显示基板及其制备方法、显示装置与流程

1.本公开实施例涉及但不限于显示技术领域，尤指一种显示基板及其制备方法、显示装置。


背景技术：

2.微型有机发光二极管(micro organic light-emitting diode，micro-oled)是近年来发展起来的微型显示器，硅基有机发光二极管(organiclight-emitting diode，oled)为其中一种。硅基oled具有高像素密度(pixels per inch，ppi)，体积小，高对比度的特点，采用成熟的集成电路互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor，cmos)工艺制成，实现了像素的有源寻址，可以实现在硅基衬底上制备包括时序控制(tcon)电路、过电流保护(over current protection，ocp)电路等多种功能电路，有利于减小系统体积，实现轻量化。硅基oled广泛应用于虚拟现实、增强现实近眼显示领域中，特别是增强现实(augmented reality，ar)/虚拟现实(virtual reality，vr)头戴显示装置中。


技术实现要素：

3.以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
4.第一方面，本公开实施例提供了一种显示基板，包括显示区域以及位于所述显示区域周边的外围区域，所述显示区域包括多个子像素，所述外围区域包括绑定区域，所述绑定区域包括多个绑定引脚，所述多个绑定引脚包括至少一个第一电源引脚和至少一个第二电源引脚，所述第一电源引脚用于向所述显示区域传输高电源信号，所述第二电源引脚用于向所述显示区域传输低电源信号；
5.在垂直于所述显示基板的平面内，所述显示基板包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的驱动电路层和子像素，所述驱动电路层包括半导体层；所述外围区域还包括至少一条地线，所述地线与所述半导体层耦接，所述地线与所述绑定引脚之间的距离大于相邻两个所述绑定引脚之间的间隙宽度。
6.在示例性实施例中，所述显示基板还包括设置在所述半导体层上的多个导电层；
7.所述地线与所述多个导电层中的至少一层同层设置；
8.所述多个绑定引脚与所述多个导电层中的至少一层同层设置。
9.在示例性实施例中，所述绑定引脚与所述地线同层设置。
10.在示例性实施例中，所述绑定区域位于所述外围区域的第一侧，所述地线至少包括第一部分，所述第一部分也位于所述外围区域的第一侧，所述第一部分与所述绑定引脚之间的距离大于50个所述子像素沿第一方向的宽度。
11.在示例性实施例中，所述绑定区域位于所述外围区域的第一侧，所述地线位于所述外围区域中除第一侧以外的其他三侧中的任意一侧、两侧或三侧。
12.在示例性实施例中，所述地线与所述显示区域之间的距离大于50个所述子像素沿第一方向的宽度。
13.在示例性实施例中，所述绑定引脚沿第一方向的宽度大于相邻两个所述绑定引脚之间的间隙宽度。
14.在示例性实施例中，所述子像素包括第一电极、有机发光层和第二电极，所述第一电极包括至少一层透明导电氧化物层；
15.每个所述绑定引脚包括第一子层和第二子层，所述第一子层与所述多个导电层中的至少一层同层设置，所述第二子层与所述透明导电氧化物层同层设置，所述第一子层与第二子层并联且电连接，且所述第二子层位于所述第一子层远离所述衬底基板的一侧。
16.在示例性实施例中，所述多个绑定引脚沿第一方向排列，所述第二子层沿所述第一方向的宽度与所述第一子层沿所述第一方向的宽度相同或近似相同，所述第二子层沿第二方向的长度是所述第一子层沿第二方向的长度的1倍至1.2倍之间，所述第一方向与所述第二方向交叉。
17.在示例性实施例中，所述第一电极还包括至少一层金属导电层；
18.所述显示基板还包括多个测试电路，所述测试电路设置在所述多个绑定引脚靠近所述显示区域的一侧，所述测试电路与所述绑定引脚不连接，且所述测试电路与所述绑定引脚之间的距离大于相邻两个所述绑定引脚之间的间隙宽度。
19.在示例性实施例中，所述显示基板还包括保护电极，所述保护电极设置在多个所述测试电路远离所述衬底基板的一侧，所述保护电极在所述衬底基板上的正投影覆盖所述测试电路在所述衬底基板上的正投影，多个所述保护电极与所述金属导电层同层设置。
20.在示例性实施例中，所述多个绑定引脚还包括至少两个阻抗测试引脚，所述至少两个阻抗测试引脚位于所述多个绑定引脚沿第一方向的两侧；
21.所述第一电源引脚包括第一子引脚和第二子引脚，所述第二电源引脚包括第三子引脚和第四子引脚，所述第三子引脚和第四子引脚分别与所述多个绑定引脚沿第一方向的两侧的阻抗测试引脚相邻设置，所述第一子引脚位于所述第三子引脚远离所述阻抗测试引脚的一侧，所述第二子引脚位于所述第四子引脚远离所述阻抗测试引脚的一侧。
22.在示例性实施例中，所述多个绑定引脚还包括至少一个信号引脚，所述至少一个信号引脚位于所述第一子引脚和第二子引脚之间。
23.第二方面，本公开实施例提供了一种显示装置，包括如上任一项所述的显示基板。
24.第三方面，本公开实施例提供了一种显示基板的制备方法，所述显示基板包括显示区域以及位于所述显示区域周边的外围区域，所述外围区域包括绑定区域，所述制备方法包括：
25.在衬底基板上形成驱动电路层，所述绑定区域的驱动电路层包括多个绑定引脚，所述多个绑定引脚包括至少一个第一电源引脚和至少一个第二电源引脚，所述第一电源引脚用于向所述显示区域传输高电源信号，所述第二电源引脚用于向所述显示区域传输低电源信号；所述外围区域的驱动电路层包括至少一条地线，所述显示区域的驱动电路层包括半导体层，所述地线与所述半导体层耦接，所述地线与所述绑定引脚之间的距离大于相邻两个所述绑定引脚之间的距离；
26.在所述驱动电路层上形成子像素。
27.本公开实施例提供的显示基板及其制备方法、显示装置，通过使地线与绑定引脚之间的距离大于相邻两个绑定引脚之间的距离，避免了在柔性线路板绑定发生偏移时产生的短路风险，在保证基板尺寸不变的条件下可以确保电性连接可靠，具有延长产品的使用寿命、提高产品的良率与集成度的优点。此外，绑定引脚与地线之间没有电压的压降，阳极刻蚀时，氯离子在绑定引脚处就不容易聚集，由此改善了绑定引脚在阳极刻蚀中易被腐蚀的问题，进而解决了绑定引脚电连接性能差、柔性线路板模组的可靠性不能满足要求的问题，改善了显示基板在恶劣环境中使用寿命不高的缺点。
28.本技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本技术而了解。本技术的其他优点可通过在说明书以及附图中所描述的方案来实现和获得。
附图说明
29.附图用来提供对本技术技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本技术的实施例一起用于解释本技术的技术方案，并不构成对本技术技术方案的限制。
30.图1a和图1b为本公开实施例两示例中显示基板的结构示意图；
31.图2为本公开实施例一示例中显示基板连接柔性线路板的示意图；
32.图3为本公开实施例一示例中显示区域的局部剖视图；
33.图4为本公开实施例一示例中显示基板的平面示意图；
34.图5为本公开实施例一示例中绑定区域的结构示意图；
35.图6为显示区域以及图5中aa方向的剖面对比图。
具体实施方式
36.本技术描述了多个实施例，但是该描述是示例性的，而不是限制性的，并且对于本领域的普通技术人员来说显而易见的是，在本技术所描述的实施例包含的范围内可以有更多的实施例和实现方案。尽管在附图中示出了许多可能的特征组合，并在具体实施方式中进行了讨论，但是所公开的特征的许多其它组合方式也是可能的。除非特意加以限制的情况以外，任何实施例的任何特征或元件可以与任何其它实施例中的任何其他特征或元件结合使用，或可以替代任何其它实施例中的任何其他特征或元件。
37.本技术包括并设想了与本领域普通技术人员已知的特征和元件的组合。本技术已经公开的实施例、特征和元件也可以与任何常规特征或元件组合，以形成由权利要求限定的独特的发明方案。任何实施例的任何特征或元件也可以与来自其它发明方案的特征或元件组合，以形成另一个由权利要求限定的独特的发明方案。因此，应当理解，在本技术中示出和/或讨论的任何特征可以单独地或以任何适当的组合来实现。因此，除了根据所附权利要求及其等同替换所做的限制以外，实施例不受其它限制。此外，可以在所附权利要求的保护范围内进行各种修改和改变。
38.此外，在描述具有代表性的实施例时，说明书可能已经将方法和/或过程呈现为特定的步骤序列。然而，在该方法或过程不依赖于本文所述步骤的特定顺序的程度上，该方法或过程不应限于所述的特定顺序的步骤。如本领域普通技术人员将理解的，其它的步骤顺序也是可能的。因此，说明书中阐述的步骤的特定顺序不应被解释为对权利要求的限制。此
外，针对该方法和/或过程的权利要求不应限于按照所写顺序执行它们的步骤，本领域技术人员可以容易地理解，这些顺序可以变化，并且仍然保持在本技术实施例的精神和范围内。
39.在本公开中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据情况理解上述术语在本公开中的含义。其中，“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的传输，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有一种或多种功能的元件等。
40.在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的一个方式并不一定限定于该尺寸，附图中每个部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。
41.为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明，本公开省略了部分已知功能和已知部件的详细说明。本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
42.传统的硅基oled显示基板，在绑定区域远离显示区域的一侧设置有公共地线，该公共地线用于连接整个硅基板，但是，这样的设计在柔性线路板(flexible circuit board，fpc)绑定(bonding)发生偏移时，会造成短路(short)风险。此外，在制备阳极的过程中，氧化铟锡(ito)刻蚀溶液中存在氯(ci)离子，聚集的氯离子对绑定引脚会产生腐蚀，使绑定引脚的电连接特性变差，导致fpc与硅基板的接触电阻增大，甚至短路，如何提高fpc模组的可靠性是目前业界需要关注的问题。
43.本公开实施例提供了一种显示基板，包括显示区域以及位于显示区域周边的外围区域，显示区域包括多个子像素，外围区域包括绑定区域，绑定区域包括多个绑定引脚，多个绑定引脚包括至少一个第一电源引脚和至少一个第二电源引脚，第一电源引脚用于向显示区域传输高电源信号，第二电源引脚用于向显示区域传输低电源信号；在垂直于显示基板的平面内，显示基板包括衬底基板以及设置在衬底基板上的驱动电路层和子像素，驱动电路层包括半导体层；外围区域还包括至少一条地线，地线与半导体层耦接，地线与绑定引脚之间的距离大于相邻两个绑定引脚之间的距离。
44.本公开实施例提供的显示基板，通过使地线与绑定引脚之间的距离大于相邻两个绑定引脚之间的距离，避免了在柔性线路板绑定发生偏移时产生的短路风险，在保证基板尺寸不变的条件下可以确保电性连接可靠，具有延长产品的使用寿命、提高产品的良率与集成度的优点。此外，绑定引脚与地线之间没有电压的压降，氯离子在绑定引脚处就不容易聚集，由此改善了绑定引脚在ito阳极刻蚀中易被腐蚀的问题，进而解决了绑定引脚电连接性能差、fpc模组的可靠性不能满足要求的问题，改善了显示基板在恶劣环境中使用寿命不高的缺点。
45.下面以二示例对本公开的显示基板进行说明。
46.图1a和图1b为本公开实施例二示例中显示基板的结构示意图。如图1a和图1b所
示，显示基板包括显示区域101以及位于显示区域101周边的外围区域102，外围区域102包括绑定区域103，显示区域101包括阵列排布的多个子像素105。在垂直于显示基板的平面上，显示基板包括：硅基衬底11、设置在硅基衬底11上的驱动电路层和设置在驱动电路层上的子像素105。绑定区域103包括多个绑定引脚。
47.图1a和图1b所示的结构中，显示基板沿第一方向x的长度大于沿第二方向y的长度，即本示例是在显示基板的长边一侧设置绑定区域103，采用长边出引脚(pin)的布局方式，在长边一侧的面积较大，方便于放置电路走线和扎针测试(chip probing，cp)结构等，有利于光机结构的匹配设计。
48.图1a和图1b所示的结构中，多个绑定引脚包括阻抗测试引脚1034，阻抗测试引脚1034位于绑定区域103沿第一方向x的两侧，左右两侧各设置2个阻抗测试引脚1034，用于监控显示基板与fpc的电性接触特性，还可以改善机械特性，抵抗外部恶劣环境，外部环境的水汽从侧边进入，会先到阻抗测试引脚1034处，延长了水汽的进入路径，有利于延长使用寿命。在阻抗测试引脚1034的内侧依次设置有第二电源引脚1032和第一电源引脚1031，两侧各设置1个第二电源引脚1032和1个第一电源引脚1031，第一电源引脚1031用于向显示区域101输入高电源信号vdd，第二电源引脚1032用于向显示区域101输入低电源信号vss，此设计不仅可以保证信号的传输，还可以提升信赖性要求。位于两个第一电源引脚1031之间的绑定引脚为信号引脚1033，用于实现驱动信号的传输。
49.在一些示例性实施方式中，如图1a和图1b所示，第一电源引脚1031包括第一子引脚10311和第二子引脚10312，第二电源引脚1032包括第三子引脚10321和第四子引脚10322，第三子引脚10321和第四子引脚10322分别与左右两侧的阻抗测试引脚1034相邻设置，第一子引脚10311位于第三子引脚10321远离阻抗测试引脚1034的一侧，第二子引脚10312位于第四子引脚10322远离阻抗测试引脚1034的一侧。
50.在一些示例性实施方式中，如图1a和图1b所示，外围区域102还包括至少一条地线1021，地线1021与绑定引脚之间的距离d1大于相邻两个绑定引脚之间的间隙宽度d2。
51.图2为本公开实施例一示例中显示基板连接柔性线路板的示意图。硅基衬底11通过绑定区域103的绑定引脚与柔性线路板20绑定连接，柔性线路板20能够实现显示基板与外部电路的电连接。在硅基衬底11上设置有子像素105，子像素105包括多个发光元件，多个发光元件在各自对应的第一电极和第二电极的驱动下发光，发光元件可以为oled。盖板玻璃18覆盖在子像素105上，多个发光元件发出的光线能够透过盖板玻璃18后射出，盖板玻璃18具有保护发光元件的功能。盖板玻璃18的尺寸大于显示区域101的尺寸，盖板玻璃18的尺寸小于硅基衬底11的尺寸，且盖板玻璃18的四边与硅基衬底11预留有一定的距离，以便于连接光机结构。为实现光线透过，盖板玻璃18可以采用透明材料进行制备，例如：具有高透过率的素玻璃。
52.在本示例中，硅基衬底11的尺寸为11.1mm*9.5mm，盖板玻璃18比硅基板11单边内缩0.1mm，为10.9mm*9.3mm，显示区域的尺寸比盖板玻璃18单边内缩0.5mm。
53.图3为本公开实施例一示例中显示区域的局部剖视图。如图3所示，在垂直于显示基板的平面内，显示区域101包括：依次设置在硅基衬底11上的驱动电路层(图中未显示)、子像素105、第一薄膜封装层15、彩色薄膜层16、第二薄膜封装层17、以及盖板玻璃18。子像素105包括多个发光元件。子像素105包括：依次设置在驱动电路层上的第一电极12、有机发
光层13以及第二电极14。
54.第一电极12可以采用氧化铟锡(ito)制备，从而具有较高的透过率、高功函数等特点。有机发光层13可以采用有机材料进行制备，在发光元件的第一电极12及发光元件的第二电极14施加的电压或者电流的作用下，有机材料中激发出空穴与电子形成激子，电子与空穴复合后实现发光。发光元件的第二电极14可以采用金属材料或者合金材料进行制备，例如镁、银等金属或合金。在第二电极14的上侧设置有第一薄膜封装层15，彩色薄膜层16对应于有机发光层13设置，可以包括rgb彩色薄膜，实现发射光的彩色化显示。在彩色薄膜层16的上侧依次设置有第二薄膜封装层17和盖板玻璃18，能够起到保护彩色薄膜层16的作用。第二薄膜封装层17可以采用密封性好的材料进行制备，例如有机材料，或者如氧化硅，氮化硅等一种或多种无机材料形成的组合材料。第二薄膜封装层17与第一薄膜封装层15相配合，能够实现对水汽、氧气的有效阻挡，有助于延长显示基板的使用寿命。
55.图4为本公开实施例一示例中显示基板的平面示意图，如图4所示，有机发光层13在硅基衬底11上的正投影覆盖于发光元件的第一电极12在硅基衬底11上的正投影。彩色薄膜层16在硅基衬底11上的正投影覆盖于有机发光层13在硅基衬底11上的正投影。盖板玻璃18在硅基衬底11上的正投影覆盖于彩色薄膜层16在硅基衬底11上的正投影。从正投影的关系上也可以看出，盖板玻璃18的四边与硅基衬底11预留有一定的距离，以便于连接光机结构。
56.在一些示例性实施方式中，第一电极12可以包括金属膜层以及位于金属膜层上方的透明金属氧化物膜层。金属膜层可以包括依次层叠设置的第一钛层、铝层和第二钛层；透明金属氧化物膜层可以采用氧化铟锡(ito)或氧化铟锌(izo)。
57.在另一些示例性实施方式中，第一电极12可以包括两层透明金属氧化物膜层及位于两层透明金属氧化物膜层之间的金属膜层，透明金属氧化物膜层的材料可以是氧化铟锡或氧化铟锌，金属膜层的材料可以是金属银。
58.在一些示例性实施方式中，显示基板还包括多个测试电路(图中未示出)，多个测试电路设置在多个绑定引脚靠近显示区域101的一侧，测试电路与绑定引脚不连接，且测试电路与绑定引脚之间的距离大于相邻两个绑定引脚之间的间隙宽度d2。
59.在一些示例性实施方式中，如图1a、图1b和图5所示，显示基板还包括设置在多个测试电路远离硅基衬底11一侧的多个保护电极104，保护电极104在硅基衬底11上的正投影覆盖测试电路在硅基衬底11上的正投影，多个保护电极104设置在多个绑定引脚靠近显示区域101的一侧。保护电极104可以与第一电极12中的金属膜层同层制备，用于保护位于保护电极104下方的测试电路，防止oled工艺中存在的激光、紫外(uv)光等影响测试电路的特性。
60.在一些示例性实施方式中，保护电极104可以与第一钛层、铝层和第二钛层中的任意一层或多层同层制备形成。
61.在一些示例性实施方式中，如图1a和图1b所示，第一电源引脚1031和第二电源引脚1032与地线1021均不连接。
62.本实施例中，多个绑定引脚与柔性线路板(fpc)上的引脚一一对应，实现驱动信号的传输，还保证绑定接触面积。第一电源引脚1031和第二电源引脚1032均与柔性线路板(fpc)上相对应的引脚绑定连接，fpc能够实现显示基板与外部电路的电连接，从而可以通
过外部电路提供电源信号。
63.在一些示例性实施方式中，形成硅基衬底11的制程可以采用相关技术成熟的ic(integrated circuit)晶片制程。
64.在一些示例性实施方式中，驱动电路层可以通过硅半导体工艺(例如互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor，cmos)工艺)制备在硅基衬底11上，驱动电路层可以包括多个电路单元，电路单元可以至少包括像素驱动电路，像素驱动电路位于显示区域，像素驱动电路分别与扫描信号线和数据信号线连接，像素驱动电路可以包括多个晶体管和存储电容，晶体管可以包括控制极、第一极和第二极，控制极、第一极和第二极可以通过钨金属填充的过孔(即钨过孔，w-via)分别与相应的连接电极连接，并可以通过连接电极与其它电学结构(如走线等)进行连接。
65.在一些示例性实施方式中，驱动电路层可以包括半导体层(图中未示出)，地线1021与半导体层耦接。本实施例中，通过使得地线1021与半导体层耦接，从而控制整个显示基板的电位与地线的电位一致。
66.在一些示例性实施方式中，显示基板可以包括设置在半导体层上的多个导电层(图中未示出)；
67.地线1021与多个导电层中的至少一层同层设置；
68.多个绑定引脚与多个导电层中的至少一层同层设置。
69.在一些示例性实施方式中，绑定引脚与地线1021同层设置。
70.在一些示例性实施方式中，显示基板包括在硅基衬底11上依次叠层设置的第一半导体层、第一导电层、第二导电层、第二半导体层、第三导电层、第四导电层和第五导电层，第一半导体层包括多个多晶硅晶体管的有源层，第一导电层包括多个多晶硅晶体管的栅电极和存储电容的第一极板，第二导电层包括存储电容的第二极板，第二半导体层包括多个氧化物晶体管的有源层，第三导电层包括多个氧化物晶体管的栅电极，第四导电层包括多个多晶硅晶体管的第一极和第二极、多个氧化物晶体管的第一极和第二极，第五导电层包括电源线或数据信号线。
71.在一些示例性实施方式中，地线1021可以与第五导电层同层设置。
72.在一些示例性实施方式中，多个绑定引脚可以为单层结构，多个绑定引脚可以与多个导电层中的至少一层同层设置。示例性的，多个绑定引脚可以与第五导电层同层设置。
73.在一些示例性实施方式中，如图1b所示，绑定区域103位于外围区域102的第一侧，地线1021至少包括第一部分，第一部分也位于外围区域102的第一侧，地线1021与绑定引脚之间的距离d1大于50个子像素沿第一方向x的宽度。
74.需要说明的是，每个子像素105沿第一方向x的宽度d4可以在3um至8um之间。在一些示例性实施方式中，地线1021与绑定引脚之间的距离d1可以为100个子像素沿第一方向x的宽度到150个子像素沿第一方向x的宽度之间，即d1可以在100*d4到150*d4之间。示例性的，地线1021与绑定引脚之间的距离d1可以为120个子像素沿第一方向x的宽度，即d1可以在120*3um到120*8um之间。
75.在一些示例性实施方式中，如图1a所示，绑定区域103位于外围区域102的第一侧，地线1021位于外围区域102中除第一侧以外的其他三侧中的任意一侧、两侧或三侧。
76.示例性的，外围区域102的第一侧可以位于外围区域102沿第二反向y的反方向的
一侧；外围区域102的第二侧可以位于外围区域102沿第二反向y的一侧；外围区域102的第三侧可以位于外围区域102沿第一反向x的反方向的一侧；外围区域102的第四侧可以位于外围区域102沿第一反向x的一侧。
77.在一些示例性实施方式中，如图1a和图1b所示，地线1021与显示区域101之间的距离d3大于50个子像素沿第一方向x的宽度。
78.需要说明的是，每个子像素105沿第一方向x的宽度d4可以在3um至8um之间。在一些示例性实施方式中，地线1021与显示区域101之间的距离d1可以为100个子像素沿第一方向x的宽度到150个子像素沿第一方向x的宽度之间，即d3可以在100*d4到150*d4之间。示例性的，地线1021与显示区域101之间的距离d3可以为120个子像素沿第一方向x的宽度，即d3可以在120*3um到120*8um之间。
79.在一些示例性实施方式中，如图1a和图1b所示，绑定引脚沿第一方向x的宽度w大于相邻两个绑定引脚之间的间隙宽度d2。
80.在一些示例性实施方式中，子像素可以包括第一电极12、有机发光层13和第二电极14，第一电极12包括至少一层透明导电氧化物层。示例性的，该透明导电氧化物层的材料可以为氧化铟锡(ito)或氧化铟锌(izo)。
81.在一些示例性实施方式中，第一电极12可以为阳极，第二电极14可以为阴极。
82.在一些示例性实施方式中，如图5和图6所示，多个绑定引脚可以为双层结构，每个绑定引脚包括第一子层103a和第二子层103b，第一子层103a与多个导电层中的至少一层同层设置，第二子层103b与透明导电氧化物层同层设置，第一子层103a与第二子层103b并联且电连接，且第二子层103b位于第一子层103a远离硅基衬底11的一侧。
83.本实施例的显示基板，在制作显示区域101的阳极的同时，在绑定区域103，通过透明导电氧化物层薄膜将绑定引脚盖住，这样绑定引脚就不容易被氯离子腐蚀，提升了绑定引脚与fpc的电连接性能，保证了fpc模组在不同环境下的耐受性，提升了产品的良率。
84.硅基oled显示模组在绑定过程中，考虑绑定机台的匹配性，绑定引脚需要在显示模组绑定过程中保证足够的良率与可靠性，在fpc模组中fpc与绑定引脚需要足够的接触面积，对绑定引脚有一定的面积要求。
85.在一些示例性实施方式中，多个绑定引脚沿第一方向x排列，第二子层103b沿第一方向x的宽度w2与第一子层103a沿第一方向x的宽度w1相同或近似相同，第二子层103b沿第二方向y的长度l2是第一子层103a沿第二方向y的长度l1的1倍至1.2倍之间，第一方向x与第二方向y交叉。
86.需要说明的是，本公开所述的“近似相同”指的是允许第二子层103b沿第一方向x的宽度w2与第一子层103a沿第一方向x的宽度w1两者之间存在一定的工艺误差范围，示例性的，该工艺误差范围可以在0至15um之间。
87.在一些示例性实施方式中，第一方向x与第二方向y相互垂直。
88.示例性的，第一子层103a沿第一方向x的宽度w1为70um，第一子层103a沿第二方向y的长度l1为600um，第二子层103b沿第一方向x的宽度w2与第一子层103a沿第一方向x的宽度w1相同，第二子层103b沿第二方向y的长度l2比第一子层103a沿第二方向y的长度l1长10um至80um。
89.在一些示例性实施方式中，第一子层103a的材料可以为金属铜或者铝。
90.本公开还提供一种显示基板的制备方法，以制备上述实施例提供的显示基板。在一些示例性实施方式中，显示基板具有显示区域以及位于显示区域周边的外围区域，外围区域包括绑定区域，该显示基板的制备方法可以包括以下步骤：
91.在衬底基板上形成驱动电路层，绑定区域的驱动电路层包括多个绑定引脚，多个绑定引脚包括至少一个第一电源引脚和至少一个第二电源引脚，第一电源引脚用于向显示区域传输高电源信号，第二电源引脚用于向显示区域传输低电源信号；外围区域的驱动电路层包括至少一条地线，显示区域的驱动电路层包括半导体层，地线与半导体层耦接，地线与绑定引脚之间的距离大于相邻两个绑定引脚之间的距离；
92.在驱动电路层上形成子像素。
93.下面通过显示基板的制备过程进行示例性说明。本公开所说的“图案化工艺”，对于金属材料、无机材料或透明导电材料，包括涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，对于有机材料，包括涂覆有机材料、掩模曝光和显影等处理。沉积可以采用溅射、蒸镀、化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用喷涂、旋涂和喷墨打印中的任意一种或多种，刻蚀可以采用干刻和湿刻中的任意一种或多种，本公开不做限定。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积、涂覆或其它工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需图案化工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”需图案化工艺，则在图案化工艺前称为“薄膜”，图案化工艺后称为“层”。经过图案化工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本公开所说的“a和b同层设置”是指，a和b通过同一次图案化工艺同时形成，膜层的“厚度”为膜层在垂直于显示装置方向上的尺寸。本公开示例性实施例中，“b的正投影位于a的正投影的范围之内”或者“a的正投影包含b的正投影”是指，b的正投影的边界落入a的正投影的边界范围内，或者a的正投影的边界与b的正投影的边界重叠。
94.在示例性实施方式中，显示基板的制备过程可以包括如下步骤：
95.(11)形成衬底基板，示例性的，衬底基板可以为硅基衬底。形成衬底基板的制程可以采用相关技术成熟的ic(integrated circuit)晶片制程，这里不再赘述。
96.(12)形成驱动电路层。驱动电路层可以通过硅半导体工艺(例如互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor，cmos)工艺)制备在衬底基板上，驱动电路层可以包括多个电路单元，电路单元可以至少包括像素驱动电路，像素驱动电路分别与扫描信号线和数据信号线连接，像素驱动电路可以包括多个晶体管和存储电容，晶体管可以包括控制极、第一极和第二极，控制极、第一极和第二极可以通过钨金属填充的过孔(即钨过孔，w-via)分别与相应的连接电极连接，并可以通过连接电极与其它电学结构(如走线等)进行连接。
97.(13)形成第一绝缘层。在示例性实施方式中，形成第一绝缘层图案包括：在形成前述图案的衬底基板上沉积第一绝缘薄膜，通过构图工艺对第一绝缘薄膜进行构图，形成覆盖驱动电路层的第一绝缘层图案。
98.(14)形成第一电极。在示例性实施方式中，形成第一电极图案包括：在形成前述图案的衬底基板上沉积第一电极材料薄膜，通过图案化工艺对第一电极材料薄膜进行图案化，形成设置在第一绝缘层上的第一电极层图案。
99.在一些示例性实施方式中，第一电极的材料可以采用金属或金属氧化物。
100.在一些示例性实施方式中，第一电极可以为叠层结构。
101.在一些示例性实施方式中，第一电极可以包括金属膜层以及位于金属膜层上方的透明金属氧化物膜层。金属膜层可以包括依次层叠设置在第一绝缘层上的第一钛层、铝层和第二钛层；透明金属氧化物膜层可以采用氧化铟锡(ito)或氧化铟锌(izo)。
102.在另一些示例性实施方式中，第一电极可以包括两层透明金属氧化物膜层及位于两层透明金属氧化物膜层之间的金属膜层，透明金属氧化物膜层的材料可以是氧化铟锡(ito)或氧化铟锌(izo)，金属膜层的材料可以是金属银。
103.(15)形成像素定义层。在示例性实施方式中，形成像素定义层图案包括：在形成前述结构的衬底基板上涂覆像素定义薄膜，通过掩膜、曝光、显影工艺，形成像素定义层(pdl)图案，在显示区域，像素定义层开设有像素开口，像素开口暴露出至少部分第一电极的表面。
104.(16)形成有机发光层和第二电极图案。
105.在一些示例性实施方式中，后续制备流程可以包括：形成第一封装层、彩膜结构层、第二封装层和盖板层等工艺。
106.在示例性实施方式中，第一封装层和第二封装层可以采用薄膜封装(thin film encapsulation，tfe)方式，可以保证外界水汽无法进入子像素，盖板层可以采用玻璃，或者采用塑胶类无色聚酰亚胺等。
107.在示例性实施方式中，彩膜结构层可以包括黑矩阵(bm)和彩色滤光片(cf)，彩色滤光片的位置可以与发光器件的位置相对应，黑矩阵可以位于相邻的彩色滤光片之间，彩色滤光片被配置为将发光器件出射的白光过滤成红色(r)光、绿色(g)光和蓝色(b)光，形成红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。
108.本公开实施例还提供了一种显示装置，包括上述任一实施例中的显示基板。在一些示例性实施方式中，显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。然而，本公开实施例对此并不限定。
109.在本公开实施例的描述中，术语“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。
110.虽然本公开所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本公开。任何本公开所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本公开的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。