非共形非晶硅的沉积方法及制备的半导体结构、电子设备与流程

技术特征：
1.一种非共形非晶硅的沉积方法，其特征在于，包括下列步骤：在半导体衬底上进行刻蚀沟槽，得到有源区目标图形；采用循环供应硅源的方法在所述有源区目标图形表面沉积非晶硅，形成从沟槽底部到顶部非共形的硅膜。2.根据权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，所述沟槽底部的硅膜厚度小于所述沟槽顶部的硅膜厚度。3.根据权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，所述非晶硅沉积采用的设备包括批量芯片沉积设备、单一芯片沉积设备或间隔分室沉积设备。4.根据权利要求3所述的沉积方法，其特征在于，采用批量芯片沉积设备或单一芯片沉积设备沉积非晶硅膜时，通过调整硅源的供料时间调整沉积厚度。5.根据权利要求3所述的沉积方法，其特征在于，采用间隔分室沉积设备时，通过调整旋转速度调整沉积厚度。6.根据权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，沉积的非晶硅膜的台阶覆盖率为50％以下。7.根据权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，所述循环供应硅源进行沉积的方法为：供应预设时间的硅源气体与供应清扫气体交替进行。8.根据权利要求7所述的沉积方法，其特征在于，所述清扫气体包括氩气、氢气或氮气中的任意一种。9.根据权利要求1所述的沉积方法，其特征在于，所述循环供应硅源在ald设备进行。10.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：采用权利要求1-9任意一项所述的沉积方法沉积非晶硅；后续再沉积氧化物薄膜与进行生长过程。

技术总结
本发明涉及一种非共形非晶硅的沉积方法。一种非共形非晶硅的沉积方法，包括下列步骤：在半导体衬底上经过沟槽刻蚀后，得到有源区目标图形；采用原子层沉积法在所述有源区目标图形表面沉积非共形非晶硅膜，然后进行后续氧化工艺，制成半导体器件。本发明采用原子层沉积法(Atomic layer deposition，ALD)代替传统的CVD，利用脉冲供料方式沉积非共形非晶硅膜，解决了现有技术有源区顶部厚度不足、台阶覆盖率无法调节以及硅源受限等问题。无法调节以及硅源受限等问题。无法调节以及硅源受限等问题。


技术研发人员：李相遇 项金娟 杨涛 李俊峰 王文武
受保护的技术使用者：真芯（北京）半导体有限责任公司
技术研发日：2020.09.30
技术公布日：2022/4/12