制冷设备控制方法、制冷设备及存储介质与流程

1.本技术涉及家用电器技术领域，具体涉及一种制冷设备控制方法、制冷设备及存储介质。


背景技术：

2.相关技术中，大多数冰箱都是通过降低温度的方式来保护食材，从而实现降低细菌生长和繁殖的速度，从而对食材进行保鲜。但是在温度较低的环境下，细菌仍然会繁殖，从而导致食物变质。


技术实现要素：

3.本技术实施例提供一种制冷设备控制方法、制冷设备及存储介质。该制冷设备控制方法能够控制磁场发生装置产生对应磁场强度的磁场来提升食材的保鲜效果。
4.第一方面，本技术实施例提供了一种制冷设备控制方法，包括：
5.确定所述磁场发生装置产生的第一磁场的理论磁场强度；
6.通过所述磁场检测装置检测所述第一磁场的检测磁场强度；
7.根据所述理论磁场强度和所述检测磁场强度确定参考磁场强度；
8.根据所述参考磁场强度对所述第一磁场的磁场强度进行调控，以得到目标磁场强度的第二磁场。
9.第二方面，本技术实施例提供了一种制冷设备，所述制冷设备包括存储室及处理器，所述存储室内设置有磁场发生装置及磁场检测装置，所述磁场发生装置、磁场检测装置均与所述处理器电连接，所述处理器用于执行权利本技术实施例提供的制冷设备控制方法。
10.第三方面，本技术实施例提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序适于处理器进行加载，以执行本技术实施例提供的制冷设备控制方法中的步骤。
11.本技术实施例中，制冷设备通过确定磁场发生装置产生的第一磁场的理论磁场强度，然后通过磁场检测装置检测第一磁场的检测磁场强度，再根据理论磁场强度和检测磁场强度确定参考磁场强度，最后根据参考磁场强度对第一磁场的磁场强度进行调控，以得到目标磁场强度的第二磁场。从而实现控制磁场发生装置产生对应磁场强度的磁场来提升食材的保鲜效果。
附图说明
12.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
13.图1是本技术实施例提供的制冷设备控制方法的第一流程示意图。
14.图2是本技术实施例提供的制冷设备控制方法的第二流程示意图。
15.图3是本技术实施例提供的制冷设备控制装置的结构示意图。
16.图4是本技术实施例提供的制冷设备的电路示意图。
17.图5是本技术实施例提供的制冷设备的结构示意图。
具体实施方式
18.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
19.相关技术中，大多数冰箱都是通过降低温度的方式来保护食材，从而实现降低细菌生长和繁殖的速度，从而对食材进行保鲜。但是在温度较低的环境下，细菌仍然会繁殖，从而导致食物变质。
20.为了解决该技术问题，本技术实施例提供了一种制冷设备控制方法、装置、电子设备及存储介质。该制冷设备控制方法能够控制磁场发生装置产生对应磁场强度的磁场来提升食材的保鲜效果。
21.为了解决该技术问题，本技术实施例提供的制冷设备中设置有磁场检测装置和磁场发生装置，该磁场发生装置产生一定磁场强度的磁场，该磁场能够实现磁场抗氧化和磁场杀菌。
22.其中，磁场抗氧化，磁场会提高一些抗氧化物酶如过氧化氢酶和超氧化物歧化酶的活性，消除样品中的过氧化氢及超氧自由基，保护样品组织细胞免受氧化损伤，从而实现对食材的保鲜。
23.磁场杀菌，磁场可改变微生物代谢机制，降低细菌、霉菌及真菌毒素合成基因片段的相对表达水平，有效抑制微生物毒素的产生，从而实现对食材的保鲜。
24.这样通过磁场来实现对制冷设备内的食材的保鲜期进行延长。在实际应用中，磁场发生装置可能会发生老化、损坏等现象，从而导致磁场发生装置产生的磁场的磁场强度发生变化。因此，本技术实施例中通过增加磁场检测装置来对磁场发生装置产生的磁场进行检测，从而实现对磁场发生装置产生的磁场的磁场强度进行调节。从而控制磁场发生装置产生对应磁场强度的磁场来提升食材的保鲜效果。
25.请参阅图1，图1是本技术实施例提供的制冷设备控制方法的第一流程示意图。该制冷设备控制方法可以包括以下步骤：
26.110、确定磁场发生装置产生的第一磁场的理论磁场强度
27.磁场具有波粒的辐射特性。磁体周围存在磁场，磁体间的相互作用就是以磁场作为媒介的，所以两磁体不用在物理层面接触就能发生作用。电流、运动电荷、磁体或变化电场周围空间存在的一种特殊形态的物质。由于磁体的磁性来源于电流，电流是电荷的运动，因而概括地说，磁场是由运动电荷或电场的变化而产生的。
28.在本技术实施例中，可以采用电生磁的方式来实现磁场发生装置来产生磁场，比如，磁场发生装置是通过多圈线圈缠绕而成的，当线圈通电时，就会产生磁场。
29.当制冷设备提供一定的电流时，通过电磁计算公式，就能够确定该电流下磁场产生装置所产生的第一磁场的理论磁场强度。
30.120、通过磁场检测装置检测第一磁场的检测磁场强度。
31.在一些实施方式中，在制冷设备的存储室内设置有磁场检测装置，磁场检测装置能够对磁场发生装置产生的磁场进行检测。
32.该磁场检测装置可以是石墨烯霍尔传感器，石墨烯作为半导体霍尔元件材料，在硅衬底(si/sio2)上制备一种构型为电阻及霍尔系数测量结构的传感器，并采用3-氨丙基三乙氧基硅烷(aptes)预处理硅衬底，可提高传感器的灵敏度，另外电阻及霍尔系数测量结构构型能够尽可能地减小因所监测实体几何形状引起的磁阻效应。其中，磁阻效应为半导体的电阻值随外加磁场变化而变化的现象。
33.也就是说，本技术实施例中的磁场检测装置能够准确的、灵敏的对磁场发生装置产生的磁场进行检测，从而得到磁场发生装置产生的第一磁场的检测磁场强度。
34.在一些实施方式中，该检测磁场强度可以是某一时刻磁场发生装置产生第一磁场时对应的磁场强度。还可以是多个时段磁场发生装置产生的第一磁场的平均磁场强度，比如第一时段第一磁场强度为5a/m，第二时段磁场强度为7a/m，那么平均磁场强度为6a/m，将该平均磁场强度作为检测磁场强度。
35.在一些实施方式中，磁场检测装置可以连续的对制冷设备存储室内的磁场的磁场强度进行检测。或者磁场检测装置可以在不同的周期内，对制冷设备存储室内的磁场强度进行检测，比如每两个小时为一个周期。
36.130、根据理论磁场强度和检测磁场强度确定参考磁场强度。
37.在一些实施方式中，制冷设备可以确定在历史周期内磁场发生装置产生第一磁场的第一历史时长，以及未产生第一磁场的第二历史时长；然后，根据检测磁场强度、第一历史时长和第二历史时长确定历史周期内第一磁场对应的实际磁场强度；最后，根据理论磁场强度和实际磁场强度确定参考磁场强度。需要说明的是，参考磁场强度是后续对磁场发生装置所产生的磁场的磁场强度进行调节的一个衡量标准，可以根据参考磁场强度来对后续磁场发生装置产生的磁场进行调节。
38.比如，以当前时间点时间终点，根据周期时长及当前时间点来确定出上一历史周期的时间起点。制冷设备从上一历史周期的时间起点开始确定在历史周期内磁场发生装置产生第一磁场的第一历史时长，以及未产生第一磁场的第二历史时长。
39.例如，在磁场检测装置检测到有磁场强度时，则认为该时刻磁场发生装置产生了第一磁场，如果磁场检测装置在某一时段没有检测到磁场强度，则认为此时段内磁场发生装置没有产生第一磁场。
40.或者，在磁场检测装置检测到某时段磁场强度大于预设值时，则认为该时段磁场发生装置产生了第一磁场，如果磁场检测装置在另一时段检测到磁场强度小于预设值时，则认为此时段内磁场发生装置没有产生第一磁场。
41.在一些实施方式中，在历史周期内，可能是多个时段磁场发生装置产生了第一磁场，多个时段磁场发生装置没有产生第一磁场，那么将多个磁场发生装置产生了第一磁场的时段相加，就得到了第一历史时长。将多个磁场发生装置没有产生第一磁场的时段相加，就得到了第二历史时长。
42.在一些实施方式中，在确定好第一历史时长和第二历史时长之后，再通过检测磁场强度、第一历史时长和第二历史时长来确定出实际磁场强度。
43.比如，通过以下计算公式来计算出实际磁场强度。公式如下：
44.a＝a*t1/(t1 t2)
45.其中a为实际磁场强度，a为检测磁场强度，t1为第一历史时长、t2为第二历史时长。
46.在一些实施方式中，可以获取理论磁场强度和实际磁场强度之间的差值，将差值确定为参考磁场强度。需要说明的是，该实际磁场强度为反映该历史周期内第一磁场作用于食材的磁场强度。
47.140、根据参考磁场强度对第一磁场的磁场强度进行调控，以得到目标磁场强度的第二磁场。
48.在一些实施方式中，制冷设备可以确定参考磁场强度所处的目标磁场强度范围；根据目标磁场强度范围对第一磁场的磁场强度进行调控，以得到目标磁场强度的第二磁场。
49.比如，当目标磁场强度范围为第一磁场强度范围时，目标磁场强度与第一磁场的磁场强度相同，确定第一磁场为第二磁场；
50.当目标磁场强度范围为第二磁场强度范围时，则降低第一磁场的磁场强度，以得到目标磁场强度的第二磁场，其中第二磁场强度范围的最小值大于第一磁场强度范围的最大值；
51.当目标磁场强度范围为第三磁场强度范围时，则增强第一磁场的磁场强度，以得到目标磁场强度的第二磁场，其中第三磁场强度范围的最大值小于第一磁场强度范围的最小值。
52.在一些实施方式中，制冷设备还可以确定下一周期内第二磁场对应的参考磁场强度；若第二磁场对应的参考磁场强度不在预设磁场强度范围内，则确定磁场发生装置出现故障，并展示故障信息。
53.比如，第二磁场对应的参考磁场强度为-6a/m，预设磁场强度范围为-0.5a/m到0.5a/m。那么此时认为磁场发生装置已经不能准确的将产生的磁场的磁场强度调节至目标磁场强度，此时认为磁场发生装置已经发生了损坏、故障，此时制冷设备会展示出磁场发生装置的故障信息，以提醒用户维修磁场发生装置。
54.如果第二磁场对应的参考磁场强度为-0.1a/m，预设磁场强度范围为-0.5a/m到0.5a/m。则此时第二磁场对应的参考磁场强度在预设磁场强度范围内。说明磁场发生装置产生了目标磁场强度的第二磁场，此时磁场发生装置功能正常。
55.在本技术实施例中，通过对磁场发生装置产生的磁场进行调节，使得磁场发生装置能够产生对应磁场强度的磁场来提升食材的保鲜效果。
56.本技术实施例中，制冷设备通过确定磁场发生装置产生的第一磁场的理论磁场强度，然后通过磁场检测装置检测第一磁场的检测磁场强度，再根据理论磁场强度和检测磁场强度确定参考磁场强度，最后根据参考磁场强度对第一磁场的磁场强度进行调控，以得到目标磁场强度的第二磁场。从而实现控制磁场发生装置产生对应磁场强度的磁场来提升食材的保鲜效果。
57.为了更加详细的说明本技术实施例提供的制冷设备控制方法，请参阅图2，图2是本技术实施例提供的制冷设备控制方法的第二流程示意图。其中，该制冷设备控制方法可以包括以下步骤：
58.201、确定磁场发生装置产生的第一磁场的理论磁场强度。
59.在本技术实施例中，可以采用电生磁的方式来实现磁场发生装置来产生磁场，比如，磁场发生装置是通过多圈线圈缠绕而成的，当线圈通电时，就会产生磁场。
60.当制冷设备提供一定的电流时，通过电磁计算公式，就能够确定该电流下磁场产生装置所产生的第一磁场的理论磁场强度。
61.202、通过磁场检测装置检测第一磁场的检测磁场强度。
62.在一些实施方式中，该检测磁场强度可以是某一时刻磁场发生装置产生第一磁场时对应的磁场强度。还可以是多个时段磁场发生装置产生的第一磁场的平均磁场强度，比如第一时段第一磁场强度为5a/m，第二时段磁场强度为7a/m，那么平均磁场强度为6a/m，将该平均磁场强度作为检测磁场强度。
63.在一些实施方式中，磁场检测装置可以连续的对制冷设备存储室内的磁场的磁场强度进行检测。或者磁场检测装置可以在不同的周期内，对制冷设备存储室内的磁场强度进行检测，比如每两个小时为一个周期。
64.203、确定在历史周期内磁场发生装置产生第一磁场的第一历史时长，以及未产生第一磁场的第二历史时长。
65.比如，以当前时间点时间终点，根据周期时长及当前时间点来确定出上一历史周期的时间起点。制冷设备从上一历史周期的时间起点开始确定在历史周期内磁场发生装置产生第一磁场的第一历史时长，以及未产生第一磁场的第二历史时长。
66.例如，在磁场检测装置检测到有磁场强度时，则认为该时刻磁场发生装置产生了第一磁场，如果磁场检测装置在某一时段没有检测到磁场强度，则认为此时段内磁场发生装置没有产生第一磁场。
67.或者，在磁场检测装置检测到某时段磁场强度大于预设值时，则认为该时段磁场发生装置产生了第一磁场，如果磁场检测装置在另一时段检测到磁场强度小于预设值时，则认为此时段内磁场发生装置没有产生第一磁场。
68.在一些实施方式中，在历史周期内，可能是多个时段磁场发生装置产生了第一磁场，多个时段磁场发生装置没有产生第一磁场，那么将多个磁场发生装置产生了第一磁场的时段相加，就得到了第一历史时长。将多个磁场发生装置没有产生第一磁场的时段相加，就得到了第二历史时长。
69.204、根据检测磁场强度、第一历史时长和第二历史时长确定历史周期内第一磁场对应的实际磁场强度。
70.比如，通过以下计算公式来计算出实际磁场强度。公式如下：
71.a＝a*t1/(t1 t2)
72.其中a为实际磁场强度，a为检测磁场强度，t1为第一历史时长、t2为第二历史时长。该实际磁场强度为反映该历史周期内第一磁场作用于食材的磁场强度。
73.205、根据理论磁场强度和实际磁场强度确定参考磁场强度。
74.在一些实施方式中，可以获取理论磁场强度和实际磁场强度之间的差值，将差值
确定为参考磁场强度。需要说明的是，参考磁场强度是后续对磁场发生装置所产生的磁场的磁场强度进行调节的一个衡量标准，可以根据参考磁场强度来对后续磁场发生装置产生的磁场进行调节。
75.206、确定参考磁场强度所处的目标磁场强度范围。
76.在一些实施方式中，可以预先确定设置第一磁场强度范围、第二磁场强度范围和第三磁场强度范围，第一磁场强度范围为-0.5a/m到0.5a/m，第二磁场强度范围为0.5a/m以上，第三磁场强度范围在-0.5a/m以下。
77.也就是说，第二磁场强度范围的最小值大于第一磁场强度范围的最大值。第三磁场强度范围的最大值小于第一磁场强度范围的最小值。
78.制冷设备可以确定出参考磁场强度所处的目标磁场强度范围。比如参考磁场强度为0.8a/m，则目标磁场强度范围为第二磁场强度范围。
79.207、根据目标磁场强度范围对第一磁场的磁场强度进行调控，以得到目标磁场强度的第二磁场。
80.比如，当目标磁场强度范围为第一磁场强度范围时，目标磁场强度与第一磁场的磁场强度相同，确定第一磁场为第二磁场；
81.当目标磁场强度范围为第二磁场强度范围时，则降低第一磁场的磁场强度，以得到目标磁场强度的第二磁场；
82.当目标磁场强度范围为第三磁场强度范围时，则增强第一磁场的磁场强度，以得到目标磁场强度的第二磁场。
83.在一些实施方式中，在一个周期内，如果磁场发生装置通电的时间为s1，在时长s1内磁场发生装置产生了磁场。磁场发生装置断电的时间为s2，在时长s2内磁场发生装置没有产生磁场。然后确定s1和s2的比值。
84.如果需要增强磁场发生装置产生的磁场的磁场强度，则可以控制下一个周期内s1和s2的比值提高。如果需要降低磁场发生装置产生的磁场的磁场强度，则可以控制下一个周期内s1和s2的比值降低。
85.在一些实施方式中，还可以通过调节磁场发生装置通入的电流的大小来控制磁场发生装置产生的第二磁场的磁场强度，比如加大通入的电流，那么磁场发生装置产生的第二磁场的磁场强度增加。如果减小通入的电流，那么磁场发生装置产生的第二磁场的磁场强度降低。
86.在一些实施方式中，还可以通过检测存储室内存储的食物类型，然后磁场发生装置根据食材类型产生适用于该食物的磁场。然后通过磁场检测装置检测该磁场的磁场强度，从而调节磁场发生装置产生的磁场时一直适合该食材的，从而提升制冷设备对食材的保鲜效果。
87.在本技术实施例中，通过确定磁场发生装置产生的第一磁场的理论磁场强度，并通过磁场检测装置检测第一磁场的检测磁场强度，然后确定在历史周期内磁场发生装置产生第一磁场的第一历史时长，以及未产生第一磁场的第二历史时长，再根据检测磁场强度、第一历史时长和第二历史时长确定历史周期内第一磁场对应的实际磁场强度。然后根据理论磁场强度和实际磁场强度确定参考磁场强度，确定参考磁场强度所处的目标磁场强度范围，最后根据目标磁场强度范围对第一磁场的磁场强度进行调控，以得到目标磁场强度的
第二磁场。从而控制磁场发生装置产生对应磁场强度的磁场来提升食材的保鲜效果。
88.相应地，本技术实施例还提供了一种制冷设备控制装置，如图3所示，图3是本技术实施例提供的制冷设备控制装置的结构示意图。该制冷设备控制装置可以执行本技术实施例提供的制冷设备控制方法中的步骤。制冷设备控制装置300包括：
89.第一确定模块310，用于确定所述磁场发生装置产生的第一磁场的理论磁场强度。
90.检测模块320，用于通过所述磁场检测装置检测所述第一磁场的检测磁场强度；
91.第二确定模块330，用于根据所述理论磁场强度和所述检测磁场强度确定参考磁场强度。
92.在一些实施方式中，第二确定模块330用于确定在历史周期内所述磁场发生装置产生所述第一磁场的第一历史时长，以及未产生所述第一磁场的第二历史时长；根据所述检测磁场强度、所述第一历史时长和所述第二历史时长确定所述历史周期内所述第一磁场对应的实际磁场强度；根据所述理论磁场强度和所述实际磁场强度确定所述参考磁场强度。
93.调控模块340，用于根据所述参考磁场强度对所述第一磁场的磁场强度进行调控，以得到目标磁场强度的第二磁场。
94.在一些实施方式中，调控模块340用于当所述目标磁场强度范围为第一磁场强度范围时，所述目标磁场强度与所述第一磁场的磁场强度相同，确定所述第一磁场为所述第二磁场；
95.当所述目标磁场强度范围为第二磁场强度范围时，则降低所述第一磁场的磁场强度，以得到目标磁场强度的第二磁场，其中所述第二磁场强度范围的最小值大于所述第一磁场强度范围的最大值；
96.当所述目标磁场强度范围为第三磁场强度范围时，则增强所述第一磁场的磁场强度，以得到目标磁场强度的第二磁场，其中所述第三磁场强度范围的最大值小于所述第一磁场强度范围的最小值。
97.本技术实施例中，制冷设备通过确定磁场发生装置产生的第一磁场的理论磁场强度，然后通过磁场检测装置检测第一磁场的检测磁场强度，再根据理论磁场强度和检测磁场强度确定参考磁场强度，最后根据参考磁场强度对第一磁场的磁场强度进行调控，以得到目标磁场强度的第二磁场。从而实现控制磁场发生装置产生对应磁场强度的磁场来提升食材的保鲜效果。
98.请参阅图4，图4是本技术实施例提供的制冷设备的电路示意图。
99.其中，该电路包括磁场发生装置510、磁场检测装置520、处理器540、电源560和开关k。
100.其中，磁场发生装置510、磁场检测装置520均与处理器540电连接。处理器540可以获取磁场发生装置510、磁场检测装置520分别产生的数据。比如获取磁场发生装置510产生的磁场的理论磁场强度，获取磁场检测装置520检测的检测磁场强度。
101.电源560和磁场检测装置520连接，电源560和磁场发生装置510之间设置有开关k，处理器540和开关k连接，处理器540用于控制开关k的连通和断开。
102.当开关k连通时，则电源560为磁场发生装置510供电。当开关k断开时，则电源560停止为磁场发生装置510供电。从而实现了处理器540控制磁场发生装置510产生磁场的时
长。
103.请一并参阅图5，图5是本技术实施例提供的制冷设备的第二结构示意图。制冷设备包括磁场发生装置510、磁场检测装置520、显示单元530、有一个或者一个以上处理核心的处理器540、一个或一个以上计算机可读存储介质的存储器550。
104.磁场发生装置510用于产生不同磁场强度的磁场。磁场检测装置520用于检测磁场发生装置510产生的磁场的磁场强度。
105.显示单元530可用于显示由用户输入的信息或提供给用户的信息以及电子设备的各种图形用户接口，这些图形用户接口可以由图形、文本、图标、视频和其任意组合来构成。显示单元530可包括显示面板，可选的，可以采用液晶显示器(lcd，liquid crystal display)、有机发光二极管(oled，organic light-emitting diode)等形式来配置显示面板。
106.存储器550可用于存储软件程序以及模块，处理器540通过运行存储在存储器550的软件程序以及模块，从而执行各种功能应用以及数据处理。存储器550可主要包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需的应用程序等；存储数据区可存储根据制冷设备的使用所创建的数据等。此外，存储器550可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非易失性存储器，例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他易失性固态存储器件。相应地，存储器550还可以包括存储器控制器，以提供处理器540对存储器550的访问。
107.处理器540是制冷设备的控制中心，利用各种接口和线路连接整个制冷设备的各个部分，通过运行或执行存储在存储器550内的软件程序和/或模块，以及调用存储在存储器550内的数据，执行制冷设备的各种功能和处理数据，从而对制冷设备进行整体监控。
108.具体在本实施例中，制冷设备中的处理器540会按照如下的指令，将一个或一个以上的应用程序的进程对应的可执行文件加载到存储器550中，并由处理器540来运行存储在存储器550中的应用程序，从而实现各种功能：
109.确定所述磁场发生装置产生的第一磁场的理论磁场强度；
110.通过所述磁场检测装置检测所述第一磁场的检测磁场强度；
111.根据所述理论磁场强度和所述检测磁场强度确定参考磁场强度；
112.根据所述参考磁场强度对所述第一磁场的磁场强度进行调控，以得到目标磁场强度的第二磁场。
113.本领域普通技术人员可以理解，上述实施例的各种方法中的全部或部分步骤可以通过指令来完成，或通过指令控制相关的硬件来完成，该指令可以存储于一计算机可读存储介质中，并由处理器进行加载和执行。
114.为此，本技术实施例提供一种计算机可读存储介质，其中存储有多条指令，该指令能够被处理器进行加载，以执行本技术实施例所提供的任一种制冷设备控制方法中的步骤。例如，该指令可以执行如下步骤：
115.确定所述磁场发生装置产生的第一磁场的理论磁场强度；
116.通过所述磁场检测装置检测所述第一磁场的检测磁场强度；
117.根据所述理论磁场强度和所述检测磁场强度确定参考磁场强度；
118.根据所述参考磁场强度对所述第一磁场的磁场强度进行调控，以得到目标磁场强
度的第二磁场。
119.以上各个操作的具体实施可参见前面的实施例，在此不再赘述。
120.其中，该存储介质可以包括：只读存储器(rom，read only memory)、随机存取记忆体(ram，random access memory)、磁盘或光盘等。
121.由于该存储介质中所存储的指令，可以执行本技术实施例所提供的任一种制冷设备控制方法中的步骤，因此，可以实现本技术实施例所提供的任一种制冷设备控制方法所能实现的有益效果，详见前面的实施例，在此不再赘述。
122.以上对本技术实施例所提供的一种制冷设备控制方法、制冷设备及存储介质，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。