阵列基板及液晶显示面板的制作方法

技术特征：
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：底板；第一金属层，设置于所述底板上，所述第一金属层包括：栅极扫描线，阵列公共电极和共享公共电极，所述共享公共电极与所述栅极扫描线和所述阵列公共电极平行间隔排布；像素电极层，与所述第一金属层异层设置于所述底板上，所述像素电极层包括呈阵列排布的多个子像素电极，所述子像素电极包括主像素电极和次像素电极；第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的漏极与所述主像素电极电连接；第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述次像素电极电连接；第三薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管的源极与所述第二薄膜晶体管的漏极电连接，所述第三薄膜晶体管的漏极与所述共享公共电极电连接。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：栅极绝缘层，设置于所述底板上并覆盖所述第一金属层；第二金属层，设置于所述栅极绝缘层上，所述第二金属层包括所述第一薄膜晶体管的源极和漏极、第二薄膜晶体管的源极和漏极、以及第三薄膜晶体管的源极和漏极；有机层，设置于所述第二金属层上，所述有机层表面开设有暴露部分所述共享公共电极和暴露部分所述第三薄膜晶体管的所述漏极的第一过孔，所述像素电极层设置于所述第一过孔外侧的所述有机层上；导电膜层，沉积于所述第一过孔，所述导电膜层至少覆盖所述共享公共电极和所述第三薄膜晶体管的部分所述漏极，所述第三薄膜晶体管的所述漏极通过所述导电膜层与所述共享公共电极电连接。3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一过孔开设于位于所述主像素电极与所述次像素电极之间的所述有机层表面。4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，靠近所述共享公共电极一侧的所述第一过孔的内径小于靠近所述有机层一侧的所述第一过孔的内径。5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一过孔暴露所述第三薄膜晶体管的所述漏极的侧壁。6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一过孔暴露所述第三薄膜晶体管的所述漏极的侧壁和所述漏极远离所述共享公共电极一面的部分表面。7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：栅极绝缘层，设置于所述底板上并覆盖所述第一金属层；所述栅极绝缘层表面开设有暴露部分所述共享公共电极的第二过孔；所述第三薄膜晶体管的所述漏极通过所述第二过孔与所述共享公共电极电连接。8.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述共享公共电极位于所述栅极扫描线和所述次像素电极对应的所述阵列公共电极之间。9.一种液晶显示面板，其特征在于，包括：如权利要求1～8中任一项所述的阵列基板；彩膜基板，与所述阵列基板相对设置；
液晶层，设置于所述阵列基板与所述彩膜基板之间。

技术总结
本发明涉及一种阵列基板及液晶显示面板，所述阵列基板通过将共享公共电极与栅极扫描线同层设置，并通过开设第一过孔以暴露部分共享公共电极和第三薄膜晶体管的部分漏极，将第三薄膜晶体管的漏极通过导电膜层与共享公共电极电连接，从而使得共享公共电极只存在于主像素电极与次像素电极之间的非显示区，共享公共电极无需穿过主像素电极和次像素电极，增大像素电极的开口率，增大穿透率。增大穿透率。增大穿透率。


技术研发人员：许森 李士浩
受保护的技术使用者：苏州华星光电技术有限公司
技术研发日：2021.12.14
技术公布日：2022/3/25