电子传输材料及制备方法、光电器件与流程

1.本技术属于材料技术领域，尤其涉及一种电子传输材料及其制备方法，以及一种光电器件。


背景技术：

2.半导体量子点具有量子尺寸效应，人们通过调控量子点的大小来实现所需要的特定波长的发光，cdse qds的发光波长调谐范围可以从蓝光一直到红光。在传统的无机电致发光器件中电子和空穴分别从阴极和阳极注入，然后在发光层复合形成激子发光。近年来，无机半导体作为电子传输层成为比较热的研究内容。
3.纳米zno、zns、tio2、sno2等有着独特的光学、电学及物理性质，优良的化学稳定性，能够抵抗介质的电化学腐蚀，己被广泛应用于涂料、化妆品、半导体、传感器、介电材料、催化剂等领域。是一类重要的宽禁带半导体材料，广泛地用作为阳极催化分解水、太阳能电池等光化学，以及光电子器件的功能材料。但目前光电器件中，zno、zns、tio2、sno2等半导体材料的性能仍有待进一步提高。
4.二硫化钛(tis2)是一种禁带宽度为0.8ev～2.6ev之间的直接带隙半导体材料，作为一种半金属材料，不但有着不同于半导体的特性，而且有着类似于金属的能带结构，较高的载流子浓度以及迁移率。块体二硫化钛tis2的电导率在室温下可达到7
×
103s/m左右，通过剥离得到的少层tis2的电导率更是高达6.76
×
104s/m，比石墨烯还高，是非常好的导电材料。导电性好、透过率高的tis2纳米材料，在新能源、生物传感、光电化学催化、疾病治疗等领域展现出广泛的应用前景。但是，由于tis2带隙较窄，限制了其在光电器件上的应用。


技术实现要素：

5.本技术的目的在于提供一种电子传输材料及其制备方法，以及一种光电器件，旨在一定程度上解决现有tis2带隙较窄，限制其在光电器件中应用的问题。
6.为实现上述申请目的，本技术采用的技术方案如下：
7.第一方面，本技术提供一种电子传输材料的制备方法，包括以下步骤：
8.获取tis2纳米材料；
9.在卤素气氛下，对所述tis2纳米材料进行加热反应，得到掺杂有卤素的tis2电子传输材料。
10.第二方面，本技术提供一种电子传输材料，所述电子传输材料包括tis2纳米材料，所述tis2纳米材料掺杂有卤素。
11.第三方面，本技术提供一种光电器件，所述光电器件包括电子传输层，所述电子传输层包含上述方法制备的电子传输材料，或者包含上述的电子传输材料。
12.本技术第一方面提供的电子传输材料的制备方法，通过卤素掺杂，卤素占据tis2中s的位置形成正电中心，并产生多余电子，使tis2中施主能级变浅，有效降低tis2的导带底，拓宽tis2的带隙，提高材料对电子的捕获能力，制备出性能更好的n型tis2。同时，提高电
子迁移速率，使掺杂有卤素的tis2材料应用于光电器件的电子传输功能层时，可更好地促进电子-空穴在发光层中有效地复合，提高光电器件的发光及显示性能。
13.本技术第二方面提供的电子传输材料包含的掺杂有卤素的tis2纳米材料，具有tis2纳米材料优异的导电性能，高透过率等特性；同时，具有更好n型半导体特性，载流子迁移效率高，作为电子传输材料，可更好地促进电子-空穴在发光层中有效地复合，降低激子累积对器件性能的影响，提高光电器件的发光及显示性能。
14.本技术第三方面提供的光电器件，由于包含有上述高导电性能、高透过率、高载流子迁移效果、具有更好n型半导体特性的掺杂有卤素的tis2电子传输材料，或者进一步负载有卤素的掺杂有卤素的tis2电子传输材料。因而，有效促进了本技术光电器件中电子-空穴在发光层中有效地复合，降低激子累积对器件性能的影响，提高光电器件的发光及显示性能。
附图说明
15.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
16.图1是本技术实施例提供的电子传输材料的制备方法的流程示意图；
17.图2是本技术实施例提供的电子传输材料的一种结构示意图；
18.图3是本技术实施例提供的光电器件的正型结构示意图；
19.图4是本技术实施例提供的光电器件的反型结构示意图。
具体实施方式
20.为了使本技术要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
21.本技术中，术语“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，a和/或b，可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b的情况。其中a，b可以是单数或者复数。
22.本技术中，“至少一个”是指一个或者多个，“多个”是指两个或两个以上。“以下至少一项(个)”或其类似表达，是指的这些项中的任意组合，包括单项(个)或复数项(个)的任意组合。例如，“a,b,或c中的至少一项(个)”，或，“a,b,和c中的至少一项(个)”，均可以表示：a,b,c,a-b(即a和b),a-c,b-c,或a-b-c，其中a,b,c分别可以是单个，也可以是多个。
23.应理解，在本技术的各种实施例中，上述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，部分或全部步骤可以并行执行或先后执行，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本技术实施例的实施过程构成任何限定。在本技术实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本技术。在本技术实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
24.如附图1所示，本技术实施例第一方面提供一种电子传输材料的制备方法，包括以下步骤：
25.s10.获取tis2纳米材料；
26.s20.在卤素气氛下，对tis2纳米材料进行加热反应，得到掺杂有卤素的tis2电子传输材料。
27.本技术第一方面提供的电子传输材料的制备方法，在卤素气氛下对tis2纳米材料进行加热反应，使卤素掺杂到tis2纳米材料中，形成掺杂有卤素的tis2电子传输材料。本技术实施例提供的制备方法，通过卤素掺杂，卤素占据/取代tis2中s的位置形成正电中心，并产生多余电子，使tis2中施主能级变浅，有效降低tis2的导带底，拓宽tis2的带隙，提高材料对电子的捕获能力，制备出性能更好的n型tis2。同时，卤素的掺杂可使tis2中电子费米能级移动到导带，使得tis2的电子更容易从杂质能级跃迁进入导带，提高电子迁移速率。使掺杂有卤素的tis2材料应用于光电器件的电子传输功能层时，可更好地促进电子-空穴在发光层中有效地复合，降低激子累积对器件性能的影响，提高光电器件的发光及显示性能。另外，本技术制备方法，工艺简单，适用于工业化大规模生产和应用。
28.具体地，上述步骤s10中，获取tis2纳米材料的步骤包括：将钛源和硫源溶解在水中，进行水热反应，使钛源和硫源反应生成tis2，冷却洗涤，分离干燥得到tis2纳米材料。在一些实施例中，水热反应的条件包括：在温度为200℃～250℃的条件下，反应20～24小时，使钛源和硫源充分反应生成tis2。在一些具体实施例中，水热反应温度可以是200℃、210℃、220℃、230℃、240℃或者250℃；反应时间可以是20小时、21小时、22小时、23小时或者24小时。
29.在一些实施例中，钛源与硫源的摩尔比为1：(2～2.5)，该摩尔配比的原料物质充分确保了tis2生成，有利于制得粒径均一，且紧实致密的tis2纳米材料。当硫源与钛源的摩尔量的比小于2：1时，钛源过量，硫源较少，生成硫化钛不够充分；当硫源与钛源摩尔比大于2.5：1时，硫盐过量，多余的硫盐在后续步骤中不易除去。在一些具体实施例中，钛源与硫源的摩尔比可以是1：2、1:2.1、1:2.2、1:2.3、1:2.4或者1:2.5。
30.在一些实施例中，钛源选自：醋酸钛、硝酸钛、氯化钛、硫酸钛中的至少一种可溶性无机锌盐或有机钛盐。在一些实施例中，硫源选自：硫化钠、硫化钾、硫脲、硫化胺中的至少一种。本技术实施例采用的这些钛源和硫源均具有较好的溶解性，在水中即可溶解，有利于钛离子与硫离子之间发生水热反应生成tis2纳米材料。
31.在一些具体实施例中，将醋酸钛、硝酸钛、氯化钛、硫酸钛中的至少一种可溶性无机锌盐或有机钛盐和硫化钠、硫化钾、硫脲、硫化胺中的至少一种硫源，按摩尔比为1：(2～2.5)溶解在水中，然后在温度为200℃～250℃的条件下，反应20～24小时，冷却洗涤，分离干燥得到tis2纳米材料。
32.具体地，上述步骤s20中，对tis2纳米材料进行加热反应的步骤包括：在温度为250℃～350℃的卤素气氛下，对tis2纳米材料进行1～2小时的热处理，使卤素占据tis2中s的位置，形成掺杂有卤素的tis2电子传输材料。通过卤素的掺杂，形成正电中心，并产生多余电子，有效降低tis2的导带底，从而达到施主能级变浅，带隙变宽的目的。
33.在一些实施例中，卤素气氛包括：体积比为(5～10)：(90～95)的卤素气体和惰性气体，该卤素气体浓度的气氛最有利于卤素占据tis2中s的位置，形成掺杂有卤素的tis2材
料。若卤素气体的浓度过高，tis2结构容易被其强氧化性破坏；若浓度过低，则无法形成有效的气固分子接触，反应活性较低，tis2中卤素掺杂效果不佳。在一些具体实施例中，卤素气氛中卤素气体的体积百分含量可以是5％、6％、7％、8％、9％或者10％。
34.在一些实施例中，卤素气体包括：氟气、溴气、氯气中的至少一种，这些卤素气体均能占据tis2中s的位置，掺杂进入到tis2中形成掺杂有卤素的tis2材料。在一些实施例中，惰性气体包括：氩气和/或氦气，这些惰性气体可有效调节卤素气氛中卤素气体的浓度，从而调控卤素在tis2中的掺杂效率，并且这些惰性气体不会与tis2材料反应，稳定性好。在一些实施例中，对tis2纳米材料进行加热反应时，卤素气体和惰性气体的混合气以40～100ml/min的流速通入，通过对混合气流速的控制可更好的调控反应体系中卤素气体的含量，从而使卤素对的tis2材料有更好的掺杂效果。
35.在一些实施例中，将tis2纳米材料平铺于舟型坩埚上，通入惰性气氛出去反应体系的空气和水分后，在温度为250℃～350℃、卤素气体和惰性气体的混合气流速为40～100ml/min的卤素气氛下，反应1～2小时，使卤素充分掺杂到tis2纳米材料中，形成掺杂有卤素的tis2电子传输材料。
36.在一些实施例中，掺杂有卤素的tis2电子传输材料中，卤素的掺杂率为10～30％，即tis2材料中10％～30％的s原子被卤素原子占据，该掺杂率既有效降低了tis2的导带底，达到施主能级变浅的目的，又没有破坏tis2纳米材料自身的电化学性能，确保其好的导电性、高的透过率等特性。
37.在一些实施例中，得到掺杂有卤素的tis2电子传输材料后，还包括步骤：
38.s30.将掺杂有卤素的tis2电子传输材料与贵金属源溶解混合后，进行焙烧处理，得到表面负载有贵金属的掺杂有卤素的tis2电子传输材料。本技术实施例得到掺杂有卤素的tis2电子传输材料后，进一步通过与贵金属源混合后焙烧处理，使掺杂有卤素的tis2电子传输材料表面负载贵金属，负载的贵金属可以激发tis2复合材料表面等离子体共振效应。当表面负载有贵金属的掺杂有卤素的tis2电子传输材料应用于光电器件时，可增大tis2复合材料光的输出耦合，提高复合发光效率，从而进一步提高光电器件的发光效率。当tis2复合材料应用到光电器件的电子传输功能层中，通过卤素掺杂降低tis2的导带底，使tis2中施主能级变浅，协同贵金属负载起到的激发表面等离子体共振效应，可有效提高qled等光电器件的发光效率和性能。
39.在一些实施例中，掺杂有卤素的tis2电子传输材料与贵金属源的质量比为1：(0.1～0.3)。当贵金属负载量较少时，少量的贵金属纳米粒子无法有效触发表面等离子体共振效应；在掺杂有卤素的tis2电子传输材料与贵金属源的质量比为1：(0.1～0.3)条件下，随着贵金属负载量的增多，复合材料应用到器件中的效率也不断的提高。但贵金属纳米粒子负载量过多时，贵金属纳米粒子却会产生淬灭现象，使得tis2复合材料在光电器件中的效率反而降低。在一些具体实施例中，掺杂有卤素的tis2电子传输材料与贵金属源的质量比可以是1：0.1、1:0.2或者1:0.3等。
40.在一些实施例中，焙烧处理的条件包括：将掺杂有卤素的tis2电子传输材料与贵金属源的混合物，在温度为50℃～60℃的条件下干燥出去混合物中溶剂后，在温度为300℃～350℃的条件下焙烧2～3小时，使贵金属源还原形成贵金属单质负载在掺杂有卤素的tis2电子传输材料表面。
41.在一些实施例中，如附图2所示，贵金属单质以纳米颗粒的形式负载在掺杂有卤素的tis2电子传输材料表面，形成贵金属纳米颗粒的包覆层。贵金属以纳米颗粒的形式负载在掺杂有卤素的tis2电子传输材料表面，可更好的起到激发表面等离子体共振效应，同时发挥掺杂有卤素的tis2材料的电化学性能。
42.在一些实施例中，贵金属源选自：硝酸银、氯化金、溴化金中的至少一种，这些贵金属源通过焙烧处理能够还原形成银纳米单质、金纳米单质负载在掺杂有卤素的tis2电子传输材料表面，起到激发表面等离子体共振效应作用，提高改性后tis2复合材料在光电器件中的电子传输性能，从而提高qled等光电器件的发光效率和性能。
43.本技术实施例第二方面提供一种电子传输材料，电子传输材料包括tis2纳米材料，在tis2纳米材料中掺杂有卤素。
44.本技术第二方面提供的电子传输材料包含的掺杂有卤素的tis2纳米材料，一方面，具有tis2纳米材料优异的导电性能，高透过率等特性。另一方面，通过卤素对tis2纳米材料的掺杂，不但卤素占据tis2中s的位置形成正电中心，产生多余电子，使tis2中施主能级变浅，有效降低tis2的导带底，拓宽tis2的带隙，提高材料对电子的捕获能力，使其具有更好n型半导体特性；而且，卤素的掺杂使tis2中电子费米能级移动到导带，使得tis2的电子更容易从杂质能级跃迁进入导带。因此，掺杂有卤素的tis2纳米材料，有更好的载流子迁移效果，作为电子传输材料，可更好地促进电子-空穴在发光层中有效地复合，降低激子累积对器件性能的影响，提高光电器件的发光及显示性能。
45.在一些实施例中，电子传输材料还包括：负载在tis2纳米材料(tis2纳米材料中掺杂有卤素)表面的贵金属，表面负载的贵金属可激发表面等离子体共振效应，从而增大电子传输材料在器件中光的输出耦合，以及载流子复合发光速率，进一步提升光电器件的发光效率。
46.在一些实施例中，卤素包括：f、cl、br中的至少一种，这些卤素气体均能占据tis2中s的位置，形成正电中心，产生多余电子，有效降低tis2的导带底，达到施主能级变浅，带隙拓宽的目的。
47.在一些实施例中，电子传输材料中，tis2中10％～30％的s原子被卤素取代；该取代掺杂率既有效降低了tis2的导带底，达到施主能级变浅的目的，又没有破坏tis2纳米材料自身的电化学性能，确保其好的导电性、高的透过率等特性。在一些具体实施例中，电子传输材料中，tis2中10％、15％、20％、25％或30％的s原子被卤素占据。
48.在一些实施例中，电子传输材料中，负载的贵金属的质量与掺杂有卤素的tis2纳米材料质量比为(0.1～0.3)：1，该负载量的贵金属可有效激发tis2复合材料表面等离子体共振效应。
49.在一些实施例中，电子传输材料的粒径为5～15纳米，粒径小且均一的电子传输材料易于形成致密，厚度均一，表面平整的电子传输薄膜层。在后续光电器件的应用中，与其他功能有更好的结合紧密性，降低界面阻抗，更有利于载流子迁移。另外，小粒径的电子传输材料比表面积大，也更有利于材料中卤素的掺杂和贵金属的负载。
50.本技术实施例第三方面提供一种光电器件，光电器件包括电子传输层，电子传输层包含上述方法制备的电子传输材料，或者包含上述的电子传输材料。
51.本技术第三方面提供的光电器件，由于包含有上述高导电性能、高透过率、高载流
子迁移效果、具有更好n型半导体特性的掺杂有卤素的tis2电子传输材料，或者进一步负载有卤素的掺杂有卤素的tis2电子传输材料。因而，有效促进了本技术光电器件中电子-空穴在发光层中有效地复合，降低激子累积对器件性能的影响，提高光电器件的发光及显示性能。
52.本技术实施例中，光电器件不受器件结构的限制，可以是正型结构的器件，也可以反型结构的器件。
53.在一种实施方式中，正型结构光电器件包括相对设置的阳极和阴极的层叠结构，设置在阳极和阴极之间的发光层，且阳极设置在衬底上。进一步的，阳极和发光层之间还可以设置空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层等空穴功能层；在阴极和发光层之间还可以设置电子传输层、电子注入层和空穴阻挡层等电子功能层，如附图3所示。在一些具体正型结构器件的实施例中，光电器件包括衬底，设置在衬底表面的阳极，设置在阳极表面的空穴传输层，设置在空穴传输层表面的发光层，设置在发光层表面的电子传输层和设置在电子传输层表面的阴极。
54.在一种实施方式中，反型结构光电器件包括相对设置的阳极和阴极的叠层结构，设置在阳极和阴极之间的发光层，且阴极设置在衬底上。进一步的，阳极和发光层之间还可以设置空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层等空穴功能层；在阴极和发光层之间还可以设置电子传输层、电子注入层和空穴阻挡层等电子功能层，如附图4所示。在一些反型结构器件的实施例中，光电器件包括衬底，设置在衬底表面的阴极，设置在阴极表面的电子传输层，设置在电子传输层表面的发光层，设置在发光层表面的空穴传输层，设置在空穴传输层表面的阳极。
55.在一些实施例中，衬底的选用不受限制，可以采用刚性基板，也可以采用柔性基板。在一些具体实施例中，刚性基板包括但不限于玻璃、金属箔片中的一种或多种。在一些具体实施例中，柔性基板包括但不限于聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pen)、聚醚醚酮(peek)、聚苯乙烯(ps)、聚醚砜(pes)、聚碳酸酯(pc)、聚芳基酸酯(pat)、聚芳酯(par)、聚酰亚胺(pi)、聚氯乙烯(pv)、聚乙烯(pe)、聚乙烯吡咯烷酮(pvp)、纺织纤维中的一种或多种。
56.在一些实施例中，阳极材料的选用不受限制，可选自掺杂金属氧化物，包括但不限于铟掺杂氧化锡(ito)、氟掺杂氧化锡(fto)、锑掺杂氧化锡(ato)、铝掺杂氧化锌(azo)、镓掺杂氧化锌(gzo)、铟掺杂氧化锌(izo)、镁掺杂氧化锌(mzo)、铝掺杂氧化镁(amo)中的一种或多种。也可以选自掺杂或非掺杂的透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极，包括但不限于azo/ag/azo、azo/al/azo、ito/ag/ito、ito/al/ito、zno/ag/zno、zno/al/zno、tio2/ag/tio2、tio2/al/tio2、zns/ag/zns、zns/al/zns、tio2/ag/tio2、tio2/al/tio2中的一种或多种。
57.在一些实施例中，空穴注入层包括但不限于有机空穴注入材料、掺杂或非掺杂的过渡金属氧化物、掺杂或非掺杂的金属硫系化合物中的一种或多种。在一些具体实施例中，有机空穴注入材料包括但不限于聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(pedot:pss)、酞菁铜(cupc)、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰醌-二甲烷(f4-tcnq)、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲(hatcn)中的一种或多种。在一些具体实施例中，过渡金属氧化物包括但不限于moo3、vo2、wo3、cro3、cuo中的一种或多种。在一些具体实施例中，金属硫
系化合物包括但不限于mos2、mose2、ws2、wse2、cus中的一种或多种。
58.在一些实施例中，空穴传输层可选自具有空穴传输能力的有机材料和/或具有空穴传输能力的无机材料。在一些具体实施例中，具有空穴传输能力的有机材料包括但不限于聚(9,9-二辛基芴-co-n-(4-丁基苯基)二苯胺)(tfb)、聚乙烯咔唑(pvk)、聚(n,n'双(4-丁基苯基)-n,n'-双(苯基)联苯胺)(poly-tpd)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-n,n-苯基-1,4-苯二胺)(pfb)、4,4’,4
”-
三(咔唑-9-基)三苯胺(tcta)、4,4'-二(9-咔唑)联苯(cbp)、n,n
’-
二苯基-n,n
’-
二(3-甲基苯基)-1,1
’-
联苯-4,4
’-
二胺(tpd)、n,n
’-
二苯基-n,n
’-
(1-萘基)-1,1
’-
联苯-4,4
’-
二胺(npb)中的一种或多种。在一些具体实施例中，具有空穴传输能力的无机材料包括但不限于掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯、c60、掺杂或非掺杂的moo3、vo2、wo3、cro3、cuo、mos2、mose2、ws2、wse2、cus中的一种或多种。
59.在一些实施例中，发光层中包括量子点材料，量子点材料包括但不限于：元素周期表ii-iv族、ii-vi族、ii-v族、iii-v族、iii-vi族、iv-vi族、i-iii-vi族、ii-iv-vi族、ii-iv-v族半导体化合物中的至少一种，或上述半导体化合物中至少两种组成的核壳结构半导体化合物。在一些具体实施例中，量子点功能层材料选自：cdse、cds、cdte、zno、znse、zns、znte、hgs、hgse、hgte、cdznse中的至少一种半导体纳米晶化合物，或至少两种组成的混合类型、梯度混合类型、核壳结构类型或联合类型等结构的半导体纳米晶化合物。在另一些具体实施例中，量子点功能层材料选自：inas、inp、inn、gan、insb、inasp、ingaas、gaas、gap、gasb、alp、aln、alas、alsb、cdsete、zncdse中的至少一种半导体纳米晶化合物，或至少两种组成的混合类型、梯度混合类型、核壳结构类型或联合类型等结构的半导体纳米晶化合物。在另一些实施例中，量子点功能层材料选自：钙钛矿纳米粒子材料(特别是发光钙钛矿纳米粒子材料)、金属纳米粒子材料、金属氧化物纳米粒子材料中的至少一种。上述各量子点材料具有量子点的特性，光电性能好。
60.在一些实施例中，量子点材料的粒径范围为2～10nm，粒径过小，量子点材料成膜性变差，且量子点颗粒之间的能量共振转移效应显著，不利于材料的应用，粒径过大，量子点材料的量子效应减弱，导致材料的光电性能下降。
61.在一些实施例中，电子传输层的材料包括但不限于上述掺杂有卤素的tis2材料，或者负载有贵金属的掺杂有卤素的tis2材料。
62.在一些实施例中，阴极材料可以是各种导电碳材料、导电金属氧化物材料、金属材料中的一种或多种。在一些具体实施例中，导电碳材料包括但不限于掺杂或非掺杂碳纳米管、掺杂或非掺杂石墨烯、掺杂或非掺杂氧化石墨烯、c60、石墨、碳纤维、多空碳、或它们的混合物。在一些具体实施例中，导电金属氧化物材料包括但不限于ito、fto、ato、azo、或它们的混合物。在一些具体实施例中，金属材料包括但不限于al、ag、cu、mo、au、或它们的合金；其中的金属材料中，其形态包括但不限于致密薄膜、纳米线、纳米球、纳米棒、纳米锥、纳米空心球、或它们的混合物；优选地，的阴极为ag、al。
63.在一些实施例中，本技术实施例光电器件的制备包括步骤：
64.s40.获取沉积有阳极的基板；
65.s50.在阳极表面生长一空穴传输层；
66.s60.接着沉积量子点发光层于空穴传输层上；
67.s70.最后沉积电子传输层于量子点发光层上，并蒸镀阴极极于电子传输层上，得
到光电器件。
68.具体地，步骤s40中，为了得到高质量的氧化锌纳米材料薄膜，ito基底需要经过预处理过程。基本具体的处理步骤包括：将ito导电玻璃用清洁剂清洗，初步去除表面存在的污渍，随后依次在去离子水、丙酮、无水乙醇、去离子水中分别超声清洗20min，以除去表面存在的杂质，最后用高纯氮气吹干，即可得到ito正极。
69.具体地，步骤s50中，生长空穴传输层的步骤包括：将ito基板置于旋涂仪上，用配制好的空穴传输材料的溶液旋涂成膜；通过调节溶液的浓度、旋涂速度和旋涂时间来控制膜厚，然后在适当温度下热退火处理。
70.具体地，步骤s60中，沉积量子点发光层于空穴传输层上的步骤包括：将已旋涂上空穴传输层的基片置于旋涂仪上，将配制好一定浓度的发光物质溶液旋涂成膜，通过调节溶液的浓度、旋涂速度和旋涂时间来控制发光层的厚度，约20～60nm，在适当温度下干燥。
71.具体地，步骤s70中，沉积电子传输层于量子点发光层上的步骤包括：电子传输层为本技术的电子传输复合材料：将已旋涂上量子点发光层的基片置于旋涂仪上，将配制好一定浓度的电子传输复合材料溶液通过滴涂、旋涂、浸泡、涂布、打印、蒸镀等工艺旋涂成膜，通过调节溶液的浓度、旋涂速度(优选地，转速在2000～6000rpm之间)和旋涂时间来控制电子传输层的厚度，约20～60nm，然后在200℃～300℃的条件下退火成膜，充分去除溶剂。
72.具体地，步骤s70中，阴极制备的步骤包括：将沉积完各功能层的衬底置于蒸镀仓中通过掩膜板热蒸镀一层15～30nm的金属银或者铝作为阴极。或者使用纳米ag线或者cu线，具有较小的电阻使得载流子能顺利的注入。
73.在进一步实施例中，将得到的qled器件进行封装处理，封装处理可采用常用的机器封装，也可以采用手动封装。优选的，封装处理的环境中，氧含量和水含量均低于0.1ppm，以保证器件的稳定性。
74.为使本技术上述实施细节和操作能清楚地被本领域技术人员理解，以及本技术实施例电子传输材料及其制备方法、光电器件的进步性能显著的体现，以下通过多个实施例来举例说明上述技术方案。
75.实施例1
76.一种cl/tis2电子传输材料，包括制备步骤：
77.①
首先，将1g氯化钛加入到50ml水中形成总浓度为0.5m的溶液，再加入适量的硫化钾(摩尔比，s
2-：ti
4
＝2.5：1)。然后，待分散后转移至水热反应釜中，在200℃下反应24h，冷却洗涤(水洗涤2次，无水乙醇洗涤1次)。然后在50℃下干燥，制得tis2纳米材料。
78.②
将1g的tis2粉末平铺在舟型坩埚上，置入马弗炉中并持续通入氩气。排气20min后，将马弗炉升温至300℃，把氩气切换成含氯气体(5％氯气 95％氩气)，保持混合气体流速为80～100ml/min，保温2h后切断含氯气体，降至室温，制得cl/tis2电子传输材料。
79.实施例2
80.一种ag-cl/tis2电子传输材料，包括制备步骤：
81.①
首先，将1g硫酸钛加入到50ml水中形成总浓度为0.8m的溶液，再加入适量的硫化钠(摩尔比，s
2-：ti
4
＝2.2：1)。然后，待分散后转移至水热反应釜中，在200℃下反应24h，冷却洗涤(水洗涤2次，无水乙醇洗涤1次)。然后在50℃下干燥，制得tis2纳米材料。
82.②
将1gtis2粉末平铺在舟型坩埚上，置入马弗炉中并持续通入氩气。排气20min后，将马弗炉升温至300℃，把氩气切换成含氯气体(8％氯气 92％氩气)，保持混合气体流速为60～80ml/min，保温1.5h后切断含氯气体，降至室温，制得cl/tis2。
83.③
将1g的cl/tis2和硝酸银加入到10ml水中，保温60℃搅拌2h，其中cl/tis2：ag的质量比为1：0.1，然后在50℃下干燥。随后，将干燥好的样品在5％h2/ar气氛下加热到300℃焙烧还原2h。制得ag-cl/tis2电子传输材料。
84.实施例3
85.一种au-f/tis2电子传输材料，包括制备步骤：
86.①
首先，将1硝酸钛加入到50ml水中形成总浓度为1m的溶液，再加入适量的硫化钾(摩尔比，s
2-：ti
4
＝2：1)。然后，待分散后转移至水热反应釜中，在200℃下反应24h，冷却洗涤(水洗涤2次，无水乙醇洗涤1次)。然后在50℃下干燥，制得tis2纳米材料。
87.②
将1gtis2粉末平铺在舟型坩埚上，置入马弗炉中并持续通入氩气。排气20min后，将马弗炉升温至300℃，把氩气切换成含氟气体(10％氟气 90％氩气)，保持混合气体流速为40～60ml/min，保温1.5h后切断含氟气体，降至室温，制得f/tis2。
88.③
将1g f/tis2和氯化金加入到10ml水中，保温60℃搅拌2h，其中f/tis2：金的质量比为1：0.2，然后在50℃下干燥。随后，将干燥好的样品在5％h2/ar气氛下加热到300℃焙烧还原2h。制得au-f/tis2电子传输材料。
89.实施例4
90.一种量子点发光二极管，包括相对设置的阳极和阴极的叠层结构，设置在阳极和阴极之间的量子点发光层，设置在阴极和量子点发光层之间的电子传输层，设置在阳极和量子点发光层之间的空穴传输层，且阳极设置在衬底上。其中，衬底的材料为玻璃片，阳极的材料为ito基板，空穴传输层为材料tfb，电子传输层的材料为实施例1制备的cl/tis2电子传输材料，阴极的材料为al。
91.其制备方法包括以下步骤：
92.①
提供ito基板，在ito基板上制备空穴传输层；
93.②
在空穴传输层上沉积量子点发光层；
94.③
在量子点发光层上沉积实施例1制备的cl/tis2电子传输材料，制备电子传输层；
95.④
在电子传输层上制备阴极。
96.实施例5
97.一种量子点发光二极管，其与实施例4的区别在于，电子传输层的材料为实施例2制备的ag-cl/tis2电子传输材料。
98.实施例6
99.一种量子点发光二极管，其与实施例4的区别在于，电子传输层的材料为实施例3制备的au-f/tis2电子传输材料。
100.实施例7
101.一种量子点发光二极管，包括相对设置的阳极和阴极的叠层结构，设置在阳极和阴极之间的量子点发光层，设置在阴极和量子点发光层之间的电子传输层，设置在阳极和量子点发光层之间的空穴传输层，且阴极设置在衬底上。其中，衬底的材料为玻璃片，阴极
的材料为ito基板，空穴传输层的材料为tfb，电子传输层的材料为实施例1制备的cl/tis2电子传输材料，阳极的材料为al。
102.其制备方法包括以下步骤：
103.①
提供阴极基板，在阴极基板上沉积实施例1制备的cl/tis2电子传输材料，制备电子传输层；
104.②
在电子传输层上制备量子点发光层，在量子点发光层上制备空穴传输层；
105.③
在空穴传输层上制备阳极。
106.实施例8
107.一种量子点发光二极管，其与实施例7的区别在于，电子传输层的材料为实施例2制备的ag-cl/tis2电子传输材料。
108.实施例9
109.一种量子点发光二极管，其与实施例7的区别在于，电子传输层的材料为实施例3制备的au-f/tis2电子传输材料。
110.对比例1
111.一种电子传输材料，以购自sigma公司的商业tis2材料为电子传输材料作为对比例。
112.一种量子点发光二极管，包括相对设置的阳极和阴极的叠层结构，设置在阳极和阴极之间的量子点发光层，设置在阴极和量子点发光层之间的电子传输层，设置在阳极和量子点发光层之间的空穴传输层，且阴极设置在衬底上。其中，衬底的材料为玻璃片，阳极的材料为ito基板，空穴传输层的材料为tfb，电子传输层的材料为商业tis2材料(购自sigma公司)，阴极的材料为al。
113.对比例2
114.一种电子传输材料，以购自sigma公司的商业tio2材料为电子传输材料作为对比例。
115.一种量子点发光二极管，包括相对设置的阳极和阴极的叠层结构，设置在阳极和阴极之间的量子点发光层，设置在阴极和量子点发光层之间的电子传输层，设置在阳极和量子点发光层之间的空穴传输层，且阴极设置在衬底上。其中，衬底的材料为玻璃片，阳极的材料为ito基板，空穴传输层的材料为tfb，电子传输层的材料为商业tio2材料(购自sigma公司)，阴极的材料为al。
116.对比例3
117.一种cl/tio2电子传输材料。
118.一种量子点发光二极管，包括相对设置的阳极和阴极的叠层结构，设置在阳极和阴极之间的量子点发光层，设置在阴极和量子点发光层之间的电子传输层，设置在阳极和量子点发光层之间的空穴传输层，且阴极设置在衬底上。其中，衬底的材料为玻璃片，阳极的材料为ito基板，空穴传输层的材料为tfb，电子传输层的材料为cl/tio2电子传输材料，阴极的材料为al。
119.对比例4
120.一种ag-cl/tio2电子传输材料。
121.一种量子点发光二极管，包括相对设置的阳极和阴极的叠层结构，设置在阳极和
阴极之间的量子点发光层，设置在阴极和量子点发光层之间的电子传输层，设置在阳极和量子点发光层之间的空穴传输层，且阴极设置在衬底上。其中，衬底的材料为玻璃片，阳极的材料为ito基板，空穴传输层的材料为tfb，电子传输层的材料为ag-cl/tio2电子传输材料，阴极的材料为al。
122.进一步的，为了验证本技术实施例电子传输材料及量子点发光二极管的进步性，对实施例1-3中的电子传输材料、对比例1-4中的电子传输材料、实施例4-9以及对比例1-4中的量子点发光二极管进行性能测试，测试指标和测试方法如下：
123.(1)电子迁移率：测试量子点发光二极管的电流密度(j)-电压(v)，绘制曲线关系图，对关系图中空间电荷限制电流(sclc)区的进行拟合，然后根据著名的child’s law公式计算电子迁移率：
124.j＝(9/8)εrε0μ
ev2
/d3125.其中，j表示电流密度，单位macm-2
；εr表示相对介电常数，ε0表示真空介电常数；μe表示电子迁移率，单位cm2v-1
s-1
；v表示驱动电压，单位v；d表示膜厚度，单位m。
126.(2)电阻率：采用同一电阻率测试仪器测定电子传输薄膜电阻率。
127.(3)外量子效率(eqe)：采用eqe光学测试仪器测定。
128.其中，电子迁移率和电阻率测试为单层薄膜结构器件，即：阴极/电子传输薄膜/阳极。外量子效率测试为的qled器件，即：阳极/空穴传输薄膜/量子点/电子传输薄膜/阴极，或者阴极/电子传输薄膜/量子点/空穴传输薄膜/阳极。
129.测试结果如下表1所示：
130.表1
[0131][0132]
从上表1测试结构可知，本技术实施例1-3分别提供的cl/tis2、ag-cl/tis2、au-f/tis2电子传输材料制成的电子传输薄膜的电阻率，电阻率明显低于对比例1-4分别提供的tis2、tio2、cl/tio2、ag-cl/tio2电子传输材料制成的电子传输薄膜的电阻率，而电子迁移率明显高于对比例1-4电子传输材料制成的电子传输薄膜。
[0133]
分别采用本技术实施例1-3cl/tis2、ag-cl/tis2、au-f/tis2电子传输材料，制备的实施例4-9量子点发光二极管的外量子效率，明显高于对比例1-4中tis2、tio2、cl/tio2、ag-cl/tio2电子传输材料制备的量子点发光二极管的外量子效率，说明实施例得到的量子点发光二极管具有更好的发光效率。
[0134]
值得注意的是，本发明提供的具体实施例均以蓝光量子点cd
x
zn
1-x
s/zns作为发光层材料，是基于蓝光发光体系是使用较多的体系，并不代表本发明仅用于蓝光发光体系。以上仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。