一种TOPCon太阳能电池及其制备方法、光伏组件与流程

技术特征：
1.一种topcon太阳能电池制备方法，其特征在于，包括：在硅片的背面形成氧化硅层；采用原位掺杂的方式在所述氧化硅层背离所述硅片的表面形成第一掺杂非晶硅层；在所述第一掺杂非晶硅层背离所述氧化硅层的表面形成本征非晶硅层；对所述本征非晶硅层进行掺杂形成第二掺杂非晶硅层；对所述第一掺杂非晶硅层和所述第二掺杂非晶硅层同时进行晶化处理，对应形成第一掺杂多晶硅层和第二掺杂多晶硅层，得到topcon太阳能电池。2.如权利要求1所述的topcon太阳能电池制备方法，其特征在于，所述对所述本征非晶硅层进行掺杂形成第二掺杂非晶硅层包括：采用扩散的方式对所述本征非晶硅层进行掺杂，形成所述第二掺杂非晶硅层。3.如权利要求1所述的topcon太阳能电池制备方法，其特征在于，所述对所述本征非晶硅层进行掺杂形成第二掺杂非晶硅层包括：采用离子注入的方式对所述本征非晶硅层进行掺杂，形成所述第二掺杂非晶硅层。4.如权利要求1所述的topcon太阳能电池制备方法，其特征在于，所述在所述第一掺杂非晶硅层背离所述氧化硅层的表面形成非晶硅层包括：采用低压化学气相沉积法、等离子体增强化学气相沉积法、溅射法中的任一种方法形成所述非晶硅层。5.如权利要求1所述的topcon太阳能电池制备方法，其特征在于，所述在硅片的背面形成氧化硅层包括：抛光所述硅片的所述背面；在抛光后背面形成所述氧化硅层。6.如权利要求1至5任一项所述的topcon太阳能电池制备方法，其特征在于，所述在硅片的背面形成氧化硅层之前，还包括：对所述硅片进行制绒。7.一种topcon太阳能电池，其特征在于，所述topcon太阳能电池采用如权利要求1至6任一项所述的topcon太阳能电池制备方法制得。8.如权利要求7所述的topcon太阳能电池，其特征在于，第一掺杂多晶硅层的厚度在5nm~40nm之间，第二掺杂多晶硅层的厚度在20nm~200nm之间，包括所有端点值。9.一种光伏组件，其特征在于，所述光伏组件包括如权利要求7或8所述的topcon太阳能电池。

技术总结
本申请公开了一种TOPCon太阳能电池制备方法，包括在硅片的背面形成氧化硅层；采用原位掺杂的方式在氧化硅层背离硅片的表面形成第一掺杂非晶硅层；在第一掺杂非晶硅层背离氧化硅层的表面形成本征非晶硅层；对本征非晶硅层进行掺杂形成第二掺杂非晶硅层；对第一掺杂非晶硅层和第二掺杂非晶硅层同时进行晶化处理，对应形成第一掺杂多晶硅层和第二掺杂多晶硅层，得到TOPCon太阳能电池。本申请中将掺杂多晶硅层分成第一掺杂多晶硅层和第二掺杂多晶硅层两部分，第一掺杂多晶硅层采用原位掺杂的方式形成，第二掺杂多晶硅层采用非原位掺杂的方式形成，非原位掺杂的方式可以缩短制备时间，且还能减少制备过程所需气体的用量。且还能减少制备过程所需气体的用量。且还能减少制备过程所需气体的用量。


技术研发人员：王义福 赵迎财 王涛 刘大娇 何胜 徐伟智
受保护的技术使用者：海宁正泰新能源科技有限公司
技术研发日：2022.02.28
技术公布日：2022/4/1