一种集成电路器件结构和集成芯片的制作方法

技术特征：
1.一种集成电路器件结构，其特征在于，包括：第一元器件；隔离单元，围绕所述第一元器件且与所述第一元器件同层设置；第一电源网，包括层叠设置的多层第一金属层；所述第一电源网位于所述第一元器件的一侧且与所述第一元器件电连接；同一层所述第一金属层包括多条相互平行的第一电源线，任意两条所述第一电源线相互绝缘；相邻的两层所述第一金属层，其中一层所述第一金属层的所述第一电源线的延伸方向与另一层所述第一金属层的所述第一电源线的延伸方向相交错，且延伸方向相交错的两条所述第一电源线在其交错段电连接；其中，在同一方向上，所述第一电源网的垂直投影位于所述隔离单元的垂直投影内；所述第一电源网内，至少有一层所述第一金属层的线宽指标大于1；所述第一金属层的线宽指标为，所述第一金属层的所述第一电源线的线宽与本层的预设基础线宽的比值。2.根据权利要求1所述的集成电路器件结构，其特征在于，所述第一电源网内，在所述第一元器件指向所述第一电源网的方向上，所述第一金属层的线宽指标呈减小趋势；各所述第一金属层的线宽指标的最小值为1。3.根据权利要求1所述的集成电路器件结构，其特征在于，线宽指标大于1的所述第一金属层，其线宽指标的范围为1.5至2。4.根据权利要求1至3任一项所述的集成电路器件结构，其特征在于，所述第一电源网内，至少有一层所述第一金属层的线数指标大于1；所述第一金属层的线数指标为，所述第一金属层的所述第一电源线的数目与本层的预设基础线数目的比值。5.根据权利要求4所述的集成电路器件结构，其特征在于，所述第一电源网内，在所述第一元器件指向所述第一电源网的方向上，所述第一金属层的线数指标呈减小趋势；各所述第一金属层的线数指标的最小值为1。6.根据权利要求1所述的集成电路器件结构，其特征在于，所述隔离单元包括：耦合电容子单元，围绕所述第一元器件设置，并与所述第一元器件接触，且用于对所述第一元器件降噪；第一边界子单元，围绕所述耦合电容子单元设置，并与所述耦合电容子单元接触；第二边界子单元，围绕所述第一边界子单元设置；所述第二边界子单元与所述第一边界子单元之间具有隔离带；其中，在同一方向上，所述第一电源网的垂直投影位于所述隔离带的垂直投影内。7.一种集成芯片，其特征在于，包括至少一个如权利要求1至6任一项所述的集成电路器件结构；各所述集成电路器件结构同层设置。8.根据权利要求7所述的集成芯片，其特征在于，还包括：多个第二元器件；所述第二元器件与所述第一元器件同层设置且位于所述隔离单元的外围；第二电源网，包括层叠设置的多层第二金属层；所述第二电源网与所述第一电源网同层设置且与所述第二元器件电连接；所述第二金属层与所述第一金属层一一对应，且所述第二金属层与对应的所述第一金属层同层设置；
同一层所述第二金属层包括多条相互平行的第二电源线，任意两条所述第二电源线相互绝缘；相邻的两层所述第二金属层，其中一层所述第二金属层的所述第二电源线的延伸方向与另一层所述第二金属层的所述第二电源线的延伸方向相交错，且延伸方向相交错的两条所述第二电源线在其交错段电连接；其中，所述第二金属层的线宽指标和线数指标均为1，所述第二金属层的线宽指标为所述第二金属层的所述第二电源线的线宽与本层的预设基础线宽的比值，所述第二金属层的线数指标为所述第二金属层的所述第二电源线的数目与本层的预设基础线数目的比值；所述第二金属层的预设基础线宽等于对应的所述第一金属层的预设基础线宽；同层设置的所述第一金属层与所述第二金属层，所述第一电源线与所述第二电源线的延伸方向共线或平行。9.根据权利要求8所述的集成芯片，其特征在于，还包括：第三电源网，位于所述第一电源网远离所述第一元器件的一侧；在同一方向上，所述第一电源网和所述第二电源网的垂直投影均位于所述第三电源网的垂直投影内，所述第三电源网与所述第一电源网和所述第二电源网均电连接；所述第三电源网包括层叠设置多层第三金属层；同一层所述第三金属层包括多条相互平行的第三电源线，任意两条所述第三电源线相互绝缘；相邻的两层所述第三金属层，其中一层所述第三金属层的所述第三电源线的延伸方向与另一层所述第三金属层的所述第三电源线的延伸方向相交错，且延伸方向相交错的两条所述第三电源线在其交错段电连接；其中，所述第三金属层的线宽指标和线数指标均为1，所述第三金属层的线宽指标为所述第三金属层的所述第三电源线的线宽与本层的预设基础线宽的比值，所述第三金属层的线数指标为所述第三金属层的所述第三电源线的数目与本层的预设基础线数目的比值；第三电源线与第二电源线的延伸方向共线。10.根据权利要求9所述的集成芯片，其特征在于，所述第三电源网、所述第二电源网以及所述第一电源网一体设置。

技术总结
本发明实施例公开了一种集成电路器件结构和集成芯片。集成电路器件结构包括：第一元器件、隔离单元和第一电源网；隔离单元围绕第一元器件且与第一元器件同层设置；第一电源网位于第一元器件的一侧且与第一元器件电连接；第一电源网包括层叠设置的多层第一金属层；同一层第一金属层包括多条相互平行的第一电源线，任意两条第一电源线相互绝缘；其中，在同一方向上，第一电源网的垂直投影位于隔离单元的垂直投影内；第一电源网内至少有一层第一金属层的线宽指标大于1。本发明实施例的技术方案，向第一元器件供电的第一电源网中的电压降较小，且向第一元器件供电的第一电源网中的电迁移现象较不明显。移现象较不明显。移现象较不明显。


技术研发人员：余金金 何永松 陈天宇 吴日新 顾东华
受保护的技术使用者：上海燧原科技有限公司
技术研发日：2022.03.24
技术公布日：2022/4/22