一种碳化硅晶体生长装置的制作方法

技术特征：
1.一种碳化硅晶体生长装置，其特征在于，包括：保温层，所述保温层的顶部开有喇叭口，所述喇叭口上小下大；位于所述保温层内侧的第一坩埚，所述第一坩埚包括第一坩埚本体和安装于所述第一坩埚本体上端的第一盖体；所述第一盖体的下表面包括用于生长籽晶的籽晶生长面和用于生长多晶的多晶生长面，所述籽晶生长面相对于所述多晶生长面向下凸出，所述籽晶生长面与所述喇叭口位置正对；位于所述第一坩埚内侧的第二盖体，所述第二盖体与所述第一坩埚的内底面之间形成用以容纳碳化硅源的第一腔体，所述第二盖体为多孔石墨材质；位于所述第一坩埚内侧的第二坩埚，所述第二坩埚内形成用以容纳碳化硅源的第二腔体，所述第二坩埚为多孔石墨材质；所述第二坩埚位于所述第二盖体上侧；位于所述第一坩埚内侧的支撑结构，所述支撑结构位于所述第二盖体与所述第二坩埚之间，以支撑所述第二坩埚；所述支撑结构具有内腔，所述内腔通过所述第二盖体的孔隙与所述第一腔体连通，所述支撑结构的侧壁上设有与所述内腔连通的透气孔；加热结构，所述加热结构包括用以加热所述第一盖体的第一加热部、用以加热所述第二腔体内的碳化硅源的第二加热部和用以加热所述第一腔体内的碳化硅源的第三加热部，所述第一加热部、所述第二加热部和所述第三加热部的加热温度单独控制。2.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述支撑结构为支撑环。3.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述喇叭口的小径为20mm，大径为100mm。4.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述保温层包括下保温层和上保温层，所述下保温层为杯状结构，所述上保温层安装于所述下保温层的上开口处。5.根据权利要求4所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述上保温层的材质为石墨软毡或石墨硬毡；所述下保温层的材质为石墨软毡或石墨硬毡；或所述下保温层包括保温内层和保温外层，所述保温内层的材质为石墨硬毡，所述保温外层的材质为石墨软毡。6.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述第一坩埚的内壁涂有碳化钽涂层。7.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述第一坩埚为石墨材质。8.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述第一加热部、所述第二加热部和所述第三加热部为高度不同的感应线圈；所述加热结构还包括位于所述感应线圈内侧并能生成与所述感应线圈相应的感应电流的石墨感应加热器，所述石墨感应加热器位于所述保温层与所述第一坩埚之间。9.根据权利要求1所述的碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述籽晶生长面相对于所述多晶生长面向下凸出的高度为20mm。

技术总结
本实用新型公开了一种碳化硅晶体生长装置，包括保温层、第一坩埚、第二盖体、第二坩埚、支撑结构和加热结构。保温层的顶部开有喇叭口。第一坩埚包括第一坩埚本体和安装于第一坩埚本体上端的第一盖体。第二盖体与第一坩埚的内底面之间形成用以容纳碳化硅源的第一腔体，第二盖体为多孔石墨材质。第二坩埚内形成用以容纳碳化硅源的第二腔体，第二坩埚为多孔石墨材质。第二坩埚位于第二盖体上侧。支撑结构位于第二盖体与第二坩埚之间，以支撑第二坩埚。与现有技术相比，本实用新型通过设置高度不同的第一腔体和第二腔体，并在不同的长晶时期选择不同的温度分布，能够增加生长原料的装料量，延长长晶时间，增加晶锭厚度。增加晶锭厚度。增加晶锭厚度。


技术研发人员：杨弥珺 赵新田
受保护的技术使用者：宁波合盛新材料有限公司
技术研发日：2021.11.17
技术公布日：2022/4/13