电子装置的制作方法与流程

1.本揭露涉及一种电子装置的制作方法，特别涉及一种透明电子装置的制作方法。


背景技术：

2.透明(transparent)电子装置本身具有一定程度的透明度，让用户可透视电子装置另一侧的景物。透明电子装置可应用在建筑物窗户、汽车车窗、室内装修、招牌、橱窗或光学器件等多种领域，其中软性(flexible)透明电子装置由于具有轻薄及具可挠性的特点，因此备受市场关注。
3.目前的透明电子装置仍存在可进一步改善空间。举例来说，如何进一步改善透明电子装置的透明度(transparency)以让使用者可更不易察觉到电子装置的存在而提高视觉感受，仍为本领域积极研究的项目。


技术实现要素：

4.本揭露目的之一在于提供一种透明电子装置的制作方法，在制作电路层后进行提高透明电子装置的软性基板的透光率(transmittance)的步骤或将软性基板置换成另一个具有较高透光率的基材，可改善电子装置的透明度，获得提高的视觉感受。
5.本揭露一方面公开了一种电子装置的制作方法，包括提供一软性基板，接着在一高温下于该软性基板上形成一电路层，以及于形成该电路层后，提高该软性基板的透光率。
6.本揭露另一方面公开了一种电子装置的制作方法，包括提供一软性基板，接着在一高温下于该软性基板上形成一电路层，并且于形成该电路层后，移除该软性基板。
附图说明
7.为了便于理解，在可能的情况下使用相同的附图标记来指示图中共有的相同元件，而可以预期的是，在一个实施例中所揭露的元件可不须特定叙述而将其利用于其他实施例。除非特别说明，否则本文的附图不应被理解为按比例绘制，并且，为了清楚的表达与解释，附图通常被简化且省略了细节或元件，而本文附图与详述用于解释下文所讨论的原理，并以相似的标号表示相同的元件。
8.图1说明本揭露的各种实施例的电子装置于制作时的剖面示意图。
9.图2至图4说明本揭露的第一实施例的电子装置于图1之后的制程剖面示意图。
10.图5说明本揭露的第二实施例的电子装置的剖面示意图。
11.图6和图7说明本揭露的第三实施例的电子装置于图1之后的制程剖面示意图。
12.图8和图9说明本揭露第四实施例的电子装置于图1之后的制程剖面示意图。
13.图10、图11和图12说明本揭露的第五实施例的电子装置于图1之后的制程剖面示意图。
14.图13说明本揭露的第六实施例的电子装置的剖面示意图。
15.图14、图15、图16和图17说明本揭露的第七实施例的电子装置于图1之后的制程剖
面示意图。
16.图18说明本揭露各种实施例的电子装置的电路层及发光层的剖面示意图。
17.图19和图20说明本揭露各种实施例的电子装置应用于车窗玻璃的一些实施样态。
18.附图标记说明：100-电子装置；12-载板；14-软性基板；16-电路层；17-发光层；18-开口；19-蚀刻制程；20-填充层；22-支撑膜；24-凹槽；26-暂时性基板；27-薄化制程；30-处理制程；32-玻璃板；40-蚀刻停止层；41-蚀刻制程；42-开口；161-第一绝缘层；162-第二绝缘层；163-第三绝缘层；164-第四绝缘层；165-第五绝缘层；166-导电结构；171-第一半导体层；172-发光结构；173-第二半导体层；176-分隔体；178-保护层；200-车门；210-车窗玻璃；220-胶层；12a-载板；14a-软性基板；14b-软性基板；14c-软性基板；167a-接垫；167b-接垫；174a-第一电极；174b-第二电极；210a-玻璃板；210b-玻璃板；aa'-切线；se-源极；de-汲极；ge-闸极；leu-发光单元；n-通道层；r1-第一区；r2-第二区；t1-厚度；t2-厚度；t3-厚度；tft-薄膜晶体管；x-方向；y-方向；z-方向。
具体实施方式
19.为让本揭露能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。须注意的是，为了图式的简洁并使读者能容易了解，本揭露中的多张图式只绘出电子装置的一部分。图式中，各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非依照实际比例绘图，也不应被解释为界定或限制这些图示的实施例所涵盖的范围或性质。举例来说，为了清楚起见，图示中各膜层、区域及/或结构的相对尺寸、厚度及位置可能缩小或放大，并且不同实施例所提供的技术方案可相互替换、组合或混合使用，以在未违反本揭露精神的情况下构成另一实施例。
20.本揭露通篇说明书与权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求书中，「含有」、「包括」与「具有」等词为开放式词语，因此其应被解释为「含有但不限定为
…
」之意。
21.本揭露中，当元件或膜层被称为「在另一元件或膜层上」或「连接到另一元件或膜层」时，它可以直接在另一个元件或膜层上，或直接连接到另一个元件或膜层，或者两者之间可存在有其他元件或膜层。相对的，当元件被称为「直接在另一个元件或膜层上」，或「直接连接到另一个元件或膜层」时，两者之间不存在有插入的元件或膜层。另外，当元件或膜层被称为「在另一元件或膜层上」时，两者在俯视方向上有上下关系，即此元件或膜层可在另一个元件或膜层的上方或下方，而此上下关系取决于装置的取向(orientation)。本文中所提到的方向用语例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」等，是参考附图的方向，以说明为目的，而并非用来限制本揭露。
22.本揭露中，用语「大约」、「等于」或「相同」通常代表落在给定数值或范围的20％范围内，或代表落在给定数值或范围的10％、5％、3％、2％、1％或0.5％以内。
23.本揭露中，用语例如「第一」、「第二」、「第三」是用来描述或命名不同的构件，而此些构件并不以此些用语为限。此些用语仅用以区别说明书中的一构件与其他构件，无关于此些构件的制造顺序。权利要求中可不使用相同用语，并可依照权利要求中元件宣告的顺序，以「第一」、「第二」、「第三」等来取代。据此，在以下说明书中，第一构件在权利要求中可能为第二构件。
24.本揭露中，用语「软性」、「可弯折」或「可挠性」意指可以被弯曲、弯折、折叠、拉伸、挠曲(flexed)或是其他类似变形。
25.本揭露记载的元件的透光率(transmittance)表示光通过该元件的能力，一般以通过该元件的光通量对入射的光通量的百分比来表示，例如0％至100％，0％表示光线被该元件完全吸收，100％表示光线完全通过该元件。
26.本揭露实施例提供的电子装置可包括显示设备、发光装置、天线、感测装置或其他适合的装置、或上述装置的组合，但不限于此。其中，显示设备的实施例态样可以为：非自发光式的液晶显示器(liquid crystal display，lcd)，或发光二极管(light emitting diode display,led display)或电泳显示器(electro-phoretic display,epd)等各式可以呈现影像及画面的显示器，但不限于此。电子装置可包含例如液晶(liquid crystal)、荧光(fluorescence)、磷光(phosphor)、发光二极管(light emitting diode，led)、其它合适的显示介质、或前述的组合，但不以此为限。其中，发光二极管可包括例如自发光式的有机发光二极管(organic light emitting diode)、无机发光二极管(inorganic light emitting diode)、次毫米发光二极管(mini-led)、微型发光二极管(micro-led)、量子点二极管(quantum-dot led，可例如为qled、qdled)或上述的组合，但不限于此。
27.本揭露的电子装置可应用在建筑、汽车、室内装修、招牌、橱窗或光学器件等领域，但不限于此。
28.图1说明本揭露的各种实施例的电子装置100于制作时的剖面示意图。图2至图4说明本揭露的第一实施例的电子装置100于图1之后的制程剖面示意图。请参考图1，本揭露提供的电子装置100的制作方法首先包括提供一软性基板14，接着在一高温下于该软性基板14上形成一电路层16，前述的高温例如为大于或等于摄氏220度。软性基板14可以是用于形成薄膜晶体管的薄膜晶体管基板或用于形成电路的电路板，但不限于此。软性基板14和电路层16具有沿着由x方向和y方向延伸的表面及沿着z方向的厚度。软性基板14可以是由任何合适的可挠或可弯折材料构成，例如聚亚酰氨(polyimide,pi)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate,pen)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate,pet)等高分子材料或其组合，但不限于此。在一些实施例中，可通过将软性基板14的材料形成在载板12上，再进行烘烤固化而获得软性基板14。在一些实施例中，软性基板14也可以是贴附在载板12上的软性膜材，但本揭露不以上述实施例为限。软性基板14可具有厚度t1。
29.载板12用于在制程中提供软性基板14支撑。载板12的材料可包括玻璃、石英、蓝宝石、塑料，或其他适合的材料，或前述的组合，但不限于此。在一些实施例中，软性基板14和载板12之间可设有一离型膜(图未示)，以便于后续将软性基板14自载板12剥离(lift-off)。离型膜可以是一非晶硅层(amphorous silicon)或含一氢材料层，但不限于此。
30.电路层16可包括电路结构、主动元件或被动元件等形成其中。在本揭露的电子装置用作显示设备或发光装置的一些实施例中，如图18所示，电路层16中可包括由多个薄膜晶体管tft构成的驱动电路，并且电路层16上可设有一发光层17，发光层17中可包括多个发光单元leu以及一保护层(也可以是光学层或封装层)178覆盖在发光单元leu上。为了简化说明，图18仅示出电路层16中的一个薄膜晶体管tft以及发光层17中的一个发光单元leu。
31.进一步说明，请参考图18，电子装置100可由发光层17中的分隔体176区分成多个
第一区r1和第二区r2。分隔体176例如为像素定义层(pixel defining layer，pdl)，可包括有机介电材料(例如丙烯酸系聚合物材料或/及硅氧烷系聚合物材料)或其他适合的材料，但并不以此为限。第一区r1为电子装置100的发光区(light emitting region)或像素区(pixel region)，第一区r1的发光层17中可设有至少一发光单元leu，各发光单元leu分别由设置在第一区r1的电路层16中的对应的驱动电路控制。第二区r2为电子装置100的透光区(transparent region)。在一些实施例中，第二区r2的发光层17仅包括保护层178或其他介质层，并未设有发光单元leu。在一些实施例中，第二区r2的电路层16仅包括介电材料，并未设有电路走线或电路元件。
32.详细来说，电路层16由靠近软性基板14往远离软性基板14的方向(沿着z方向)依序可包括第一绝缘层161、第二绝缘层162、第三绝缘层163、第四绝缘层164以及第五绝缘层165。上述绝缘层可分别包括无机介电材料或有机介电材料，所述无机介电材料例如可包括氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)、氮氧化硅(sion)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)或氧化锆(zro2)或其他合适的无机介电材料，但不限于此。所述有机介电材料可包括丙烯酸类树脂(acrylic resin)或其他适合的无机介电材料，但不限于此。第一绝缘层161、第二绝缘层162、第三绝缘层163、第四绝缘层164以及第五绝缘层165的材料可相同或不同，并且可分别是单层或多层结构。
33.薄膜晶体管tft可包括顶闸式(top gate)或底闸式(bottom gate)薄膜晶体管。图18以顶闸式(top gate)薄膜晶体管为例，其可包括一通道层n设置在第一绝缘层161上、一闸极ge设置在通道层n上并且由一第二绝缘层162(闸极绝缘层)与通道层n区隔开，以及一源极se以及一汲极de分别设置在闸极ge两侧的通道层n上并且穿过第二绝缘层162和第三绝缘层163与上方的导电结构166电连接。通道层n可通过图案化一半导体层来形成，所述半导体层的材料可包括但不限于金属氧化物半导体(metal oxide semiconductor)、非晶硅(amorphous silicon)、低温多晶硅(ltps)或低温多晶氧化物(ltpo)，但不限于此。金属氧化物半导体可包括但不限于以下至少一者金属的金属的氧化物:铟(in)、镓(ga)、锡(sn)、锆(zr)、钒(v)、铪(hf)、镉(cd)、锗(ge)、铬(cr)、钛(ti)、钽(ta)或锌(zn)。
34.导电结构166设置在第四绝缘层164和第五绝缘层165中，可用于走线及/或作为薄膜电晶tft的源极se与接垫167a之间的接触区且/或是用于电源线(图未示)与接垫167b之间的接触区。在一些实施例中，电路层16中还可包括扇出线路、数据线、扫描线、发光控制线、电源线和接地电位线等结构，配置为提供控制信号及电源至薄膜晶体管tft来控制发光单元leu。为了简化说明，图18并未绘示出上述结构。导电结构166的材料可包括金属材料例如银、铜、铝、钼、钨、金、铬、镍、铂、钛、铱、铑、铟、铋、上述的合金、上述的组合或其它导电性佳的金属材料，但不以此为限。
35.在一些实施例中，发光单元leu例如是发光二极管(led)，可包括第一半导体层171、第二半导体层173、位于第一半导体层171和第二半导体层173之间的发光结构172、与第一半导体层171电连接的第一电极174a，以及与第二半导体层173电连接的第二电极174b。第一电极174a和第二电极174b分别通过设置在第五绝缘层165上的接垫167a和接垫167b与薄膜晶体管tft和电源线(图未示)电连接。发光结构172可例如但不限定为多量子井(multiple quantum well,mqw)层。
36.应理解，图18所示电路层16、发光层17、薄膜晶体管tft、发光单元leu的结构及/或
种类仅为举例，在其他实施例中可根据设计需求调整，且发光层17于本揭露所有的实施例都可选择性设置。在一些实施例中，发光层17上或发光层17和电路层16之间可设有一触控层(图未示)。在一些实施例中，第二区r2的触控层仅包括介电材料，并未设有电路走线或电路元件。在一些实施例中，发光层17可以是在电路层16上形成填充层20(例如请参考图3)后，再形成在填充层20上。
37.值得注意的是，在一些实施例中，电路层16的制作过程包括进行一次或一次以上的高温制程(elevated temperature process)，例如是制作电路层16时的金属氧化物半导体沉积制程、非晶硅薄膜沉积制程、多晶硅薄膜沉积制程、绝缘层沉积制程、蚀刻制程、及/或退火制程，但不限于此。进行高温制程时，软性基板14及用于乘载软性基板14的载板12会被置于摄氏220度以上或摄氏220度至摄氏400度之间的高温环境或制程腔体(process chamber)中，因此软性基板14须选用耐高温的材料。在一些实施例中，软性基板14材料包括耐高温(在高温制程中具有热稳定性)的聚亚酰氨(pi)。由于耐高温pi通常会具有较高的苯环含量以提高其热稳定性，而苯环会吸收光线并且发出黄色光，因此使耐高温软性基板14会呈现黄色且具有较低的的透光率。软性基板14可具有一第一透光率tm1，在一些实施例中，软性基板14的第一透光率tm1大约是70％。
38.请参考图2。形成电路层16(及发光层)后，接着可对电子装置100的第二区r2的电路层16及软性基板14进行一蚀刻制程19(例如微影暨蚀刻制程)，以在软性基板14中形成多个开口18。本实施例中，蚀刻制程19可蚀穿软性基板14，即开口18会贯穿软性基板14并显露出下方的载板12。若电路层16上设有发光层及触控层(图未示)，蚀刻制程19也会蚀穿发光层及触控层位于第二区r2的部分。
39.请参考图3，接着形成填充层20覆盖住电路层16及软性基板14并且填入各个第二区r2的开口18。填充层20可用来阻绝环境中的辐射、水气或氧气对电路层(及发光单元)的影响，可提升电子装置100的质量，也可提供软性基板14及电路层16结构上的支撑。在一些实施例中，填充层20的材料可包括具有良好透光率的有机介电材料或无机介电材料，其中有机介电材料可包括丙烯酸类树脂(acrylic resin)，例如聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)或其他适合的材料，但不限于此。填充层20可具有一第二透光率tm2。在一些实施例中，第二透光率tm2高于软性基板14的第一透光率tm1，例如第二透光率tm2可在80％或85％以上。通过在电子装置100的第二区r2的软性基板14中形成开口18然后用具有相对较高透光率的填充层20填入开口，可提高软性基板14的透光率因而提高电子装置100整体的透明度。
40.请参考图4，接着进行剥离(lift-off)制程，将软性基板14、电路层16及填充层20自载板12取下，然后将软性基板14相对于电路层16的那面附着至支撑膜22上。在一些实施例中，剥离制程可例如是激光剥离或机械剥离，但不限于此。在一些实施例中，可将电子装置100的填充层20那面附着至一暂时性基板上再进行载板12的剥离制程。支撑膜22可包括具有高透光率及足够支撑性的硬质材料或软性材料，例如可包括但不限于玻璃、石英、蓝宝石、塑料，或其他适合的材料，或前述的组合，但不限于此。其中，塑料材料例如可包括聚亚酰胺材料(polyimide,pi)、聚碳酸酯(polycarbonate,pc)或聚对苯二甲酸乙二酯材料(polyethylene terephthalate,pet)或其他适合的材料，或上述材料的组合。在一些实施例中，支撑膜22材料包括pet。在电子装置100应用于建筑或汽车玻璃的实施例中，支撑膜22可包括金属粒子或多层膜结构，以提供隔热效果。支撑膜22可具有一第三透光率tm3。在一
些实施例中，第三透光率tm3可在80％或85％以上。在一些实施例中，可通过一黏附层(图未示)将软性基板14附着至支撑膜22上。
41.请继续参考图4。于此实施例中，电子装置100第一区r1的可具有一第四透光率tm4，其为电子装置100的第一区r1的支撑膜22、软性基板14、电路层16、填充层20及/或位于第一区r1中的其他膜层所构成的透光率。举例而言，沿z方向提供一入射光给电子装置100的第一区r1，该入射光从电子装置100的一侧进入且通过软性基板14、电路层16、填充层20及/或第一区r1中其他膜层后从电子装置的另一侧得到一出射光，出射光的光通量对入射光的光通量的百分比(或者是出射光的频谱积分值对相同波长范围内的入射光的频谱积分值的百分比)即为第四透光率tm4。上述入射光可包含可见光(例如波长介于380nm至780nm之间)或紫外光(例如波长大于365nm)，但不限于此。举例而言，当入射光为可见光时，第四透光率tm4可为波长380nm至波长780nm范围内的出射光的光通量(频谱积分值)除以相同波长范围内的入射光的光通量(频谱积分值)的百分比。
42.电子装置100的第二区r2的可具有一第五透光率tm5，其为电子装置100的第二区r2的支撑膜22、填充层20及/或第二区r2中的其他膜层所构成的透光率。举例而言，沿z方向提供一入射光给电子装置100的第二区r2，该入射光从电子装置的一侧进入且通过支撑膜22、填充层20及/或第二区r2中的其他膜层后从电子装置的另一侧得到一出射光，出射光的光通量对入射光的光通量的百分比(或者是出射光的频谱积分值对相同波长范围内的入射光的频谱积分值的百分比)即为第五透光率tm5。第五透光率tm5可大于第四透光率tm4。
43.在一些实施例中，若电子装置100包括触控层(图未示)，则可在形成填充层20后再于将触控层设置在填充层20上。这种情况下，触控层不会在形成开口18的蚀刻步骤中被蚀刻，因此触控层的线路可以布设在第一区r1及/或第二区r2中，可具有较大的设计弹性。
44.请参考图5，说明本揭露的第二实施例的电子装置100的剖面示意图。图5示出的电子装置100与图4示出的电子装置100的主要差异在于，蚀刻制程19可不贯穿软性基板14，而是在软性基板14中形成多个凹槽24。在一些实施例中，凹槽24下方剩余的软性基板14具有厚度t2，厚度t2可大约是第一区r1的软性基板14的厚度t1的1/2至1/5之间。后续，形成填充层20覆盖住电路层16及软性基板14并且填入各个凹槽24。本实施例通过在电子装置100的第二区r2的软性基板14中形成凹槽24然后用具有相对较高透光率的填充层20填入各凹槽24，可提高软性基板14的透光率，因而提高电子装置100整体的透明度。于此实施例中，第一区r1与第二区r2的透光率计算方式可以同图4的透光率计算方式，于此不再赘述。
45.请参考图1、图6和图7，说明本揭露的第三实施例的电子装置100的制程剖面示意图。如图1所示于软性基板14上形成电路层16之后，接着如图6所示，在电路层16上形成填充层20，然后将电子装置100的填充层20那面附着至暂时性基板26上，并移除载板12以显露出软性基板14。接着，对软性基板14进行一薄化制程27，将软性基板14从厚度t1薄化至厚度t3。薄化制程27可以是蚀刻制程或研磨制程，但不限于此。在一些实施例中，厚度t3可大约是厚度t1的1/2至1/5之间。后续，如图7所示，将薄化后的软性基板14附着至支撑膜22上，再移除暂时性基板26。本实施例通过薄化软性基板14因而减少了光线透射过电子装置100时需通过的软性基板14的厚度，可提高软性基板14的透光率，因此提高了电子装置100整体的透明度。
46.请参考图1、图8和图9，说明本揭露第四实施例的电子装置100的制程剖面示意图。
如图1所示于软性基板14上形成电路层16之后，接着如图8所示，在电路层16上形成填充层20，然后对软性基板14进行一处理制程30以提高软性基板14的透光率。具体而言，处理制程30例如是对软性基板14提供一能量以改变软性基板的分子结构，例如打断软性基板14的组成材料的分子结构的化学键，因而将软性机板14转变成具有较高透光率的软性基板14a。也就是说，经过处理制程30而获得的软性基板14a的分子结构已不同于原本的软性基板14。软性基板14a可具有一第六透光率tm6。在一些实施例中，第六透光率tm6可大于80％或85％。在一些实施例中，提供能量的方式可以是对软性基板14进行激光处理或热处理，但不限于此。后续，如图9所示，可进行剥离制程，将软性基板14a、电路层16及填充层20自载板12取下，然后将软性基板14a相对于电路层16的那面附着至支撑膜22上。本实施例通过改变软性基板14的分子结构而提高了软性基板14的透光率，因此提高了电子装置100整体的透明度。
47.请参考图1、图10、图11和图12，说明本揭露的第五实施例的电子装置100的制程剖面示意图。如图1所示于软性基板14上形成电路层16之后，接着如图10所示，于电路层16上形成填充层20，然后将电子装置100的填充层20那面附着至暂时性基板26上。接着，进行电路层16和软性基板14的剥离制程，将软性基板14自电路层16上移除。在一些实施例中，可在软性基板14和电路层16之间设置一牺牲层(图未示)以使软性基板14较容易自电路层16剥离。牺牲层可例如是一非晶硅层(amphorous silicon)或一含氢材料层，但不限于此。剥离制程可例如是激光剥离或机械剥离，但不限于此。接着，如图11所示，将设置在另一载板12a(第二载板)上的基材14b附着至电路层16上。在一些实施例中，基材14b可以是另一软性电路板或玻璃基板，可具有第七透光率tm7，且第七透光率tm7大于软性基板14的第一透光率tm1。在一些实施例中，第七透光率tm7可大于80％或85％。后续，如图12所示，将基材14b自载板12a剥离，然后将基材14b那面附着至支撑膜22上，并移除暂时性基板26。本实施例在制作电路层16的高温制程后，将软性基板14置换成具有较高透光率的软性基板14b，因此提高了电子装置100整体的透明度。
48.图13说明根据本揭露第六实施例的电子装置100的剖面示意图。本实施例中，于软性基板14上形成电路层16和填充层20后，接着从软性基板14上上剥离电路层16和填充层20，然后将电路层16及其表面的填充层20附着至玻璃板32上。玻璃板32例如是建筑、汽车、室内装修、招牌、橱窗或光学器件等领域使用的玻璃板，但不限于此。本实施例的电子装置100省略了软性基板，因此提高了电子装置100整体的透明度。
49.请参考图1、图14、图15、图16和图17，说明本揭露的第七实施例的电子装置100的制程剖面示意图。如图1所示于软性基板14上形成电路层16之后，接着如图14所示，将电路层16那面附着至暂时性基板26上之后，将软性基板14自载板12剥离。然后，如图15所示，提供设置在另一载板12a(第二载板)上的软性基板14c(第二软性基板)，其中软性基板14c上具有蚀刻停止层40，然后将软性基板14那面附着至软性基板14c上，并使蚀刻停止层40位于软性基板14和软性基板14c之间。软性基板14c可具有一第八透光率tm8，第八透光率tm8大于软性基板14的第一透光率tm1。在一些实施例中，第八透光率tm8可大于80％或85％。蚀刻停止层40需选用与软性基板14具有不同蚀刻选择性的材料，且具有优良的透光性。在一些实施例中，蚀刻停止层40例如是由氧化硅及/或氮化硅构成，透光率可大于80％或85％。接着，如图16所示，移除暂时性基板26，再对第二区r2的电路层16及软性基板14进行蚀刻制程41(例如微影暨蚀刻制程)，以在软性基板中形成多个开口42并显露出蚀刻停止层40。接着，
如图17所示，形成填充层20覆盖住电路层16、软性基板14并且填入开口42。后续，进行剥离制程将软性基板14c、软性基板14、电路层16及填充层20自载板12a取下，然后将软性基板14c相对于软性基板14的那面附着至支撑膜22上。在其他实施例中，也可先进行剥离制程将软性基板14c、软性基板14、电路层16及填充层20自载板12取下并附着至支撑膜22上之后，再进行蚀刻制程41于软性基板14内形成开口42。本实施例形成双层的软性基板14和软性基板14c，并通过在电子装置100的第二区r2的软性基板14中形成开口42然后用具有相对较高透光率的填充层20填入开口，可提高电子装置100第二区r2的透光率因而提高电子装置100整体的透明度，并同时提供额外的支撑。
50.请参考图19，说明本揭露的电子装置100应用于汽车玻璃的一实施样态。如图19所示，电子装置100可应用在车门200的车窗玻璃210上，并且可具有配合车窗玻璃的形状的轮廓。在一些实施例中，电子装置100的发光单元leu(或是像素单元)的排列方式可配合车窗玻璃的形状。发光单元leu例如可为有机发光二极管的发光区、微型发光二极管或是次毫米发光二极管，但本揭露不以上述为限。
51.请参考图20，为沿着图19中aa’切线的剖面图。在一些实施例中，车窗玻璃210(或其他应用领域的玻璃)可以是单层玻璃或胶合玻璃。如图20的(a)部分所示，若车窗玻璃210为单层玻璃，电子装置100可以是直接设置或者通过一黏附层(图未示)设置在车窗玻璃210的至少一面上。在一些实施例中，如图20的(b)部分所示，若车窗玻璃210为玻璃板210a和玻璃板210b及胶层220构成的胶合玻璃，电子装置100可以是直接设置或者通过一黏附层(图未示)设置在玻璃板210a及/或玻璃板210b的外侧表面上。或者，如图20的(c)部分所示，电子装置100可以夹设在胶合玻璃210的玻璃板210a和玻璃板210b之间，两面通过胶层220分别与玻璃板210a和玻璃板210b的内侧表面结合。
52.综上所述，本揭露针对使用耐高温软性基板的电子装置存在的透明度不足的问题进行改善，主要是于制作电路层后进行提高透光率的制程，包括对软性基板进行蚀刻制程以于软性基板中形成多个开口或凹陷、薄化软性基板、改变软性基板的分子结构，或者将软性基板置换成另一透明度较高的软性基板，或者直接置换成玻璃板。在一些实施例中，也可在蚀刻软性基板之前，将软性基板结合至另一透明度较高的软性基板上以获得额外的支撑。通过本揭露的方法制作的电子装置，可具有提高的透光率及改善的透视效果。
53.以上所述仅为本揭露的实施例而已，并不用于限制本揭露，对于本领域的技术人员来说，本揭露可以有各种更改和变化。凡在本揭露的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本揭露的保护范围之内。