一种防眩光混光灯珠的制作方法

本发明涉及灯珠领域，特别涉及一种防眩光混光灯珠。

背景技术

随着LED技术发展，LED灯具被广泛应用在不同场合环境。LED灯珠作为LED灯具的核心，LED灯珠的性能对最终照明效果起到决定性作用。

现有技术中，LED灯珠内封装多个同一种类的LED芯片，由于LED灯珠的出光角度主要取决于LED芯片本身的发光角度，LED灯珠采用同一种类的LED芯片，会使得最终照明光线的定向性非常强，使用LED灯珠加工为成品LED灯具时，需要通过增加专用透镜、提高扩散板的雾度、增设格栅板等方式，以减小眩光指数，导致成本增高、结构复杂。

技术实现要素：

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提出一种防眩光混光灯珠，其能够减小发光时的眩光指数。

根据本发明实施例的一种防眩光混光灯珠，包括：支架；第一LED芯片，设置于所述支架上；第二LED芯片，设置于所述支架上，所述第一LED芯片的光束角与所述第二LED芯片的光束角的不同；封装胶层，设置于所述支架上，所述封装胶层覆盖所述第一LED芯片以及所述第二LED芯片。

根据本发明实施例的一种防眩光混光灯珠，至少具有如下有益效果：在支架上设置有第一LED芯片与第二LED芯片，并且通过封装胶层封装于一体，通过第一LED芯片的光束角与第二LED芯片的光束角不同，在发光时，第一LED芯片产生的光线与第二LED芯片产生的光线混合，降低整体光线的定向性，有利于减小发光时的眩光指数，降低后续光学调节的难度，无需专用透镜，有利于降低成本。

根据本发明的一些实施例，所述第一LED芯片为单面发光LED芯片，所述第二LED芯片为多面发光LED芯片。

根据本发明的一些实施例，所述第一LED芯片为硅基LED芯片。

根据本发明的一些实施例，还包括设置于所述封装胶层的光扩散粉层。

根据本发明的一些实施例，还包括设置于所述封装胶层的荧光粉层。

根据本发明的一些实施例，所述支架设置有正极焊盘以及负极焊盘；所述第一LED芯片的正极与所述正极焊盘连接，所述第一LED芯片的负极与所述第二LED芯片的正极连接，所述第二LED芯片的负极与所述负极焊盘连接；或者，所述第一LED芯片的正极以及所述第二LED芯片的正极均与所述正极焊盘连接，所述第一LED芯片的负极以及所述第二LED芯片的负极均与所述负极焊盘连接。

根据本发明的一些实施例，述支架设置有凹槽部，所述封装胶层位于所述凹槽部内，所述凹槽部的壁面能够反射光线。

根据本发明的一些实施例，所述硅基LED芯片包括依次层叠的第一电极层、硅基板层、反射层、发光层以及第二电极层。

根据本发明的一些实施例，所述发光层包括依次层叠的P型GaN层、P型ALGaN层、量子陷阱层、N型GaN层，所述P型GaN层与所述反射层连接，所述N型GaN层与所述第二电极层连接。

根据本发明的一些实施例，所述量子陷阱层为InGaN/GaN阱垒层。

本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1为本发明其中一种实施例的结构示意图；

图2为本发明其中一种实施例中第一LED芯片的示意图。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

在本发明的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

在本发明的描述中，如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。

本发明的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属技术领域技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本发明中的具体含义。

如图1所示，根据本发明实施例的一种防眩光混光灯珠，包括：支架100；第一LED芯片200，设置于支架100上；第二LED芯片300，设置于支架100上，第一LED芯片200的光束角与第二LED芯片300的光束角的不同；封装胶层400，设置于支架100上，封装胶层400覆盖第一LED芯片200以及第二LED芯片300。

在支架100上设置有第一LED芯片200与第二LED芯片300，并且通过封装胶层400封装于一体，通过第一LED芯片200的光束角与第二LED芯片300的光束角不同，在发光时，第一LED芯片200产生的光线与第二LED芯片300产生的光线混合，降低整体光线的定向性，有利于减小发光时的眩光指数，降低后续光学调节的难度，无需专用透镜，有利于降低成本。

参照图1，在本发明的一些实施例中，第一LED芯片200为单面发光LED芯片，第二LED芯片300为多面发光LED芯片。

第一LED芯片200单面发光，第二LED芯片300多面发光，第二LED芯片300的光束角大于第一LED芯片200的光束角，以使得两者混光之后，降低整体出光的定向性，实现减小眩光指数的效果。

参照图2，在本发明的一些实施例中，第一LED芯片200为硅基LED芯片。

第一LED芯片200采用硅基LED芯片，具有体积小、成本低、散热性能好、可靠性强等优点。

第二LED芯片300可以为蓝宝石倒装LED芯片的实施方式，蓝宝石衬底的顶面为正出光面，蓝宝石衬底的四周侧面为侧出光面。

参照图1，在本发明的一些实施例中，还包括设置于封装胶层400的光扩散粉层500。

通过在封装胶层400外设置有光扩散粉层500，第一LED芯片200与第二LED芯片300发出的光线经光扩散粉层500的扩散作用，能够使得整体的最终整体发光更加均匀、柔和，有利于进一步降低眩光指数。

参照图1，在本发明的一些实施例中，还包括设置于封装胶层400的荧光粉层600。

通过设置有荧光粉层600，第一LED芯片200与第二LED芯片300发出的光线照射至荧光粉层600，能够激发荧光粉层600产生对应光色的光线，以此通过荧光粉层600，能够调节最终的发光光色，以满足使用需求。

光扩散粉层500可以是由光扩散粉与胶水混合后涂覆在封装胶层上形成的实施方式。荧光粉层600可以由荧光粉与胶水混合后涂覆在封装胶层上形成的实施方式。在本发明的一些实施例中，光扩散粉层500与荧光粉层600可以是为同一层，即由光扩散粉、荧光粉与胶水混合后涂覆在封装胶层的实施方式。

参照图1，在本发明的一些实施例中，支架100设置有正极焊盘110以及负极焊盘120，第一LED芯片200的正极与正极焊盘110连接，第一LED芯片200的负极与第二LED芯片300的正极连接，第二LED芯片300的负极与负极焊盘120连接。

第一LED芯片200与第二LED芯片300串联，使得流经第一LED芯片200与第二LED芯片300的电流相等，以此能够使得第一LED芯片200的发光亮度与第二LED芯片300的发光亮度趋于相同，有利于令发光亮度更加均匀。

在本发明的一些实施例中，第一LED芯片200的正极以及第二LED芯片300的正极均与正极焊盘110连接，第一LED芯片200的负极以及第二LED芯片300的负极均与负极焊盘120连接。

第一LED芯片200与第二LED芯片300并联，能够降低所需的驱动电压，并且能够在其中之一烧毁时，另一继续发光工作，有利于提高可靠性。

参照图1，支架100设置有凹槽部130，所述封装胶层400位于凹槽部130内，凹槽部130的壁面能够反射光线。

支架100设置有凹槽部130，方便进行注胶形成封装胶层400，有利于令加工更加便捷，并且凹槽部130的壁面能够反射光线，能够使第一LED芯片200与第二LED芯片300照射在凹槽部130的壁面上的光线反射出去，有利于提高照明亮度以及提高光效。

凹槽部130可以是由白胶等能够反射光线的材料形成。

参照图2，在本发明的一些实施例中，硅基LED芯片包括依次层叠的第一电极层210、硅基板层220、反射层230、发光层240以及第二电极层250。

第一电极层210与第二电极层250分别与支架100的正极焊盘110、负极焊盘120连接，电流经第一电极层210、硅基板层220以及反射层230注入至发光层240，然后从第二电极层250流出形成回路，发光层240产生光线射出，发光层240的正面朝向封装胶层400，反射层230能够对发光层240从背面射出的光线进行反射，防止发光层240从背面射出的光线被硅基板层220吸收，有利于提高发光亮度和发光效率。

第一电极层210、第二电极层250可以是为铜层的实施方式。反射层230可以是为铝层等具有反光和导电作用的材料制成。

参照图2，在本发明的一些实施例中，发光层240包括依次层叠的P型GaN层、P型ALGaN层、量子陷阱层、N型GaN层，P型GaN层与反射层230连接，N型GaN层与第二电极层250连接。

P型GaN层、P型ALGaN层提供空穴，N型GaN层提供电子，在电场作用下，空穴与电子流向量子陷阱层，电子与空穴复合，在此过程中，电子在量子陷阱层的能带跃迁，以此产生光线。采用P型GaN层、P型ALGaN层、量子陷阱层、N型GaN层依次层叠的结构，具有可靠性高、稳定性强的优点。

参照图2，在本发明的一些实施例中，量子陷阱层为InGaN/GaN阱垒层。

采用InGaN/GaN阱垒层作为量子陷阱层，具有可靠性高、稳定性强的优点，并且电子在InGaN/GaN阱垒层中的量子陷阱发生跃迁，能够产生满足使用需求的光线。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

当然，本发明创造并不局限于上述实施方式，熟悉本领域的技术人员在不违背本发明精神的前提下还可作出等同变形或替换，这些等同的变型或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。