横向扩散金属-氧化物半导体晶体管及其形成方法与流程

技术特征：
1.一种晶体管，其特征在于，包括：沟槽，其在半导体衬底中形成；导电间隔物，其形成在所述沟槽中，所述导电间隔物从所述沟槽的第一侧壁偏移；电介质材料，其形成在所述沟槽中，所述电介质材料基本上包围所述导电间隔物；漂移区，其邻近于所述第一侧壁和所述沟槽的第二侧壁的第一部分形成在所述半导体衬底中，所述漂移区具有第一导电类型；漏极区，其形成在所述漂移区中，所述漏极区邻近于所述第二侧壁的第二部分；以及第一栅极区，其与所述漂移区的一部分重叠，所述第一栅极区与所述导电间隔物分离。2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，另外包括与所述第一栅极区间隔开并且形成在所述电介质材料上方的第二栅极区，所述第二栅极区与所述导电间隔物间隔开。3.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，另外包括借助于第一接触件导电连接到所述导电间隔物的第一导电迹线。4.根据权利要求3所述的晶体管，其特征在于，另外包括形成在所述半导体衬底中的源极区，所述第一栅极区在所述源极区与所述第一侧壁之间形成在所述半导体衬底上方。5.一种方法，其特征在于，包括：在半导体衬底中蚀刻沟槽，所述沟槽具有第一侧壁和第二侧壁；以沉积在所述沟槽中的第一导电层形成基本上竖直的导电间隔物，所述导电间隔物接近于所述第一侧壁；沉积电介质材料以基本上填充所述沟槽，所述电介质材料基本上包围所述导电间隔物；在所述半导体衬底中形成邻近于所述第一侧壁和所述第二侧壁的第一部分的漂移区，所述漂移区具有第一导电类型；在所述漂移区中形成漏极区，所述漏极区邻近于所述第二侧壁的第二部分；以及以沉积在所述半导体衬底上方的第二导电层形成第一栅极区，所述第一栅极区与所述漂移区的一部分重叠。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，另外包括以所述第二导电层形成第二栅极区，所述第二栅极区形成在所述电介质材料上方。7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，另外包括在所述半导体衬底中形成源极区，所述第一栅极区在所述源极区与所述第一侧壁之间形成在所述半导体衬底上方。8.一种方法，其特征在于，包括：在半导体衬底中蚀刻沟槽，所述沟槽具有第一侧壁、第二侧壁以及底表面；用导电材料在所述沟槽的所述第一侧壁、所述第二侧壁和所述底表面上沉积电介质层以形成栅极区；在所述电介质层上沉积第一导电层；选择性地蚀刻所述第一导电层以移除接近于所述第二侧壁和所述沟槽的所述底表面的所述第一导电层，由接近于所述第一侧壁的其余导电层形成导电间隔物；使电介质材料沉积以基本上填充所述沟槽，所述电介质材料基本上包围所述导电间隔物；在所述半导体衬底中形成邻近于所述第一侧壁和所述第二侧壁的第一部分的漂移区，
所述漂移区具有第一导电类型；在所述漂移区中形成漏极区，所述漏极区邻近于所述第二侧壁的第二部分；以及以沉积在所述半导体衬底上方的第二导电层形成第一栅极区，所述第一栅极区与所述漂移区的一部分重叠。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，另外包括：在所述半导体衬底中邻近于所述漂移区形成主体区，所述主体区具有第二导电类型；以及在所述主体区中形成源极区，所述第一栅极区在所述源极区与所述第一侧壁之间形成在所述半导体衬底上方。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，另外包括：形成导电连接到所述导电间隔物的第一接触件；形成导电连接到所述第一栅极区的第二接触件；形成导电连接到所述源极区的第三接触件；以及将所述第一接触件与所述第二接触件或所述第三接触件互连。

技术总结
一种晶体管包括在半导体衬底中形成的沟槽。导电间隔物形成在所述沟槽中并且从所述沟槽的第一侧壁偏移。电介质材料形成在所述沟槽中并且包围所述导电间隔物。漂移区邻近于所述第一侧壁和所述沟槽的第二侧壁的第一部分形成在所述半导体衬底中。漏极区邻近于所述第二侧壁的第二部分形成在所述漂移区中。第一栅极区重叠所述漂移区的一部分并且与所述导电间隔物分离。隔物分离。隔物分离。


技术研发人员：苏米特拉
受保护的技术使用者：恩智浦美国有限公司
技术研发日：2021.09.18
技术公布日：2022/3/29