一种半导体器件的制造方法与流程

技术特征：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上方形成电容结构；在所述电容结构上方形成层间介质层；对所述层间介质层进行第一次处理，以在所述层间介质层上形成多个柱状的凸起；对所述层间介质层进行第二次处理，以减小所述柱状的凸起的高度；对所述层间介质层进行化学机械抛光处理，以使层间介质层的上表面平齐。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，对所述层间介质层进行第一次处理的过程包括：刻蚀所述层间介质层，以通过在所述层间介质层上刻蚀出多个凹槽的方式形成所述多个柱状的凸起。3.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，各凹槽对应地处在所述电容结构正上方。4.根据权利要求2或3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，刻蚀所述层间介质层的方式为干法刻蚀。5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，对所述层间介质层进行第二次处理的过程包括：通过刻蚀的方式去掉所述柱状的凸起以及使层间介质层的厚度减小。6.根据权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，刻蚀所述柱状的凸起的方式为湿法刻蚀。7.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，湿法刻蚀的过程包括：向相邻的所述柱状的凸起之间填充boe类溶液，以利用boe类溶液湿法刻蚀所述柱状的凸起。8.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，对所述层间介质层进行第二次处理的过程包括：按照设定的图案对所述柱状的凸起进行光刻和干法刻蚀处理。9.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在形成层间介质层前还包括：在所述电容结构上形成保护层。10.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述层间介质层为硅氧化物。

技术总结
本公开提供了一种半导体器件的制造方法。半导体器件的制造方法包括：提供一半导体基底，然后在半导体基底上方形成电容结构，在电容结构上方形成层间介质层。本公开对层间介质层进行了如下处理：对层间介质层进行第一次处理，以在层间介质层上形成多个柱状的凸起；对层间介质层进行第二次处理，以减小柱状的凸起的高度；最后可对层间介质层进行化学机械抛光处理，从而使层间介质层的上表面平齐，达到层间介质层的上表面呈平坦化的效果。其中，本公开的第一次处理可以为干法刻蚀，第二次处理可以为湿法刻蚀。与现有技术相比，本公开提供的技术方案能够在保护需保留的层间介质层的前提下有效消除器件上不同位置之间的台阶高度差异。差异。差异。


技术研发人员：裴俊植 张月 杨涛 卢一泓 刘青
受保护的技术使用者：真芯（北京）半导体有限责任公司
技术研发日：2020.10.13
技术公布日：2022/4/15