用于衬底处理系统的滤波箱的制作方法

用于衬底处理系统的滤波箱
相关申请的交叉引用
1.本技术要求于2019年5月6日申请的美国临时申请no.62/843,720的优先权。上述引用的申请其全部公开内容都通过引用合并于此。
技术领域
2.本公开内容涉及被配置成从在衬底处理系统中传递的信号中过滤rf干扰的射频(rf)箱。


背景技术：

3.这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的发明人的工作在其在此背景技术部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
4.衬底处理系统被用于执行处理如衬底(例如半导体晶片)上的膜的沉积和蚀刻。例如，可利用化学气相沉积(cvd)、等离子体增强cvd(pecvd)、原子层沉积(ald)、等离子体增强ald(peald)和/或其他沉积处理进行沉积，以沉积导电膜、介电膜、或其他类型的薄膜。在沉积期间，将衬底设置于衬底支撑件上，并且可在一或更多个处理步骤期间将一或更多种前体气体供应至处理室。在pecvd或peald处理中，使用等离子体以在沉积期间活化处理室内的化学反应。


技术实现要素：

5.一种用于衬底处理室的滤波模块包含：限定内部的多个外面板；多个内面板，其在所述滤波模块的所述内部中限定多个隔室；以及可调电容器，其被设置于所述多个隔室中的第一隔室内的所述多个内面板中的第一面板上。所述可调电容器经由所述第一面板而耦合至位于所述第一隔室外的马达，且所述可调电容器被配置成接收射频输入信号并且基于所述马达的位置而提供射频电压至所述衬底处理室。
6.在其他特征中，所述可调电容器被配置成将所述射频电压提供至所述第一隔室内的滤波电路，且所述滤波电路被配置成将经滤波的射频电压提供至所述衬底处理室。所述滤波模块还包含绝缘间隔件，其被设置于所述可调电容器与所述第一面板之间。所述的滤波模块还包含编码器，该编码器被配置成将所述可调电容器的电容映射至所述马达的绝对位置。
7.在其他特征中，所述多个内面板中的第二面板将所述第一隔室与所述多个隔室中的第二隔室相隔开。所述多个内面板中的第三面板将所述第二隔室与所述多个隔室的第三隔室相隔开。所述第二隔室和所述第三隔室中的至少一者包含滤波电路，其被配置成对加热器功率信号进行滤波并且将经滤波的所述加热器功率信号提供至所述衬底处理室。
8.在其他特征中，所述多个外面板包含前面板、背面板、顶面板、底面板、以及第一与第二侧面板。所述滤波模块为矩形且包含凹口拐角，且其中所述马达被设置于所述凹口拐
角内。所述第一侧面板包含被配置成接收电缆连接件的输入连接件，并且所述输入连接件被配置成经由所述电缆连接件而接收所述射频输入信号。叶板弹簧被设置于所述第一侧面板上且介于所述输入连接件与所述电缆连接件之间，且所述电缆连接件经由所述叶板弹簧中的开口而连接至所述输入连接件。所述叶板弹簧的第一端被安装在所述第一侧面板上，而所述叶板弹簧的第二端延伸超过所述第一侧面板的周边。
9.在其他特征中，所述叶板弹簧的所述第二端延伸至设置于所述滤波模块的所述背面板上的接触开关上方。将所述电缆连接件连接至所述输入连接件使得：所述叶板弹簧的所述第二端与所述接触开关接合。所述接触开关被配置成产生信号，所述信号指示所述滤波模块是否被安装于所述衬底处理室上和所述电缆连接件是否连接至所述输入连接件中的至少一者。所述第一侧面板包含可移除通路面板，且其中所述叶板弹簧的所述第一端系经由所述可移除通路面板而安装在所述第一侧面板上。
10.在其他特征中，一种衬底处理工具包含多个衬底处理室以及多个所述滤波模块。所述多个滤波模块中的每一个被安装在所述多个衬底处理室的相应者上。所述滤波模块中的每一个包含可移除侧面板，且其中所述滤波模块中的每一个的所述可移除侧面板面向所述衬底处理工具的外周。
11.一种用于衬底处理室的滤波模块包含：限定内部的多个外面板；多个内面板，其在所述滤波模块的所述内部中限定多个隔室；以及可调电容器，其被设置于所述多个隔室中的第一隔室内的所述多个内面板中的第一面板上。所述可调电容器经由所述第一面板而耦合至位于所述第一隔室外的马达，且其中所述可调电容器被配置成接收射频输入信号并且基于所述马达的位置而提供射频电压至所述衬底处理室。所述可调电容器被配置成将所述射频电压提供至所述第一隔室内的滤波电路，且所述滤波电路被配置成将经滤波的射频电压提供至所述衬底处理室。所述多个隔室中的第二与第三隔室各包含各自的电路。
12.根据详细描述、权利要求和附图，本公开内容的适用性的进一步的范围将变得显而易见。详细描述和具体示例仅用于说明的目的，并非意在限制本公开的范围。
附图说明
13.根据详细描述和附图将更充分地理解本公开，其中：
14.图1为根据本公开内容的示例性衬底处理系统的功能框图；
15.图2a和2b为根据本公开内容的包含射频(rf)滤波模块的衬底处理系统的示例性衬底处理工具的底部平面图；
16.图3a及3b为根据本公开内容的示例性rf滤波模块的示图；
17.图4a及4b为根据本公开内容的图3a及3b的rf滤波模块的示例性内部图示；
18.图5a、5b、5c、及5d为根据本公开内容的rf滤波模块的另一示例的图示；
19.图5e为根据本公开内容的rf滤波模块的一部分的图示；以及
20.图5f为根据本公开内容的图5a、5b、5c、及5d的rf滤波模块的底部平面图。
21.在附图中，可以重复使用附图标记来标识相似和/或相同的元件。
具体实施方式
22.衬底处理系统可以包含一或更多个射频(rf)滤波模块(例如滤波箱)，其包围rf滤
波和/或调谐电路。该rf滤波和/或调谐电路被配置成从传递往返衬底处理系统内的组件的电信号中过滤rf噪声。滤波箱可被设置于处理室的壁上或附近、和/或与处理室的壁集成。例如，可将滤波箱设置于处理室的下表面上。滤波箱的内部滤波电路的维修、安装、和/或调整可能是困难的。
23.根据本发明的原理的滤波箱具有改良的外部及内部特征的几何与配置，以利于将滤波箱安装于处理室和从处理室移除滤波箱。此外，滤波箱被配置成便于维修和更换内部组件(例如滤波电路，如滤波印刷电路板(pcbs)、马达、电容器等)、以及调整滤波参数(例如利用可调电容器)。
24.现在参照图1，显示了根据本发明的原理的衬底处理系统100的示例。虽然前述示例涉及pecvd系统，但是可以使用其他基于等离子体的衬底处理室。衬底处理系统100包含处理室104，其包围衬底处理系统100的其他组件。衬底处理系统100包含上电极108以及包含下电极116的衬底支撑件(如基座112)。虽然显示为单一下电极116，但下电极116可对应于设置在基座112的不同区带中的两个或更多个电极。衬底120被设置于基座112上且位于上电极108与下电极116之间。
25.仅举例而言，上电极108可包含喷头124，其导入并分配处理气体。替代地，上电极108可包含导电板，且可以其他方式将处理气体导入。可以将下电极116设置于非导电性基座中。替代地，基座112可包含静电卡盘，其包含用作下电极116的导电板。
26.当使用等离子体时，射频(rf)产生系统126产生并输出rf电压至上电极108和/或下电极116。在一些示例中，上电极108及下电极116中的一者可以是dc接地、ac接地、或处于浮动电位。仅举例而言，rf产生系统126可包含产生rf电压的一或更多rf电压产生器128(例如电容耦合式等离子体rf功率产生器、偏置rf功率产生器、和/或其他rf功率产生器)如第一rf产生器128
‑
1和第二rf产生器128
‑
2，该rf电压通过一或更多匹配和分配网络130(例如经由第一匹配网络130
‑
1)馈送至下电极116以及(例如经由第二匹配网络130
‑
2)馈送至上电极108。
27.第一rf产生器128
‑
1提供rf电压和/或偏电压至下电极116。下电极116(其在一些示例中可包含多个电极)可替代地或额外地从其他功率源(例如功率源132)接收功率。第二rf产生器128
‑
2可提供rf电压，或者可仅将上电极108连接至接地参考点。
28.示例性气体输送系统140包含一或更多个气体源144
‑
1、144
‑
2、...、以及144
‑
n(统称气体源144)，其中n为大于零的整数。气体源144供应一或更多气体(例如前体、惰性气体等)及其混合物。也可使用经汽化的前体。气体源144中的至少一者可以包含本发明的预处理过程中所使用的气体(例如nh3、n2等)。通过阀148
‑
1、148
‑
2、...、以及148
‑
n(统称阀148)及质量流量控制器152
‑
1、152
‑
2、...、以及152
‑
n(统称质量流量控制器152)将气体源144连接至歧管154。歧管154的输出被馈送至处理室104。仅举例而言，歧管154的输出被馈送至喷头124。在一些示例中，可在质量流量控制器152与歧管154之间设置选择性的臭氧产生器156。在一些示例中，衬底处理系统100可包含液体前体输送系统158。液体前体输送系统158可如图示地并入气体输送系统140中，或者可在气体输送系统140的外部。液体前体输送系统158被配置成经由起泡器、直接液体注射、蒸气吸引等而提供在室温下为液体和/或固体的前体。
29.可以将加热器160连接至设置于基座112中的加热器线圈(未图示)以将基座112加
热。加热器160可用于控制基座112和衬底120的温度。阀164以及泵168可用于将反应物从处理室104中排空。控制器172可用于控制衬底处理系统100的各种组件。仅举例而言，控制器172可用于控制处理气体、载气、及前体气体的流动、等离子体的激励和熄灭、反应物的移除、室参数的监测等。
30.rf滤波模块(例如rf滤波箱)176被设置于处理室104附近，以从传递往返处理室104内的组件的电信号中过滤rf噪声。例如，rf滤波模块176被设置于处理室104下方且在处理室104的底表面178上、且邻近基座112在底表面178下方延伸的部分(例如杆部)180。虽然为简单起见而直接显示为邻近基座112，但其他结构可被设置于基座112与rf滤波模块176之间。rf滤波模块176包围一或更多个调谐电路、rf滤波电路等(未图示于图1)。可使调谐电路连接于(i)第一匹配网络130
‑
1与相应电极(如电极116)之间、以及(ii)功率源132与相应电极之间。
31.调谐电路控制供应至电极116的rf电压，且可以包含可针对所进行的衬底处理而进行调谐的可变和/或固定的阻抗。可对供应至电极116的rf电压及相应电流进行控制以改变所产生的等离子体的方面。例如，在某些电容耦合式等离子体(ccp)系统中，可将rf电压信号供应至下电极116以产生并维持等离子体。其他电信号(例如，从加热器160提供的功率信号)可通过rf滤波模块176。可包围于根据本发明的原理的rf滤波模块176内的示例性调谐与rf滤波电路在2018年8月2日提交的美国专利申请no.16/052,877中更加详细说明，在此将其全部内容引入。
32.现在参考图2a及2b，显示了衬底处理系统的示例性衬底处理工具200的底部平面图。工具200可包含一或更多个处理站204。如图所示，衬底处理工具200包含四个站204，但在其他示例中可包含更少或更多的站204。站204中的每一者可被配置成执行与其他的站204中所执行的处理相同或不同的处理。
33.站204中的每一者包含根据本公开内容的原理而配置和设置的相应的基座208和相应的rf滤波模块212。如图所示，基座控制模块216邻近于基座208而设置。例如，基座控制模块216包含致动器、电路等，其被配置成控制基座208的抬升与下降及旋转。rf滤波模块212中的每一者被配置成便于安装与维修。例如，rf滤波模块212中的每一者相对于基座208的相应一个以及衬底处理工具200的外周220而处于相同的位置。rf滤波模块212的面板(例如可移除的侧面板或前面板)224朝外面向外周220以便于维修。
34.现参照图3a、3b、4a、以及4b，其显示了示例性rf滤波模块(即，矩形rf滤波箱)300的图示。rf滤波模块300包含外部面板，包括前面板(例如可移除的前面板)304、背面板308、侧面板312以及316、顶面板320、以及底面板324。在图4a和4b中，显示了前面板304与顶面板320被移除的rf滤波模块300。
35.虽然大致上为矩形，但rf滤波模块300包含凹口或凹入拐角328。rf滤波模块300包含至少一个可调电容器332，用于调整rf滤波模块300的参数。例如，图4a和4b中的可调电容器332接收rf输入信号(例如经由直角rf电缆连接件336)，且由rf滤波模块300所输出的rf电压的大小根据电容器332的经调整的电容而变化。
36.在一些示例中，电容器332包含第一与第二圆柱，其具有可变的重叠部分。可利用编码器340和马达344以调整可调电容器332的电容(例如响应于来自控制器172的指示马达344的指令位置的信号)。例如，马达344改变电容器332的第一与第二圆柱的重叠部分以改
变电容。例如，马达344对应于步进马达，且编码器340对应于绝对编码器，其将电容器332的电容映射至马达344的指令位置。虽然电容器332被包围于rf滤波模块300内，但编码器340和马达344定位在rf滤波模块300的外部且在凹口拐角328内。因此，有助于接近马达344(例如，以进行更换、维修等)。
37.rf滤波模块300包含多个风扇，包括设置于前面板304的上部上的风扇348和352、以及设置于背面板308的下部上的风扇356。仅举例而言，风扇348、352、及356对应于80mm的风扇，且各自经由相应的振动垫358而安装于rf滤波模块300上。背面板308也可以包含用于连接件(未图示)的输出接触接口360与364，以将输出信号分别提供至加热器160和电极116(例如，对应于加热器功率信号以及rf输出电压的信号)。接触开关368被配置成提供信号(例如至控制器172)，这些信号指示rf滤波模块300是否被安装和固定且连接件336是否连接至rf滤波模块300，如以下更加详细描述的。例如，接触开关368被设置于适配器托架(未显示于图3a、3b、4a、及4b中；如以下更加详细描述的)上，该适配器托架被附着于rf滤波模块300。
38.侧面板312和316包含多个闩件372，其被配置成将rf滤波模块300安装在衬底处理工具200上。底面板324包含用于连接件(未图示)的输入接触接口376与378，其用于接收dc功率(例如以提供dc功率至rf滤波模块300的内部电路)以及加热器功率(例如以提供功率至加热器160)的输入信号。
39.在一些示例中，侧面板312对应于rf滤波模块300朝外面向衬底处理工具200的外周220的一侧以便于维修，如以上于图2a及2b中所述。侧面板312包含rf输入连接件380，其被配置成接收rf电缆连接件336。rf输入连接件380从rf电缆连接件336接收rf输入信号，并将该rf输入信号提供至如上所述的可调电容器332。
40.例如板片弹簧(如叶板弹簧(leaf spring))的接触机构382被设置于rf输入连接件380与rf电缆连接件336之间的接口处。例如，rf电缆连接件336经由叶板弹簧382中的开口384而连接至rf输入连接件380。叶板弹簧382的第一端(例如对应于具有安装托架386的一端)被连接至侧面板312，而第二端(例如对应于接触部分388)延伸超过侧面板312周边至接触开关368上方。
41.将rf电缆连接件336连接至rf输入连接件380(例如通过使用螺帽390将连接紧固)的操作使得叶板弹簧382朝向侧面板312以及接触开关368偏置。例如，接触开关368可以包含按钮392或其他接触机构。因此，当使rf电缆连接件336连接至rf输入连接件380时，叶板弹簧382的接触部分388与接触开关368的按钮392接合(例如，接触)。接触开关368被配置成产生指示接触部分388是否与接触开关368相接触(即，根据叶板弹簧382的位置)的信号。
42.以此方式，由接触开关368所产生的信号指示与rf滤波模块300相关联的多种状态。例如，这些信号指示rf滤波模块300是否被安装在衬底处理工具200上，以及rf电缆连接件336是否被连接至rf输入连接件380。在一些示例中，侧面板312可以包含可移除的通路面板394，以用于提供对rf滤波模块300的内部电路的通路。叶板弹簧382可以经由通路面板394而安装于侧面板312。例如，安装托架386可经由通路面板394而附着于侧面板312。因此，由接触开关368基于叶板弹簧382的位置所产生的信号可进一步指示通路面板394是否附着于侧面板312。
43.如图4a和4b中所示，rf滤波模块300可以限定多个隔室(如隔室400、402、及404)、
以及内部面板(如金属片面板)406、408、及410。例如，可调电容器332被安装于面板406上。面板408将隔室400与隔室402相隔开。面板410将隔室402与隔室404相隔开。面板408与410防止隔室400、402、及404内的相应的组件之间的信号泄漏。例如，面板408防止rf噪声从隔室400泄漏至隔室402中，而面板410防止隔室402与404之间的泄漏。
44.隔室400可以包围可调电容器332与编码器340以及电路如印刷电路板(pcb)412。pcb 412可以对应于包含rf滤波电路的pcb，该rf滤波电路用于过滤rf信号(例如经由rf电缆连接件336所接收)，其被提供至基座112(例如经由输出接触接口364)。如图所示，可调电容器332经由轴耦合件416而机械式地耦合至马达344，其中轴耦合件416被配置成根据马达344的旋转而转动，以对可调电容器332进行调整。绝缘间隔件420被设置于轴耦合件416周围且位于可调电容器332与面板406的表面之间。因此，间隔件420使得可调电容器332与面板406绝缘。
45.隔室402可以包围电路如高频滤波pcb(未图示)，其包含用于过滤高频信号(例如从经由接触接口378提供的信号中)并且将经滤波的信号提供至输出接触接口360的电路。隔室404可以包围电路如低频滤波pcb424，其包含用于过滤低频信号(例如从经由接触接口378提供的信号中)并将经滤波的信号提供至输出接触接口360的电路。
46.图5a、5b、5c以及5d显示了根据本发明的rf滤波模块300的另一示例的图示。在该示例中，风扇348及352处于偏离布置中。此外，开口384被配置成围绕rf电缆连接件336和rf输入连接件380的切口，而非提供开口384以使rf电缆连接件336穿过叶板弹簧382。与图3a和3b中所述的示例形成对比，rf输入连接件380与rf电缆连接件336集成。换言之，rf电缆连接件336并非可移除式地附着于rf输入连接件380(例如利用螺帽390)。rf滤波模块300的顶面板320和/或其他面板可包含一或更多拉链束带固定器(zip tie anchors)500和风扇托架504。
47.如图5c和5d所示，rf滤波模块300的背面板308被配置成连接至适配器托架508。例如，适配器托架508包含输入接触接口512以及516，其被配置成分别连接至输出接触接口360与364。例如，输入接触接口512及516包含销件520，其被配置成插入输出接触接口360与364的相应插座524。因此，当被安装于处理室上时，rf滤波模块300经由适配器托架508而提供信号(如加热器功率及rf输出电压)至处理室的组件。从适配器托架508延伸的对准销件528被配置成插入rf滤波模块300的背板308中的对准孔532。相反地，从背板308延伸的对准销件536被配置成插入适配器托架508中的对准孔540。接触开关368被设置于适配器托架508上，如图5c中所示。
48.如图5c中所示，叶板弹簧382的安装托架386被连接至侧面板312以及调谐电路组件544。调谐电路组件544包含设置于安装板552上的一或更多个组件(例如电感器548)，安装板552被附着于侧面板312。例如，电感器548被设置于印刷电路组件556上，印刷电路组件556被设置于从安装板552延伸的多个支架560之间。侧面板312包含开口564，其被配置成容纳从安装板552延伸的调谐电路组件544的组件。
49.图5e显示了rf滤波模块300的前面板304的一部分的近视图，其中探针接口模块568被连接至rf电缆连接件336。探针接口模块568包含用于连接rf探针(例如vi探针)的连接件570。图5f为图5a、5b、5c、以及5d的rf滤波模块300的底部平面图。
50.前面的描述本质上仅仅是说明性的，并且绝不旨在限制本公开、其应用或用途。本
公开的广泛教导可以以各种形式实现。因此，虽然本公开包括特定示例，但是本公开的真实范围不应当被如此限制，因为在研究附图、说明书和所附权利要求时，其他修改将变得显而易见。应当理解，在不改变本公开的原理的情况下，方法中的一个或多个步骤可以以不同的顺序(或同时地)执行。此外，虽然每个实施方案在上面被描述为具有某些特征，但是相对于本公开的任何实施方案描述的那些特征中的任何一个或多个，可以在任何其它实施方案的特征中实现和/或与任何其它实施方案的特征组合，即使该组合没有明确描述。换句话说，所描述的实施方案不是相互排斥的，并且一个或多个实施方案彼此的置换保持在本公开的范围内。
51.使用各种术语来描述元件之间(例如，模块之间、电路元件之间、半导体层之间等)的空间和功能关系，各种术语包括“连接”、“接合”、“耦合”、“相邻”、“紧挨”、“在...顶部”、“在...上面”、“在...下面”和“设置”。除非将第一和第二元件之间的关系明确地描述为“直接”，否则在上述公开中描述这种关系时，该关系可以是直接关系，其中在第一和第二元件之间不存在其它中间元件，但是也可以是间接关系，其中在第一和第二元件之间(在空间上或功能上)存在一个或多个中间元件。如本文所使用的，短语“a、b和c中的至少一个”应当被解释为意味着使用非排他性逻辑或(or)的逻辑(a或b或c)，并且不应被解释为表示“a中的至少一个、b中的至少一个和c中的至少一个”。
52.在一些实现方式中，控制器是系统的一部分，该系统可以是上述示例的一部分。这样的系统可以包括半导体处理设备，半导体处理设备包括一个或多个处理工具、一个或多个室、用于处理的一个或多个平台、和/或特定处理部件(晶片基座、气体流系统等)。这些系统可以与用于在半导体晶片或衬底的处理之前、期间和之后控制它们的操作的电子器件集成。电子器件可以被称为“控制器”，其可以控制一个或多个系统的各种部件或子部件。根据处理要求和/或系统类型，控制器可以被编程以控制本文公开的任何处理，包括处理气体的输送、温度设置(例如加热和/或冷却)、压力设置、真空设置、功率设置、射频(rf)产生器设置、rf匹配电路设置、频率设置、流率设置、流体输送设置、位置和操作设置、晶片转移进出工具和其他转移工具和/或与具体系统连接或通过接口连接的装载锁。
53.概括地说，控制器可以定义为电子器件，电子器件具有接收指令、发出指令、控制操作、启用清洁操作、启用端点测量等的各种集成电路、逻辑、存储器和/或软件。集成电路可以包括存储程序指令的固件形式的芯片、数字信号处理器(dsp)、定义为专用集成电路(asic)的芯片、和/或一个或多个微处理器、或执行程序指令(例如，软件)的微控制器。程序指令可以是以各种单独设置(或程序文件)的形式发送到控制器的指令，单独设置(或程序文件)定义用于在半导体晶片或系统上或针对半导体晶片或系统执行特定处理的操作参数。在一些实施方案中，操作参数可以是由工艺工程师定义的配方的一部分，以在一或多个(种)层、材料、金属、氧化物、硅、二氧化硅、表面、电路和/或晶片的管芯的制造期间完成一个或多个处理步骤。
54.在一些实现方式中，控制器可以是与系统集成、耦合到系统、以其它方式联网到系统或其组合的计算机的一部分或耦合到该计算机。例如，控制器可以在“云”中或是晶片厂(fab)主机系统的全部或一部分，其可以允许对晶片处理的远程访问。计算机可以实现对系统的远程访问以监视制造操作的当前进展、检查过去制造操作的历史、检查多个制造操作的趋势或性能标准，改变当前处理的参数、设置处理步骤以跟随当前的处理、或者开始新的
处理。在一些示例中，远程计算机(例如服务器)可以通过网络(其可以包括本地网络或因特网)向系统提供处理配方。远程计算机可以包括使得能够输入或编程参数和/或设置的用户界面，然后将该参数和/或设置从远程计算机发送到系统。在一些示例中，控制器接收数据形式的指令，其指定在一个或多个操作期间要执行的每个处理步骤的参数。应当理解，参数可以特定于要执行的处理的类型和工具的类型，控制器被配置为与该工具接口或控制该工具。因此，如上所述，控制器可以是例如通过包括联网在一起并朝着共同目的(例如本文所述的处理和控制)工作的一个或多个分立的控制器而呈分布式。用于这种目的的分布式控制器的示例是在与远程(例如在平台级或作为远程计算机的一部分)的一个或多个集成电路通信的室上的一个或多个集成电路，其组合以控制在室上的处理。
55.示例系统可以包括但不限于等离子体蚀刻室或模块、沉积室或模块、旋转漂洗室或模块、金属电镀室或模块、清洁室或模块、倒角边缘蚀刻室或模块、物理气相沉积(pvd)室或模块、化学气相沉积(cvd)室或模块、原子层沉积(ald)室或模块、原子层蚀刻(ale)室或模块、离子注入室或模块、轨道室或模块、以及可以与半导体晶片的制造和/或制备相关联或用于半导体晶片的制造和/或制备的任何其它半导体处理系统。
56.如上所述，根据将由工具执行的一个或多个处理步骤，控制器可以与一个或多个其他工具电路或模块、其它工具部件、群集工具、其他工具接口、相邻工具、邻近工具、位于整个工厂中的工具、主计算机、另一控制器、或在将晶片容器往返半导体制造工厂中的工具位置和/或装载口运输的材料运输中使用的工具通信。