显示装置的制作方法

1.本技术涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示装置。


背景技术：

2.oled((organic light-emitting diode，有机发光二极管)显示装置由于自发光、响应速度快、视角广、可实现柔性显示等优点被广泛应用。oled显示装置是极具潜力的显示装置，符合信息时代移动通信和信息显示的发展趋势，代表着未来的显示形态。目前利用喷墨打印技术制备大尺寸oled显示装置，无论是采用woa(wire on array)双边驱动还是goa(gate on array)双边驱动技术，在显示装置工作的过程中，需要将驱动扫描线由tft的开电压切换成关电压，理想状态下高低电压的切换为方波，但随着其在显示装置中像素中传递，电压波形会产生变化，从源端方波的波形变成了指数形式的渐变波形，从而在显示过程中产生显示屏两侧亮度较中间亮度偏暗现象。


技术实现要素：

3.本技术实施例提供一种显示装置，能够改善显示装置在显示过程中，两侧像素亮度较中间像素亮度偏暗的现象。
4.本技术实施例提供一种显示装置，包括：
5.非显示区，包括第一信号线；
6.显示区，包括第二信号线和显示像素，所述第二信号线与所述显示像素电连接；
7.其中，所述第一信号线与所述第二信号线电连接，所述第一信号线单位长度的电阻大于所述第二信号线单位长度的电阻。
8.可选的，所述显示像素包括远离第一信号线的远端像素，所述第一信号线输入的信号的下降沿具有第一斜率，所述第一信号线输出的信号的下降沿具有第二斜率，所述远端像素接收到的信号的下降沿具有第三斜率，所述第三斜率与所述第二斜率的差值小于所述第二斜率与所述第一斜率的差值。
9.可选的，所述第一信号线的截面积小于所述第二信号线的截面积。
10.可选的，所述第一信号线的材料的电阻率大于所述第二信号线的材料的电阻率。
11.可选的，所述非显示区包括位于显示区两侧的扇出区，每一所述扇出区均设有所述第一信号线。
12.可选的，所述第一信号线单位长度的电阻电容大于所述第二信号线单位长度的电阻电容。
13.可选的，所述第一信号线为弯折线，所述第二信号线为直线。
14.可选的，所述第一信号线包括直线段和弯折段，所述第一信号线包括多个弯折段，或者所述弯折段包括多个弯折结构。
15.可选的，所述显示装置包括多个覆晶薄膜和阵列基板走线，多个所述覆晶薄膜通过所述阵列基板走线电连接，多个所述覆晶薄膜通过所述第一信号线传输扫描信号。
16.可选的，所述显示装置还包括阵列基板行驱动电路，所述第一信号线与所述阵列基板行驱动电路电连接，所述第一信号线用于传输时钟信号。
17.本技术提供的实施例中，显示装置中非显示区的第一信号线单位长度的电阻大于显示区的第二信号线单位长度的电阻，相比于相关技术中非显示区和显示区的信号线单位长度电阻相同的方案，本技术可以增大信号源近端即非显示区第一信号线的电阻，使信号源发出的信号经过非显示区的第一信号线后的波形和第二信号线传输的信号的波形比较接近，例如使信号源发出的信号经过第一信号线后已经从方波波形变成了指数形式的波形，与第二信号线传输的信号的指数形式的波形接近，改善低灰阶情况下由于信号线不同位置阻抗差异造成信号源近端亮度偏暗的现象。
附图说明
18.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
19.图1为本技术实施例提供的电阻电容电路波形示意图。
20.图2为本技术实施例提供的3t1c电路示意图。
21.图3为图2中的3t1c电路显示驱动第一种时序示意图。
22.图4为本技术实施例提供的显示装置的第一种结构示意图。
23.图5为本技术实施例提供的显示装置非显示区的第一信号线的第一种结构示意图。
24.图6为图2中的3t1c电路显示驱动第二种时序示意图。
25.图7为本技术实施例提供的显示装置不同位置接收到的信号波形。
26.图8为本技术实施例提供的显示装置非显示区的第一信号线的第二种结构示意图。
具体实施方式
27.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本技术及其应用或使用的任何限制。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术的保护范围。
28.在本文中提及“实施例”或“实施方式”意味着，结合实施例或实施方式描述的特定特征、组件或特性可以包含在本技术的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
29.利用喷墨打印技术制备大尺寸oled显示屏，无论是采用阵列基板走线(wire on array，woa)双边驱动还是阵列基板行驱动电路(gatedriver on array，goa)双边驱动技
术，在低灰阶都存在两边发暗的现象，两者不同的是woa技术两边从下到上发暗程度相当，goa技术从下往上逐渐轻微。
30.在显示器工作的过程中，需要将驱动扫描线的电压从一个电压转换成另一个电压，例如需要将驱动扫描线由tft的开电压切换成关电压，理想状态下高低电压的切换为方波，但随着其在面板像素中传递，电压波形会产生变化，从源端方波的波形变成了指数形式的渐变波形。
31.请参阅图1，图1为本技术实施例提供的电阻电容电路波形示意图。信号源近端a1点的波形是方波，切换是立即发生的，但是信号源远端的b1点波形，却需要一段时间来使电量从一个值切换到另一个值。对于大尺寸左右双驱面板，面板两侧为信号源近端，扫描线参考a1点波形，中间扫描线为信号源远端，参考b1点波形。对于小尺寸单侧驱动面板，面板靠近信号源一侧为信号源近端，扫描线参考a1点波形，面板远离信号源一侧扫描线为信号源远端，参考b1点波形。信号源近端和远端的信号的波形不同，从而影响信号源的近端与远端电容耦合的差值不同，信号源近端的电压大于信号源远端的电压导致。
32.下面以3t1c电路图为例进行说明，请结合图2和图3，图2为本技术实施例提供的3t1c电路示意图，图3为图2中的3t1c电路显示驱动第一种时序示意图。由于驱动扫描线rc的存在，导致面板两侧(a1点)与面板中心(b1点)电容耦合电压差不一致，a1点电容耦合电压差
△
va1＝v3-v4，b1点电容耦合电压差
△
vb1＝v3-v5，v5＜v4，
△
va1＞
△
vb1，则a1点的vgs小于b1点的vgs，a1点的亮度低于b1点的亮度，即面板两侧的亮度低于面板中心的亮度，出现显示器两边偏暗的现象。
33.针对这种由于电容耦合差异带来的亮度不均的问题，相关技术可以降低电容耦合发生时的开关电压，也就是降低v1与v2的差值，但是〡v1〡过小，会导致开关tft无法有效的关断。相关技术中还可以将扫描线进行削角，使信号源输出的波形与远端的波形电容耦合电压差
△
v接近，削角波形的生成会对输出开关电压ic增大负载loading，导致该输出开关电压ic发热严重，以及电流增大，增大系统功耗。
34.请参阅图4和图5，图4为本技术实施例提供的显示装置的第一种结构示意图，图5为本技术实施例提供的显示装置非显示区的第一信号线的第一种结构示意图。本技术实施例提供一种显示装置10，包括：非显示区100，包括第一信号线110；显示区200，包括第二信号线220和显示像素(未图示)，所述第二信号线220与所述显示像素电连接；其中，所述第一信号线110与所述第二信号线220电连接，所述第一信号线110单位长度的电阻大于所述第二信号线220单位长度的电阻。
35.显示装置10中非显示区100的第一信号线110单位长度的电阻大于显示区200的第二信号线220单位长度的电阻，相比于相关技术中非显示区100和显示区200的信号线单位长度电阻相同的方案，本技术可以增大信号源近端即非显示区100第一信号线110的电组，使信号源发出的信号经过非显示区100的第一信号线110后的波形和第二信号线220传输的信号的波形比较接近，例如使信号源发出的信号经过第一信号线110后已经从方波波形变成了指数形式的波形，与第二信号线220传输的信号的指数形式的波形接近，改善低灰阶情况下由于信号线不同位置阻抗差异造成信号源近端亮度偏暗的现象。并且不会造成过大负载，尤其在大尺寸上功耗上优势更为明显。
36.其中，所述第一信号线110单位长度的电阻电容rc也大于所述第二信号线220单位
长度的电阻电容rc，使信号源经过电阻电容低通滤波器将其中的高频成分过滤掉。本技术信号源近端如第一信号线110的输入端与信号源远端如第二信号线220传输的信号的波形一致或接近，并且电容耦合电压差接近，改善低灰阶情况下由于信号线不同位置阻抗差异造成信号源近端亮度偏暗的现象。
37.下面同样以3t1c电路为例进行说明，请结合图2和图6，图2为本技术实施例提供的3t1c电路示意图，图6为图2中的3t1c电路显示驱动第二种时序示意图。因为第一信号线110的rc较大，第二信号线220靠近第一信号线110的波形和第二信号线220远离第一信号线110的波形接近，面板两侧(a2点)与面板中心(b2点)电容耦合电压差接近，a2点电容耦合电压差
△
va2＝v3-v6，b2点电容耦合电压差
△
vb2＝v3-v7，相比于相关技术，v6和v7的差值小于v4和v5的差值，对应的，
△
va2和
△
vb2的差值小于
△
va1和
△
vb1的差值，则a2点的vgs2与b2点的vgs2的差值小于a1点的vgs1与b1点的vgs1，a2点的亮度与b2点的亮度差小于a1点的亮度与b1点的亮度，即改善了显示面板两侧的亮度低于面板中心的亮度的问题，改善了显示面板两边相比中间偏暗的问题。
38.示例性地，v6和v7的差值不仅小于v4和v5的差值，而且v6和v7的差值较小，则
△
va2和
△
vb2接近，则a2点的vgs与b2点的vgs接近，a2点的亮度与b2点的亮度接近，即显示面板两侧的亮度与面板中心的亮度接近，解决了显示面板两边偏暗的问题。
39.请参考图7，图7为本技术实施例提供的显示装置不同位置接收到的信号波形。所述显示像素包括远离第一信号线110的远端像素，所述第一信号线110输入的信号c1的下降沿具有第一斜率，所述第一信号线110输出的信号c2的下降沿具有第二斜率，所述远端像素接收到的信号c3的下降沿具有第三斜率，所述第三斜率与所述第二斜率的差值小于所述第二斜率与所述第一斜率的差值。
40.示例性地，所述第一信号线110输入的信号的下降沿可以为直线，其对应的第一斜率可以为90度。第一信号线110输出的信号的下降沿可以为弧线，其对应的第二斜率可以为60度，远端像素接收到的信号的下降沿可以为弧线，其对应的第三斜率可以50度。信号源发出的信号经过第一信号线110后其下降沿已经和传输到远端像素的下降沿相似了，因为第一信号线110通过第二信号线220连接显示区200的像素，靠近第一信号线110的近端像素和第一信号线110之间的非常近，压降也很小，所以第一信号线110输出的信号和传输到靠近第一信号线110的近端像素的信号一致或接近，传输到靠近第一信号线110的近端像素的信号的波形和第一信号线110输出的信号的波形一致或接近，即第一信号线110输出的信号的波形和传输到远端像素的信号的波形接近，并且电容耦合电压差接近，改善低灰阶情况下由于信号线不同位置阻抗差异造成信号源近端亮度偏暗的现象。
41.为了使所述第一信号线110单位长度的电阻大于所述第二信号线220单位长度的电阻，可以使所述第一信号线110的截面积小于所述第二信号线220的截面积。示例性地，可以减小第一信号线110的截面积，以使所述第一信号线110的截面积小于所述第二信号线220的截面积，如减小第一信号线110的宽度或/或厚度。在另一示例中，可以增大第二信号线220的截面积，以使所述第一信号线110的截面积小于所述第二信号线220的截面积，如增大第二信号线220的宽度或/或厚度。
42.为了使所述第一信号线110单位长度的电阻大于所述第二信号线220单位长度的电阻，还可以采用其他方式。示例性地，所述第一信号线110的材料的电阻率大于所述第二
信号线220的材料的电阻率。例如，第一信号线110可以采用金属银或者其他低电阻率的材料或者低电阻率的复合材料，第二信号线220采用的材料的电阻率比第一信号线110的电阻率高，例如可以采用氧化铟锡ito或铜等其他材料。当然，本实施例中的第一信号线110的截面积也可以小于第二信号线220的截面积。
43.在一些实施例中，请参考图8，图8为本技术实施例提供的显示装置非显示区的第一信号线的第二种结构示意图。
44.所述显示装置10可以包括多个覆晶薄膜(chip on film，cof)和阵列基板走线(wire on array，woa)，多个所述覆晶薄膜通过所述阵列基板走线电连接，显示装置中中通常包括至少两个用于传输栅极驱动信号的cof，相邻的两个cof之间可以通过woa连接。多个所述覆晶薄膜通过所述第一信号线110传输扫描信号。其中，所述非显示区100包括位于显示区200两侧的扇出区，每一所述扇出区均设有所述第一信号线110。需要说明的是，第一信号线110的数量可以根据需要设置。例如，每一所述覆晶薄膜可以通过一条或多条所述第一信号线110传输扫描信号。
45.在一些实施例中，所述显示装置10可以包括阵列基板行驱动电路(gatedriver on array，goa)，所述第一信号线110与阵列基板行驱动电路电连接，所述第一信号线110用于传输时钟信号。
46.请参阅图1和图8，本技术实施例还提供一种显示装置10，与上述实施例中的显示装置10的主要区别在于，非显示区100的所述第一信号线110与显示区所述第二信号线220电连接，所述第一信号线110为弯折线，所述第二信号线220为直线。
47.显示装置10中非显示区100的第一信号线110为弯折线，相比于相关技术中非显示区100和显示区200的信号线均为直线的方案，本技术可以增大信号源近端即非显示区100第一信号线110的电组，使信号源发出的信号经过非显示区100的第一信号线110后的波形和第二信号线220传输的信号的波形比较接近，例如使信号源发出的信号经过第一信号线110后已经从方波波形变成了指数形式的波形，与第二信号线220传输的信号的指数形式的波形接近，改善低灰阶情况下由于信号线不同位置阻抗差异造成信号源近端亮度偏暗的现象。
48.其中，所述第一信号线110单位长度的电阻电容rc也大于所述第二信号线220单位长度的电阻电容rc，使信号源经过扇出区电阻电容低通滤波器将其中的高频成分过滤掉。本技术信号源近端如第一信号线110的输入端与信号源远端如第二信号线220传输的信号的波形一致或接近，并且电容耦合电压差接近，改善低灰阶情况下由于信号线不同位置阻抗差异造成信号源近端亮度偏暗的现象。
49.可选的，第一信号线110还包括直线段和至少一个弯折段，至少一个所述弯折段包括多个弯折结构。具有多个弯折结构形成的弯折段可以在有限的非显示区100内设置更长的第一信号线110，从而使信号源输出的信号经过第一信号线110后具有与传输到远端像素类似的波形。其中，直线段可以为1个也可以为多个，在其他一些实施例中，第一信号线110包括多个直线段和多个弯折段，多个所述直线段和所述多个所述弯折段交错设置。为了在非显示区100内设置更长的第一信息线，第一信号线110可以设置多个弯折段，多个弯折段间隔设置，且两个弯折段之间通过直线段连接。
50.在一些实施例中，增大信号源近端的电阻电容，即扇出区的电阻电容，扇出区扫描
线波形可以通过仿真也可以通过测试等方式调整电阻电容，以及减小面内走线电阻电容，以达到近端波形与远端波形接近的目的。
51.其中，所述第一信号线110单位长度的电阻大于或等于所述第二信号线220单位长度的电阻，具体结构可参阅上述实施例中的显示装置10，在此不再赘述。
52.以上对本技术实施例所提供的显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。