一种模板钝化的工艺的制作方法

1.本技术属于纳米压印技术领域，尤其涉及一种模板钝化的工艺。


背景技术：

2.纳米压印技术被认为是最具前景的微纳制造技术之一，可以突破光学曝光衍射效应的限制，进行纳米结构的加工，最有可能成为未来微纳光子学和电子学行业的主要技术，可应用于微纳结构功能器件的低成本、大规模生产，尤其是在光学器件的制备中更具有独特的技术优势，也是目前应用最广泛的领域。纳米压印技术的基本过程包括图形压印、图形传递以及压印模板脱模三个阶段，根据图形转移的方式，主要有热压印以及紫外压印两种方式，无论采用何种压印方式，压印工艺是完全将模板上的微纳米图案忠实地复制到衬底之上。纳米压印母模板常用的模板材料主要有硅、石英，存在加工时间长、成本高，价格昂贵的特点，为了使得压印完成后，能够顺利的脱模，通常在制作母模板时，会在母模板图形制作完成后，对母模板进行钝化处理，以使得母模板表面的张力能够满足脱模所需的要求。
3.现有的母模板钝化的方法是：首先，将母模板放入250℃的恒温箱内，然后向恒温箱内注入钝化用试剂并保持2h，取出样品即完成了钝化。但是，本技术发现：在钝化过程中存在一个问题，钝化时，钝化用试剂一滴入250℃的恒温箱中会迅速气化，并同时与模板进行钝化，但是，因钝化用试剂气化进程过快，使得恒温箱这个密闭空间内气化的钝化用试剂也迅速达到饱和状态，达到饱和状态后，气化的钝化用试剂流动性差，从而使得模板表面钝化的不均匀、不致密，影响脱模。


技术实现要素：

4.有鉴于此，本技术提供了一种模板钝化的工艺，有效解决现有钝化过程中存在的模板表面钝化的不均匀和不致密的技术问题。
5.本技术提供了一种模板的钝化工艺，包括以下步骤：
6.将模板放置在钝化装置内，对所述钝化装置持续通入气化氟代氯硅烷，对所述模板进行钝化反应，得到钝化后的模板；
7.其中，所述氟代氯硅烷的气体流速为1μl/min～5μl/min。
8.另一实施例中，所述钝化反应具体包括：将模板放置在所述钝化装置内，以预置的升温速率对所述钝化装置进行加热的同时向所述钝化装置内持续通入气化氟代氯硅烷，使所述模板进行钝化反应。
9.具体的，本技术中钝化装置为具有容纳空间的腔体及盖设于腔体上的具有开口的盖体，模板放置在腔体内，然后盖上盖体，盖体的开口处密闭连接上用于输入气化氟代氯硅烷的输送管后，以形成密闭的空间，然后以预置的升温速率加热腔体，同时向所述钝化装置内持续通入气化氟代氯硅烷，进而模板进行钝化反应。
10.另一实施例中，所述以预置的升温速率对所述钝化装置进行加热的同时向所述钝化装置内持续通入气化的氟代氯硅烷具体为：在所述钝化装置内滴入氟代氯硅烷，然后以
预置的升温速率对所述钝化装置进行加热，使得位于所述钝化装置内的所述氟代氯硅烷不断气化，进而使所述模板进行钝化反应；其中，所述氟代氯硅烷不与所述模板接触。
11.需要说明的是，所述预置的升温速率为可控制氟代氯硅烷气化，且控制氟代氯硅烷的气体流速在1μl/min～5μl/min中的升温速率，本技术不作具体限定。
12.具体的，本技术中钝化装置为具有容纳空间的腔体及盖设于腔体上的具有开口的盖体，将膜板放置在腔体内，然后盖上盖体，从盖体的开口处加入氟代氯硅烷液体，然后用密封塞封住该开口，然后以预置的升温速率加热装置，从而使氟代氯硅烷液体气化，气化氟代氯硅烷与模板发生钝化反应。
13.另一实施例中，所述钝化装置包括钝化腔，所述钝化反应具体包括：将模板放置在所述钝化腔内，加热所述钝化腔，使得所述钝化腔内的温度达到能够气化氟代氯硅烷的温度；
14.然后对所述钝化腔持续通入气化氟代氯硅烷，使得所述模板进行钝化反应。
15.另一实施例中，所述钝化装置还包括与所述钝化腔连通设置的气化腔，所述对所述钝化腔持续通入气化氟代氯硅烷，使得所述模板进行钝化反应具体为：在所述气化腔内滴入氟代氯硅烷，加热所述气化腔，使位于所述气化腔内的氟代氯硅烷不断气化，并流入已达到能够气化所述氟代氯硅烷温度的所述钝化腔内，使得位于所述钝化腔内的所述模板进行钝化反应。
16.具体的，所述钝化装置包括钝化腔，及与所述钝化腔连通设置的气化腔(所述钝化腔与所述气化腔密封连接形成密闭的反应容器)，模板放置在所述钝化腔内，所述气化腔的顶部设有开口，氟代氯硅烷液体从所述气化腔的开口滴入所述气化腔内，然后以预置的升温速率加热所述钝化装置(即同时加热所述钝化腔与所述气化腔)，使得气化腔内的氟代氯硅烷液体不断气化并流通至所述钝化腔，气化氟代氯硅烷与模板进行钝化反应。
17.在一些实施例中，所述钝化装置可以为倒凹字形的密闭反应容器，所述倒凹字形的密闭反应容器分为钝化腔及与所述钝化腔直接连通设置的气化腔(不通过管道连通)，对这种情形，先用加热装置加热所述钝化腔，使所述钝化腔达到气化氟代氯硅烷的温度，然后以预置的升温速率加热所述气化腔，使位于所述气化腔内的氟代氯硅烷液体不断气化，并流入输送钝化腔，气化氟代氯硅烷与模板进行钝化反应。
18.在一些实施例中，所述钝化装置可以包括钝化腔、气化腔和管道，所述钝化腔与所述气化腔通过所述管道连接，以形成密闭的反应容器。采用该钝化装置有两种钝化方式，第一种：以预置的升温速率加热所述气化腔，使氟代氯硅烷不断气化，气化的氟代氯硅烷通过所述管道流入所述钝化腔，进行钝化反应。第二种：连接所述钝化腔和所述气化腔的管道内有流量阀，先加热所述钝化腔使其达到气化氟代氯硅烷的温度，并保持，然后加热所述气化腔，使所述气化腔内的氟代氯硅烷气化(任何加热方式，只要能使氟代氯硅烷气化即可)，然后通过调节流量阀使所述气化腔内的气化的氟代氯硅烷以预置的流动速率流入所述钝化腔内，进行钝化反应。
19.另一实施例中，所述氟代氯硅烷选自含氟三氯硅烷或/和含氟一氯硅烷。
20.另一实施例中，所述含氟三氯硅烷选自(三氯(1h,1h,2h,2h-十三氟正辛基)硅烷、(1h,1h,2h,2h-全氟癸基三氯硅烷、1h,1h,2h,2h-全氟己基三氯硅烷、1h,1h,2h,2h-全氟十二烷基三氯硅烷、三氯(12,12,13,13,14,14,15,15,15-九氟十五烷基)硅烷、三氯(12,12,
13,13,14,14,15,15,16,16,17,18,18,19,19,19-十七氟壬癸基)硅烷、三氯(1,1,2,2,3,3-六氟丙基)硅烷、三氯(1,1,2,2,3,3,4,4-八氟丁基)硅烷、三氯(1,3,3,4,4,5,5,6,6,7,8,8-十四氟辛基)硅烷和三氯(12,12,13,13,14,14,15,15,16,16,17,17,17-十三氟十七烷基)硅烷中的一种或多种；所述含氟一氯硅烷选自1h,1h,2h,2h-全氟辛基二甲基氯硅烷、1h,1h,2h,2h-全氟癸基二甲基氯硅烷、九氟己基二甲基氯硅烷、氯二甲基-3,3,3-氟丙基硅烷、氯二甲基-[4,4,4-三氟-3,3-二(三氟甲基)丁基]硅烷、氯二甲基-(1,1,3,3,3-五氟丙基)硅烷和氯二甲基-(1,1,2,3,3,3-六氟丙基)硅烷中的一种或多种。
[0021]
具体的，本技术的钝化工艺采用两种钝化试剂(两种不同的氟代氯硅烷)钝化时，钝化工艺采用预置升温速率气化氟代氯硅烷的分阶段钝化方法进行，第一阶段的钝化反应为气化含氟三氯硅烷对模板进行钝化，第二阶段的钝化反应为气化含氟一氯硅烷对模板进行钝化。
[0022]
另一实施例中，所述氟代氯硅烷选自含氟三氯硅烷和含氟一氯硅烷，所述钝化反应具体包括：
[0023]
将模板放置在钝化装置内，然后向所述钝化装置内注入所述含氟三氯硅烷，接着以第一升温速率加热所述钝化装置，使所述含氟三氯硅烷不断气化，使所述模板进行第一阶段的钝化反应；然后向所述钝化装置内注入所述含氟一氯硅烷，接着，以第二升温速率加热所述钝化装置，使所述含氟一氯硅烷不断气化，进而使模板进行第二阶段的钝化反应，得到钝化后模板。
[0024]
另一实施例中，所述氟代氯硅烷选自含氟三氯硅烷和含氟一氯硅烷，所述钝化装置包括钝化腔，所述钝化反应具体包括：
[0025]
将模板放入所述钝化腔内，然后对所述钝化腔加热至第一气化温度，接着，向所述钝化腔内持续通入气化的所述含氟三氯硅烷，进行第一阶段的钝化反应；然后接着对所述钝化腔加热至第二气化温度，接着，向所述钝化腔内持续通入气化的所述含氟一氯硅烷，进行第二阶段的钝化反应，得到钝化后模板。
[0026]
具体的，所述第一升温速率的温度为可使所述含氟三氯硅烷气化的温度，所述第一升温速率的速率为使得含氟三氯硅烷气体流速为1μl/min～5μl/min的速率；所述第二升温速率的温度为可使所述含氟一氯硅烷气化的温度，所述第二升温速率的速率为使得含氟一氯硅烷气体流速为1μl/min～5μl/min的速率。
[0027]
具体的，所述第一阶段钝化反应的时间为15～30min，所述第二阶段钝化反应的时间为15～30min。
[0028]
具体的，所述第一升温速率为5℃/min～20℃/min加热至160℃～250℃；所述第二升温速率为5℃/min～20℃/min加热至160℃～250℃。
[0029]
另一实施例中，所述钝化装置包括：腔体、与所述腔体配套的盖体、导热板和注射孔密封件；
[0030]
所述腔体的内部分为模板放置区和氟代氯硅烷滴加区，所述盖体上开设有注射孔，所述注射孔的投影位于所述氟代氯硅烷滴加区，所述注射孔密封件用于密封所述注射孔，使得所述腔体与盖合于所述腔体上的盖体能够形成密闭空间；
[0031]
所述导热板与所述腔体的底部接触连接，所述导热板用于加热所述腔体，以使位于所述腔体的所述氟代氯硅烷滴加区的氟代氯硅烷能够不断气化，进而使位于所述模板放
置区内的所述模板进行钝化反应。
[0032]
具体的，所述腔体和所述盖体可以为表面皿，两个表面皿盖合形成密闭空间，表面皿的材质可以为玻璃等不与氟代氯硅烷和模板反应的材质。
[0033]
具体的，在气化腔中第一次滴加含氟三氯硅烷，含氟三氯硅烷受热气化后，气化的含氟三氯硅烷可以与模板进行交联反应，在模板表面形成相对高的表面覆盖率，形成较为致密的钝化层，但是含氟三氯硅烷有聚合成块状沉积物的趋势；因此，在气化腔中再滴加含氟一氯硅烷，含氟一氯硅烷受热气化后，气化的含氟一氯硅烷，封端速度很快，可以抑制块状沉积物的形成，同时进一步提高氟元素的表面覆盖率，因此，采用先采用气化含氟三氯硅烷钝化，后采用气化含氟一氯硅烷钝化可达到更好的钝化效果，便于后续压印工艺中模板与树脂层更好地剥离，达到良好的脱模效果。
[0034]
另一实施例中，所述模板为依次完成刻蚀处理以及等离子体处理后的模板。
[0035]
具体的，所述等离子体处理时间为5min。
[0036]
具体的，所述氟代氯硅烷的滴加量为10μl～80μl。
[0037]
本技术采用特定的钝化装置，在钝化腔中放置模板后，对钝化腔持续通入气化的氟代氯硅烷，通过控制气化氟代氯硅烷的流速，采用等温的特定速率的氟代氯硅烷气体通入方式对模板进行钝化，钝化腔中的气化的氟代氯硅烷可持续稳定对模板进行适度的钝化，使得模板表面钝化均匀和致密，本技术有效避免氟代氯硅烷在过高的温度下发生强烈的气化，模板钝化过快导致的钝化不均匀和不致密现象。此外，本技术的钝化工艺发现先采用气化的含氟三氯硅烷钝化模板，然后采用气化的含氟一氯硅烷钝化该模板可达到更好的钝化效果，便于后续压印工艺中模板与树脂层更好地剥离，达到良好的脱模效果。
附图说明
[0038]
为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
[0039]
图1为本技术实施例采用的钝化装置结构示意图；
[0040]
图2为本技术实施例1提供的钝化后的模板测试位点a的水接触角测定结果；
[0041]
图3为本技术实施例2提供的钝化后的模板测试位点a的水接触角测定结果；
[0042]
图4为本技术实施例3提供的钝化后的模板测试位点a的水接触角测定结果；
[0043]
图5为本技术实施例4提供的钝化后的模板测试位点a的水接触角测定结果；
[0044]
图6为本技术对比例1提供的钝化后的模板的外观图；
[0045]
图7为本技术对比例2提供的钝化后的模板测试位点a和测试位点d的水接触角测定结果。
具体实施方式
[0046]
本技术提供了一种模板钝化的工艺，用于解决现有钝化技术中存在的模板表面钝化的不均匀和不致密的技术缺陷。
[0047]
下面将对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范
围。
[0048]
其中，以下实施例所用原料或试剂均为市售或自制。
[0049]
以下所用试剂f13-tcs为(三氯(1h,1h,2h,2h-十三氟正辛基)硅烷，其分子式：c8h4cl3f
13
si)，结构式如下：
[0050][0051]
1h,1h,2h,2h-全氟辛基二甲基氯硅烷的结构式如下：
[0052][0053]
fdts为(1h,1h,2h,2h-全氟癸基三氯硅烷，其分子式：c
10
h4cl3f
17
si)，结构式如下：
[0054][0055]
请参阅图1，图1为本技术实施例采用的钝化装置结构示意图，钝化装置的结构包括：
[0056]
下表面皿1、上表面皿2和导热板3；导热板3与下表面皿1的底板面面接触连接，使得导热板3对下表面皿1的底板进行加热；
[0057]
下表面皿1的内部分为模板放置区和氟代氯硅烷滴加区；
[0058]
下表面皿1与上表面皿2的形状和尺寸相配合，上表面皿2盖合在下表面皿1上，使得上表面皿1和下表面皿2形成密闭的气氛空间，气氛空间包括相互连通的模板放置区和氟代氯硅烷滴加区；上表面设有注射孔4，注射孔4的投影位于氟代氯硅烷滴加区。
[0059]
具体的，导热板3通过加热下表面皿1的底板，从而对放置在下表面皿1的模板放置区的模板进行加热。
[0060]
具体的，导热板3通过加热下表面皿1的底板，从而对滴加在下表面皿1的氟代氯硅烷滴加区的氟代氯硅烷进行加热。
[0061]
具体的，下表面皿1和上表面皿2的材质为均不与模板、氟代氯硅烷发生导热性反应的，且耐高温的材料，如玻璃等。
[0062]
具体的，导热板3为导热性强的金属平板，如铁板、铜板等。
[0063]
具体的，下表面皿1的底板分区，使得模板与氟代氯硅烷不会直接接触；相互连通的模板放置区和氟代氯硅烷滴加区用于将气化的氟代氯硅烷与模板的表面接触，对位于模板放置区的模板表面进行均匀的钝化。
[0064]
本技术实施例的模板的钝化工艺包括以下步骤：
[0065]
将模板5放置在钝化装置的钝化腔的底板上，对氟代氯硅烷加热使其气化，并将氟
代氯硅烷气体持续通入钝化腔中，预置流速的氟代氯硅烷气体与模板进行钝化反应，得到钝化后的模板。
[0066]
实施例1
[0067]
本技术实施例提供了一种模板的钝化工艺，包括以下步骤：
[0068]
1、将刻蚀完成的模板进行等离子体处理5min，将处理后的模板放置在下表面皿的钝化腔中，将上表面皿盖合在下表面皿上，使得上表面皿和下表面皿形成密闭的气氛空间，气氛空间包括相互连通的钝化腔和气化腔；
[0069]
2、使用移液器移取25μl的f13-tcs(三氯(1h,1h,2h,2h-十三氟正辛基)硅烷从注射孔注射至气化腔中，用塞子将该注射孔密封，f13-tcs滴落至气化腔的底板上；
[0070]
3、启动导热板，导热板使得下表面皿的底板以10℃/min的升温速率加热，使得钝化腔和气化腔的底板温度均达到160℃，f13-tcs在气化腔中不断受热气化，气化的f13-tcs通入钝化腔中对模板进行钝化，钝化时间为20min；
[0071]
4、取出塞子，使用移液器移取25μl的1h,1h,2h,2h-全氟辛基二甲基氯硅烷从注射孔注射至气化腔中，用塞子将该注射孔密封，导热板使得下表面皿的底板以5℃/min的升温速率加热至250℃，使得气化腔中的1h,1h,2h,2h-全氟辛基二甲基氯硅烷气化，气化的1h,1h,2h,2h-全氟辛基二甲基氯硅烷通入钝化腔中对模板进行钝化，反应15min后，得到钝化后的模板。
[0072]
5、最后关掉导热板，自然冷却至室温后，将模板取出，使用接触角测量仪对钝化后的模板进行水接触角表征，测试位点有5个(分别标记为a、b、c、d和e)，本实施例测试位点a的结果如图2所示，从图2结果可知，先使用气化f13-tcs，然后使用气化1h,1h,2h,2h-全氟辛基二甲基氯硅烷对模板进行钝化，获得较好的钝化效果，水接触角约为117
°
，其余测试位点的数据如表1所示，从表1可知，本技术钝化后模板的不同位置接触角结果相似，说明本技术的钝化工艺对模板表面钝化均匀致密。
[0073]
实施例2
[0074]
本技术实施例提供了一种模板的钝化工艺，包括以下步骤：
[0075]
1、将刻蚀完成的模板进行等离子体处理5min，将处理后的模板放置在下表面皿的钝化腔中，将上表面皿盖合在下表面皿上，使得上表面皿和下表面皿形成密闭的气氛空间，气氛空间包括相互连通的钝化腔和气化腔；
[0076]
2、使用移液器移取25μl的f13-tcs(三氯(1h,1h,2h,2h-十三氟正辛基)硅烷从注射孔注射至气化腔中，用塞子将该注射孔密封，f13-tcs滴落至气化腔的底板上；
[0077]
3、启动导热板，导热板使得下表面皿的底板以10℃/min的升温速率加热，使得钝化腔和气化腔的底板温度均达到160℃，f13-tcs在气化腔中不断受热气化，气化的f13-tcs通入钝化腔中对模板进行钝化，钝化时间为20min；
[0078]
4、最后关掉导热板，自然冷却至室温后，将模板取出，使用接触角测量仪对钝化后的模板进行水接触角表征，测试位点有5个(分别标记为a、b、c、d和e)，本实施例测试位点a的结果如图3所示，从图3结果可知，单独使用气化f13-tcs对模板进行钝化，水接触角约为107
°
，其余测试位点的数据如表1所示，从表1可知，本技术钝化后模板的不同位置接触角结果相似，说明本技术的钝化工艺对模板表面钝化均匀致密。
[0079]
实施例3
[0080]
本技术实施例提供了一种模板的钝化工艺，包括以下步骤：
[0081]
1、将刻蚀完成的模板进行等离子体处理5min，将处理后的模板放置在下表面皿的钝化腔中，将上表面皿盖合在下表面皿上，使得上表面皿和下表面皿形成密闭的气氛空间，气氛空间包括相互连通的钝化腔和气化腔；
[0082]
2、使用移液器移取25μl的1h,1h,2h,2h-全氟癸基三氯硅烷从注射孔注射至气化腔中，用塞子将该注射孔密封，1h,1h,2h,2h-全氟癸基三氯硅烷滴落至气化腔的底板上；
[0083]
3、启动导热板，导热板使得下表面皿的底板以10℃/min的升温速率加热，使得钝化腔和气化腔的底板温度均达到160℃，1h,1h,2h,2h-全氟癸基三氯硅烷在气化腔中不断受热气化，气化1h,1h,2h,2h-全氟癸基三氯硅烷通入钝化腔中对模板进行钝化，钝化时间为20min，得到钝化后的模板。
[0084]
4、最后关掉导热板，自然冷却至室温后，将模板取出，使用接触角测量仪对钝化后的模板进行水接触角表征，测试位点有5个(分别标记为a、b、c、d和e)，本实施例测试位点a的结果如图4所示，从图4结果可知，单独使用气化1h,1h,2h,2h-全氟癸基三氯硅烷对模板进行钝化，水接触角约为102
°
，其余测试位点的数据如表1所示，从表1可知，本技术钝化后模板的不同位置接触角结果相似，说明本技术的钝化工艺对模板表面钝化均匀致密。
[0085]
实施例4
[0086]
本技术实施例提供了一种模板的钝化工艺，包括以下步骤：
[0087]
1、将刻蚀完成的模板进行等离子体处理5min，将处理后的模板放置在下表面皿的钝化腔中，将上表面皿盖合在下表面皿上，使得上表面皿和下表面皿形成密闭的气氛空间，气氛空间包括相互连通的钝化腔和气化腔；
[0088]
2、使用移液器移取25μl的1h,1h,2h,2h-全氟辛基二甲基氯硅烷从注射孔注射至气化腔中，用塞子将该注射孔密封，1h,1h,2h,2h-全氟辛基二甲基氯硅烷滴落至气化腔的底板上；
[0089]
3、启动导热板，导热板使得下表面皿的底板以10℃/min的升温速率加热，使得钝化腔和气化腔的底板温度均达到160℃，1h,1h,2h,2h-全氟辛基二甲基氯硅烷在气化腔中不断受热气化，气化的1h,1h,2h,2h-全氟辛基二甲基氯硅烷通入钝化腔中对模板进行钝化，钝化时间为20min，得到钝化后的模板。
[0090]
4、最后关掉导热板，自然冷却至室温后，将模板取出，使用接触角测量仪对钝化后的模板进行水接触角表征，测试位点有5个(分别标记为a、b、c、d和e)，本实施例测试位点a的结果如图5所示，从图5结果可知，单独使用气化1h,1h,2h,2h-全氟辛基二甲基氯硅烷对模板进行钝化，水接触角约为96
°
，其余测试位点的数据如表1所示，从表1可知，本技术钝化后模板的不同位置接触角结果相似，说明本技术的钝化工艺对模板表面钝化均匀致密。
[0091]
对比例1
[0092]
本技术实施例提供了一种模板钝化工艺，具体包括：
[0093]
1、将刻蚀完成的模板进行等离子体处理5min，将处理后的模板放置在下表面皿的钝化腔中，将上表面皿盖合在下表面皿上，将上表面皿的注射孔对准该模板，使得上表面皿和下表面皿形成密闭的气氛空间，气氛空间包括相互连通的钝化腔和气化腔；
[0094]
2、使用移液器移取25μl的f13-tcs直接从注射孔注射在该模板的表面，用塞子将该注射孔密封；
[0095]
3、启动导热板，导热板使得下表面皿的底板以10℃/min的升温速率加热，使得钝化腔的底板温度达到250℃，f13-tcs在模板上发生气化，直接对模板进行钝化，钝化时间为20min，得到钝化后的模板。
[0096]
4、最后关掉导热板，自然冷却至室温后，将模板取出，检测本对比例的外观，以及使用接触角测量仪对钝化后的模板进行水接触角表征，本对比例结果如图6所示，图6为模板钝化后外观图，从图6结果可知，直接将f13-tcs滴加在模板上钝化时，过量的f13-tcs会立即在模板表面发生反应，并进行交联反应，形成块状沉积物，因此形成图6红圈中的白点，说明采用直接对模板滴加钝化试剂的钝化效果较差。
[0097]
对比例2
[0098]
本技术对比例提供了采用现有常规的钝化方法，具体包括：
[0099]
将刻蚀完成的模板进行等离子体处理5min，将处理后的模板放置在250℃的恒温箱的底板上，然后向恒温箱的底板上滴入f13-tcs试剂，f13-tcs试剂不与模板接触，放置在恒温箱的f13-tcs试剂气化成气体并充满在恒温箱内，f13-tcs气体对模板进行钝化，钝化时间为2h，得到钝化后的模板。
[0100]
将模板取出，使用接触角测量仪对钝化后的模板进行水接触角表征，测试位点有5个(分别标记为a、b、c、d和e)，本实施例测试位点a和测试位点d的结果如图7所示，图7左图为测试位点a的水接触角结果，图7右图为测试位点d的水接触角，从图7结果可知，采用恒温箱对模板进行钝化，测试位点a和测试位点d的水接触角分别约为106
°
和95
°
，其余测试位点的数据如表1所示，从表1可知，本技术钝化后模板的不同位置接触角结果相差较大，说明采用恒温箱对模板表面钝化不均匀不致密，这是因为f13-tcs试剂一经滴入250℃的恒温箱立即气化，并开始对模板进行钝化，其钝化速度过快，从而导致模板表面钝化的不致密、不均匀，进而影响后续的脱模。
[0101]
表1实施例1～实施例4和对比例2中测试位点a～e的接触角数据
[0102] abcde实施例1117
°
115
°
116
°
117
°
117
°
实施例2107
°
106
°
105
°
106
°
105
°
实施例3102
°
102
°
100
°
100
°
101
°
实施例496
°
93
°
94
°
93
°
95
°
对比例2106
°
105
°
101
°
95
°
94
°
[0103]
从上述对比例结果可知，本技术实施例采用特定的钝化装置，可达到模板钝化温度的同时持续通入气化氟代氯硅烷，有效避免氟代氯硅烷在过高温度下发生剧烈气化蒸发，使得钝化进展过快，以导致模板的表面钝化不均匀、不致密，影响脱模。
[0104]
以上所述仅是本技术的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。