一种用于气相外延反应腔结构的升降控温机构的制作方法

技术特征：
1.一种用于气相外延反应腔结构的升降控温机构，包括支撑基板、驱动机构和沉积基座，驱动机构的输出端与沉积基座的输入轴相连接，其特征在于：所述支撑基座的下方设置有定位轴承座和伺服电机，定位轴承座和伺服电机均安装在设备基座上，定位轴承座的轴承内圈安装有调节丝杆，调节丝杆上螺纹连接有滚珠螺母，滚珠螺母上环形阵列安装有垂直延伸杆，垂直延伸杆的末端与支撑基座的底部表面相连接；所述伺服电机的输出轴通过减速器连接有主动转轴，主动转轴上安装有主动轮，调节丝杆上安装有与主动轮相适配的从动轮，主动轮和从动轮之间传动连接有传动条。2.根据权利要求1所述的一种用于气相外延反应腔结构的升降控温机构，其特征在于：所述定位轴承座的轴承内圈垂直中心线与沉积基座的中心线相重合。3.根据权利要求1所述的一种用于气相外延反应腔结构的升降控温机构，其特征在于：所述调节丝杆采用jis等级精度为c3及更高精度的丝杠，调节丝杆的螺纹调节两端均设置有限位圈。4.根据权利要求1所述的一种用于气相外延反应腔结构的升降控温机构，其特征在于：所述伺服电机采用转速为0.1-100r/min及转速更低的正反转步进电机，减速器采用传动比为1：1000及传动比更大的减速器。5.根据权利要求1所述的一种用于气相外延反应腔结构的升降控温机构，其特征在于：所述调节丝杆的螺纹传动末端与支撑基座的底部表面之间留有调节距离，调节丝杆的螺纹调节长度小于支撑基座底部表面与调节丝杆末端之间的距离。6.根据权利要求1所述的一种用于气相外延反应腔结构的升降控温机构，其特征在于：所述主动轮和从动轮之间通过传动条在同一高度水平面同步传动。7.根据权利要求1所述的一种用于气相外延反应腔结构的升降控温机构，其特征在于：所述垂直延伸杆为l形状的支撑杆。

技术总结
本实用新型涉及GaN制备相关技术领域，且公开了一种用于气相外延反应腔结构的升降控温机构，包括支撑基板、驱动机构和沉积基座，驱动机构的输出端与沉积基座的输入轴相连接，所述支撑基座的下方设置有定位轴承座和伺服电机，定位轴承座和伺服电机均安装在设备基座上，定位轴承座的轴承内圈安装有调节丝杆，调节丝杆上螺纹连接有滚珠螺母，滚珠螺母上环形阵列安装有垂直延伸杆，垂直延伸杆的末端与支撑基座的底部表面相连接。该用于气相外延反应腔结构的升降控温机构，区别于传统的沉积基座结构，可根据GaN晶体的生长速度来缓慢调节沉积基座的水平位置高度，从而保障GaN晶体在恒定温度环境下沉积生长，提高GaN晶体的生长质量。量。量。


技术研发人员：张海涛 山本晓 许彬
受保护的技术使用者：无锡吴越半导体有限公司
技术研发日：2021.07.20
技术公布日：2022/4/1