一种有机发光显示面板及其制作方法与流程

1.本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种有机发光显示面板及其制作方法。


背景技术：

2.有机发光器件(organic light emitting diode，oled)以其良好的自发光特性、高的对比度、快速响应等优势，在显示领域、照明领域以及智能穿戴领域等都得到了广泛的应用。
3.有机发光显示面板一般包括阵列基板、设于阵列基板上的阳极层、设于阳极层上有机层以及设于有机层上的阴极层所构成。其中，大尺寸的有机发光显示面板在工作时会因为其阴极层具有较大的电阻，而在其不同位置产生不同程度的压降。所以目前，有机发光显示面板上一般会有与阴极层相连接的辅助电极，通过辅助电极传输应施加在阴极层上的电压，来解决因为压降所导致的显示不均问题，提升有机发光显示面板的显示均一性。
4.其中，在有机层的制作过程当中，一般是在阵列基板上打印具有流动性的有机材料，所以辅助电极处一般会溢流流动性有机材料而形成有机层。有机层会覆盖掉辅助电极，同时，有机层自身导电性欠佳，这会提升辅助电极与阴极层之间的阻抗，影响辅助电极的接触改善效果，进而影响有机发光显示面板的显示均一性。


技术实现要素：

5.本技术所准备解决的技术问题是提供一种有机发光显示面板及其制作方法，其可以避免辅助电极处的有机层对发光显示面板的显示均一性造成影响。
6.为解决上述技术问题，本技术所采用的技术手段为：
7.第一方面，本技术提供了一种有机发光显示面板，包括：
8.阵列基板；
9.绝缘层，所述绝缘层设置在所述阵列基板上，所述绝缘层上形成有过孔；
10.辅助电极，所述辅助电极设置于所述过孔的底端；
11.第一电极，所述第一电极凸出地连接在所述辅助电极顶部，并且所述第一电极侧部与所述过孔侧壁之间留有间距，以使得所述第一电极侧部和所述过孔侧壁以及所述辅助电极顶部围合出一用于容置有机层的容置空间。
12.可选地，在本技术部分实施例中，所述过孔的侧壁包括其底部与所述辅助电极相连的第一侧壁以及与所述第一侧壁顶部相连的第二侧壁，所述第一侧壁相对所述第二侧壁沿背离于所述第一电极的方向凹陷，从而形成构成所述容置空间一部分的容置槽。
13.可选地，在本技术部分实施例中，所述绝缘层包括依次层叠设置在所述阵列基板上的钝化层、第一平坦层和第二平坦层，所述第一平坦层部分覆盖所述钝化层限定出所述过孔的部位以构成所述第一侧壁，所述第二平坦层部分覆盖所述第一侧壁以构成所述第二侧壁。
14.可选地，在本技术部分实施例中，所述第一电极包括第一子电极层和第二子电极
层，所述第一子电极层和所述第二子电极层依次层叠设置在所述辅助电极上，所述第二子电极层在正方向上的投影面积小于所述第一子电极层在正方向上的投影面积。
15.可选地，在本技术部分实施例中，所述阵列基板对应非显示区域的部位设置有外围走线，所述绝缘层上设置有使所述外围走线显露的开口，还包括设置在开口中并覆盖所述外围走线的金属保护层。
16.第二方面，本技术提供了一种有机发光显示面板制作方法，包括：
17.提供一阵列基板，所述阵列基板上设置有绝缘层、辅助电极和第一电极，所述绝缘层上形成有过孔，所述辅助电极设置于所述过孔的底端，所述第一电极凸出的连接在所述辅助电极顶部，并且所述第一电极侧部与所述过孔侧壁之间留有间距，以使得所述第一电极侧部和所述过孔侧壁以及所述辅助电极顶部围合出一容置空间；
18.在所述阵列基板上溶液沉积流动性有机材料，以使所述流动性有机材料流动至所述容置空间中并形成有机层；
19.在所述阵列基板上设置阴极层，所述阴极层延伸至所述过孔当中并与所述第一电极直接连接。
20.可选地，在本技术部分实施例中，所述提供一阵列基板，包括：
21.在所述阵列基板上设置至少包括所述辅助电极的第一金属层，并且至少部分形成设置于所述辅助电极上的所述第一电极；
22.在所述阵列基板上设置钝化层，所述钝化层部分限定出所述过孔并且所述辅助电极形成于所述过孔的底端；
23.在所述钝化层上设置第一平坦层，所述第一平坦层部分覆盖所述钝化层处于所述辅助电极上方并限定出所述过孔的部位，所述第一平坦层与所述辅助电极相连接；
24.在所述辅助电极顶部设置第二电极，所述第二电极的侧部与所述第一平坦层相贴合；
25.在所述第一平坦层上设置第二平坦层，所述第二平坦层覆盖所述第一平坦层处于所述第二电极上方的部位，并且所述第二平坦层覆盖所述第二电极的顶部；
26.去除所述第二电极，从而形成构成所述容置空间一部分的容置槽。
27.可选地，在本技术部分实施例中，所述第二平坦层朝向于所述第一电极的侧壁以及所述第二电极朝向于所述第一电极的侧壁在正方向上的投影彼此重合。
28.可选地，在本技术部分实施例中，所述第一金属层还包括位于所述阵列基板对应非显示区域的部位上的外围走线，在设置所述钝化层后，还包括步骤：
29.在所述钝化层上设置使所述外围走线显露的开口；
30.在所述开口中设置覆盖所述外围走线的金属保护层。
31.可选地，在本技术部分实施例中，所述金属保护层和所述第二电极由同一金属层图案化后所形成。
32.综上所述，由于采用了上述技术方案，本技术所提供的技术方案，至少包括如下有益效果：
33.本技术所提供的有机发光显示面板，对辅助电极和阴极层之间的连接结构进行了改进，在本技术所提供的技术方案当中，辅助电极设置于绝缘层上过孔的底端处，并且辅助电极上形成呈凸起形状的第一电极，第一电极的侧部、辅助电极的顶部以及过孔的侧壁围
合出一个能够容置流动性有机材料的容置空间，在制作显示面板的有机层时，溢流的流动性有机材料流动至容置空间当中形成有机层，让阴极层能够直接与第一电极伸出于有机层的部位相接触，进而改善了辅助电极与阴极层之间的阻抗，避免受到导电性较差的有机层影响，提升了有机发光显示面板的显示均一性。
附图说明
34.为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面对实施例中所需要使用的附图作简单的介绍。下面描述中的附图仅为本技术的部分实施例，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获取其他的附图。
35.图1为本发明所提供实施例1中在阵列基板对第一金属层进行图案化后的示意图；
36.图2为本发明所提供实施例1中在阵列基板上设置钝化层的示意图；
37.图3为本发明所提供实施例1中在阵列基板上设置第一平坦层的示意图；
38.图4为本发明所提供实施例1中在阵列基板上设置第二电极的示意图；
39.图5为本发明所提供实施例1中在阵列基板上设置第二平坦层的示意图；
40.图6为本发明所提供实施例1中在阵列基板上去除第二电极以形成容置槽时的示意图；
41.图7为本发明所提供实施例1中在阵列基板上溶液沉积有机层后并设置阴极层后的示意图。
42.附图标记说明：
43.10-阵列基板，11-绝缘层，11a-钝化层，11b-第一平坦层，11c-第二平坦层，12-辅助电极，13-第一电极，13a-第一子电极层，13b-第二子电极层，14-过孔，14a-第一侧壁，14b-第二侧壁，14c-容置槽，15a-有机层，15b-像素有机层，16-阴极层，17-阳极层，18-像素定义层，19-外围走线，20-保护金属层，21-第二电极，22-源漏极。
具体实施方式
44.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
45.本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有独特的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明或者隐含地包括一个或者更多个特征。在本发明的描述中，“多个”的含义两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
46.在申请中，“示例性”一词用来表示“用作例子、例证或说明”。本技术中被描述为示例性”的任何实施例不一定被解释为比其他实施例更优选或更具优势。为使本领域任何技
术人员能够实现和使用本发明，给出了以下描述。在以下描述，为了解释的目的而列出了细节。应当明白的是，本领域普通技术人员可以认识到，在不使用这些特定细节的情况下也可以实现本发明。在其他实例中，不会对已知的结构和过程进行详细阐述，以避免不必要的细节使本发明的描述变得晦涩。因此，本发明并非旨在限于所示的实施例，而是与符合本技术所公开的原理的最广范围相一致。
47.实施例1
48.本实施例的主体是一种有机发光显示面板，请结合图6和图7，在本实施例所提供的技术方案当中，有机发光显示面板包括：
49.阵列基板10；
50.绝缘层11，绝缘层11设置在阵列基板10上，绝缘层11上形成有过孔14；
51.辅助电极12，辅助电极12设置于过孔14的底端；
52.第一电极13，第一电极13凸出地连接在辅助电极12顶部，并且第一电极13侧部与过孔14侧壁之间留有间距，以使得第一电极13侧部和过孔14侧壁以及辅助电极12顶部围合出一用于容置有机层15a的容置空间。
53.本实施例所提供的技术方案，主要对辅助电极12和阴极层16之间的连接结构进行了改进，辅助电极12设置于绝缘层11上过孔14的底端处，并且辅助电极12上形成呈凸起形状的第一电极13，第一电极13的侧部、辅助电极12的顶部以及过孔14的侧壁围合出一个能够容置流动性有机材料的容置空间。在通过溶液沉积方法制作显示面板的有机层时，溢流的流动性有机材料可以如预期的流动至容置空间当中形成有机层15a，从而使得第一电极13伸出于有机层15a的部位能够与后续沉积所形成的阴极层16直接接触，实现阴极层16与辅助电极12之间的电性连接，进而改善了辅助电极12与阴极层16之间的阻抗，避免受到导电性较差的有机层15a影响，提升了有机发光显示面板的显示均一性。
54.需要说明的是，上述第一电极13的侧部与过孔14的侧壁之间留有间距，即指第一电极13处于过孔14的中央位置，或者大致处于过孔14的中央位置。同时，上述有机层15a主要采用溶液镀膜方法形成，也就是说，在制作有机层15a的过程当中，发生溢流的流动性有机材料能够移动至辅助电极12处，并被容置在由辅助电极12侧部和过孔14侧壁所形成容置空间当中。进一步，上述阵列基板10即指包括有衬底基板和薄膜晶体管层的tft基板，而辅助电极12则用于和阴极层16构成并联结构，进而降低阴极层16的电阻，避免对显示面板的显示均一性造成影响。
55.可以理解的是，上述过孔14的侧壁可以呈笔直延伸的形状，即过孔14的侧壁沿垂直于阵列基板10的方向或者基本沿垂直于阵列基板10的方向延伸。而为提升容置空间的容置性能，避免流动性有机材料发生溢流时漫延至第一电极13的顶部，进而对阴极层16和第一电极13的接触造成影响。请参见图6，在本实施例中，过孔14的侧壁包括其底部与辅助电极12相连的第一侧壁14a以及与第一侧壁14a顶部相连的第二侧壁14b，第一侧壁14a相对第二侧壁14b沿背离于第一电极13的方向凹陷，从而形成构成容置空间一部分的容置槽14c。
56.在本实施例中，主要通过相对第二侧壁14b凹陷的第一侧壁14a来扩展容置空间的容置性能，整个容置空间大致呈底部截面积较大而顶部截面较小的形状。同时容置槽14c也能够方便有机材料所形成有机层15整体的断裂。另外需要说明的是，第一侧壁14a相对第二侧壁14b的凹陷方式，可以如本实施例中所展示的，第一侧壁14a大致呈直角边形状，第一侧
壁14a和第二侧壁14b所形成的整体呈阶梯形状。也可以是其他形状，本技术对此不做特别限定。
57.本技术对容置空间及其容置槽14c的形成方式不做特别限定，实施人员可以依据自身需求而选择对应的成型手段。更为具体的，在本实施例中，主要利用绝缘层11各个膜层之间的相互配合来实现容置槽14c的成型，绝缘层11包括依次层叠设置在阵列基板10上的钝化层11a、第一平坦层11b和第二平坦层11c，第一平坦层11b部分覆盖钝化层11a限定出过孔14的部位以构成第一侧壁14a，第二平坦层11c部分覆盖第一侧壁14a以构成第二侧壁14b。需要额外说明的是，设置两层平坦层能够有效提升膜层的平坦度。
58.另外，对于上述第一电极13而言，其可以是由一层金属膜层图案化后所形成的，但对于采用一层金属膜层而形成的第一电极13而言，受到金属膜层厚度的影响，其自身的厚度有限，这会影响容置空间的容置性能。
59.对应于此，请再次参见图6，在本实施例中，第一电极13包括第一子电极层13a和第二子电极层13b，第一子电极层13a和第二子电极层13b依次层叠设置在辅助电极12上，以提升第一电极13的厚度，进而改善容置空间的容置性能。此外，在本实施例中，第二子电极层13b在正方向上的投影面积小于第一子电极层13a在正方向上的投影面积，也就是说，由第一子电极层13a和第二子电极层13b所形成的第一电极13大致呈底部较大而顶部较小的凸起形状，如此设置，能够使流动性有机材料更为方便地进入至容置空间当中。理想的是，第二子电极层13b在正方向上的投影面积比第一子电极层13a在正方向上的投影面积小4um2。
60.在本实施例中，上述辅助电极12设置于显示面板的非发光区域当中，而在显示面板的发光区域内则形成有像素定义层18和由像素定义层18所形成的像素开口，在像素开口内依次设置有阳极层17和像素有机层15b，像素有机层15b与有机层15a同时于溶液沉积制程而形成。
61.同时，阵列基板10对应非显示区域的部位设置有外围走线19，绝缘层11上设置有使外围走线19显露的开口，外围走线19通过开口所显露的部分和外部电路进行连接。其中，由于外围走线19一般和辅助电极12、薄膜晶体管层中薄膜晶体管的源漏极22由同一金属层图案化后所形成，外围走线19、薄膜晶体管所用材质容易受到高温制程的侵蚀。也就是说，外围走线19容易于其所显露的开口处被腐蚀。所以，在本实施例中，还包括设置在开口中并覆盖外围走线19的金属保护层20，其中，金属保护层20能够与外围走线19形成良好的电性连接，使得两者所形成的整体能够构成用于和外部驱动ic相连接的绑定垫。同时金属保护层20也能够对外围走线19起到保护作用，避免外周走线在后续制程中受到腐蚀。其中，金属保护层20可以选用导电性较为理想的惰性材料。
62.上文已对本实施例所提供的有机发光显示面板结构做了基础介绍，下文将对本实施例所提供的有机发光显示面板制作方法做进一步介绍。
63.本实施例所提供的有机发光显示面板制作方法，包括步骤：
64.s1、提供一阵列基板10，阵列基板10上设置有绝缘层11、辅助电极12和第一电极13，绝缘层11上形成有过孔14，辅助电极12设置于过孔14的底端，第一电极13凸出地连接在辅助电极12顶部，并且第一电极13侧部与过孔14侧壁之间留有间距，以使得第一电极13侧部和过孔14侧壁以及辅助电极12围合出一容置空间；
65.s2、在阵列基板10上溶液沉积流动性有机材料，以使流动性有机材料流动至容置
空间中并形成有机层15a；
66.s3、在阵列基板10上设置延伸至过孔14当中的阴极层16，阴极层16覆盖并连接有机层15a、第一电极13。
67.本实施例所提供的有机发光显示面板制作方法，主要通过打印或旋涂等溶液沉积方法沉积流动性有机材料，在制作显示面板的有机层时，溢流的流动性有机材料可以如预期的至容置空间当中形成有机层15a，让阴极层16能够直接与第一电极13相接触，进而改善了辅助电极12与阴极层16之间的阻抗，避免受到导电性较差的有机层15a影响，提升了有机发光显示面板的显示均一性。
68.进一步的，请参见图1至图6，关于容置空间的成型步骤，提供一阵列基板10，包括：
69.s11、在阵列基板10上设置至少包括辅助电极12的第一金属层，并且至少部分形成设置于辅助电极12上的第一电极13；
70.s12、在阵列基板10上设置钝化层11a，钝化层11a部分限定出过孔14并且辅助电极12形成于过孔14的底端；
71.s13、在钝化层11a上设置第一平坦层11b，第一平坦层11b部分覆盖钝化层11a处于辅助电极12上方并限定出过孔14的部位，第一平坦层11b与辅助电极12相连接；
72.s14、在辅助电极12顶部设置第二电极21，第二电极21的侧部与第一平坦层11b相贴合；
73.s15、在第一平坦层11b上设置第二平坦层11c，第二平坦层11c覆盖第一平坦层11b处于第二电极21上方的部位，并且第二平坦层11c覆盖第二电极21的顶部；
74.s16、去除第二电极21，从而形成构成容置空间一部分的容置槽14c。
75.本实施例主要通过设置第二电极21来使得第一平坦层11b和第二平坦层11c之间出现一由第二电极21所占据的空间，在第二电极21被去除后，原本由第二电极21所占据的空间即构成容置槽14c，容置槽14c又构成了容置空间的一部分。更为具体的，在本实施例中，主要是通过光刻工艺去除掉第二电极21，实施人员也可以选用其他的去除工艺，本技术对此不做特别限定。需要说明的是，第二电极21与第一电极13之间的横向间距可以在4um以上。
76.在本实施例中，于步骤s15中，第二平坦层11c朝向于第一电极13的侧壁以及第二电极21朝向于第一电极13的侧壁在正方向上的投影彼此重合。也就是说，步骤s15中，第二平坦层11c的侧壁被切除至和第二电极21的侧壁保持齐整，这样可以保障第二平坦层11c在辅助电极12、第二电极21上的覆盖性。
77.此外，于本实施例中，在设置钝化层11a后，还包括步骤：
78.在钝化层11a上设置使外围走线19显露的开口；
79.在开口中设置覆盖外围走线19的金属保护层20。
80.正如前文当中所描述的，通过金属保护层20能够有效避免外围走线19于后续制程当中受到腐蚀。
81.另外，请结合图1，在本实施例中，辅助电极12由第一金属层的一部分构成，第一金属层除了包括辅助电极12、源漏极22之外还包括位于阵列基板10对应非显示区域当中的外围走线19。请结合图3和图4，上述第二电极21由第二金属层图案化后所形成，第二金属层除了包括第二电极21之外还包括金属保护层20。也就是说，金属保护层20和第二电极21由同
一金属层图案化后所形成，以减少制程。请结合图6，阳极层17和第二子电极层13b也是由同一金属层图案化后所形成。更为具体的，在本实施例中，阴极层16具体是溅射成膜，当然实施人员还可以在不影响本技术目的的前提下，依据实际情况而具体选用其他的沉积方式。
82.上文已对基本概念做了描述，显然，对于本领域技术人员来说，上述详细披露仅仅作为示例，而并不构成对本技术的限定。虽然此处并没有明确说明，本领域技术人员可能会对本技术进行各种修改、改进和修正。该类修改、改进和修正在本技术中被建议，所以该类修改、改进、修正仍属于本技术示范实施例的精神和范围。
83.同时，本技术使用了特定词语来描述本技术的实施例。如“一个实施例”、“一实施例”、和/或“一些实施例”意指与本技术至少一个实施例相关的某一特征、结构或特点。因此，应强调并注意的是，本说明书中在不同位置两次或多次提及的“一实施例”或“一个实施例”或“一个替代性实施例”并不一定是指同一实施例。此外，本技术的一个或多个实施例中的某些特征、结构或特点可以进行适当的组合。
84.同理，应当注意的是，为了简化本技术披露的表述，从而帮助对一个或多个发明实施例的理解，前文对本技术实施例的描述中，有时会将多种特征归并至一个实施例、附图或对其的描述中。但是，这种披露方法并不意味着本技术对象所需要的特征比权利要求中提及的特征多。实际上，实施例的特征要少于上述披露的单个实施例的全部特征。
85.一些实施例中使用了描述成分、属性数量的数字，应当理解的是，此类用于实施例描述的数字，在一些示例中使用了修饰词“大约”、“近似”或“大体上”来修饰。除非另外说明，“大约”、“近似”或“大体上”表明数字允许有
±
％的变化。相应地，在一些实施例中，说明书和权利要求中使用的数值参数均为近似值，该近似值根据个别实施例所需特点可以发生改变。在一些实施例中，数值参数应考虑规定的有效数位并采用一般位数保留的方法。尽管本技术一些实施例中用于确认其范围广度的数值域和参数为近似值，在具体实施例中，此类数值的设定在可行范围内尽可能精确。
86.针对本技术引用的每个专利、专利申请、专利申请公开物和其他材料，如文章、书籍、说明书、出版物、文档等，特此将其全部内容并入本技术作为参考，但与本技术内容不一致或产生冲突的申请历史文件除外，对本技术权利要求最广范围有限制的文件(当前或之后附加于本技术中的)也除外。需要说明的是，如果本技术附属材料中的描述、定义、和/或术语的使用与本技术内容有不一致或冲突的地方，以本技术的描述、定义和/或术语的使用为准。