一种薄膜体声波谐振器及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括：衬底以及依次层叠设置于所述衬底上的下电极、压电层、上电极和电容结构，所述电容结构与所述上电极连接。2.如权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电层背离所述衬底的表面包括第一区域和第二区域，所述电容结构包括第一极板、第二极板以及位于所述第一极板和所述第二极板之间的介质层，所述上电极和所述第一极板依次层叠于所述第一区域，所述第一极板与所述上电极连接，所述第二极板位于所述第二区域。3.如权利要求2所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述薄膜体声波谐振器还包括第一槽，所述第一槽从所述第二区域的表面延伸至所述下电极表面；所述第二极板包括位于所述第二区域表面且与所述第一极板配合的本部和填充于所述第一槽内的导电部，以将所述下电极和所述本部连接。4.如权利要求2所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述薄膜体声波谐振器还包括：覆盖于所述第一极板、所述第二极板和所述介质层上的封装盖板，在所述封装盖板覆盖所述第一极板、所述第二极板和所述介质层的表面设置有第二槽，所述第一极板部分设置在所述第二槽的第一侧壁，所述第二极板部分设置在所述第二槽内与所述第一侧壁相对的第二侧壁，所述介质层填充于所述第二槽内且位于所述第一侧壁和所述第二侧壁之间以将所述第一极板与所述第二极板隔离。5.如权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，在所述衬底上还设置有位于所述下电极下方的第三槽。6.一种薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底上依次形成下电极、压电层和上电极；在所述上电极上制作电容结构，所述电容结构与所述上电极连接。7.如权利要求6所述的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述压电层背离所述衬底的表面包括第一区域和第二区域，所述上电极位于所述第一区域表面，所述在所述上电极上制作电容结构包括：在所述上电极上形成第一金属部，在所述压电层的第二区域形成第二金属部，且所述第一金属部与所述第二金属部间隔；提供封装盖板，在所述封装盖板表面形成与所述第一金属部对应的第三金属部、与所述第二金属部对应的第四金属部以及位于所述第三金属部和所述第四金属部之间的介质层；将所述第三金属部与所述第一金属部以及所述第四金属部和所述第二金属部键合，以分别形成所述电容结构的第一极板和第二极板。8.如权利要求6所述的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，在所述上电极上形成第一金属部，在所述压电层的第二区域形成第二金属部之前，所述方法还包括：在所述压电层的第二区域形成第一槽，所述第一槽从所述第二区域表面延伸至所述下电极表面。9.如权利要求7所述的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述提供封装盖板，在所述封装盖板表面形成与所述第一金属部对应的第三金属部、与所述第二金属部对应的第四金属部以及位于所述第三金属部和所述第四金属部之间的介质层包括：
提供所述封装盖板，在所述封装盖板表面形成金属层；刻蚀所述金属层以形成间隔的第三金属部和第四金属部；在所述第三金属部和所述第四金属部之间形成介质层。10.如权利要求7所述的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，在将所述第三金属部与所述第一金属部以及所述第四金属部和所述第二金属部键合之后，所述方法还包括：对所述封装盖板背离所述衬底的一侧进行减薄处理。

技术总结
本申请提供一种薄膜体声波谐振器及其制备方法，涉及滤波器技术领域，包括：衬底以及依次层叠设置于衬底上的下电极、压电层、上电极和电容结构，电容结构与上电极连接，由于电容结构直接以层叠的方式设置于上电极上，因此，能够避免因为引入电容结构从而增大占用面积所导致的封装困难。由于引入电容结构，因此，能够显著增强体声波滤波器的带外抑制特性，同时，通过电容结构与薄膜体声波谐振器进行连接，还能够有效减少外接电路引入的性能损耗。在利用薄膜体声波谐振器搭建滤波器时，可以使得多个薄膜体声波谐振器以串联、并联的方式连接在一起即可，无需形成拓扑结构，有效降低了制备难度。制备难度。制备难度。


技术研发人员：龙开祥 孙博文 国世上 蔡耀 孙成亮 刘炎 罗天成
受保护的技术使用者：武汉敏声新技术有限公司
技术研发日：2022.01.11
技术公布日：2022/4/15