墨、使用该墨的显示装置的制造方法以及显示装置与流程

墨、使用该墨的显示装置的制造方法以及显示装置
1.本技术要求于2020年9月22日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0122596号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
2.发明涉及一种墨、使用该墨制造显示装置的方法以及根据该方法制造的显示装置。


背景技术：

3.随着对信息显示技术的兴趣的增加，已经且正在进一步研究和开发以改善显示装置。而且，已经需要改善的制造显示装置的方法。


技术实现要素：

4.为了提供墨、使用该墨制造显示装置的方法以及通过该方法制造的显示装置，已经做出实施例。在该方法中，可以简化制造工艺，并且可以改善显示装置中的发光效率。
5.发明的目的不限于上述目的，使用以下描述，本领域普通技术人员可以清楚地理解未提及的其它技术目的。
6.在实施例中，用于制造显示装置的墨可以包括：第一溶剂；以及发光元件，设置在第一溶剂中，其中，发光元件可以包括：第一半导体层，包括第一类型的半导体；以及第二半导体层，包括与第一类型不同的第二类型的半导体，并且墨的电导率是约1.5μs/m或更小。
7.第一溶剂可以包括乙酰柠檬酸三丁酯、柠檬酸三丁酯、三乙酸磷酸酯、乙基邻苯二甲酰乙基乙醇酸酯、丙二醇苯醚、丙二醇甲醚乙酸酯、二乙二醇-丁醚乙酸酯和癸醇中的至少一种。
8.墨还可以包括与第一溶剂不同的第二溶剂。
9.第一溶剂的电导率可以比墨的电导率小，并且第二溶剂的电导率比墨的电导率大。
10.墨的介电常数可以是约8.0或更小。
11.墨的电导率可以是约1.0μs/m或更小。
12.墨的电导率可以是约0.8μs/m或更小。
13.当电场施加到发光元件时，外力可以在第一方向上施加到发光元件的第一半导体层，并且外力可以在与第一方向相反的第二方向上施加到发光元件的第二半导体层。
14.另一实施例提供了一种制造显示装置的方法，所述方法可以包括以下步骤：准备基底；在基底上形成第一电极和第二电极；在第一电极与第二电极之间设置墨，其中，墨可以包括包含发光元件的第一溶剂；以及在第一电极与第二电极之间形成电场，其中，墨的电导率可以是约1.5μs/m或更小。
15.在形成电场的步骤中，可以在第一电极与第二电极之间布置发光元件。
16.发光元件可以包括：第一半导体层，设置为与发光元件的第一端部相邻；以及第二
半导体层，设置为与发光元件的第二端部相邻，并且发光元件的在第一端部处的极性可以与发光元件的在第二端部处的极性不同。
17.在形成电场的步骤中，可以将朝向第一电极的外力施加到第一端部，并且可以将朝向第二电极的外力施加到第二端部。
18.在形成电场的步骤中，可以旋转发光元件，使得在平面图中第一端部面对第一电极且第二端部面对第二电极。
19.发光元件可以包括第一发光元件和第二发光元件；在形成电场的步骤中，第一发光元件的第一端部可以与第一电极对应，第一发光元件的第二端部可以与第二电极对应，第二发光元件的第一端部可以与第二电极对应，并且第二发光元件的第二端部可以与第一电极对应；并且第一发光元件的数量可以比第二发光元件的数量大。
20.第一发光元件与发光元件的数量的比例可以是约0.6或更大。
21.第一溶剂可以包括乙酰柠檬酸三丁酯、柠檬酸三丁酯、三乙酸磷酸酯、乙基邻苯二甲酰乙基乙醇酸酯、丙二醇苯醚、丙二醇甲醚乙酸酯、二乙二醇-丁醚乙酸酯和癸醇中的至少一种。
22.墨还可以包括与第一溶剂不同的第二溶剂，第一溶剂的电导率可以比墨的电导率小，并且第二溶剂的电导率可以比墨的电导率大。
23.墨的电导率可以是约1.0μs/m或更小。
24.制造显示装置的方法还可以包括在形成电场之后去除第一溶剂。
25.另一实施例提供了一种根据制造显示装置的方法制造的显示装置。
26.发明的实施例不限于上述实施例。
27.而且，发明的效果不限于上述效果。通过公开和附图，本领域普通技术人员将清楚地理解在此未提及的任何效果。
附图说明
28.图1和图2分别示出了根据实施例的发光元件的透视图和示意性剖视图。
29.图3示出了根据实施例的显示装置的示意性俯视平面图。
30.图4示出了根据实施例的显示装置的每个像素的示意性俯视平面图。
31.图5示出了沿着图4的线i-i'截取的示意性剖视图。
32.图6示出了根据实施例的制造显示装置的方法的流程图。
33.图7和图10示出了根据实施例的制造方法的工艺步骤期间的特定时间点的示意性俯视平面图。
34.图8和图11示出了沿着图4的线ii-ii'截取的示意性剖视图。
35.图9示出了图7的ea1的放大视图。
具体实施方式
36.由于说明书中描述的实施例旨在向本领域普通技术人员清楚地解释发明的构思，因此发明不限于说明书中描述的实施例，并且本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离发明的精神和范围的情况下，可以进行各种修改和改变。
37.考虑到发明中的功能，说明书中使用的术语被选择为当前广泛地使用的通用术
语，但是这些术语可以根据发明所属领域的普通技术人员的意图、实践或新技术而变化。然而，当以与此不同的任意含义定义和使用特定术语时，将单独地描述所述术语的含义。因此，说明书中使用的术语应基于所述术语的实际含义和说明书的整体内容来解释，而不是基于所述术语的名义名称来解释。
38.提供附图是为了使说明书中公开的实施例被容易地理解，并且可以根据需要夸大和显示附图中所示的形状以帮助理解发明，使得发明不限于附图。
39.在描述发明的实施例时，如果认为使发明的主旨不必要地模糊，则可以根据需要省略相关的已知构造或功能的详细描述。
40.当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，所述元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在中间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或层。为此，术语“连接”可以指在具有或不具有中间元件的情况下的物理连接、电气连接和/或流体连接。此外，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的诸如x轴、y轴和z轴的三个轴，而是可以以更广泛的意义解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。为了本公开的目的，“x、y和z中的至少一个(种/者)”和“选自于由x、y和z组成的组中的至少一个(种/者)”可以解释为仅x、仅y、仅z或x、y和z中的两个(种/者)或更多个(种/者)的任意组合，诸如以xyz、xyy、yz和zz为例。如在此所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。
41.术语“和”和“或”可以在连接或分离的意义上使用，并且可以被理解为等同于“和/或”。在说明书和权利要求中，为了其含义和解释的目的，短语
“……
中的至少一个(种/者)”旨在包括“选自于
……
的组中的至少一个(种/者)”的含义。例如，“a和b中的至少一个(种/者)”可以被理解为意指“a、b或者a和b”。
42.诸如“在
……
之下”、“在
……
下方”、“在
……
下面”、“下”、“在
……
上方”、“上”、“在
……
之上”、“较高的”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)等的空间相对术语在此可以用于描述性目的，从而描述如附图中所示的一个或一元件与另外的元件的关系。空间相对术语旨在涵盖设备在使用、操作和/或制造中的除图中描绘的方位以外的不同方位。例如，如果附图中的设备翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件随后可以被定位为“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在
……
下方”可以涵盖上方和下方两个方位。此外，设备可以被另外定位(例如，旋转90度或处于其它方位)，如此，相应地解释在此所使用的空间相对描述语。
43.在此所使用的术语是为了描述实施例的目的，而且不意图是限制性的。如在此所使用的，除非上下文另外明确地指出，否则单数形式“一”、“一个(种/者)”和“该(所述)”也旨在包括复数形式。此外，术语“包括”、“包含”和/或其变型用在本说明书中时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但是不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。还注意的是，如在此所使用的，术语“基本上”、“约(大约)”和其它类似术语用作近似术语而不是程度术语，并且如此，被用来解释本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供值中的固有偏差。
44.如在这里使用的“约(大约)”或“近似”包括所陈述的值，并且意指在如由本领域的
普通技术人员考虑所讨论的测量和与特定量的测量有关的误差(即，测量系统的局限性)所确定的具体值的偏差的可接受的范围之内。例如，“约(大约)”可以意指在一个或更多个标准偏差内，或者在所陈述值的
±
30％、
±
20％、
±
10％、
±
5％之内。
45.除非另有定义，否则在此所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。除非在此明确地如此定义，否则术语(诸如在通用词典中定义的术语)应当被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于形式化的含义来解释它们。
46.发明涉及一种墨、使用该墨的显示装置的制造方法以及显示装置。
47.在下文中，将参照图1至图11描述墨、使用该墨制造显示装置的方法以及根据该方法制造的显示装置的实施例。
48.图1和图2分别示出了根据实施例的发光元件的透视图和示意性剖视图。图1和图2示出了圆柱形形状的发光元件ld，但是发光元件ld的类型和/或形状不限于此。
49.参照图1和图2，发光元件ld可以包括第一半导体层11和第二半导体层13以及置于第一半导体层11与第二半导体层13之间的活性层12。例如，发光元件ld可以包括沿着发光元件ld的长度方向顺序地堆叠的第一半导体层11、活性层12和第二半导体层13。长度方向可以指发光元件ld的延伸方向。
50.发光元件ld可以设置为具有沿着一个方向延伸的圆柱形形状。发光元件ld可以具有第一端部ep1和第二端部ep2。第一半导体层11和第二半导体层13中的一个可以设置在发光元件ld的第一端部ep1上。第一半导体层11和第二半导体层13中的剩余一个可以设置在发光元件ld的第二端部ep2上。
51.在一些实施例中，发光元件ld可以包括通过蚀刻法等以圆柱形形状制造的发光元件。在说明书中，“圆柱形形状”包括在长度方向上长的棒状形状或条状形状(即，具有大于1的长宽比)(诸如圆柱体或多边形柱体)，但是其剖面的形状不限于此。例如，发光元件ld的长度l可以比发光元件ld的直径d(或发光元件ld的侧剖面的宽度)大。
52.发光元件ld可以具有小至纳米级至微米级的尺寸。例如，发光元件ld可以均具有在纳米级到微米级的范围的直径d(或宽度)和/或长度l。然而，发光元件ld的尺寸不限于此，发光元件ld的尺寸可以根据各种装置(例如，采用使用发光元件ld的发光器件作为光源的显示装置)的设计条件不同地改变。
53.第一半导体层11可以是第一导电半导体层。例如，第一半导体层11可以包括n型半导体层。例如，第一半导体层11可以包括inalgan、gan、algan、ingan、aln和inn中的至少一种的半导体材料，并且可以包括掺杂有第一导电掺杂剂(诸如si、ge、sn等)的n型半导体层。然而，包括在第一半导体层11中的材料不限于此，第一半导体层11可以包括各种材料。
54.活性层12设置在第一半导体层11上，并且可以具有单量子阱结构或多量子阱结构。活性层12的位置可以根据发光元件ld的类型不同地改变。
55.掺杂有导电掺杂剂的覆层(未示出)可以形成在活性层12的上部和/或下部处。例如，覆层可以包括algan层或inalgan层。在一些实施例中，可以使用诸如algan和inalgan的材料来形成活性层12，并且各种材料可以形成活性层12。
56.第二半导体层13设置在活性层12上，并且可以包括与第一半导体层11的类型不同的类型的半导体层。例如，第二半导体层13可以包括p型半导体层。例如，第二半导体层13可
以包括inalgan、gan、algan、ingan、aln和inn中的至少一种半导体材料，并且可以包括掺杂有第二导电掺杂剂(诸如mg)的p型半导体层。然而，包括在第二半导体层13中的材料不限于此，第二半导体层13可以包括各种材料。
57.当阈值电压或更高电压施加到发光元件ld的各端时，在电子-空穴对在活性层12中结合的同时发光元件ld发射光。经由通过用所述原理来控制发光元件ld的光发射，除了用作用于显示装置的像素的光源之外，发光元件ld还可以用作用于各种发光器件的光源。
58.发光元件ld还可以包括设置在发光元件ld的表面上的绝缘膜inf。绝缘膜inf可以形成在发光元件ld的表面上，以便至少围绕活性层12的外圆周表面(或外周表面)，并且还可以围绕第一半导体层11和第二半导体层13的一个区域。
59.在一些实施例中，绝缘膜inf可以暴露发光元件ld的具有不同的极性的各端部。例如，绝缘膜inf可以暴露设置在发光元件ld的第一端部ep1和第二端部ep2处的第一半导体层11和第二半导体层13中的每个的一端。在另一实施例中，绝缘膜inf可以暴露第一半导体层11和第二半导体层13的与发光元件ld的具有不同的极性的第一端部ep1和第二端部ep2相邻的侧部。
60.在一些实施例中，绝缘膜inf可以通过包括氧化硅(sio
x
)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)、氧化铝(alo
x
)和氧化钛(tio
x
)中的至少一种绝缘材料而具有单层或多层(例如，包括氧化铝(alo
x
)和氧化硅(sio
x
)的双层)，但是绝缘膜inf的结构和/或材料不限于此。在一些实施例中，可以省略绝缘膜inf。
61.当绝缘膜inf覆盖发光元件ld的表面(例如，活性层12的外部圆周表面)时，可以防止活性层12与稍后将描述的第一像素电极或第二像素电极短路。因此，可以确保发光元件ld的电稳定性。
62.当绝缘膜inf设置在发光元件ld的表面上时，可以通过减少发光元件ld的表面缺陷来提高发光元件ld的寿命和效率。即使当发光元件ld设置为彼此紧密接触时，也可以防止发光元件ld之间的不期望的短路。
63.在实施例中，除了第一半导体层11、活性层12、第二半导体层13和/或围绕第一半导体层11、活性层12和第二半导体层13的绝缘膜inf之外，发光元件ld还可以包括附加的元件。例如，发光元件ld可以附加地包括设置在第一半导体层11、活性层12和/或第二半导体层13的一端侧上的磷光体层、活性层、半导体层和/或电极层中的一个或更多个。例如，接触电极可以分别设置在发光元件ld的第一端部ep1和第二端部ep2处。虽然图1和图2示出了具有圆柱形形状的发光元件ld，但是发光元件ld的类型、结构和/或形状可以不同地改变。例如，发光元件ld可以具有拥有多边形喇叭形状的核-壳结构。
64.除了用于显示装置之外，包括上述发光元件ld的发光器件还可以用于具有光源的各种类型的装置中。例如，发光元件ld可以设置在显示面板的每个像素中，发光元件ld可以用作每个像素的光源。然而，发光元件ld的应用领域不限于上述示例。例如，发光元件ld可以用于具有光源的其它类型的装置(诸如照明装置)中。
65.图3示出了根据实施例的显示装置的俯视平面图。
66.图3示出了显示装置(具体地，设置在显示装置中的显示面板pnl)作为可以使用图1和图2的实施例中描述的发光元件ld作为光源的电子装置的示例。
67.显示面板pnl的每个像素单元pxu和形成像素单元pxu的每个像素可以包括至少一
个发光元件ld。为了方便起见，图3简要示出了基于显示区域da的显示面板pnl的结构。然而，在一些实施例中，未示出的至少一个驱动电路部(例如，扫描驱动器和数据驱动器中的至少一个)、布线和/或垫(pad，或称为“焊盘”)可以进一步设置在显示面板pnl中。
68.参照图3，显示面板pnl可以包括基底sub和设置在基底sub上的像素单元pxu。像素单元pxu可以包括第一像素pxl1、第二像素pxl2和/或第三像素pxl3。在下文中，当任意地指第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3中的至少一个时，或者当全面地(或统一地)指第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3中的两个或更多个时，像素将被称为“像素pxl(见图4)”或“多个像素pxl”。
69.基底sub与显示面板pnl的基体构件对应，并且可以包括刚性或柔性基底或膜。例如，基底sub可以与包括玻璃或钢化玻璃的硬基底、包括塑料或金属材料的柔性基底(或薄膜)或者具有至少一层的绝缘层对应。基底sub的材料和/或物理性质不限于此。
70.在实施例中，基底sub可以是基本上透明的，“基本上透明”可以意指光可以以预定(或特定)透射率或更高透射率透射。在另一实施例中，基底sub可以是半透明的或不透明的。另外，根据实施例，基底sub可以包括反射材料。
71.显示面板pnl和形成显示面板pnl的基底sub包括用于显示图像的显示区域da和除了显示区域da之外的非显示区域nda。
72.像素pxl可以设置在显示区域da中。在非显示区域nda中，可以设置电连接到显示区域da的像素pxl的各种布线、垫和/或内部电路部。像素pxl可以根据条纹或布置结构规则地布置。然而，像素pxl的布置结构不限于此，像素pxl可以以各种结构和/或方法布置在显示区域da中。
73.在一些实施例中，发射不同的颜色的光的两种或更多种类型的像素pxl可以设置在显示区域da中。例如，在显示区域da中，可以布置发射第一颜色的光的第一像素pxl1、发射第二颜色的光的第二像素pxl2以及发射第三颜色的光的第三像素pxl3。设置为彼此相邻的第一像素至第三像素pxl1、pxl2和pxl3中的至少一个可以形成可以发射各种颜色的光的一个像素单元pxu。例如，第一像素至第三像素pxl1、pxl2和pxl3中的每个可以与发射预定颜色的光的子像素对应。在一些实施例中，第一像素pxl1可以与发射红光的红色像素对应，第二像素pxl2可以与发射绿光的绿色像素对应，第三像素pxl3可以与发射蓝光的蓝色像素对应，但是来自第一像素至第三像素pxl1、pxl2和pxl3的光的颜色不限于此。
74.在实施例中，第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3分别包括第一颜色发光元件、第二颜色发光元件和第三颜色发光元件作为光源，使得它们分别发射第一颜色、第二颜色和第三颜色的光。在另一实施例中，第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3可以包括基本上相同的颜色的发光元件，并且包括设置在相应的发光元件上的不同的颜色的颜色转换层和/或不同的颜色的滤色器，使得发光元件可以分别发射第一颜色、第二颜色和第三颜色的光。然而，形成每个像素单元pxu的像素pxl的颜色、类型和/或数量不限于此。由每个像素pxl发射的光的颜色可以不同地改变。
75.像素pxl可以包括由控制信号(例如，扫描信号和数据信号)和/或电源(例如，第一电源和第二电源)驱动的至少一个光源。在实施例中，光源可以包括根据图1和图2的实施例中的一个的至少一个发光元件ld，例如，具有小至纳米级至微米级的尺寸的超小圆柱形形状的发光元件ld。然而，发光元件ld的类型不限于此，各种类型的发光元件ld可以用作像素
pxl的光源。
76.在实施例中，每个像素pxl可以用作有源像素。然而，可以应用于显示装置的像素pxl的类型、结构和/或驱动方法不限于此。例如，每个像素pxl可以用作各种结构和/或驱动方法的无源或有源发光显示装置的像素。
77.图4示出了根据实施例的显示装置的每个像素的示意性俯视平面图。在图4中，为了方便起见，省略了电连接到发光元件ld的晶体管t(见图5)和电连接到晶体管t的信号线。
78.参照图4，像素pxl可以包括发光元件ld。发光元件ld可以布置在第一电极elt1与第二电极elt2之间，使得发光元件ld的长度方向与第一方向dr1基本上平行。发光元件ld可以布置在第一电极elt1与第二电极elt2之间。发光元件ld可以设置(例如，分散)在溶剂slv(见图7)中。
79.像素pxl可以包括电极。电极可以将电信号施加到发光元件ld，使得发光元件ld可以发射光。电极中的至少一些可以用作可以形成电场以使发光元件ld对准的对准电极。
80.电极可以包括第一电极elt1和第二电极elt2。设置到每个像素pxl的第一电极elt1可以与设置到相邻的像素pxl的第一电极elt1分开。第二电极elt2可以用作针对沿着一个方向布置的像素pxl的共电极，但不限于此。
81.第一电极elt1可以通过第一接触孔ch1电连接到像素pxl的晶体管t，第二电极elt2可以通过第二接触孔ch2电连接到电力线pl(见图5)。
82.第一电极elt1可以从在第一方向dr1上延伸的第一连接布线cnl1分支。第一连接布线cnl1和第一电极elt1可以彼此为一体。第一连接布线cnl1可以与第一电极elt1的至少部分区域对应。
83.第一连接布线cnl1可以在一个方向上与相邻的像素pxl的第一连接布线cnl1物理地分隔开，使得每个像素pxl可以在布置发光元件ld之后被单独地或独立地驱动。
84.第二电极elt2可以从在第一方向dr1上延伸的第二连接布线cnl2分支。第二连接布线cnl2和第二电极elt2可以彼此为一体。第二连接布线cnl2可以与第二电极elt2的至少部分区域对应。
85.在实施例中，第一电极elt1可以与阳极电极对应，第二电极elt2可以与阴极电极对应。
86.发光元件ld可以设置在第一电极elt1与第二电极elt2之间。发光元件ld的一端可以电连接到第一电极elt1，发光元件ld的另一端可以电连接到第二电极elt2。
87.发光元件ld在第二方向dr2上彼此分隔开，并且可以布置为在第一电极elt1与第二电极elt2之间基本上彼此平行。第二方向dr2可以与第一方向dr1不同(例如，相反)。发光元件ld中的一些可以设置为彼此相邻以形成组，发光元件ld中的一些可以彼此分隔开一定距离以形成组。发光元件ld可以具有不均匀的密度，并且可以在一个方向上对准和布置。
88.像素pxl可以包括第一接触电极cne1和第二接触电极cne2。第一接触电极cne1的至少一部分可以设置在第一电极elt1上，第一接触电极cne1的另一至少一部分可以定位在发光元件ld的端部上。第二接触电极cne2的至少一部分可以设置在第二电极elt2上，第二接触电极cne2的另一至少一部分可以定位在发光元件ld的另一端部上。
89.在下文中，将参照图5给出聚焦于每个像素pxl的在第三方向dr3上的堆叠结构的描述。图5示出了沿着图4的线i-i'截取的示意性剖视图。
90.参照图5，像素pxl可以包括基底sub、像素电路部pcl和显示元件部dpl。
91.基底sub可以包括刚性或柔性基底。例如，基底sub可以包括刚性材料或柔性材料。根据实施例，柔性材料可以包括聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素和乙酸丙酸纤维素中的至少一种。然而，应用于发明的实施例的基底sub的材料不限于特定示例。
92.像素电路部pcl可以包括缓冲膜bfl、晶体管t、栅极绝缘膜gi、第一层间绝缘膜ild1、第二层间绝缘膜ild2、电力线pl、第一接触孔ch1、第二接触孔ch2和钝化膜psv。
93.缓冲膜bfl可以设置在基底sub上。缓冲膜bfl可以防止杂质从外部扩散。缓冲膜bfl可以包括诸如氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)和氧化铝(alo
x
)的无机材料中的至少一种。
94.晶体管t可以包括薄膜晶体管。根据实施例，晶体管t可以与薄膜晶体管之中的驱动晶体管对应。晶体管t可以包括半导体层scl、栅电极ge、源电极se和漏电极de。
95.半导体层scl可以设置在缓冲膜bfl上。半导体层scl可以包括多晶硅、非晶硅和氧化物半导体中的至少一种。
96.半导体层scl可以包括接触源电极se的第一接触区域和接触漏电极de的第二接触区域。
97.第一接触区域和第二接触区域可以与掺杂有杂质的半导体图案对应。第一接触区域与第二接触区域之间的区域可以包括沟道区。沟道区可以与其中未掺杂杂质的本征半导体图案对应。
98.栅极绝缘膜gi可以设置在半导体层scl上。栅极绝缘膜gi可以包括无机材料。根据实施例，栅极绝缘膜gi可以包括氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)和氧化铝(alo
x
)中的至少一种。在一些实施例中，栅极绝缘膜gi可以包括有机材料。
99.栅电极ge可以设置在栅极绝缘膜gi上。栅电极ge的位置可以与半导体层scl的沟道区的位置对应。例如，栅电极ge可以设置在半导体层scl的沟道区上，并且栅极绝缘膜gi置于栅电极ge与半导体层scl的沟道区之间。
100.第一层间绝缘膜ild1可以设置在栅电极ge上。与栅极绝缘膜gi类似，第一层间绝缘膜ild1可以包括氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)和氧化铝(alo
x
)中的至少一种。
101.源电极se和漏电极de可以形成为穿过第一层间绝缘膜ild1。源电极se可以穿过栅极绝缘膜gi和第一层间绝缘膜ild1以接触半导体层scl的第一接触区域，漏电极de可以穿过栅极绝缘膜gi和第一层间绝缘膜ild1以接触半导体层scl的第二接触区域。
102.第二层间绝缘膜ild2可以形成为使得源电极se和漏电极de穿过第二层间绝缘膜ild2形成。与第一层间绝缘膜ild1和栅极绝缘膜gi类似，第二层间绝缘膜ild2可以包括无机材料。无机材料可以包括例如氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)和氧化铝(alo
x
)中的至少一种。在一些实施例中，第二层间绝缘膜ild2可以包括有机材料。
103.电力线pl可以设置在第二层间绝缘膜ild2上。电源可以供应到电力线pl，供应的电源可以通过电连接到电力线pl的第二接触孔ch2提供到第二连接布线cnl2。
104.钝化膜psv可以设置在第二层间绝缘膜ild2上。钝化膜psv可以覆盖电力线pl。钝
化膜psv可以包括有机绝缘膜、无机绝缘膜或它们的组合(例如，诸如设置在无机绝缘膜上的有机绝缘膜)。
105.电连接到漏电极de的第一接触孔ch1和电连接到电力线pl的第二接触孔ch2可以形成为穿过钝化膜psv。
106.显示元件部dpl可以包括第一堤bnk1、第一电极elt1、第二电极elt2、第一绝缘膜ins1、发光元件ld、第一接触电极cne1、第二接触电极cne2、第二绝缘膜ins2、第二堤bnk2和第三绝缘膜ins3。
107.第一堤bnk1可以具有在向上方向上突出的形状，第一电极elt1和第二电极elt2可以布置在第一堤bnk1上，使得可以形成反射分隔壁。可以形成反射分隔壁以提高发光元件ld的光效率。
108.第一电极elt1的部分可以布置在钝化膜psv上，第一电极elt1的另一部分可以布置在第一堤bnk1上。第一电极elt1可以包括通过其可以提供通过第一连接布线cnl1施加的关于发光元件ld的电信息的路径。第二电极elt2的部分可以布置在钝化膜psv上，第二电极elt2的另一部分可以布置在第一堤bnk1上。第二电极elt2可以包括通过其可以提供通过第二连接布线cnl2施加的关于发光元件ld的电信息的路径。
109.第一绝缘膜ins1可以设置在钝化膜psv上。与第二层间绝缘膜ild2类似，第一绝缘膜ins1可以包括氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)和氧化铝(alo
x
)中的至少一种。
110.第一绝缘膜ins1的至少一部分可以设置在第一电极elt1和/或第二电极elt2上，从而稳定电连接且减少外部影响。
111.发光元件ld可以设置在第一绝缘膜ins1上。根据实施例，第一绝缘膜ins1可以具有凹槽，发光元件ld的至少一部分可以接触通过凹槽形成的端部，发光元件ld的另一部分可以接触通过凹槽形成的另一端部。
112.发光元件ld可以在第一电极elt1与第二电极elt2之间设置在第一绝缘膜ins1上。发光元件ld可以与上面参照图1和图2描述的发光元件ld基本上相同。
113.第二绝缘膜ins2可以设置在发光元件ld上。第二绝缘膜ins2可以形成为覆盖与发光元件ld的活性层12(见图2)对应的区域。第二绝缘膜ins2可以包括有机材料和无机材料中的至少一种。
114.在一些实施例中，第二绝缘膜ins2的至少一部分可以设置在发光元件ld的后表面上。形成在发光元件ld的后表面上的第二绝缘膜ins2可以填充第一绝缘膜ins1与发光元件ld之间的间隙，同时第二绝缘膜ins2形成在发光元件ld上。
115.第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以设置在第一绝缘膜ins1上。第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以通过形成在第一绝缘膜ins1中的接触孔分别电连接到第一电极elt1和第二电极elt2。
116.第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以包括包含氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)和氧化铟锡锌(itzo)的导电材料中的至少一种。
117.通过第一电极elt1提供的电信号可以通过第一接触电极cne1提供到发光元件ld，发光元件ld可以基于提供的电信号发射光。通过第二电极elt2提供的电信号可以通过第二接触电极cne2提供到发光元件ld。
118.第二堤bnk2可以具有限定像素pxl的发光区域的结构。发光区域可以意指其中从发光元件ld发射光的区域。例如，第二堤bnk2可以设置在相邻的发光元件ld之间的边界区域中，以便围绕像素pxl的发光元件ld。
119.第三绝缘膜ins3可以布置在第二堤bnk2、第一接触电极cne1、第二接触电极cne2和第二绝缘膜ins2上。第三绝缘膜ins3可以包括有机材料和无机材料中的一种。第三绝缘膜ins3可以保护显示元件部dpl免受外部影响。
120.与发光元件ld和电极构造相关的布置关系不限于上面参照图4描述的实施例，并且可以实现根据各种可变的实施例的布置关系。
121.在下文中，将参照图6至图11描述根据实施例的显示装置的制造方法。
122.图6示出了根据实施例的显示装置的制造方法的流程图。图7和图10示出了根据实施例的显示装置的制造方法的工艺步骤期间的特定时间点的像素的俯视平面图。图8和图11示出了沿着图4的线ii-ii'截取的示意性剖视图。图9示出了图7的ea1的放大视图。
123.参照图6，根据实施例的显示装置的制造方法可以包括以下步骤：准备基底(s12)；形成第一电极和第二电极(s14)；喷射墨(s16)；通过将电压施加到第一电极和第二电极来形成电场(s18)；以及去除溶剂(s19)。
124.在准备基底(s12)的步骤中，可以准备基底sub，并且可以在基底sub上设置像素电路部pcl。基底sub可以与上面参照图5描述的基底sub基本上相同。可以通过使用掩模执行工艺使导电层(或金属)、无机材料或有机材料图案化来形成设置在基底sub上的像素电路部pcl的各个组件。
125.在形成第一电极和第二电极(s14)的步骤中，可以在基底sub上设置第一电极elt1和第二电极elt2。可以在像素电路部pcl上设置第一电极elt1和第二电极elt2。根据实施例，可以在像素电路部pcl的钝化膜psv上设置第一电极elt1和第二电极elt2。在一些实施例中，在执行本步骤之前，可以在像素电路部pcl上设置第一堤bnk1，并且可以在第一堤bnk1上设置第一电极elt1和第二电极elt2。
126.参照图7和图8，在喷射墨(s16)的步骤中，可以喷射墨ink。可以通过例如喷射液体流体的印刷装置100来提供墨ink。印刷装置100可以包括将液体流体排放到外部的喷嘴部。限定在说明书中的墨ink可以包括可以通过印刷装置100输出的液体混合物。
127.在本步骤中，印刷装置100可以在相对于其中将布置发光元件ld的区域沿第二方向dr2移动的同时喷射墨ink。可以在第一电极elt1与第二电极elt2之间定位喷射的墨ink的至少一部分。
128.参照图7和图8，墨ink可以包括溶剂slv和发光元件ld。发光元件ld可以分散在具有流动性的溶剂slv中。溶剂slv可以包括非固相的材料，使得发光元件ld可以被制备为分散在其中。
129.根据实施例，墨ink可以具有比预定值小的电导率。稍后将描述关于墨ink的物理特性的内容，并且将省略重复的描述。
130.在形成电场(s18)的步骤中，可以在第一电极elt1与第二电极elt2之间形成电场。在本步骤中，通过将对准信号施加到第一电极elt1和第二电极elt2中的每个，可以在第一电极elt1与第二电极elt2之间形成电场，由于形成的电场，可以在第一电极elt1与第二电极elt2之间对准包括在墨ink中的发光元件ld。在本步骤中，可以将交流信号施加到第一电
极elt1和第二电极elt2，使得在第一电极elt1与第二电极elt2之间偏置和对准发光元件ld。根据实施例，交流信号可以包括正弦波、三角波、阶梯波、方波、梯形波、脉冲波或它们的组合，但不限于此，并且可以是各种交流信号。
131.参照图10和图11，在形成电场(s18)的步骤中，发光元件ld可以布置为使得其长度方向与第一方向dr1基本上平行。发光元件ld可以在第二方向dr2上布置为基本上彼此平行。
132.在实施例中，发光元件ld可以布置为满足预定(或特定)条件。首先，可以在第一电极elt1与第二电极elt2之间的中心区域中布置发光元件ld。如上所述，在第一电极elt1与第二电极elt2之间布置发光元件ld，以在当将电信号施加到其时发射光。为了提高发光元件ld的发光效率且减小工艺成本，布置在第一电极elt1与第二电极elt2之间的墨ink中的发光元件ld的比例可以相对高。可以偏置对准发光元件ld。发光元件ld的偏置对准可以意指如下对准状态：在该对准状态中，发光元件ld的端部布置在电极构造中的比例比发光元件ld的另一端部布置在电极构造中的比例占优势。
133.当未偏置对准发光元件ld时，显示装置的发光效率会降低。发光元件ld可以基于第一电信号和第二电信号发射光，其中第一电信号从第一电极elt1接收且通过第一接触电极cne1提供，第二电信号从第二电极elt2接收且通过第二接触电极cne2提供。可以在第一电信号与第二电信号之间的预定方向上产生电流，因此，当在预定方向上流动的电流和发光元件ld的方向彼此不对应时，未与其对应的发光元件ld不会发射光。例如，在从第一电极elt1流动到第二电极elt2的电流中，当发光元件ld的阳极接触第一电极elt1且发光元件ld的阴极接触第二电极elt2时，发光元件ld可以发射光。相反，当发光元件ld的阴极接触第一电极elt1且发光元件ld的阳极接触第二电极elt2时，发光元件ld不会发射光。因此，可以在第一电极elt1与第二电极elt2之间以高比例偏置和对准发光元件ld，使得可以提高显示装置的发光效率。
134.如上面参照图1和图2所描述的，发光元件ld可以包括第一半导体层11和与第一半导体层11不同的第二半导体层13。因此，发光元件ld可以具有基于其长度方向的电不对称性。例如，当发光元件ld的第一端部ep1具有正电荷性质时，发光元件ld的第二端部ep2可以具有负电荷性质。在另一示例中，当发光元件ld的第一端部ep1具有负电荷性质时，发光元件ld的第二端部ep2可以具有正电荷性质。
135.根据根据实施例的墨ink施加到其的显示装置的制造方法，可以获得相对于发光元件ld的高偏置对准比。在下文中，将参照图9描述当使用根据实施例的墨ink时获得高偏置对准比的原因。在实施例中，发光元件ld的第一端部ep1连接到第一电极elt1，发光元件ld的第二端部ep2连接到第二电极elt2，使得发光元件ld可以发射光。
136.然而，发光元件ld与第一电极elt1和第二电极elt2之间的连接不限于此，在一些实施例中，发光元件ld的第二端部ep2可以连接到第一电极elt1，发光元件ld的第一端部ep1可以连接到第二电极elt2。
137.参照图9，发光元件ld的第一端部ep1可以具有正电荷，发光元件ld的第二端部ep2可以具有负电荷。这可以是因为第一半导体层11被实现为n型半导体且第二半导体层13被实现为p型半导体，使得第一半导体层11与第二半导体层13相比具有负电性。
138.在形成电场(s18)的步骤中，可以形成从第二电极elt2到第一电极elt1的电场。如
上所述，发光元件ld的至少一部分可以具有电性质，可以将外力施加到发光元件ld的至少一部分。在这种情况下，施加到发光元件ld的外力可以是洛伦兹力。在下文中，从第二电极elt2到第一电极elt1的方向被定义为第一对准方向，从第一电极elt1到第二电极elt2的方向被定义为第二对准方向。
139.例如，发光元件ld的第一端部ep1可以具有正电荷，由于在第一对准方向上形成的电场，发光元件ld的第一端部ep1可以施加有指向第一对准方向的外力。发光元件ld的第二端部ep2可以具有负电荷，由于在第一对准方向上形成的电场，发光元件ld的第二端部ep2可以施加有指向第二对准方向的外力。
140.由于施加到发光元件ld的端部和另一端部的不同方向的外力，可以产生施加为使得发光元件ld的第一端部ep1指向第一电极elt1的旋转扭矩。类似地，可以产生施加为使得发光元件ld的第二端部ep2指向第二电极elt2的旋转扭矩。因此，当将发光元件ld的长度方向作为参考时，由于针对每个位置的不同的电荷值，可以产生外力(例如，旋转扭矩)，使得在“特定方向”上布置发光元件ld，因此，可以在“特定方向”上偏置和对准包括在墨ink中的发光元件ld。
141.当将发光元件ld的长度方向作为参考时，当针对每个位置的电荷量的偏差大(例如，随着发光元件ld的第一端部ep1与发光元件ld的第二端部ep2之间的电荷量的差增加)时，将在特定方向上布置的旋转扭矩的值可以增加，因此，可以更强烈地产生发光元件ld的偏置对准。
142.根据实施例，墨ink的电导率可以小于或等于预定数值范围。例如，根据实施例的墨ink的电导率可以是约1.5μs/m或更小。在另一示例中，根据实施例的墨ink的电导率可以是约1.0μs/m或更小。在另一示例中，根据实施例的墨ink的电导率可以是约0.8μs/m或更小。
143.当墨ink的电导率小于或等于预定值时，当形成电场时，发光元件ld的第一端部ep1和第二端部ep2之间的电荷量的差可以进一步增加。
144.当墨ink的电导率高时，会在墨ink中的流体中活跃地传输电信号，例如，定位在发光元件ld的端部处的电信息(例如，自由电子)会容易地传输到发光元件ld的另一端部。即使当发光元件ld的各端部之间的电荷量的差大时，发光元件ld的各端部之间的电荷量的差也会由于墨ink的高电导率而减小。
145.相反，当墨ink的电导率小于或等于预定值时，电信号可以不在墨ink中的流体中活跃地传输。因此，当发光元件ld的各端部之间的电荷量的差大时，当施加电场时，可以在发光元件ld中产生大的旋转扭矩。因此，可以更强烈地偏置和对准发光元件ld，因此，可以提高显示装置的发光效率，此外，可以降低实现相同的发光效率的目标所需的成本。
146.因此，可以偏置和对准布置在第一电极elt1与第二电极elt2之间的发光元件ld。例如，在形成电场(s18)的步骤中，发光元件ld可以包括第一发光元件和第二发光元件，在第一发光元件中，第一端部ep1与第一电极elt1对应且第二端部ep2与第二电极elt2对应，在第二发光元件中，第一端部ep1与第二电极elt2对应且第二端部ep2与第一电极elt1对应，第一发光元件的数量可以比第二发光元件的数量大。在一些实施例中，第一发光元件与发光元件ld的数量的比例可以是约0.6或更大。
147.返回参照图6，在去除溶剂(s19)的步骤中，可以去除包括在墨ink中的溶剂slv。然
而，在一些实施例中，不执行针对溶剂slv的单独的去除工艺，但是可以挥发和去除溶剂slv。当执行本步骤时，可以在第一绝缘膜ins1上稳定地布置且固定发光元件ld的位置。
148.虽然在图中未示出，但是通过连续地执行附加的工艺，可以形成上面参照图4和图5描述的第二绝缘膜ins2、第一接触电极cne1、第二接触电极cne2和第三绝缘膜ins3，以制造根据实施例的显示装置。
149.在下文中，将描述根据实施例的显示装置的制造方法中提供的墨ink的制造方法的实施例。
150.首先，制备包括在墨ink中的溶剂slv，混合溶剂slv和发光元件ld。溶剂slv可以包括乙酰柠檬酸三丁酯、柠檬酸三丁酯、三乙酸磷酸酯(tris acetate phosphate)、乙基邻苯二甲酰乙基乙醇酸酯、丙二醇苯醚、丙二醇甲醚乙酸酯、二乙二醇-丁醚乙酸酯和癸醇中的至少一种。溶剂slv的电导率可以包括在预定数值范围内，使得墨ink的电导率满足预定数值范围。溶剂slv的电导率可以与墨ink的电导率基本上相同。例如，溶剂slv的电导率可以是约1.5μs/m或更小。在另一示例中，溶剂slv的电导率可以是约1.0μs/m或更小。在另一示例中，溶剂slv的电导率可以是约0.8μs/m或更小。
151.提供到溶剂slv的发光元件ld可以具有相对于墨ink的总重量的约0.01wt％至约1wt％的浓度。在一些实施例中，可以在墨ink中提供分散剂。分散剂可以具有相对于墨ink的总重量的约10wt％至约50wt％的浓度。分散剂可以使未聚集的发光元件ld分散在墨ink中。当分散剂设置在墨ink中时，可以对墨ink执行物理操作，使得可以进一步分散发光元件ld。物理操作可以是超声处理、搅拌和研磨中的至少一种，但不限于此。
152.当包括在墨ink中的发光元件ld彼此分散时，可以在墨ink中提供添加剂。添加剂可以调节墨ink的粘度、表面张力等，使得可以顺利地执行与根据实施例的显示装置的制造方法相关的工艺。根据实施例，添加剂可以具有相对于墨ink的总重量的约0.01wt％至约1wt％的浓度。当提供添加剂时，可以执行超声处理或搅拌。在一些实施例中，在提供添加剂之后，可以在约40摄氏度或更高的温度下执行超声处理或搅拌工艺，但不限于此。
153.可以在执行包括制造方法的工艺的同时提供墨ink。在一些实施例中，可以执行工艺中的每个以制备第一墨和第二墨，并且可以混合第一墨和第二墨以提供不限于此的墨ink，并且可以混合至少两种或更多种墨以提供墨ink。
154.墨ink可以包括如上所述的溶剂slv。然而，在一些实施例中，溶剂slv可以包括至少两种或更多种溶剂。例如，溶剂slv可以包括第一溶剂和第二溶剂。
155.当执行与墨ink应用到其的显示装置的制造方法相关的工艺时，墨ink可以具有包括除了电导率之外的粘度的附加的物理特性(例如，粘度等)。例如，为了使墨ink的电导率满足预定数值范围，可以在墨ink中包括第一溶剂，同时，墨ink的粘度需要满足预定数值范围(或特定粘度范围)。第一溶剂的粘度可能过低，因此，墨ink的粘度特性可能不满足预定数值范围(或特定粘度范围)。根据实施例，可以在墨ink中进一步包括具有超过预定数值范围(或特定粘度范围)的粘度的第二溶剂。因此，混合第一溶剂和第二溶剂，墨ink的粘度可以具有与预定数值范围(或特定粘度范围)对应的值。然而，即使当第二溶剂和第一溶剂两者包括在墨ink中时，墨ink的电导率也需要在预定数值范围内。即，第二溶剂的电导率具有非常大的值，并且因此可能不包括在预定数值范围内。然而，通过适当地选择第二溶剂或通过适当地调节第一溶剂和第二溶剂的量，可以混合第一溶剂和第二溶剂，使得包含第一溶
剂和第二溶剂的墨ink的电导率可以包括在至少预定数值范围内。换言之，第一溶剂可以具有比墨ink的电导率小的电导率，第二溶剂可以具有比墨ink的电导率大的电导率。因此，可以通过混合第一溶剂和第二溶剂使得墨ink的电导率可以包括在至少预定数值范围内。
156.在下文中，当分别应用根据实施例的墨ink和根据对比示例的墨时，将描述发光元件ld是否偏置和对准的实验示例。在实验中，当包括在墨中的发光元件ld的60％或更多在预定方向上偏置和对准时，记录偏置对准，当包括在墨中的发光元件ld的小于60％在预定方向上偏置和对准时，记录未偏置对准。
157.(表1)
158.电导率(μs/m)介电常数墨是否偏置对准0.0045.42实施例偏置对准0.197.0实施例偏置对准0.337.17实施例偏置对准0.847.04实施例偏置对准2.069.55对比示例未偏置对准2.849.63对比示例未偏置对准6.698.58对比示例未偏置对准9.929.27对比示例未偏置对准
159.参照表1，可以确认的是，针对发光元件ld的偏置对准是在具有约1.5μs/m或更小的电导率(具体地，约1.0μs/m或更小的电导率)的墨ink中实现的。另外，可以确认的是，针对发光元件ld的偏置对准是在具有约8.0或更小的介电常数的墨ink中实现的。相反，可以看出的是，在具有超过约1.5μs/m的电导率的溶剂应用到其的墨中，发光元件ld的偏置对准没有实现预定数值范围或更大。
160.因此，根据具有预定数值范围的电导率的墨ink，即使当不执行单独的工艺时，也可以偏置对准发光元件ld。
161.根据传统工艺，为了实现针对发光元件ld的偏置对准，已经执行了将能量施加到发光元件ld的工艺(诸如uv光照射)或者将精细电信号施加到将偏置对准的发光元件ld的工艺。在这些工艺中，当将能量施加到发光元件ld时，正常地布置的发光元件ld的位置会在将能量施加到发光元件ld的工艺中失真(或歪曲)，当施加用于偏置对准的精细电信号时，所述工艺会难以执行且需要过多的成本。
162.然而，根据实施例，可以提高显示装置的发光效率，由于可以不需要用于偏置对准的单独的工艺，因此可以简化工艺且因此可以减小工艺成本，并且还可以防止由于执行发光元件ld的偏置对准而发生的常规问题。
163.以上描述仅是对发明的技术精神或范围的说明，本领域普通技术人员将容易理解的是，在实质上不脱离发明的新颖教导和优点的情况下，各种修改和等同布置是可能的。因此，上述发明的实施例可以单独地实现或彼此组合实现。
164.因此，发明中公开的实施例不旨在限制发明的技术精神或范围，而是解释它们，并且发明的技术精神或范围的范围不受实施例的限制。发明的保护范围应由权利要求解释，并且在所考虑的等同范围内的所有技术思想应被解释为包括在发明的范围内。