏电极)可以经由第六晶体管t6连接到光源单元lsu的一个电极(例如，对应的子像素spx的第一电极)。第一晶体管t1的栅电极可以连接到第一节点n1。第一晶体管t1可以响应于第一节点n1的电压来控制待供应到光源单元lsu的驱动电流。
119.第二晶体管t2可以连接在数据线dj与第一晶体管t1的第一电极之间。第二晶体管t2的栅电极可以连接到对应的扫描线si。当从扫描线si供应具有栅极导通电压的扫描信号时，第二晶体管t2可以导通以将数据线dj电连接到第一晶体管t1的第一电极。因此，如果第二晶体管t2导通，则从数据线dj供应的数据信号可以被传输到第一晶体管t1。
120.第三晶体管t3可以连接在第一晶体管t1的第二电极(例如，漏电极)与第一节点n1之间。第三晶体管t3的栅电极可以连接到对应的扫描线si。当从扫描线si供应栅极导通电压的扫描信号时，第三晶体管t3可以导通以使第一晶体管t1以二极管的形式连接。
121.第四晶体管t4可以连接在第一节点n1与初始化电源vint之间。第四晶体管t4的栅电极可以连接到前一扫描线(例如，第i-1扫描线si-1)。当栅极导通电压的扫描信号供应到第i-1扫描线si-1时，第四晶体管t4可以导通，使得初始化电源vint的电压可以被传输到第一节点n1。在此，初始化电源vint的电压可以是数据信号的最小电压或更小。
122.第五晶体管t5可以连接在第一电源vdd与第一晶体管t1之间。第五晶体管t5的栅电极可以连接到对应的发射控制线(例如，第i发射控制线ei)。第五晶体管t5可以在具有栅极截止电压(例如，高电压)的发射控制信号供应到发射控制线ei时而截止，并且可以在其它情况下导通。
123.第六晶体管t6可以连接在第一晶体管t1与光源单元lsu的第一电极之间。第六晶体管t6的栅电极可以连接到对应的发射控制线(例如，第i发射控制线ei)。第六晶体管t6可以在栅极截止电压的发射控制信号供应到发射控制线ei时而截止，并且可以在其它情况下导通。
124.第七晶体管t7可以连接在光源单元lsu的第一电极与初始化电源vint(或被构造
为传输初始化电力的第三电力线)之间。第七晶体管t7的栅电极可以连接到后续级的扫描线中的任何一条(例如，连接到第i 1扫描线si 1)。当栅极导通电压的扫描信号供应到第i 1扫描线si 1时，第七晶体管t7可以导通，使得初始化电源vint的电压可以供应到光源单元lsu的第一电极。在这种情况下，在其中初始化电源vint的电压传输到光源单元lsu的每个初始化时段期间，可以使光源单元lsu的第一电极的电压初始化。
125.用于控制第七晶体管t7的操作的控制信号可以不同地改变。例如，第七晶体管t7的栅电极可以连接到对应的水平线的扫描线(即，第i扫描线si)。在这种情况下，当具有栅极导通电压的扫描信号供应到第i扫描线si时，第七晶体管t7可以导通，使得初始化电源vint的电压可以供应到光源单元lsu的第一电极。
126.存储电容器cst可以连接在第一电源vdd与第一节点n1之间。存储电容器cst可以存储与在每个帧时段期间施加到第一节点n1的数据信号和第一晶体管t1的阈值电压两者对应的电压。
127.尽管图6c示出了包括在像素电路pxc中的晶体管(例如，第一晶体管t1至第七晶体管t7)由p型晶体管形成，但是本公开不限于此。例如，第一晶体管t1至第七晶体管t7中的至少一个可以改变为n型晶体管。
128.在实施例中，除了数据线dj之外，像素电路pxc还可以连接到另一条线。
129.参照图6d，像素电路pxc可以连接到感测线senj。像素电路pxc可以包括第一晶体管t1至第三晶体管t3以及存储电容器cst。由于第一晶体管t1和第二晶体管t2以及存储电容器cst与参照图6b描述的第一晶体管t1和第二晶体管t2以及存储电容器cst基本上相同或相似，因此，将省略其重复说明。
130.第三晶体管t3可以连接在感测线senj与第二节点n2之间。第三晶体管t3的栅电极可以连接到第一扫描线s1和第二扫描线s2(例如，第j扫描线sj和第j 1扫描线sj 1)。
131.光源单元lsu可以连接在第二节点n2与第二电源线(即，第二电源vss施加到其的电源线)之间。
132.第三晶体管t3可以响应于从第二扫描线s2传输的栅极导通电压的扫描信号而导通，以将感测线senj电连接到第二节点n2。
133.例如，如果用在第一晶体管t1中流动的与参照电压对应的驱动电流来使第三晶体管t3导通，可以通过第三晶体管t3和感测线senj将流过第一晶体管t1的驱动电流提供到外部感测装置，并且可以通过感测线senj将基于驱动电流的与第一晶体管t1的特性(例如，vth)对应的信号输出到外部装置。
134.此外，可以应用于本公开的单元像素sspx的结构不限于图6a至图6d中所示的实施例，并且单元像素sspx可以具有各种公知的结构。例如，包括在单元像素sspx中的像素电路pxc可以由公知的像素电路形成，该公知的像素电路可以具有各种结构和/或通过各种驱动方案操作。单元像素sspx可以形成在无源发光显示面板等中。在这种情况下，可以省略像素电路pxc，并且光源单元lsu的第一电极和第二电极中的每个可以直接连接到扫描线si、数据线dj、电力线和/或控制线。
135.图7是示出包括在图4的显示装置中的子像素的示例的平面图。图8是示出图7的子像素中的第一子像素的示例的平面图。图7示出了基于包括在子像素spx1至spx3中的光源单元lsu(参照图6a至图6d)(或发光元件层)的子像素spx1至spx3的结构。由于第一子像素
spx1至第三子像素spx3彼此基本上相同，因此，将基于第一子像素spx1描述光源单元lsu。此外，每个子像素中的单元像素可以接收相同的电信号。因此，在本实施例中，将描述其中子像素中的每个包括一个单元像素的示例。
136.参照图7和图8，第一子像素spx1可以包括在第一子像素区域spa1中设置在彼此间隔开的位置处的第一电极elt1和第二电极elt2以及连接在第一电极elt1与第二电极elt2之间的至少一个发光元件ld。
137.在实施例中，包括在第一子像素spx1至第三子像素spx3中的每个中的第一发光元件ld1、第二发光元件ld2和第三发光元件ld3可以发射具有相同颜色或不同颜色的光。例如，每个第一发光元件ld1可以是被构造为发射红光的红色发光二极管。每个第二发光元件ld2可以是被构造为发射绿光的绿色发光二极管。每个第三发光元件ld3可以是被构造为发射蓝光的蓝色发光二极管。
138.例如，第一发光元件ld1、第二发光元件ld2和第三发光元件ld3中的全部可以由被构造为发射蓝光的蓝色发光二极管形成。在这种情况下，为了形成全色像素pxl，用于转换从对应的子像素spx发射的光的颜色的光转换层和/或滤色器可以设置在第一子像素spx1、第二子像素spx2和第三子像素spx3中的至少一些上。
139.在实施例中，第一电极elt1和第二电极elt2可以在第一子像素区域spa1中设置在彼此间隔开的位置处，使得其至少一些区域彼此面对。例如，第一电极elt1和第二电极elt2通常可以在第一方向dr1上延伸，并且彼此间隔开预定距离并且彼此平行地设置。
140.在实施例中，可以由每个子像素区域限定一个发射区域。发光区域可以通过非发光区域来区分。尽管未清楚地示出，但是用于防止从发光元件ld发射的光透射到另一区域的像素限定层(或堤、阻光图案)可以设置在非发光区域中以与其叠置。
141.在实施例中，第一电极elt1可以连接到第一连接电极cnl1。第一电极elt1可以一体地连接到第一连接电极cnl1。例如，第一电极elt1可以由从第一连接电极cnl1分叉的至少一个分支形成。换句话说，第一电极elt1可以从第一连接电极cnl1(或第一连接线)延伸。如果第一电极elt1和第一连接电极cnl1彼此一体地形成，第一连接电极cnl1可以被认为是第一电极elt1的一个区域。然而，本公开不限于此。
142.第一连接电极cnl1可以连接到参照图6a、图6c和图6d描述的第一电力线(即，第一电源vdd施加到其的电力线)。
143.在实施例中，第二电极elt2可以连接到第二连接电极cnl2。第二电极elt2可以一体地连接到第二连接电极cnl2。例如，第二电极elt2可以由从第二连接电极cnl2分叉的至少一个分支形成。换句话说，第二电极elt2可以从在第二方向dr2上延伸的第二连接电极cnl2(或第二连接线)延伸。如果第二电极elt2和第二连接电极cnl2彼此一体地形成，第二连接电极cnl2可以被认为是第二电极elt2的一个区域。
144.第二连接电极cnl2可以连接到参照图6a、图6c和图6d描述的第二电力线(即，第二电源vss施加到其的电力线)。
145.第一连接电极cnl1和第二连接电极cnl2可以彼此间隔开预定距离。第一电极elt1和第二电极elt2可以形成在第一连接电极cnl1与第二连接电极cnl2之间。
146.第一连接电极cnl1可以连接到像素电路pxc(或第一晶体管t1)。例如，第一连接电极cnl1可以通过接触孔ch连接到像素电路pxc(或第一晶体管t1)。
147.在实施例中，第一电极elt1和第二电极elt2中的每个可以具有单层结构或多层结构。尽管未清楚地示出，但是第一电极elt1可以具有包括第一反射电极和第一导电盖层的多层结构，并且第二电极可以具有包括第二反射电极和第二导电盖层的多层结构。
148.第一电极elt1和第二电极elt2均可以具有弯曲形状。例如，如果第一连接电极cnl1和第二电极cnl2均具有在第一方向dr1上延伸的形状，则第一电极elt1和第二电极elt2通常可以在与第一方向dr1相交的第二方向dr2上延伸并且在第一方向上弯曲。第一电极elt1和第二电极elt2均可以具有弯曲形状(例如，
‘
u’形状或
‘
s’形状)或之字形形状(例如，
‘v’
形状或
‘
w’形状)。换句话说，第一电极elt1和第二电极elt2中的每个通常可以仅在一个方向(例如，第二方向dr2)上延伸，并且具有在与延伸方向相交的方向(例如，第一方向dr1)上从其至少一部分突出的弯曲部分，而不是具有仅在一个方向(例如，第二方向dr2)上延伸的线型形状。弯曲部分可以由曲线形成，或者由在两个不同方向上延伸的线型线的组合形成。
149.然而，本公开不限于此。例如，第一电极elt1和第二电极elt2的形状和/或相互布置关系可以以各种方式改变。
150.参照图8，第一分隔壁pw1可以设置在第一电极elt1下面并且与第一电极elt1的一个区域叠置。第二分隔壁pw2可以设置在第二电极elt2下面并且与第二电极elt2的一个区域叠置。第一分隔壁pw1和第二分隔壁pw2可以在发射区域ema中设置在彼此间隔开的位置处，并且使第一电极elt1和第二电极elt2的区域向上突出。例如，第一电极elt1可以设置在第一分隔壁pw1上，并且通过第一分隔壁pw1在基体层sub1的高度方向(或厚度方向)上突出。第二电极elt2可以设置在第二分隔壁pw2上，并且通过第二分隔壁pw2在基体层sub1的高度方向上突出。第一分隔壁pw1和第二分隔壁pw2也可以包括与同第一分隔壁pw1和第二分隔壁pw2叠置的第一电极elt1和第二电极elt2的形状对应的弯曲部分。
151.在实施例中，至少一个发光元件ld(例如，多个发光元件ld)可以布置在第一电极elt1与第二电极elt2之间。多个发光元件ld可以在发射区域ema中彼此并联连接，在发射区域ema中，第一电极elt1和第二电极elt2设置为彼此面对。
152.尽管图8示出了发光元件ld在相对于第一电极elt1和第二电极elt2沿其延伸的方向的法线方向上对准(发光元件ld的纵向方向在相对于第一电极elt1和第二电极elt2沿其延伸的方向的法线方向上对准)，但是发光元件ld的对准方向不限于此。例如，发光元件ld中的至少一个可以在相对于第一电极elt1和第二电极elt2的延伸方向和法线方向的对角线方向上对准。
153.发光元件ld中的每个可以电连接在第一电极elt1与第二电极elt2之间。例如，发光元件ld的相应的第一端部ep1可以电连接到第一电极elt1。发光元件ld的相应的第二端部ep2可以电连接到第二电极elt2。
154.在实施例中，发光元件ld中的每个的第一端部可以通过至少一个接触电极(例如，第一接触电极cne1)电连接到第一电极elt1，而不是直接设置在第一电极elt1上。然而，本公开不限于此。例如，在本公开的实施例中，发光元件ld的第一端部可以直接接触第一电极elt1并且电连接到第一电极elt1。
155.同样地，发光元件ld中的每个的第二端部可以通过至少一个接触电极(例如，第二接触电极cne2)电连接到第二电极elt2，而不是直接设置在第二电极elt2上。然而，本公开
不限于此。例如，在本公开的实施例中，发光元件ld中的每个的第二端部可以直接接触第二电极elt2并且电连接到第二电极elt2。
156.在实施例中，发光元件ld中的每个可以由发光二极管形成，该发光二极管由具有无机晶体结构的材料制成并且具有例如从纳米级到微米级的范围的超小型尺寸。例如，发光元件ld中的每个可以是如图1a至图3b中的任何一个中所示出的具有从纳米级到微米级的范围的尺寸的超小型发光二极管。然而，可以应用于本公开的发光元件ld的类型不限于此。例如，发光元件ld可以通过生长方案形成，并且例如是具有从纳米级到微米级的范围的尺寸的具有核-壳结构的发光二极管。
157.在实施例中，发光元件ld可以在预定溶液中以扩散形式准备，然后通过喷墨印刷方案或狭缝涂覆方案供应到每个子像素spx的发射区域ema。此外，发光元件ld可以同时供应到发射区域ema中。例如，发光元件ld可以与挥发性溶剂混合并供应到发射区域ema。在此，如果将预定电压供应到子像素spx的第一电极elt1和第二电极elt2，则在第一电极elt1与第二电极elt2之间形成电场，由此发光元件ld在第一电极elt1与第二电极elt2之间自对准。在发光元件ld已经对准之后，可以通过挥发方案或其它方案去除溶剂。以这种方式，发光元件ld可以可靠地布置在第一电极elt1与第二电极elt2之间。此外，由于第一接触电极cne1和第二接触电极cne2形成在发光元件ld的第一端部和第二端部上，因此，发光元件ld可以可靠地连接在第一电极elt1与第二电极elt2之间。
158.由于在第一电极elt1和第二电极elt2与基体层sub1之间未设置单独的电路元件、线等，因此，可以防止在第一电极elt1与第二电极elt2之间形成电场的步骤发生由电路元件、导电图案等引起的干扰。因此，可以提高发光元件ld的对准的效率。
159.在实施例中，第一接触电极cne1可以形成在发光元件ld的第一端部和第一电极elt1的对应于第一端部的至少一个区域上，由此发光元件ld的第一端部可以物理地和/或电连接到第一电极elt1。同样地，第二接触电极cne2可以形成在发光元件ld的第二端部ep2和第二电极elt2的对应于第二端部的至少一个区域上，由此发光元件ld的第二端部可以物理地和/或电连接到第二电极elt2。
160.设置在发射区域ema中的发光元件ld可以被分组以形成对应的单元像素(和子像素spx)的光源。如果在每个帧时段期间驱动电流流过至少一个子像素spx，则在子像素spx的第一电极elt1与第二电极elt2之间在正向方向上连接的发光元件ld可以发射具有与驱动电流对应的亮度的光。
161.从每个发光元件ld发射的光可以具有方向性。第一电极elt1和第二电极elt2可以具有弯曲部分，而不是仅在一个方向上延伸。因此，在相对于第一电极elt1和第二电极elt2沿其延伸的方向的法线方向上对准的发光元件ld可以根据对准位置在各种方向上定位。因此，可以改善显示装置的视角。
162.图9a至图9d是示出沿着图8的线i-i'截取的单元像素的示例的剖面图。图9a至图9d各自示出了形成在显示面板pnl中的任何一个子像素区域spa(例如，第一子像素区域spa1)。在实施例中，上面描述的第一子像素spx1、第二子像素spx2和第三子像素spx3的剖面结构可以彼此基本上相同或相似。因此，为了说明起见，在图9a至图9d中，将基于第一子像素spx1共同地描述第一子像素spx1、第二子像素spx2和第三子像素spx3的结构。
163.参照图9a，像素电路层pcl和显示元件层ldl可以在每个子像素区域spa中依次设
置在基体层sub1上。在实施例中，像素电路层pcl和显示元件层ldl可以形成在显示面板pnl的整个显示区域da中。
164.在实施例中，像素电路层pcl可以包括构成子像素spx的像素电路pxc的电路元件。显示元件层ldl可以包括子像素spx(或单元像素sspx)的发光元件ld。
165.例如，在基体层sub1上的第一子像素区域spa1中，包括构成对应的第一子像素spx1的像素电路pxc的电路元件的像素电路层pcl和包括设置在第一子像素spx1中的至少一个发光元件ld(例如，多个第一发光元件ld1)的显示元件层ldl可以依次设置在基体层sub1的一个表面上。
166.在实施例中，像素电路层pcl可以包括形成在第一子像素区域spa1中并形成第一子像素spx1(或第一单元像素sspx1)的像素电路pxc的多个电路元件。例如，像素电路层pcl可以包括设置在第一子像素区域spa1中的多个晶体管(例如，图6a的第一晶体管t1和第二晶体管t2)。尽管图9a中未示出，但是像素电路层pcl可以包括设置在子像素区域spa中的存储电容器cst、连接到像素电路pxc的各种信号线(例如，图5中所示出的扫描线si和数据线dj)以及连接到像素电路pxc和/或发光元件ld的各种电力线(例如，被构造为分别传输第一电源vdd的电压和第二电源vss的电压的第一电力线(未示出)和第二电力线pl)。
167.在实施例中，设置在像素电路pxc中的多个晶体管(例如，第一晶体管t1和第二晶体管t2)可以具有基本上相同或相似的剖面结构。然而，本公开不限于此。在实施例中，多个晶体管中的至少一些可以具有不同的类型和/或结构。
168.此外，像素电路层pcl可以包括多个绝缘层。例如，像素电路层pcl可以包括在基体层sub1的一个表面上依次堆叠的缓冲层bfl、栅极绝缘层gi、层间绝缘层ild和钝化层psv。
169.在实施例中，缓冲层bfl可以防止杂质扩散到电路元件中。缓冲层bfl可以由单层形成，或者可以由具有至少双层的多层形成。在缓冲层bfl具有多层结构的情况下，各个层可以由相同的材料或不同的材料形成。在实施例中，可以省略缓冲层bfl。
170.在实施例中，第一晶体管t1和第二晶体管t2中的每个可以包括半导体层scl、栅电极ge、第一晶体管电极et1和第二晶体管电极et2。尽管图9a示出了第一晶体管t1和第二晶体管t2中的每个包括与半导体层scl分开形成的第一晶体管电极et1和第二晶体管电极et2，但是本公开不限于此。例如，在本公开的实施例中，设置于在每个子像素区域spa中设置的至少一个晶体管中的第一电极et1和/或第二电极et2可以与对应的半导体层scl一体地形成。
171.半导体层scl可以设置在缓冲层bfl上。例如，半导体层scl可以设置在栅极绝缘层gi与其上形成有缓冲层bfl的基体层sub1之间。半导体层scl可以包括与第一晶体管电极et1接触的第一区域、与第二晶体管电极et2接触的第二区域以及设置在第一区域与第二区域之间的沟道区。在实施例中，第一区域和第二区域中的一个可以是源区，并且另一个可以是漏区。
172.在实施例中，半导体层scl可以是由多晶硅、非晶硅、氧化物半导体等形成的半导体图案。半导体层scl的沟道区可以是未掺杂的半导体图案的本征半导体。半导体层scl的第一区域和第二区域中的每个可以是掺杂有预定杂质的半导体图案。
173.栅电极ge可以设置在半导体层scl上且栅极绝缘层gi置于栅电极ge与半导体层scl之间。例如，栅电极ge可以设置在栅极绝缘层gi与层间绝缘层ild之间，并且与半导体层
scl的至少一个区域叠置。
174.第一晶体管电极et1和第二晶体管电极et2可以设置在半导体层scl和栅电极ge之上且至少一个层间绝缘层ild置于第一晶体管电极et1和第二晶体管电极et2与半导体层scl和栅电极ge之间。例如，第一晶体管电极et1和第二晶体管电极et2可以设置在层间绝缘层ild与钝化层psv之间。第一晶体管电极et1和第二晶体管电极et2可以电连接到半导体层scl。例如，第一晶体管电极et1和第二晶体管电极et2可以通过穿过栅极绝缘层gi和层间绝缘层ild的接触孔分别连接到半导体层scl的第一区域和第二区域。
175.在实施例中，设置在像素电路pxc上的至少一个晶体管(例如，图6a中所示的第一晶体管t1)的第一晶体管电极et1和第二晶体管电极et2中的任何一个可以通过穿过钝化层psv的接触孔ch电连接到设置在钝化层psv之上的光源单元lsu的第一电极elt1。
176.尽管未示出，但是在实施例中，连接到子像素spx的至少一条信号线和/或电力线可以设置在与形成像素电路pxc的电路元件中的每个的一个电极的层相同的层。例如，第二电力线pl可以设置在与第一晶体管t1和第二晶体管t2中的每个的栅电极ge的层相同的层。然而，第二电力线pl等的结构和/或位置可以以各种方式改变。
177.显示元件层ldl可以包括依次设置和/或形成在像素电路层pcl上的第一分隔壁pw1和第二分隔壁pw2、第一电极elt1和第二电极elt2、第一绝缘层ins1、发光元件ld、第二绝缘层ins2、第一接触电极cne1和第二接触电极cne2以及第三绝缘层ins3。
178.第一分隔壁pw1和第二分隔壁pw2可以设置在像素电路层pcl上。第一分隔壁pw1和第二分隔壁pw2可以在发射区域ema中设置在彼此间隔开的位置处。第一分隔壁pw1和第二分隔壁pw2可以在像素电路层pcl上在高度方向上突出。在实施例中，第一分隔壁pw1和第二分隔壁pw2可以具有基本上相同的高度，但是本公开不限于此。
179.在实施例中，第一分隔壁pw1可以设置在像素电路层pcl与第一电极elt1之间。第一分隔壁pw1可以设置为与发光元件ld的第一端部ep1相邻。例如，第一分隔壁pw1的一个侧壁可以定位为与发光元件ld的第一端部ep1相邻并且设置为面对第一端部ep1。
180.在实施例中，第二分隔壁pw2可以设置在像素电路层pcl与第二电极elt2之间。第二分隔壁pw2可以设置为与发光元件ld的第二端部ep2相邻。例如，第二分隔壁pw2的一个侧壁可以定位为与发光元件ld的第二端部ep2相邻并且设置为面对第二端部ep2。
181.在实施例中，第一分隔壁pw1和第二分隔壁pw2中的每个可以具有各种形状。例如，如图9a中所示出，第一分隔壁pw1和第二分隔壁pw2中的每个可以具有从其底部到顶部宽度减小的梯形的剖面形状。在这种情况下，第一分隔壁pw1和第二分隔壁pw2中的每个可以在至少一侧上具有倾斜表面。可选择地，如图9b中所示出，第一分隔壁pw1和第二分隔壁pw2中的每个可以具有从其底部到顶部宽度减小的半圆形剖面或半椭圆形剖面。在这种情况下，第一分隔壁pw1和第二分隔壁pw2中的每个可以在至少一侧上具有弯曲表面。换句话说，第一分隔壁pw1和第二分隔壁pw2中的每个的形状可以以各种方式改变，而不是具体限制。在实施例中，第一分隔壁pw1和第二分隔壁pw2中的至少一个可以被省略或改变位置。
182.第一分隔壁pw1和第二分隔壁pw2中的每个可以包括具有无机材料和/或有机材料的绝缘材料。例如，第一分隔壁pw1和第二分隔壁pw2可以包括至少一个无机层，该至少一个无机层包括本领域技术人员已知的各种无机绝缘材料(诸如sinx或siox)。可选择地，第一分隔壁pw1和第二分隔壁pw2可以包括至少一个含有各种已知有机绝缘材料的有机层和/或
光致抗蚀剂层，或者可以形成含有有机/无机材料组合的单层绝缘体或多层绝缘体。换句话说，第一分隔壁pw1和第二分隔壁pw2的构成材料可以不同地改变。
183.在实施例中，第一分隔壁pw1和第二分隔壁pw2中的每个可以用作反射构件。例如，第一分隔壁pw1和第二分隔壁pw2以及设置在其上的第一电极elt1和第二电极elt2可以用作在期望方向上引导从每个发光元件ld发射的光的反射器，因此，增强像素pxl的光效率。
184.第一电极elt1和第二电极elt2可以分别设置在第一分隔壁pw1和第二分隔壁pw2之上。第一电极elt1和第二电极elt2可以在发射区域ema中设置在彼此间隔开的位置处。
185.在实施例中，分别设置在第一分隔壁pw1和第二分隔壁pw2之上的第一电极elt1和第二电极elt2可以具有与第一分隔壁pw1和第二分隔壁pw2的相应形状对应的形状。例如，第一电极elt1和第二电极elt2可以具有分别与第一分隔壁pw1和第二分隔壁pw2对应的倾斜表面或弯曲表面，并且在显示元件层ldl的高度方向(或厚度方向)上突出。
186.第一电极elt1和第二电极elt2中的每个可以包括至少一种导电材料。例如，第一电极elt1和第二电极elt2中的每个可以包括金属(诸如ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr、ti或其合金)、导电氧化物(诸如ito、izo、zno或itzo)和导电聚合物(诸如pedot)中的至少一种；然而，其不限于此。
187.第一电极elt1和第二电极elt2中的每个可以具有单层结构或多层结构。例如，第一电极elt1和第二电极elt2中的每个可以包括至少一个反射电极层。第一电极elt1和第二电极elt2中的每个可以选择性地进一步包括至少一个透明电极层和至少一个导电盖层中的至少一个，所述至少一个透明电极层设置在反射电极层的上部和/或下部上，所述至少一个导电盖层覆盖反射电极层和/或透明电极层的上部。
188.在实施例中，第一电极elt1和第二电极elt2中的每个的反射电极层可以由具有均匀反射率的导电材料形成。例如，反射电极层可以包括诸如ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr的金属及其合金中的至少一种；然而，本公开不限于此。换句话说，反射电极层可以由各种反射导电材料形成。包括反射电极层的第一电极elt1和第二电极elt2中的每个可以使从发光元件ld中的每个的相对端部(即，第一端部ep1和第二端部ep2)发射的光能够在显示有图像的方向上(例如，在正面方向上)更可靠地行进。具体地，如果第一电极elt1和第二电极elt2分别具有与第一分隔壁pw1和第二分隔壁pw2的形状对应的倾斜表面或弯曲表面，并且分别设置为面对发光元件ld的第一端部ep1和第二端部ep2，则从每个发光元件ld的第一端部ep1和第二端部ep2发射的光可以被第一电极elt1和第二电极elt2反射，因此，更可靠地在显示面板pnl的正面方向上行进(例如，在基体层sub1的向上方向上行进)。因此，可以提高从发光元件ld发射的光的效率。
189.此外，第一电极elt1和第二电极elt2中的每个的透明电极层可以由各种透明电极材料形成。例如，透明电极层可以包括ito、izo或itzo，但是本公开不限于此。在实施例中，第一电极elt1和第二电极elt2中的每个可以具有三层结构，该三层结构具有ito/ag/ito的堆叠结构。如此，如果第一电极elt1和第二电极elt2各自由至少双层的多层结构形成，则可以使由于信号延迟(rc延迟)引起的电压降最小化。因此，可以将期望的电压有效地传输到发光元件ld。
190.此外，如果第一电极elt1和第二电极elt2中的每个包括覆盖反射电极层和/或透明电极层的导电盖层，则能够防止第一电极elt1和第二电极elt2的反射电极层由于在制造
像素pxl的工艺期间引起的缺陷而被损坏。然而，导电盖层可以选择性地包括在第一电极elt1和第二电极elt2中，并且可以根据实施例而被省略。此外，导电盖层可以被认为是第一电极elt1和第二电极elt2中的每个的组件，或者被认为是设置在第一电极elt1和第二电极elt2上的单独组件。
191.第一绝缘层ins1可以设置在第一电极elt1和第二电极elt2中的每个的一个区域上。例如，第一绝缘层ins1可以形成为覆盖第一电极elt1和第二电极elt2中的每个的一个区域，并且可以包括暴露第一电极elt1和第二电极elt2中的每个的另一区域的开口。
192.在实施例中，第一绝缘层ins1可以首先形成为覆盖第一电极elt1和第二电极elt2的整个表面。在发光元件ld被供应并在第一绝缘层ins1上对准之后，如图9a中所示出，第一绝缘层ins1可以部分地开口以暴露第一接触器cnt1和第二接触器cnt2中的第一电极elt1和第二电极elt2。可选择地，第一绝缘层ins1可以以单独图案的形式被图案化，该单独图案在发光元件ld的供应和对准已经完成之后被部分地设置在发光元件ld下面。
193.换句话说，第一绝缘层ins1可以置于第一电极elt1和第二电极elt2与发光元件ld之间，并且可以暴露第一电极elt1和第二电极elt2中的每个的至少一个区域。在形成第一电极elt1和第二电极elt2之后，可以形成第一绝缘层ins1以覆盖第一电极elt1和第二电极elt2，使得能够防止第一电极elt1和第二电极elt2被损坏或防止金属在后续工艺中沉淀。此外，第一绝缘层ins1可以稳定地支撑每个发光元件ld。在实施例中，可以省略第一绝缘层ins1。
194.发光元件ld可以供应到其中形成有第一绝缘层ins1的发射区域ema并在发射区域ema中对准。例如，可以通过喷墨方法等将多个发光元件ld供应到发射区域ema，并且发光元件ld可以通过施加到第一电极elt1和第二电极elt2的预定对准电压(或对准信号)在第一电极elt1与第二电极elt2之间对准。
195.堤bnk可以设置在第一绝缘层ins1上。例如，可以在其它子像素之间形成堤bnk以包围子像素spx的发射区域ema，使得可以形成用于限定子像素spx的发射区域ema的像素限定层。
196.在实施例中，堤bnk可以形成为具有大于第一分隔壁pw1和第二分隔壁pw2的第一高度的第二高度。在这种情况下，在将发光元件ld供应到每个发射区域ema的步骤，堤bnk可以用作坝结构，该坝结构被构造为防止与发光元件ld混合的溶液进入到相邻的子像素spx的发射区域ema中，或者控制溶液的量使得恒定量的溶液供应到每个发射区域ema。
197.可以形成堤bnk以防止从每个发射区域ema发射的光进入相邻的发射区域ema并引起光学干涉。为此，可以形成堤bnk以防止从每个子像素spx的发光元件ld发射的光穿过堤bnk。
198.在一些实施例中，堤bnk可以不设置在子发射区域ema_s1与ema_s2(参照图7)之间，但是本公开不限于此。
199.第二绝缘层ins2可以设置在发光元件ld(具体地，在第一电极elt1与第二电极elt2之间对准的发光元件ld)之上，并且可以暴露发光元件ld的第一端部ep1和第二端部ep2。例如，第二绝缘层ins2可以仅部分地设置在发光元件ld的一些区域之上，而不覆盖发光元件ld的第一端部ep1和第二端部ep2。第二绝缘层ins2可以在每个发射区域ema中以独立的图案形成，但是本公开不限于此。此外，如图9a中所示出，如果在形成第二绝缘层ins2
之前在第一绝缘层ins1与发光元件ld之间存在空间，则可以用第二绝缘层ins2填充该空间。因此，可以更稳定地支撑发光元件ld。
200.第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以设置在第一电极elt1和第二电极elt2以及发光元件ld的第一端部ep1和第二端部ep2上。在实施例中，如图9a中所示出，第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以设置在同一层。在这种情况下，尽管使用相同的导电材料通过相同的工艺形成第一接触电极cne1和第二接触电极cne2，但是本公开不限于此。
201.第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以分别将发光元件ld的第一端部ep1和第二端部ep2电连接到第一电极elt1和第二电极elt2。
202.例如，第一接触电极cne1可以设置在第一电极elt1上以与第一电极elt1接触。例如，第一接触电极cne1可以设置为在第一电极elt1的未被第一绝缘层ins1覆盖的一个区域上接触第一电极elt1。此外，第一接触电极cne1可以设置在至少一个发光元件的与第一电极elt1相邻的第一端部ep1上(例如，设置在多个发光元件ld的相应的第一端部ep1上)，使得第一接触电极cne1可以接触第一端部ep1。换句话说，第一接触电极cne1可以设置为覆盖发光元件ld的第一端部ep1和对应的第一电极elt1的至少一个区域。因此，发光元件ld的第一端部ep1可以电连接到第一电极elt1。
203.同样地，第二接触电极cne2可以设置在第二电极elt2上以接触第二电极elt2。例如，第二接触电极cne2可以设置为在第二电极elt2的未被第一绝缘层ins1覆盖的一个区域上接触第二电极elt2。此外，第二接触电极cne2可以设置在至少一个发光元件的与第二电极elt2相邻的第二端部ep2上(例如，设置在多个发光元件ld的第二端部ep2上)，使得第二接触电极cne2可以接触第二端部ep2。换句话说，第二接触电极cne2可以设置为覆盖发光元件ld的第二端部ep2和对应的第二电极elt2的至少一个区域。因此，发光元件ld的第二端部ep2可以电连接到第二电极elt2。
204.第三绝缘层ins3可以形成和/或设置在基体层sub1的其上形成有第一分隔壁pw1和第二分隔壁pw2、第一电极elt1和第二电极elt2、发光元件ld、第一接触电极cne1和第二接触电极cne2以及堤bnk的一个表面上，使得第三绝缘层ins3可以覆盖第一分隔壁pw1和第二分隔壁pw2、第一电极elt1和第二电极elt2、发光元件ld、第一接触电极cne1和第二接触电极cne2以及堤bnk。第三绝缘层ins3可以包括薄膜封装层，该薄膜封装层包括至少一个无机层和/或有机层，但是本公开不限于此。在一些实施例中，未示出的至少一个外涂层可以进一步设置在第三绝缘层ins3之上。
205.在实施例中，第一绝缘层ins1、第二绝缘层ins2和第三绝缘层ins3中的每个可以具有单层结构或多层结构，并且包括至少一种无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。例如，第一绝缘层ins1、第二绝缘层ins2和第三绝缘层ins3中的每个可以包括各种种类的公知的有机/无机绝缘材料以及sinx，并且第一绝缘层ins1、第二绝缘层ins2和第三绝缘层ins3中的每个的构成材料不受具体地限制。第一绝缘层ins1、第二绝缘层ins2和第三绝缘层ins3可以包括不同的绝缘材料，或者第一绝缘层ins1、第二绝缘层ins2和第三绝缘层ins3中的至少一些可以包括相同的绝缘材料。
206.在实施例中，第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以设置在不同的层。
207.参照图9c，第一接触电极cne1可以设置在其中设置有第二绝缘层ins2的子像素区
域spa中。在实施例中，第一接触电极cne1可以设置于在对应的子像素区域spa中设置的第一电极elt1上，使得第一接触电极cne1接触第一电极elt1的一个区域。此外，第一接触电极cne1可以设置于在对应的子像素区域spa中设置的至少一个发光元件ld的第一端部ep1上，使得第一接触电极cne1接触第一端部ep1。由于第一接触电极cne1，设置在子像素区域spa中的至少一个发光元件ld的第一端部ep1可以电连接到设置在对应的子像素区域spa中的第一电极elt1。
208.第四绝缘层ins4可以设置在其中设置有第一接触电极cne1的子像素区域spa中。在实施例中，第四绝缘层ins4可以覆盖设置在对应的子像素区域spa中的第二绝缘层ins2和第一接触电极cne1。
209.在实施例中，第四绝缘层ins4可以具有单层结构或多层结构，并且以与第一绝缘层ins1、第二绝缘层ins2和第三绝缘层ins3的方式相似的方式包括至少一种无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。例如，第四绝缘层ins4可以包括各种种类的公知的有机/无机绝缘材料(包括sinx)。此外，第四绝缘层ins4可以包括与第一绝缘层ins1、第二绝缘层ins2和第三绝缘层ins3的绝缘材料不同的绝缘材料，或者可以包括与第一绝缘层ins1、第二绝缘层ins2和第三绝缘层ins3中的至少一些的绝缘材料相同的绝缘材料。
210.第二接触电极cne2可以设置在其中设置有第四绝缘层ins4的每个子像素区域spa中。在实施例中，第二接触电极cne2可以设置于在对应的子像素区域spa中设置的第二电极elt2上，使得第二接触电极cne2接触第二电极elt2的一个区域。此外，第二接触电极cne2可以设置于在对应的子像素区域spa中设置的至少一个发光元件ld的第二端部ep2上，使得第二接触电极cne2接触第二端部ep2。由于第二接触电极cne2，设置在每个子像素区域spa中的至少一个发光元件ld的第二端部ep2可以电连接到设置在对应的子像素区域spa中的第二电极elt2。
211.在实施例中，第一分隔壁pw1和第二分隔壁pw2中的每个可以具有各种形状。例如，如图9c中所示出，第一分隔壁pw1和第二分隔壁pw2中的每个可以具有从其底部到顶部宽度减小的梯形的剖面形状。可选择地，如图9d中所示出，第一分隔壁pw1和第二分隔壁pw2中的每个可以具有从其底部到顶部宽度减小的半圆形剖面或半椭圆形剖面。
212.接下来，将描述根据另一实施例的显示装置。在下文中，将以第一子像素spx1为中心对光源单元lsu进行描述。此外，在此将省略图1至图9中所示的组件的重复描述，并且使用相同或相似的附图标记。
213.图10是示出包括在图4的显示装置中的子像素的另一示例的平面图。除了发射区域ema之外，图10的第一子像素spx1可以与图7的第一子像素spx1基本上相同。因此，将省略其重复说明。
214.参照图10，根据本实施例的第一电极elt1和第二电极elt2均可以具有之字形形状。第一电极elt1和第二电极elt2均可以包括在相对于第一方向dr1和第二方向dr2的对角线方向上延伸的线型部分str1和str2。第一电极elt1和第二电极elt2可以包括在不同的方向上延伸的线型部分str1和str2。在不同的方向上延伸的两个相邻的线型部分str1和str2可以相遇以形成弯曲部分。
215.发光元件ld均可以在相对于第一电极elt1和第二电极elt2沿其延伸的方向的法线方向上对准，并且其对准方向可以根据其对准位置而改变。因此，可以改善显示装置的视
角。
216.图11是示出包括在图4的显示装置中的子像素的另一示例的平面图。
217.参照图11，根据本实施例的第一电极elt1和第二电极elt2均可以包括在相对于第一方向dr1和第二方向dr2的对角线方向上延伸的线型部分str1和str2以及在第二方向dr2上延伸的线型部分str3。第一电极elt1和第二电极elt2均可以包括线型部分str3，线型部分str3中的每个在沿对角线方向延伸的两个线型部分str1和str2之间在第二方向dr2上延伸。
218.发光元件ld的对准方向可以根据其对准位置而改变。因此，可以以与前述实施例的方式相同的方式改善显示装置的视角。
219.图12是示出包括在图4的显示装置中的子像素的另一示例的平面图。图13是用于描述图12的第一电极和第二电极的形状的视图。
220.参照图12和图13，根据本实施例的第一电极elt1和第二电极elt2均可以具有包括拐点infl的弯曲形状。在第一电极elt1和第二电极elt2中，相邻的拐点infl之间的弯曲部分均可以具有圆弧形状。例如，第一电极elt1和第二电极elt2中的每个可以具有通过将具有圆环形状的电极划分成两个或四个相同的部分并重新组合所划分的部分而形成的形状。第一电极elt1和第二电极elt2中的每个的部分harc(arc3和arc4)可以具有半圆弧形状，并且其剩余部分arc1和arc2均可以具有象限弧形状。第一电极elt1和第二电极elt2中的每个可以具有以下形状：在该形状中，该形状的相对端部分别由均具有象限弧形状的部分arc1和arc2形成并且具有半圆弧形状的部分harc(arc3和arc4)连接在均具有象限弧形状的部分arc1和arc2之间。
221.发光元件ld的对准方向可以根据其对准位置而改变。因此，可以以与前述实施例的方式相同的方式改善显示装置的视角。
222.图14是示出包括在图4的显示装置中的子像素的另一示例的平面图。
223.参照图14，根据本实施例的第一电极elt1和第二电极elt2中的每个与图12的实施例的不同之处在于：其相对端部中的每个由象限弧形状的部分形成，并且多个半圆弧形状的部分连接在相对端部之间。
224.根据本实施例的第一电极elt1和第二电极elt2可以分别具有通过在第二方向dr2上重复连接图12的第一电极elt1和第二电极elt2而形成的形状。
225.发光元件ld的对准方向可以根据其对准位置而改变。因此，可以以与前述实施例的方式相同的方式改善显示装置的视角。在本实施例中，可以调整子像素的发射区域的尺寸。
226.图15至图17是示出包括在图4的显示装置中的子像素的其它示例的平面图。在附图中，省略了发光元件的图示。
227.参照图15和图17，根据实施例，第一电极elt1和第二电极elt2均可以具有具备不同的宽度的部分。例如，第一电极elt1和第二电极elt2中的每个的相对端部和/或其其中形成有拐点的部分可以在宽度上大于其相邻的部分。
228.发光元件的对准方向可以根据其对准位置而改变。因此，可以以与前述实施例的方式相同的方式改善显示装置的视角。如图17的实施例中所示出，可以通过重复连接第一电极elt1和第二电极elt2来调整子像素的发射区域的尺寸。
229.图18和图19是示出包括在图4的显示装置中的子像素的其它示例的平面图。在附图中，省略了发光元件的图示。
230.根据本实施例的第一电极elt1和第二电极elt2均可以通过应用图12和图13的实施例通过连接象限弧形状的部分而具有各种形状。图18和图19中所示出的形状仅用于说明目的，并不限于所示出的形状。
231.图20a至图20d是示出包括在图5的子像素中的单元像素的另一示例的电路图。
232.参照图20a至图20d，光源单元lsu的设置不同于图6a至图6d的电路图的设置。每个光源单元lsu中的发光元件ld可以以串联和并联组合结构连接。
233.每个光源单元lsu可以包括彼此串联连接的发光元件ld。由于发光元件ld彼此串联连接，因此可以提高电压分布效率，并且可以促进第一晶体管(或驱动晶体管)t1的容量设计。此外，由于发光元件ld可以以串联和并联组合形状连接，因此可以减轻可归因于线电阻的电力损耗。尽管在附图中示出了其中三个发光元件ld串联连接的示例，但是发光元件ld的数量不限于此。
234.在下文中，将描述图20a至图20d的电路图可以应用于其的发射区域中的电极的形状。在以下实施例中，将描述其中子像素中的每个包括一个单元像素的示例。
235.图21至图30是示出图20a至图20d的示例可以应用于其的子像素(或单元像素)的各种示例的平面图。图21至图30的第一电极和第二电极的形状可以具有与图7、图10至图12和图14至图19的形状相同的形状，使得将省略其重复说明。
236.在本实施例中，第一电极elt1和第二电极elt2可以分别被限定为从第一连接电极cnl1和第二连接电极cnl2延伸或直接连接到第一连接电极cnl1和第二连接电极cnl2的电极。
237.第一电极elt1和第二电极elt2可以彼此间隔开预定距离并且彼此平行地设置。至少一个岛状电极ilt1、ilt2可以设置在第一电极elt1与第二电极elt2之间。在本实施例中，将描述其中两个岛状电极ilt1和ilt2(即，第一岛状电极ilt1和第二岛状电极ilt2)设置在第一电极elt1与第二电极elt2之间的示例。实施例不限于岛状电极ilt1和ilt2的数量或形状。
238.第一岛状电极ilt1和第二岛状电极ilt2可以设置在第一电极elt1与第二电极elt2之间，使得第一电极elt1、第二电极elt2、第一岛状电极ilt1和第二岛状电极ilt2彼此间隔开预定距离并且彼此平行。
239.在实施例中，第一电极elt1、第二电极elt2、第一岛状电极ilt1和第二岛状电极ilt2之间的距离可以彼此相同。
240.在实施例中，第一岛状电极ilt1和第二岛状电极ilt2可以设置在与第一电极elt1和第二电极elt2的层相同的层。第一岛状电极ilt1和第二岛状电极ilt2可以与第一电极elt1和第二电极elt2一起被图案化。
241.第一岛状电极ilt1和第二岛状电极ilt2不与第一连接电极cnl1和第二连接电极cnl2直接连接，并且可以通过设置在第一电极elt1与第二电极elt2之间的发光元件ld电连接到第一连接电极cnl1和第二连接电极cnl2。
242.发光元件ld的对准方向可以根据其对准位置而改变。因此，可以以与前述实施例的方式相同的方式改善显示装置的视角。此外，显示装置可以具有通过使发光元件ld以串
联和并联组合结构连接而获得的上述效果。
243.图31是示出包括在图5的子像素中的单元像素的另一示例的电路图。图32是示出图31的子像素的示例的平面图。在本实施例中，将描述其中子像素中的每个包括三个单元像素的示例。
244.参照图31，子像素spx可以包括被构造为以与数据信号对应的亮度发射光的发光元件ld1至ldk。此外，子像素spx可以包括公共电路pxc_c和被构造为独立地驱动各个发光元件ld1至ldk的子像素电路pxc_s1至pxc_sk。
245.子像素spx的公共电路pxc_c可以响应于从扫描线si提供的扫描信号而向子像素电路pxc_s1至pxc_sk提供从数据线dj提供的数据信号。
246.公共电路pxc_c可以包括第二晶体管t2。
247.子像素电路pxc_s1至pxc_sk中的每个可以存储从公共电路pxc_c提供的数据信号，并且将与所存储的数据信号对应的驱动电流提供到对应的发光元件(即，发光元件ld1至ldk中的一个)。
248.在实施例中，子像素电路pxc_s1至pxc_sk可以包括参照图6d描述的第一晶体管t1、第三晶体管t3和存储电容器cst。
249.例如，第一子像素电路pxc_s1可以向第一发光元件串lds1(或第一子光源单元)提供与从公共电路pxc_c提供的数据信号对应的第一驱动电流。同样地，第二子像素电路pxc_s2可以向第二发光元件串lds2提供与从公共电路pxc_c提供的数据信号对应的第二驱动电流。第k子像素电路pxc_sk可以向第k发光元件串ldsk提供与从公共电路pxc_c提供的数据信号对应的第k驱动电流。示出了其中每个发光元件串包括彼此串联连接的三个发光元件的示例。
250.子像素电路pxc_s1至pxc_sk中的每个可以将数据信号存储在存储电容器cst中，并且将与对应的数据信号对应的驱动电流提供到对应的发光元件(即，发光元件ld1至ldk中的对应的发光元件)。因此，发光元件ld1至ldk可以更均匀地发射光。
251.参照图32，发射区域ema可以被划分为第一子发射区域ema至第三子发射区域ema。
252.在实施例中，第一电极elt1可以设置在子发射区域ema_s1、ema_s2和ema_s3中的每个中。第二电极elt2可以设置在整个发射区域ema中(即，横跨子发射区域)。第一岛状电极ilt1和第二岛状电极ilt2可以设置在对应的子发射区域中(例如，在第一子发射区域ema_s1中)的第一电极elt1与第二电极elt2之间。
253.第一电极elt1、第二电极elt2以及岛状电极ilt1和ilt2均可以具有单层结构或多层结构。此外，第一电极elt1、第二电极elt2以及岛状电极ilt1和ilt2中的每个可以通过被设置为与对应的电极叠置的分隔壁在向上方向(或基体层sub1的高度方向或厚度方向)上突出。
254.发光元件ld均可以设置在第一电极elt1、第二电极elt2以及岛状电极ilt1和ilt2中的两个相邻的电极之间，并且电连接到所述两个相邻的电极中的每个。例如，发光元件ld可以设置在第一电极elt1与同第一电极elt1相邻的第一岛状电极ilt1之间。发光元件ld的第一端部可以电连接到第一电极elt1，并且发光元件ld的第二端部可以电连接到第一岛状电极ilt1。同样地，发光元件ld可以设置在第一岛状电极ilt1与同第一岛状电极ilt1相邻的第二岛状电极ilt2之间。发光元件ld的第一端部可以电连接到第一岛状电极ilt1，并且
发光元件ld的第二端部可以电连接到第二岛状电极ilt2。同样地，发光元件ld可以设置在第二岛状电极ilt2与同第二岛状电极ilt2相邻的第二电极之间。发光元件ld的第一端部可以电连接到第二岛状电极ilt2，并且发光元件ld的第二端部可以电连接到第二电极。以这种方式，第一子发射区域ema_s1中的发光元件ld可以串联连接在第一电极elt1与第二电极elt2之间。
255.第一电极elt1、第二电极elt2以及岛状电极ilt1和ilt2均可以以弯曲部分延伸。可以以与上面描述的实施例的方式相同的方式以各种形状设置第一电极elt1、第二电极elt2以及岛状电极ilt1和ilt2中的每个。
256.尽管图32示出了发光元件ld在一个子发射区域(例如，第一子发射区域ema_s1)中串联连接，但是发光元件ld不限于此。例如，在一个子发射区域中，发光元件ld中的至少一些可以与其它发光元件并联连接。换句话说，在图32中，一个子发射区域中的发光元件ld可以以串联/并联组合连接结构布置。
257.尽管已经公开了本公开的实施例，但是本领域技术人员将理解的是，在不脱离如所附权利要求中公开的公开的范围和精神的情况下，本公开可以被实现为其它具体的形式。因此，应该理解的是，示例性实施例仅用于说明性目的，并不限制本公开的界限。