激光器的制作方法

1.本技术实施例涉及光电领域，特别涉及一种激光器。


背景技术：

2.随着光电技术的发展，激光器被广泛应用于光电子器件中。激光器包括光窗、底板以及设置在该底板上的多个激光芯片和多个棱镜，每个激光芯片对应一个棱镜。其中，激光芯片用于发射激光束，棱镜用于将激光芯片发出的激光束反射后经光窗出射。然而，由于底板面积有限，所以底板上能设置的激光芯片的数量有限，从而导致激光器的功率较低，限制了激光器在高亮度激光显示产品中的应用。


技术实现要素：

3.本技术实施例提供了一种激光器，可以解决由于底板上能设置的激光芯片数量有限，导致激光器功率较低的温度。所述技术方案如下：
4.一方面，提供了一种激光器，所述激光器包括：陶瓷框架、底板、多个激光芯片和光窗，所述陶瓷框架、所述底板和所述光窗围成封闭空间；
5.所述陶瓷框架的内侧面为反射斜面；
6.所述多个激光芯片位于所述封闭空间内，与所述底板连接，且所述多个激光芯片的出光口与所述陶瓷框架的内侧面相对；
7.所述多个激光芯片发射的光束经所述陶瓷框架的内侧面反射后经所述光窗出射。
8.可选地，所述多个激光芯片中每个激光芯片与所述光窗之间的距离和相应激光芯片与相对的所述陶瓷框架的内侧面之间的距离呈反比。
9.可选地，所述陶瓷框架的内侧面包括第一内侧面和第二内侧面，所述第一内侧面和所述第二内侧面相对，所述多个激光芯片中的第一部分激光芯片与所述第一内侧面相对，除所述第一部分激光芯片之外的第二部分激光芯片与所述第二内侧面相对。
10.可选地，所述多个激光芯片成多列排布，位于同一列中的各个激光芯片与相对的陶瓷框架的内侧面之间的距离相等，且与所述陶瓷框架的同一内侧面相对的相邻两列中的任意两个激光芯片与所述光窗之间的距离的差值不小于所述激光芯片的厚度。
11.可选地，所述底板的上表面包括多个台阶面，所述多个激光芯片与所述底板的多个台阶面连接。
12.可选地，所述激光器还包括与所述多个激光芯片一一对应的多个热沉，每个激光芯片通过对应的热沉与所述底板的一个台阶面连接。
13.可选地，所述底板的上表面为水平面，所述激光器还包括多个基板，所述多个基板的高度不同，且所述多个基板的下表面与所述底板的上表面连接，所述多个激光芯片设置在所述多个基板的上表面上。
14.可选地，所述激光器还包括与所述多个激光芯片一一对应的多个热沉，每个激光芯片通过对应的热沉与所述多个基板中的一个基板的上表面连接。
15.可选地，所述底板为无氧铜底板，所述多个基板为铜基板，所述多个基板焊接在所述底板的上表面上。
16.可选地，所述陶瓷框架的内侧面与所述底板所在的水平面之间的夹角为45度。
17.可选地，所述反射斜面为陶瓷框架中喷涂有反射膜的内侧面。
18.本技术实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
19.在本技术实施例中，陶瓷框架的内侧面包括反射斜面，通过该反射斜面对激光芯片所产生的激光束进行反射，这样就无需在底板上设置反射棱镜，减少了反射棱镜对底板面积的占用，使相同底板面积上能够设置更多的激光芯片，从而提高激光器的功率。
附图说明
20.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
21.图1是相关技术提供的一种激光器的结构示意图；
22.图2是本技术实施例提供的一种激光器的结构示意图；
23.图3是本技术实施例提供的陶瓷框架的一个反射斜面的结构示意图；
24.图4是本技术实施例提供的一种激光器的俯视图；
25.图5是本技术实施例提供的另一种激光器的结构示意图；
26.图6是本技术实施例提供的另一种激光器的俯视图；
27.图7是本技术实施例提供的另一种激光器的结构示意图；
28.图8是本技术实施例提供的激光器中的底板的结构示意图；
29.图9是本技术实施例提供的一种底板与激光芯片的连接关系的结构示意图；
30.图10是本技术实施例提供的另一种激光器的结构示意图；
31.图11是本技术实施例提供的另一种激光器的结构示意图；
32.图12是本技术实施例提供的激光器中的基板的结构示意图。
具体实施方式
33.为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术实施方式作进一步地详细描述。
34.在申请实施例中提及的“多个”是指两个或两个以上。“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，a和/或b，可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b这三种情况。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
35.图1是相关技术提供的一种激光器的结构示意图。如图1所示，激光器包括边框101、底板102、多个激光芯片103、多个反射棱镜104和光窗105，边框101、底板102和光窗105围成封闭空间，多个激光芯片103和多个反射棱镜104位于该封闭空间内，且均设置在底板102上。其中，多个激光芯片103与多个反射棱镜104一一对应，多个反射棱镜104中的每个反射棱镜104位于对应的激光芯片103的出光侧，用于对对应的激光芯片103出射的激光束进行反射，使反射后的激光束可以从天窗105射出。
36.从图1所示的激光器可以看出，激光芯片产生的激光束与光窗所在的水平面平行，在相关技术中，均是采用反射棱镜来改变激光束的方向，使激光芯片产生的激光束能够从光窗射出。然而，用于支撑激光芯片和反射棱镜的底板面积有限，所以底板上能设置的激光芯片的数量也有限，导致激光器的功率较低，限制了激光器在高亮度激光显示产品中的应用。
37.图2是本技术实施例提供的一种激光器的结构示意图，如图2所示，该激光器包括陶瓷框架201、底板202、多个激光芯片203和光窗204，其中，陶瓷框架201、底板202和光窗204围成封闭空间，陶瓷框架201的内侧面包括反射斜面，多个激光芯片203位于该封闭空间内，且与底板202连接，该多个激光芯片203的出光口与陶瓷框架201的反射斜面相对；多个激光芯片203发射的光束经陶瓷框架201的内侧面反射后经光窗204出射。
38.由于陶瓷框架的内侧面包括反射斜面，能够对激光芯片所产生的激光束进行反射，因此，无需在底板上设置反射棱镜，减少了反射棱镜对底板面积的占用，使相同底板面积上能够设置更多的激光芯片，从而提高激光器的功率。
39.需要说明的是，陶瓷框架201可以为陶瓷壁围成的具有上开口和下开口且中空的多面体结构或圆环结构，其中，上开口为与光窗连接的开口，下开口为与底板连接的开口，上开口所在的水平面与下开口所在的水平面之间的垂直距离不小于3mm，也即，陶瓷框架201的高度不小于3mm，例如，可以为4mm。另外，该陶瓷框架201的反射斜面可以如图3所示。这样，激光芯片所射出的激光束经陶瓷框架201的反射斜面反射后可以改变激光束的光路，使激光束能够从光窗射出。
40.示例性地，陶瓷框架201可以为具有上下开口且中空的立方体结构，此时，该陶瓷框架201具有四个内侧面，可以将陶瓷框架201的四个内侧面均设置为反射斜面，也可以将陶瓷框架201的四个内侧面中的部分内侧面设置为反射斜面。
41.参考图2，陶瓷框架201包括的四个内侧面中相对的第一内侧面2011和第二内侧面2012可以为反射斜面，多个激光芯片203中的第一部分激光芯片203与第一内侧面2011相对，除第一部分激光芯片203之外的第二部分激光芯片203与第二内侧面2012相对。其中，多个激光芯片203中的第一部分激光芯片203发出的激光束入射至第一内侧面2011，并经第一内侧面2011反射后从光窗204射出，多个激光芯片203中的第二部分激光芯片203发出的激光束入射至第二内侧面2012，并经第二内侧面2012反射后从光窗204射出。
42.需要说明的是，以第一内侧面2011和第二内侧面2012之间的对称轴为中心轴，与第一内侧面2011位于中心轴同一侧的激光芯片203为第一部分激光芯片，该第一部分激光芯片的出光口均朝向第一内侧面2011，也即，该第一部分激光芯片发出的激光束将会入射至第一内侧面2011，经第一内侧面2011反射后由光窗204射出。与第二内侧面2012位于中心轴同一侧的激光芯片203为第二部分激光芯片，该第二部分激光芯片的出光口朝向第二内侧面2012，也即，该第二部分激光芯片发出的激光束将会入射至第二内侧面2012，经第二内侧面2012反射后由光窗204射出。
43.例如，图4为本技术实施例的激光器的俯视图，图4中的直线a-a’为第一内侧面2011和第二内侧面2012之间的对称轴，图4中示出了6列激光芯片，位于该对称轴a-a’左侧的激光芯片203的出光口朝向第一内侧面2011，这样，位于该对称轴a-a’左侧的激光芯片203所产生的激光能够入射至第一内侧面2011，并经第一内侧面2011反射后从光窗204射
出。位于该对称轴a-a’右侧的激光芯片203的出光口朝向第二内侧面2012，位于该对称轴a-a’右侧的激光芯片203所产生的激光束能够入射至第二内侧面2012，并经第二内侧面2012反射后也从光窗204射出。
44.可选地，陶瓷框架201的反射斜面与底板202所在的水平面之间的夹角可以为45度。
45.示例性地，陶瓷框架的第一内侧面和第二内侧面与底板所在的水平面之间的夹角为45度。这样，位于陶瓷框架201、底板202和光窗204所围成的封闭空间内的多个激光芯片203所发出的激光束以45度的入射角射入陶瓷框架201的反射斜面上，并经陶瓷框架201的反射斜面反射后以与光窗所在的水平面垂直的方向射出。
46.可选地，参考图5，可以通过在陶瓷框架201的内侧斜面上喷涂反射膜205来得到反射斜面，这样可以提高陶瓷框架201的反射斜面对于激光束的反射效果。
47.其中，陶瓷框架201内侧斜面上喷涂的反射膜205的材料可以为三氧化二铝和/或二氧化硅，也可以为其它能够反射激光束的膜材料，本技术实施例对此不做限定。
48.示例性的，如果以三氧化二铝和/或二氧化硅为反射膜材料，可以采用磁控溅射的方式将其喷涂至陶瓷框架201的内侧斜面上。
49.可选地，本技术实施例的陶瓷框架201的材质可以为氧化铝和/或氮化硅，由于氧化铝或氮化硅陶瓷材料具有较高的硬度和较大导热系数，不仅能够对设置在陶瓷框架201内的激光芯片203起到保护作用，还能够快速将激光芯片203发光时所产生的热量导出陶瓷框架201、底板202和光窗204围成的封闭空间，提升了激光器的性能，但本技术实施例的陶瓷框架201也可以为其他具有较高硬度和良好导热性能的陶瓷材料，本技术实施例对此不做限定。
50.可选地，从上述介绍可知，参见图2和图5，陶瓷框架201的下开口处连接有底板202，底板202的上表面可以为水平面，激光芯片203设置在底板202上，在这种情况下，多列激光芯片203中的每个激光芯片203与光窗204之间的距离相等。其中，根据陶瓷框架201包括的反射斜面的数量，该多个激光芯片可以对应的呈相应数量的列和行排列。
51.例如，当陶瓷框架201包括第一内侧面2011和第二内侧面2012两个反射斜面时，该多个激光芯片203可以成两列排布，每列激光芯片与一个反射斜面相对，如图4所示。当然，如果该陶瓷框架201的四个内侧面均为反射斜面，则该多个激光芯片可以成两行和两列排列，其中，这两列中的每列激光芯片对应一个反射斜面，两行中的每行激光芯片均对应一个反射斜面。
52.需要说明的是，本技术实施例中的一列或一行激光芯片中的每个激光芯片与对应的陶瓷边框的反射斜面之间的距离可以相等，也可以不相等，本技术实施例对此不做限定。
53.在另一种可能的实现方式中，当该底板202的上表面为水平面时，该多个激光芯片203可以成多列和/或多行排列。在这种情况下，陶瓷框架201中的每个反射斜面可以对应多列或多行激光芯片203。并且，与陶瓷框架201的同一反射斜面相对的多列或多行激光芯片203可以错开设置，也即，在每个激光芯片203与对应的反射斜面之间不设置有其他激光芯片203，这样，每个激光芯片203产生的激光束就不会被其它激光芯片203所遮挡，从而能够保证每个激光芯片203发出的激光束均能够入射至对应的陶瓷框架201的反射斜面，并经陶瓷框架201的反射斜面反射后从光窗204射出。
54.例如，参见图6，该多个激光芯片203成多列排列，与陶瓷框架201的同一反射斜面相对的多列激光芯片203可以错开设置。需要说明的是，图6仅是本技术实施例给出的一种在水平的底面上设置激光芯片的示例，也可以通过其他方式在水平的底面上设置多列激光芯片，本技术实施例对此不作限定。
55.可选地，激光器还包括与多个激光芯片203一一对应的热沉206，每个激光芯片203通过对应的热沉206与底板202的上表面连接，可以使激光芯片发光时产生的热量快速从热沉206散出。
56.需要说明的是，热沉206具有更大的导热系数，进而可以在激光芯片203发光产生热量时快速将该热量导出，避免该热量对激光芯片203的损坏。其中，热沉206的材料可以包括氮化铝和或碳化硅，也可以为其它具有较大导热系数的陶瓷材料。通过在激光芯片203与底板202的水平面之间设置热沉206，能够使激光芯片203发光时产生的热量以更快的速度导出。
57.其中，热沉206在x方向上的长度大于激光芯片203在x方向上的长度，在y方向的长度大于激光芯片203在y方向上的长度，热沉206的厚度为0.1-0.3mm，例如0.2mm。
58.另外，热沉206的上表面通过焊接或粘贴的方式与激光芯片203的底面连接，用于对激光芯片203进行固定，底面与底板202的水平面连接，使其能够固定在底板202上，且将激光芯片203发光时产生的热量从底板202传导至激光器的外部。其中，激光芯片203的底面与热沉206的上表面的连接方式可以是激光芯片203的整个底面全部粘贴在热沉206的上表面上，也可以是激光芯片203远离光的出射口的部分底面粘贴在热沉206的上表面上，本技术实施例对此不做限定。
59.当激光芯片203的整个底面全部粘贴在热沉206的上表面上时，激光芯片203与热沉206的接触面积较大，进而增大了激光芯片203中被热沉206支撑的区域的面积，提高了激光芯片203的设置稳固性。当激光芯片203远离出光侧的部分底面粘贴在热沉206的上表面上时，由于激光芯片203的部分底面不与任何物体接触，可以使激光芯片203发光时所产生的热量快速散发，提高了激光芯片203的散热效果。
60.可选地，底板202上设置的多个激光芯片203中每个激光芯片203与光窗204之间的距离和相应激光芯片203与相对的陶瓷框架201的内侧面之间的距离呈反比。
61.在一种实现方式中，参考图7，底板202的上表面包括多个台阶面，多个激光芯片203与底板202的多个台阶面连接。
62.需要说明的是，图7中仅示出了6个激光芯片203，但是本技术实施例的激光器中的激光芯片203的数量不限于6个，可以为15个、20个或更多，本技术实施例对此不做限定。另外，图7中所示的距离n为多个激光芯片203中的一个激光芯片203与光窗204之间的距离，距离m为多个激光芯片203中的一个激光芯片203与相对的陶瓷框架201的内侧面之间的距离。
63.其中，如图8所示，可以采用刻蚀的方式在一整块铜板上刻蚀出多个台阶面。其中，每个台阶面为一个矩形，该矩形在x方向上的长度不小于激光芯片203在激光束出射方向的长度，在y方向上的长度与底板202在y方向上的长度相等，台阶面与光窗204之间的距离从底板202中部向两侧依次增大，也即，台阶面在x方向上越靠近陶瓷框架201的侧面，则与光窗204之间的距离越远，这样可以使设置在台阶面上的多个激光芯片203中的每个激光芯片203与光窗204之间的距离和相应激光芯片203与相对的陶瓷框架201的反射斜面之间的距
离呈反比，也即，能够使越靠近相对的陶瓷框架201的反射斜面的激光芯片，距离光窗204越远。另外，与陶瓷框架201的同一反射斜面相对的激光芯片203下的相邻两个台阶面的高度差不小于激光芯片203的厚度，这样可以使出光口朝向同一方向的相邻的两列激光芯片203中距离陶瓷框架201的反射斜面较远的一列激光芯片203产生的激光束不被距离陶瓷边框201的反射斜面较近的一列激光芯片203所遮挡，从而能够保证每一列的激光芯片203发出的激光束均能够入射至对应的陶瓷框架201的反射斜面，并经陶瓷框架201的反射斜面反射后从光窗204射出。
64.需要说明的是，图8中仅示出了8个台阶面，a为其中的一个台阶面，但本技术实施例中的底板202的台阶面的数量可以为3个、5个、10个等，本技术实施例对此不做限定
65.可选地，参考图9，每个台阶面上可以设置多个激光芯片203，且同一台阶面上设置的多个激光芯片203的出射光方向相同，均与陶瓷框架201的同一个反射斜面相对。
66.需要说明的是，图9中的一个台阶面上仅示出了5个激光芯片203，但本技术实施例的底板202的台阶面上可以设置的激光芯片203的数量可以为3个、4个、7个等，本技术实施例对此不做限定。
67.可选地，多个激光芯片203可以通过粘贴或焊接的方式设置在底板202的多个台阶面上，其中，如图7中的台阶面m所示，将激光芯片203的整个底面与底板202的台阶面进行粘贴或焊接。这种情况下，激光芯片203与底板202的接触面积达到最大，可以增加激光芯片203的稳固性。当然，也可以如图7中的台阶面n所示，将激光芯片203远离出光口的部分底面与底板202的台阶面进行粘贴或焊接，这种情况下，由于激光芯片203的部分底面不与任何物体接触，可以使激光芯片203发光时所产生的热量更快的散出，提高激光芯片203的散热速度。
68.可选地，该底板202的材质可以为铜，例如，无氧铜，还可以为其它能够对激光芯片203进行支撑且具有良好导热性能的材料，本技术实施例对此不做限定。
69.其中，无氧铜是指氧含量不大于0.003％，杂质总含量不大于0.05％，铜的纯度大于99.95％的铜材料，导热系数为401w/m.k。
70.可选地，参考图10，本技术实施例的激光器还包括与多个激光芯片203一一对应的多个热沉206，每个激光芯片203通过对应的热沉206与底板202的一个台阶面连接。
71.其中，热沉206在x方向上的长度大于激光芯片203在x方向上的长度，但小于底板202的台阶面在x方向上的长度，在y方向的长度大于激光芯片203在y方向上的长度，热沉206的厚度为0.1-0.3mm，例如0.2mm。
72.另外，激光芯片203在热沉206上的设置方式以及热沉在底板202的台阶面上的设置方式可以参考上述激光芯片203在热沉206上的设置方式以及热沉206在底板202的水平面上的设置方式，本技术实施例在此不再赘述。
73.可选地，在另一种实现方式中，参考图11，底板202的上表面可以为水平面，且该激光器还包括多个基板207，多个基板207的高度不同，且多个基板207的下表面与底板202的上表面连接，多个基板207的每个基板的上表面上均设置有多个激光芯片203，位于同一个基板207上的激光芯片203平行设置，且激光芯片203的出光口均与陶瓷框架201的同一个反射斜面相对。
74.其中，基板207的高度是指基板207在垂直于底板202且朝向激光芯片203的方向的
高度。图11中仅示出了6个基板，但本技术实施例的激光器中的基板数量不限于6个，可以为3个、4个或8个，本技术实施例对此不做限定。
75.需要说明的是，每个基板207中用于设置激光芯片203的上表面在x方向上的宽度不小于激光芯片203在激光出射方向上的宽度。另外，多个基板207按照高度从高到低的顺序从底板202的中部向两侧排列，也即，越靠近陶瓷框架的反射斜面的基板，与光窗204之间的距离越远，这样可以使设置在基板207上的多个激光芯片203中每个激光芯片与光窗204之间的距离和相应激光芯片芯片203与相对的陶瓷框架201的内侧面之间的距离呈反比，也即，能够使越靠近相对的陶瓷框架201的反射斜面的激光芯片，距离光窗204越远。另外，与陶瓷框架201的同一反射斜面对应的相邻的两个基板207的高度差不小于激光芯片203的厚度，这样可以使出光口朝向同一方向的相邻的两列激光芯片中距离陶瓷框架201的反射斜面较远的一列激光芯片203产生的激光束不被距离陶瓷框架201的反射斜面距离较近的一列激光芯片203所遮挡，从而能够保证每一列的激光芯片203发出的激光束均能够入射至对应的陶瓷框架201的反射斜面，并经陶瓷框架201的反射斜面反射后从光窗204射出。
76.参考图12，在本技术实施例的激光器中，多个基板207中的每个基板207可以为一个长方体，该长方体的底面粘贴或焊接在底板202上，上表面设置有激光芯片203。
77.需要说明的是，基板207的材质可以为铜，例如无氧铜，激光芯片203在基板上的设置方式可以参考上述激光芯片203在底板202的台阶面上的设置方式，本技术实施例在此不再赘述。
78.可选地，激光器还包括与多个激光芯片203一一对应的多个热沉206，每个激光芯片203通过对应的热沉206与多个基板207中的一个基板207的上表面连接。使激光芯片203发光时所产生的热量可以快速的从热沉206散出。
79.其中，激光芯片203在热沉206上的设置方式以及热沉在基板207上的设置方式可以参考上述激光芯片203在热沉206上的设置方式以及热沉206在底板202的台阶面上的设置方式，本技术实施例在此不再。
80.从上述介绍可知，激光芯片203设置在底板202的台阶面上或者设置在基板上，其中，一个台阶面上或者一个基板207上的激光芯片203为一列激光芯片，这样位于陶瓷框架201、底板202和天窗围成的封闭空间内的多个激光芯203成多列排布，位于同一列中的各个激光芯片203与相对的陶瓷框架201的反射斜面之间的距离相等，且与陶瓷框架201的同一反射斜面相对的相邻两列中的任意两个激光芯片203与光窗204之间的距离的差值不小于激光芯片203的厚度。也即，与陶瓷框架201的同一反射斜面相对的相邻的两列激光芯片203中与陶瓷框架201的反射斜面距离较远的一列激光芯片203在z轴方向上的高度高于与陶瓷框架201的反射斜面较近的一列激光芯片203的高度，使与陶瓷框架201的反射斜面较远的一列激光芯片203所发出的激光束不会被与陶瓷框架201的反射斜面较近的一列激光芯片203所遮挡，从而能够保证每一列的激光芯片203发出的激光束均能够入射至对应的陶瓷框架201的反射斜面，并经陶瓷框架201的反射斜面反射后从光窗204射出。
81.其中，激光芯片203包括发射红光的激光芯片、蓝光的激光芯片和滤光的激光芯片，本技术实施例的激光器中的激光芯片203可以为上述三种激光芯片中的任意一种、两种，或者三种都有，本技术实施例对此不做限定。
82.可选地，陶瓷框架201的上开口上还设置有光窗204，光窗204作为激光的出射口，
可以采用可透光材料，例如，蓝宝石盖板，其具有良好的透光性，又具有良好的导热性能和机械性能，但本技术实施例的光窗也可以为其他透光性材料，例如，玻璃。本技术实施例对此不做限定。
83.可选地，为了提高激光器性能，还可以根据激光芯片203的出光特性对光窗204的材料进行选择，例如，当激光芯片为产生红光的激光芯片时，可以选择对红色激光透光性较好的材料作为光窗204。
84.可选地，陶瓷框架201上还设置有电极，该电极的一端与外部电源连接，另一端与激光芯片203连接，各个激光芯片203之间还设置有金线，用于将各激光芯片进行串联，这样，通过该电极可以为激光芯片203供电，以使在上电状态下激光芯片能够发出激光束。
85.综上所述，本技术实施例提供的激光器中，陶瓷框架的内侧面包括反射斜面，每个激光芯片发射的激光束入射至对应的陶瓷框架的反射斜面上，并经陶瓷框架的反射斜面反射后从光窗射出，故无需在地面上设置反射棱镜来对激光芯片所发出的激光束进行反射，减少了反射棱镜对底板面积的占用，使相同底板面积上能够设置更多的激光芯片，从而提高了激光器的功率。
86.另外，陶瓷框架、底板和光窗可以围成一个封闭空间，将多个激光芯片设置在陶瓷框架、底板和光窗所围成的封闭空间内，可以避免激光芯片受到外界空气中的氧气的腐蚀，延长激光芯片的使用寿命。
87.以上所述仅为本技术实施例的可选实施例，并不用以限制本技术实施例，凡在本技术实施例的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。