一种不可见激光打击设备的制作方法

技术特征：
1.一种不可见激光打击设备，包括激光发射架(1)，其特征在于：所述激光发射架(1)的一端设置有不可见高能激光发射器(2)，所述激光发射架(1)的上端设置有瞄准镜支架(4)，所述瞄准镜支架(4)的上端设置有瞄准目镜(6)，所述瞄准镜支架(4)的一侧设置有电控控制器(10)，且电控控制器(10)与激光发射架(1)螺栓固定连接，所述不可见高能激光发射器(2)的下方设置有捕捉网弹射器(7)，且捕捉网弹射器(7)与激光发射架(1)卡槽固定连接，所述激光发射架(1)的下端内部设置有扳机(9)，且扳机(9)与电控控制器(10)电性连接，所述激光发射架(1)的一端设置有散热枪托(12)，且散热枪托(12)与激光发射架(1)卡槽固定连接，所述激光发射架(1)的前后两端均设置有电源卡槽连接器(13)，电源卡槽连接器(13)与激光发射架(1)螺栓固定连接，且电源卡槽连接器(13)与激光发射架(1)、不可见高能激光发射器(2)、电控控制器(10)电性连接，所述不可见高能激光发射器(2)的一端设置有激光发射头(3)，每个所述电源卡槽连接器(13)内侧均设置有电源接口(11)，且电源接口(11)与电源卡槽连接器(13)电性连接，每个所述电源接口(11)的下端均设置有弹夹式电源(14)。2.根据权利要求1所述的一种不可见激光打击设备，其特征在于：每个所述弹夹式电源(14)的上端外侧一周自下而上依次设置有防水胶圈(16)、电磁屏蔽棉(17)、密封胶圈(32)、磁吸壳体(18)，所述弹夹式电源(14)的上端面设置有电源触点(19)，且电源触点(19)与弹夹式电源(14)电性连接，所述电源接口(11)的内壁一周设置有磁吸内板(20)，磁吸内板(20)与电源接口(11)的内壁焊接连接，且磁吸内板(20)与磁吸壳体(18)磁吸连接。3.根据权利要求2所述的一种不可见激光打击设备，其特征在于：所述电源触点(19)的上端设置有变压器(21)，变压器(21)与电源触点(19)电性触点连接，且变压器(21)与电源卡槽连接器(13)电性连接，所述激光发射头(3)的内部设置有不可见高能激光发射管(26)，且不可见高能激光发射管(26)与不可见高能激光发射器(2)的输出端光学镜片连接，所述不可见高能激光发射管(26)的上端设置有高倍相机(24)，所述高倍相机(24)的一侧设置有红外温度传感器(25)，且高倍相机(24)、红外温度传感器(25)均与电控控制器(10)电性连接，所述激光发射头(3)的外侧设置有均设置有照明灯(27)，且照明灯(27)与电控控制器(10)电性连接。4.根据权利要求1所述的一种不可见激光打击设备，其特征在于：所述散热枪托(12)的内侧设置有导热板(28)，所述散热枪托(12)的内部设置有导热管(29)，且导热管(29)与导热板(28)焊接连接，所述导热管(29)的一端设置有均热散热片(30)，且均热散热片(30)与导热管(29)焊接连接。5.根据权利要求4所述的一种不可见激光打击设备，其特征在于：所述均热散热片(30)的一侧设置有隔热背板(31)，且隔热背板(31)与散热枪托(12)的内壁胶黏连接。6.根据权利要求1所述的一种不可见激光打击设备，其特征在于：所述电控控制器(10)的一侧端面设置有触控显示屏(23)，且触控显示屏(23)与电控控制器(10)电信连接，所述触控显示屏(23)的上端设置有面部识别相机(22)，且面部识别相机(22)与电控控制器(10)电性连接。7.根据权利要求1所述的一种不可见激光打击设备，其特征在于：所述扳机(9)的一侧设置有模式切换开关(15)，且模式切换开关(15)与电控控制器(10)电性连接。8.根据权利要求1所述的一种不可见激光打击设备，其特征在于：所述捕捉网弹射器
(7)的内部设置有捕捉网(8)，且捕捉网(8)与捕捉网弹射器(7)的输出端弹射传动连接。9.根据权利要求1所述的一种不可见激光打击设备，其特征在于：所述不可见高能激光发射器(2)的上端设置有悬挂架(5)，且悬挂架(5)与不可见高能激光发射器(2)螺栓固定连接。

技术总结
本发明公开了一种不可见激光打击设备，涉及军警安防技术领域，为解决现有军警安防用激光打击设备，因为在续航、散热、身份验证多方面存在不足，造成军警安防用激光打击设备在实际使用场景下优势效果不明显的问题。所述激光发射架的一端设置有不可见高能激光发射器，所述激光发射架的上端设置有瞄准镜支架，所述瞄准镜支架的上端设置有瞄准目镜，所述瞄准镜支架的一侧设置有电控控制器，所述不可见高能激光发射器的下方设置有捕捉网弹射器，所述激光发射架的下端内部设置有扳机，所述激光发射架的一端设置有散热枪托，所述激光发射架的前后两端均设置有电源卡槽连接器，电源卡槽连接器与激光发射架螺栓固定连接。激光发射架螺栓固定连接。激光发射架螺栓固定连接。


技术研发人员：蒋智勇 刘亮 谭振宇 梁敏琦 刘路生
受保护的技术使用者：深圳市森讯达电子技术有限公司
技术研发日：2021.12.31
技术公布日：2022/4/12